Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Структура сфалерита

    Рис. II.7. а) Оси симметрии С2 в правильных многоугольниках полярные оси в нечетном (треугольник) и неполярные оси в четном (квадрат) п-уголь-нике б) расположение атомов вдоль телесных диагоналей куба (оси симметрии Сз) в гомологичных структурах сфалерита a-ZnS (полярная ось) и алмаза (неполярная ось). [c.47]

    Рассмотрим возможную причину полярности оси на атомном уровне. На рис. II, 7, б для двух кубических кристаллов с алмазоподобными структурами сфалерита (а-2п8) и алмаза — показано расположение атомов. . . 2п—3. . . 2п—3. .. и соответственно. . . С—С. . . С—С. . . вдоль телесных диагоналей элементарной ячейки, являющихся осями симметрии третьего порядка Сд. Как показывает расположение атомов, в сфалерите эти оси по-лярны, а в алмазе неполярны. [c.48]


    Ряд бинарных соединений (HgS, Agi, dS и др.) образуют структуру сфалерита и вюрцита, которые представляют собой полиморфные модификации сульфида цинка. Структура сфалерита называется [c.50]

    Исследовательская работа, которая шла примерно таким же путем, как уже освоенная по синтезу алмаза, довольно скоро привела к успеху. В 1957 г. была синтезирована из а-ВЫ новая модификация нитрида бора, получившая наименование (3-BN или кубический нитрид бора. Эта модификация имеет структуру сфалерита (рнс. 39). Структура сфалерита отличается от алмазной только тем, что состоит из атомов двух разных элементов (см. рис. 32). Кристаллографические параметры структуры р-ВЫ следующие расстояние между атома- [c.145]

    Карбид кремния Si -единств, хим. соед., образуемое элементами IV группы. Обладает полупроводниковыми св-вами во всех стр) турных модификациях -Si (структура сфалерита) a-Si (гексагон. структура), имеющая ок. 15 разновидностей. Один из наиб, тугоплавких и широкозонных среди широко используемых П. м. [c.59]

    Для получения соединений вычисленные количества компонентов нагревают в вакууме. Относительно легко протекает только реакция In с сурьмой фосфор реагирует при нагревании при 700 °С в течение 350—400 ч лишь на 94—95%. Все три вещества кристаллизуются в структуре сфалерита  [c.944]

Рис. 255. Разрез структуры сфалерита (ZnS) нормально к граням куба, ромбододекаэдра и октаэдра Рис. 255. Разрез структуры сфалерита (ZnS) нормально к граням куба, ромбододекаэдра и октаэдра
    Соединения с другими неметаллами. С водоро .ом бериллий непосредственно не взаимодействует. Полимерный гидрид (ВеНз)/ может быть получен разложением бериллийорганических соединений. По свойствам (ВеНа) похож на (AlHa) . Сульфид BeS синтезируют из простых веществ при высокой температуре или получают действием сероводорода на бериллий. BeS (ДЯ 298 -235,6 кДж/моль) кристаллизуется в структуре сфалерита, легко [c.317]

Рис. 2.10. Схемы реконструкции примесных центров в нитриде галлия со структурой сфалерита (I) и вюртцита (II) [154] Рис. 2.10. Схемы реконструкции <a href="/info/1072758">примесных центров</a> в <a href="/info/77670">нитриде галлия</a> со <a href="/info/3930">структурой</a> сфалерита (I) и вюртцита (II) [154]
    Более сложный — четырехкомпонентный ТР (AlN) .(Si ), со структурой сфалерита рассмотрен [99] в рамках метода эмпирического потенциала. Отмечены нелинейные концентрационные зависимости изменения ширины запрещенной щели (непрямые пе- [c.61]


    Полный параллелизм между величинами U и каталитической активности вряд ли будет наблюдаться даже в случае собственной проводимости для полупроводников с одной и той же структурой. Например, у алмаза и его вертикальных аналогов плоскостью спайности будет грань октаэдра (111), потому что расстояния между атомными слоями в этом направлении максимальны. Для веществ со структурой сфалерита в этом направлении располагаются слои из атомов попеременно разного типа, между которыми силы связи [c.32]

    Неудивительно, что для соединений со структурой сфалерита А В , А В ) плоскостями спайности будут грани ромбического додекаэдра (110), которые содержат атомы обоих типов, например, для ZnS — атомы цинка и серы [106, 107] (рис. 16). По некоторым данным, кристаллическая структура и, следовательно, огранение не очень сильно влияет на U. Например, U для ZnS, кристаллизующегося в структуре сфалерита, имеет величину 3,66 эв, в структуре вюрцита — 3,62 эв. Для Si найдены более заметные различия [108] U в структуре сфалерита — 3,12 эв, в структуре вюрцита — 2,62 эв. [c.33]

    Да , тем меньше U. На рис. 14 можно было видеть хорошую корреляцию между U и Дж для большого числа разных полупроводников. Особенно хорошо эта корреляция выполняется на примере ряда соединений со структурой сфалерита [122]. Согласно Пирсону [88], зависимость U от Дж для соединений этого тина можно представить в виде уравнений  [c.38]

    На рис. 17 изображены зависимости, соответствующие уравнению (22), для трех разных изоэлектронных рядов соединений со структурой сфалерита. Точки для каждого из изоэлектронных рядов ложатся на свою прямую. [c.38]

    В кристаллохимии широко используется понятие координационного числа. Этим термином называется число атомов, непосредственно взаимодействующих с данным атомом. Можно показать, что координационное число в общем тем больше, чем меньше различие в размерах ионов (пли атомов). При одинаковых размерах ионов координационное число может достигать 12, как это имеет место у металлов, кристаллизующихся в плотнейших кубической или гексагональной решетках. Из структур, встречающихся у соединений типа АВ, наиболее плотной укладке. отвечает объемно-центрированная кубическая, решетка s l со свойственным ей координационным числом 8, далее следует простая кубическая решетка Na l с координационным числом 6 и еще дальше структуры сфалерита (и вюрцита) с координационным числом 4. Кристаллы соединений двух- и трехвалентных элементов, не рассматривавшиеся нами, имеют иногда решетку графита, у которой координационное число равно 3. [c.130]

    Физико-химические свойства фосфидов индия и галлия. Диаграммы состояния систем 1п—Р и Са—Р приведены на рис. 39, 40. В рассматриваемых системах образуется по одному соединению эквиатомного состава. Эвтектики с обеих сторон вырождены. Оба соединения обладают значительным давлением пара при температуре плавления вследствие диссоциации. Так, для фосфида индия при 1055°С давление достигает 25 атм, а для фосфида галлия при М67°С — 45 атм. Оба соединения относятся к алмазоподобным полупроводникам, кристаллизуются а структуре сфалерита. При спонтанной кристаллизации из избытка металлического компонента или из индифферентного растворителя соединения выделяются в виде пластинчатых и нитевидных кристаллов серого (1пР) или оранжево-красного (СаР) цвета. [c.72]

    С е Л е н И д ы. Известно только три селенида галлия (рис. 44). Обычно их получают синтезом из элементов. Селениды галлия по сравнению с сульфидами характеризуются большей химической стойкостью и меньшими температурами плавления. Оз23ез образует темно-серые кристаллы, но в порошке он красный. Плотность 4,92 г/см . Для него известны три кристаллические модификации, из них а, существующая до 600", и V. образующаяся выше 800°, имеют дефектную неупорядоченную структуру сфалерита промежуточная (3-модификация с упорядоченной структурой кристаллизуется в тетрагональной решетке. [c.235]

    Вендель [24] цри синтезе электролюминофоров использовал двухстадий ное прокаливание первая стадия — 1250° и атмосфера HgS + H l вторая стадия — 450° на воздухе подобная операция обеспечивала резкое возрастание интенсивности электролюминесценции. Авторы работы [26] нашли, что прп таком способе получения электролюминофоров можно отказаться от применения токсичного сероводорода и прокаливать электролюминофоры в атмосфере НС1. В результате синтезируются крупнозернистые электролюминофоры со смешан ной структурой сфалерита и вюрцита, наиболее эффективны они при низких напряженностях электрического поля. [c.131]

    Более сложные структуры из нескольких металлических элементов и одного неметаллического также сохраняют черты бинарного неорганического соединения. Так, на рис. 309 показаны структуры сфалерита ZnS, халькопирита uFeSs и станнина u2FeSnS4. Металлические атомы упорядочены друг относительно друга. Чем они ближе друг другу по химическим свойствам, тем более вероятна неупорядоченность. [c.321]

    Вследствие sp -гибридизации в большинстве полупроводников имеется тетраэдрическая сетка связей. Особенно распространены кубическая структура сфалерита (цинковой обманки) и гексагональная структура вюрцита. С ростом ковалентности связи, т. е. с уменьшением разности элентроотрицательностей Ах, вместо вюрцита образуется сфалерит. Ввиду широкого распространения структур вюрцита и сфалерита среди полупроводниковых катализаторов, поясним это положение схемой [335]. На рис. 35 изображено расположение атомов.в структурах сфалерита и вюрцита. В достаточно пОлярных соединениях (например, в ZnO) преобладает притяжение [c.92]


Рис. 8. Изображение структуры сфалерита ZnS с помощыо катионных многогранников (а) и структуры галита Na l в виде плотнейшей упаковки шаров (б крупные шары-ионы 01 , мелкие —ионы Na+) Рис. 8. Изображение структуры сфалерита ZnS с помощыо катионных многогранников (а) и структуры галита Na l в виде <a href="/info/189589">плотнейшей упаковки шаров</a> (б крупные шары-ионы 01 , мелкие —ионы Na+)
    Неравновесная фаза со структурой сфалерита (рис. 1.1), известная для нитрида трехвалентного галлия [9], для A1N долгое время не фиксировалась. Одним из первых упоминаний о синтезе ме-тастабильного эпитаксиального -AIN по реакции 4AI TiN —>А1зТ1 + A1N явилась работа [10]. Фаза p-AIN образовьшалась между кубическим TiN и тетрагональными А1зТ1-слоями. Параметр решетки B-AIN определяли в работах [7, 10] он составил 4,399 [7] и 4,38 A [10]. [c.6]

    Рпс. 2. Зависимость каталитической активности полуироводпиков со структурой сфалерита и вюрцита от ширины запрещенной зовы в реакции дегидрирования изоп1)опилового спирта [c.79]

Рис. 16. Относительное расположение слоев атомов Zn и S на гранях куба (а), ромбододекаэдра (б) и октаэдра (в) в кристалле ZnS со структурой сфалерита [106, 107J. Расстояния между слоями указаны в долях ребра элементарного куба. Рис. 16. Относительное расположение слоев атомов Zn и S на гранях куба (а), ромбододекаэдра (б) и октаэдра (в) в кристалле ZnS со <a href="/info/3930">структурой</a> сфалерита [106, 107J. Расстояния между слоями указаны в долях <a href="/info/350758">ребра</a> элементарного куба.

Смотреть страницы где упоминается термин Структура сфалерита: [c.149]    [c.388]    [c.391]    [c.259]    [c.69]    [c.303]    [c.170]    [c.272]    [c.378]    [c.641]    [c.204]    [c.313]    [c.313]    [c.31]    [c.131]    [c.532]    [c.123]    [c.320]    [c.74]    [c.120]    [c.532]    [c.272]    [c.77]    [c.23]    [c.24]    [c.93]   
Неорганическая химия (1989) -- [ c.69 , c.73 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (1968) -- [ c.90 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Орлова. Расчет интенсивности диффузного рассеяния второго порядка для кристаллов со структурой сфалерита

Структуры сфалерита и вюрцита

Сульфиды со структурами, родственными сфалериту и вюртциту

Сфалерит

Сфалерит цинковая обманка структура



© 2025 chem21.info Реклама на сайте