Концентрация акцепторов

Найдя из эксперимента зависимость скоростей реакции по двум из этих трех компонентов от их концентраций, можно найти и<>-) и как функции этих концентраций и с помощью (VI.9) и (VI.10) определить порядок реакции (VI.5) по индуктору и кинетические параметры ко и Вместо концентрации индуктора можно измерять концентрацию продукта его превращения В, вместо концентрации акцептора — концентрацию продукта О. [c.249]

Таким образом, фактор индукции для этой схемы является величиной, возрастающей от нуля до единицы по мере увеличения концентрации акцептора. Предельное значение фактора индукции достигается при полном переключении процесса на второй (индуцируемый) маршрут. [c.249]

Здесь /а — токи окисления и восстановления продуктов захвата электрона акцептором. Если концентрация акцептора достаточно велика, то /е =0 и [c.218]

Кинетический анализ зависимости фототока от потенциала электрода, концентрации акцептора, pH раствора, а в некоторых случаях также и от времени аналогичен анализу обычных поляризационных кривых. Исходя из возможной схемы реакций, составляют систему дифференциальных диффузионных уравнений для промежуточных частиц, включающих константы скорости соответствующих гомогенных и гетерогенных стадий, и находят выражение для /, которое в общем случае может оказаться достаточно сложным. Поэтому чаще анализируют различные более простые пре- Рис. 6.12. Выполнение закона [c.219]

Определенная зависимость состава продуктов от концентрации акцептора свободных радикалов. Например, при распаде перекиси трет-бутила в присутствии RH идут реакции [c.110]

Если акцептор —свободный радикал, то он реагирует с одним свободным радикалом скорость изменения концентрации акцептора Ш = I, где Wi — скорость образования радикалов. Если акцептор, например, молекула иода, то исчезновение одной молекулы акцеп- [c.273]

И] = 0,01 имеем 0,5 10" < [1пН] < 10 т. е. диапазон изменения концентрации акцептора составляет 3 порядка. [c.275]

Методика работы. Приготовляют серию хлороформных растворов с постоянной концентрацией акцептора (0,001 моль/л) и раз- [c.207]

При высоких температурах все акцепторные уровни оказываются занятыми (/г == /г )- Если переходы электронов в зону проводимости в заметной степени не наблюдаются, то концентрация дырок валентной зоны равна концентрации акцепторов [c.201]

Величина (р) не зависит от концентрации акцептора, а величина ( ])о растет с ростом, этой концентрации. Поэтому предельное значение фактора индукции при достаточно высокой концентрации акцептора Ф , равно п. В соответствии с этим (У1.10) можно записать в виде [c.314]

Если концентрация акцепторов в кристалле равна то концентрация Л/ связанных на них электронов будет, согласно (423), равна Л д оа- Очевидно, Л/ = = N 1 — fod)< где Nj — концентрация доноров. Учитывая сказанное, запишем окончательно условие электронейтральности в виде [c.246]

Энергия ионизации бора в алмазе велика по сравнению с тепловой энергией кТ (равной 0,025 эВ при 25° С) она составляет 0,37 эВ (а при высокой концентрации бора заметно снижается — до 0,1 эВ и даже меньше [20]). Поэтому концентрация основных носителей заряда (свободных дырок) на 2-3 порядка меньше, чем концентрация атомов акцептора — бора. Следует иметь в виду, что, помимо намеренно вводимого акцептора (бора), осажденные VD-методом пленки алмаза практически всегда содержат примесь азота, который в решетке алмаза является донором. При совместном присутствии бора и азота в алмазе происходит взаимная компенсация этих двух примесей, так что концентрация свободных дырок (и, следовательно, проводимость) в алмазе определяется уже не концентрацией бора Na, а разностью концентраций акцепторов и доноров Na — No. [c.12]

При равных концентрациях акцептора протонов и донора протонов измеренное значение pH численно равно значению <рК соответствующей группы. [c.32]

В приведенной простейшей схеме фактор индукции всегда меньше единицы н стремится к единице при увеличении отношения концентраций акцептора и индуктора. В более сложных случаях фактор индукции может оказаться больше единицы. Так, при окислении Н1 хромовой кислотой, индуцированном РеО, активная промежуточная частица Ре , образовавшаяся при реакции РеО с НаСгО , содержит пятивалентное железо и может окислить две молекулы Н1 [c.238]

Из табл. 34 видно, что в настоящее время нельзя с определенностью утверждать, какая стадия лимитирует скорость катализа лизоцимом — расщепление гликозидной связи (гликозилирование фермента), или дегликозилирование (гидролиз), поскольку данные различных авторов противоречивы (йг з или йг СЙз на схеме 154). В то же время по величинам констант скоростей трансгликозилирования (см. табл. 34) легко рассчитать, что нри концентрациях акцептора олигосЭхаридной природы 10 —10" М в реакционной системе могут образовываться соизмеримые количества продуктов гидролиза и продуктов трансгликозилирования, если последние проявляют примерно такую же реакционную способность, что и исходный субстрат. [c.187]

Излучательный н безызлучательный механизмы переноса различают по зависимости времени жизни флуоресценции донора от концентрации акцептора. При излучательном переносе время жизни флуоресценции донора не изменяется или слегка возрастает, при безыз-лучательном переносе — уменьшается. Из-за кажущейся простоты излучательного переноса энергии его иногда называют тривиальным . Скорость излучательного переноса Vrt в растворе можно представить следующим образом [c.133]

Для каждой ступени выделения концентрация акцептора приведена к 1, поэтому [МЬр] = [М]. Концентрация несвязанного в комплекс лиганда равна его концентрации в вакуумном дистилляте после выделения комплекса. В случае комплексов М (Мосн, Зсульф)4 и M(No н, 8общ )4 концентрацию несвязанного лиганда можно принять равной концентрации АО в дистилляте. Поэтому константа образования комплексов [c.105]

Этот метод оказался особенно пригодным дли. получения альдегидов териенр-вого ряда. Для смещения равновесия реакции в направлении образовании требуемого карбонильного соединения (Оппенауэр) можно увеличить концентрацию акцептора водорода или подобрать акцептор с такой температурой кипения, чтобы можно было отогнать образующийся альдегид. [c.304]

Относительно большая величина фарадеевского сопротивления Rp отражает отмеченные выше низкие фоновые токи и ис-чезаюше малую коррозию алмаза в водных растворах. Л сравнительно высокие (по сравнению с другими полупроводниковыми электродами [6]) значения дифференциальной емкости (т — высокий уровень легирования исследованных алмазных пленок (концентрация акцепторов составляет Ю см и выше). [c.33]

Частотная зависимость емкости, которая вытекает из годографов типа изображенного на рис. 14, естественно, приводит к тому, что наклон прямой на графике Мотга—Шотгки также зависит от частоты (рис. 17) [125]. Вытекающие отсюда осложнения при расчете концентрации акцепторов мы подробнее рассмотрим в разделе 5.5. [c.36]

Оказалось, что сходство или различие этих двух поверхностей зависит от толщины алмазной пленки. В сравнительно тонких (й 1 мкм) пленках параметры импеданса, а также вычисленные из них значения концентрации акцепторов у ростовой и нуклеативной сторон отличаются незначительно например, соответственно, 5,2-10 и 1,2-10 см . Качественно это видно из графиков Мотта—Шоттки для выпрямляющих контактов, созданных на двух сторонах пленки (рис. 18) они имеют почти одинаковый наклон. Единственная величина, которая более или менее систематически различается на двух сторонах пленок — это показатель степени а на ростовой поверхности а 0,9, а на нуклеативной а часто падает до 0,5-0,6. Хотя природа фактора а до сих пор остается не вполне ясной, но отличие а от 1 означает увеличение частотной дисперсии емкости его можно связать с несколько более высокой концентрацией кристаллических дефектов на менее соверщенной нуклеативной поверхности эти дефекты могут играть роль быстрых поверхностных состояний и давать некоторую добавку к емкости собственно межфазной границы. [c.37]

В то же время у относительно толстой ( 0,4 мм) пленки наблюдается значительное, на порядок величины, различие в концентрации акцепторов в ростовой и нуклеативной областях, причем это различие лишь отчасти объясняется различием в концентрации бора. По всей вероятности, оно связано с кристаллическим несовершенством тонкого слоя алмаза, образующегося на начальной стадии роста многочисленные дефекты структуры могут, наряду с примесными атомами бора, играть роль акцепторов. [c.37]

Измерения импеданса позволяют выявить различия в уровне легирования так называемых секторов роста в кристалле (начинающихся от затравки и оканчивающихся гранями с разными Л/г/-индексами). Для иллюстрации на рис. 20 схематически изображен НТНР-монокристалл алмаза, ограненный плоскостями 111 и 100 . Попеременно измеряя импеданс отдельных граней (остальная поверхность изолирована), в работах [133 135[ построили для граней 111 и 100 графики Мотта—Шоттки (рис. 21). Найденная по наклону прямых концентрация акцепторов составила, соответственно, 2 10 и 4,8 10 см . Таким образом, в данном случае в хо- [c.39]

В целом, с помощью электрохимических измерений хорошо выявляется известное из литературы [37] секториальное строение кристаллов алмаза, выращенных при высоких температуре и давлении. Действительно, наблюдаемые различия в электрохимических свойствах (импеданс, а также кинетические параметры) отдельных фаней с различной кристаллофафической ориентацией объясняются прежде всего различием в концентрации акцептора (бора) в секторах роста, связанных с этими фанями, что в свою очередь связано с различной способностью фаней захватывать бор в процессе синтеза. Очевидно, что для выявления более тонких эффектов (таких как влияние на электрохимические свойства фаней поверхностной атомной плотности алмаза и др.) необходимо сравнивать фани с разными индексами при постоянной концентрации бора, используя для этого разные кристаллы. [c.40]

Итак, приходится констатировать, что без знания физической природы частотной зависимости дифференциальной емкости полупроводникового электрода невозможно по емкостным данным достаточно обоснованно определить концентрацию доноров (акцепторов) в электроде по формуле (2), каков бы ни был способ представления графика Мотта— Ш оттки. Поэтому приведенные в разных работах величины концентрации акцепторов в атгмазе, вычисленные по теории Шоттки для произвольной частоты измерительного сигнала, следует считать приближенными. Но д и целей качественного сравнения электродов из одного и того же полупроводникового материала нам представляется более удобным использование графиков (Т -Е (особенно для случаев, когда показатель степени а не слишком сильно отклоняется от 1) или i -E. [c.45]

Определенная зависимость состава продуктов от концентрации акцептора свободных радикалов. Например, при распаде пероксида трет-Ъутлл образуются в качестве первичных продуктов два /ире/ -бутоксирадикала, каждый из которых вступает в одну из двух возможных реакций (КН рассматривается как акцептор радикалов КО-) [c.245]

Допустим, что 2к, = 10 л/(моль с), /купн = Ю , а Л/ 1] = = 10 моль/(л с), тогда [InH] 10" моль/л. Оптимальная концентрация акцептора выбирается исходя из двух соображений. С одной стороны, как показано выше, надо, чтобы акцептор перехватывал практически все радикалы, т. е. [InH] > [c.439]

Смотреть страницы где упоминается термин Концентрация акцепторов: [c.191] [c.72] [c.352] [c.275] [c.327] [c.328] [c.18] [c.157] [c.164] [c.246] [c.129] [c.306] [c.304] [c.182] [c.12] [c.29] [c.36] [c.40] [c.40] [c.41] [c.84]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология