Строение секториальное

Рис. 30. Секториальное строение кварца (а) и влияние скорости роста на характер секториального распределения неструктурной примеси в кварце, синтезированном при постоянной температуре в камере кристаллизации, в режиме увеличения (б) и снижения (в) скорости роста.

Рнс. 145. Секционные топограммы сечения (001), расположенного на середине расстояния от центра ДО вершины 001 (направление вверх <010>) а — отражение (404), угол 20д б—(404), 20д — 60 в—(404), 20 -1-60 г— (404). 2вд— 60 д— (404) 20д+6О" е—схема секториального строения сечения (001). [c.401]

Схема секториального строения кристалла [c.367]

Это утверждение неправильное, так как при достаточно быстром росте равновесие по отношению к распределению примесей между кристаллом и прилегающим к нему слоем среды может и не достигаться. Свидетельство тому можно усмотреть в секториальном строении кристаллов, вырастающих в условиях сильного перемешивания. В общем случае под ко в формуле (3.41) следует понимать неравновесный кинетический коэффициент распределения примеси [49 —52]. — Прим. ред. [c.125]

Кроме изменения внешнего облика кристаллов, представляет интерес изучение их внутреннего строения. В этом случае закономерное распределение примесей проявляется наиболее отчетливо при изучении секториального строения кристаллов [80]. Последнее понятие введено Бекке как одно из основных положений внутреннего строения кристаллов. Согласно Бекке, реальный кристалл сложен пирамидами роста его граней. Пирамиды роста разных простых форм физически различны. Во время роста кристалла каждая его вершина или ребро, [c.235]

Чаще всего изоморфные примеси располагаются в кристалле однородно ВО всех пирамидах нарастания и, таким образом, также не могут выявить его секториального строения. Исключение составляют те случаи, когда различные грани находятся в разных условиях и скорости их роста отличаются. При этом пирамиды роста граней, распространяющихся с разной скоростью. [c.235]

Рис. 67. С.хема секториального строения кристалла типа структуры песочных часов

Селективная адсорбция примесей отдельными гранями является причиной секториального строения кристаллов [129]. Это строение зависит от индивидуальных поверхностных свойств граней кристалла и проявляется в том, что в кристалле можно выделить объемные секторы, отличаюш иеся физическими свойствами (в частности, концентрацией растворимых примесей). [c.76]

Рис. 685. Секториальное строение межпланетного магнитного поля

В целом, с помощью электрохимических измерений хорошо выявляется известное из литературы [37] секториальное строение кристаллов алмаза, выращенных при высоких температуре и давлении. Действительно, наблюдаемые различия в электрохимических свойствах (импеданс, а также кинетические параметры) отдельных фаней с различной кристаллофафической ориентацией объясняются прежде всего различием в концентрации акцептора (бора) в секторах роста, связанных с этими фанями, что в свою очередь связано с различной способностью фаней захватывать бор в процессе синтеза. Очевидно, что для выявления более тонких эффектов (таких как влияние на электрохимические свойства фаней поверхностной атомной плотности алмаза и др.) необходимо сравнивать фани с разными индексами при постоянной концентрации бора, используя для этого разные кристаллы. [c.40]

Рис. 3. Секториальное и зонарное строение некоторых тпиов кристаллов сни-тетического кварца, выявленных уоблучением.

Для выращивания кристаллов кварца можно применять затравочные пластины самых различных ориентаций, в том числе и иррациональных. Применение заготовок указанных ориентаций в первую очередь определялось требованиями к качеству выращиваемых кристаллов. Проведенными исследованиями было пока-зано, что на различно ориентированных затравках образуются кристаллы с различной однородностью и различной степенью дефектности. Наиболее однородные и в значительной степени мо-нопирамидные кристаллы удается получить именно на затравках указанных выше ориентаций. На рис. 1 приведены фотографии кристаллов, получаемых на затравках различных ориентаций. Следствием гранного механизма роста кристаллов синтетического кварца является их ярко выраженное секториальное строение. На рис. 2 представлено идеализированное секториальиое строение для различных типов кристаллов кварца. Захват структурных и не-структурных примесей существенно зависит от кристаллографической ориентации поверхности затравки скорости и других условий роста. Поэтому возникающие неоднородности распределения примесей по пирамидам и зонам роста (в пределах каждой пирамиды) образуют секториальное и зонарное строение (рис. 3). [c.21]

Особенности такого строения и определяют внутреннюю морфологию кристаллов кварца. Макроскопическое распределение примесей осложняется явлением вторичной секториальности (образованием паразитных пирамид роста, по Г. Г. Леммлейну) и двойникованием кварца. Известно, что реальные грани даже в случае медленного роста, не говоря уже о стабильных и быстро нарастающих поверхностях, не являются идеальными плоскостями, а имеют характерный для данной грани или поверхности рельеф, состоящий либо из акцессорий (холмиков) роста, либо из участков гранен других индексов ( поверхности вырождения ). Поскольку коэффициент захвата примесей чрезвычайно чувствителен к изменению ориентации растущей поверхности, нарастание такой рельефной грани приводит к образованию вторичной секториальности в пределах данной пирамиды роста. Аналогичные искажения вносят также ростовые двойники. [c.22]

Проявления волокнистого роста в свое время были зафиксированы в природных алмазах с оболочками ( oated diamond), в некоторых кубических кристаллах, а также ряде разновидностей округлых алмазов по направлениям <111>, <100> и <110> [21]. Вследствие закономерно ориентированного параллельно-волокнистого строения пучков по всем возможным эквивалентным направлениям такие кристаллы были охарактеризованы как изометрические сферокристаллы. Наряду с округлыми поверхностями фронта роста в сферокристаллах могут развиваться и плоские грани (100) и (111). В связи с закономерным упорядоченным волокнистым внутренним строением сферокристаллы обладают свойствами монокристаллов, о чем свидетельствует однотипность вида лауэграмм, получаемых от сферо- и монокристаллов. Однако термин сферокристалл , введенный А. В. Шубниковым, подразумевает образование тонковолокнистого сферолита, волокнистость которого развивается из одного центра в радиальных направлениях без разбиения на сектора, а свойства идентичны по всем произвольно выделенным секторам роста. В синтетических алмазах наличие секториальной волокнистости, центры зарождения которой распределены по определенным кристаллографическим направлениям, присутствие плоских граней, отвечающих секторам роста, позволяет характеризовать их как кристаллы волокнисто-секториального строения (вторичная секториальность— термин Л. И. Цинобера). [c.399]

Типичными примерами смешанных кристаллов с адсорбционным слоем являются ацетаттригидраты свинца, кадмия и бария с органическими красителями. При кристаллизации из водного раствора с добавками красящего вещества в небольшой концентрации благодаря образованию так называемых пирамид роста наблюдается характерное секториальное строение кристаллвиолет и другие красители встраиваются в пирамиды роста на гранях (010) ацетатов свинца и кадмия, тогда как флю-оресцеин и эозин отлагаются на грани (100). При комбинации различных адсорбатов всегда соблюдаются законы избирательного врастания. [c.330]

И Уилкокса [252] и Хэрла [253]. Основное внимание, однако, мы уделим влиянию примесей на сам процесс роста, и здесь па первый план при анализе влияния примесей на изломы, движение и распределение ступеней, на скорости роста будут, вообще говоря, выдвигаться атомно-молекулярные модели. Что касается второй проблемы, то такие эффекты обсуждаются в связи с конвекционными потоками в гл. VIII (см. [254]). Мы здесь не будем анализировать огромное количество преимущественно качественных наблюдений по влиянию примесей, например, на секториальное строение кристаллов, образование структур типа песочных часов [255] или на изменение габитуса (см. [255— 258]). В задачу настоящего раздела входит выборочный обзор важнейщих результатов по указанной тематике. [c.497]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология