Слой частицы поверхностны

Третьим возможным механизмом образования двойного электрического слоя служит поверхностная ориентация нейтральных молекул, содержащих электрические диполи. Такой дипольный слой, ориентированный на поверхности, представляет собой фактически двойной электрический слой, не являющийся диффузным. Притягивая подвижные заряженные частицы, он может индуцировать вторичные, уже диффузные двойные слои, распространяющиеся вглубь по обе стороны от поверхности раздела фаз. [c.185]

Для относительно крупных частиц поверхностные явления в осадке не играют существенной роли и фильтрование можно рассматривать только как гидродинамический процесс. Введение коэффициента к обусловлено некоторой неопределенностью величин ф и е применительно к пористому слою, состоящему из частиц неправильной формы. [c.26]

Различают пептизацию адсорбционную, диссолюционную и промыванием осадка. При адсорбционной пептизации к осадку добавляют ПАВ или готовый электролит-пептизатор, неиндифферентные ионы которого избирательно адсорбируются на поверхности частиц потенциалобразующего слоя. При диссолюционной пептизации пептизатор образуется в ходе химической реакции между молекулами поверхностных слоев частиц осадка и добавленным реагентом. [c.188]

Адсорбция объясняется тем, что ионы или молекулы, расположенные на поверхности твердой фазы, находятся в иных условиях, чем частицы, лежащие внутри нее. В то время как эти частицы связаны с соседними по всем направлениям, так что действующие между ними силы взаимно уравновешиваются, у частиц поверхностного слоя уравновешены только силы, направленные внутрь вещества и лежащие в плоскости самой поверхности. Поэтому на поверхности создается свободное силовое поле, и частицы могут притягивать к себе ионы или молекулы растворенных веществ. [c.110]

В гетерогенных системах, в которых одна из фаз представляет собой сравнительно крупные частицы, поверхность раздела фаз невелика. В таких системах поверхностные явления практически не проявляются. По мере уменьшения размеров частиц (диспергирования) вещества одной из фаз возрастает абсолютная величина поверхности раздела. При этом увеличивается доля атомов (ионов, молекул), принадлежащих поверхностному слою, и поверхностные свойства в дисперсных системах приобретают все большее значение. [c.188]

Навстречу основному потоку во вторичную полость пониженного давления с меньшей скоростью движутся твердые частицы поверхностного слоя из застойной зоны В 02С . Этот встречный поток является источником образования компактных глобул вег ществ пониженной плотности, движущихся в направлении, противоположном общему потоку, и вращающихся вокруг своей оси также в обратном направлении. [c.155]

Полная энергия любого кристалла кварца (или его обломка) представляет сумму внутренней энергии, необходимой для образования атомной решетки, и поверхностной энергии, затрачиваемой на удержание частиц поверхностного слоя в равновесии. При смачивании зерен среды водой выделяется избыток свободной энергии, необходимой для создания поверхностного слоя на границе кварц—вода. Так если 111 — полная энергия кристалла кварца с площадью поверхности 5, а — полная энергия второй фазы (воды), то полная энергия всей системы и = и] + и2 + о5. [c.208]

При наличии жидкой среды имеет место ММВ между компонентами поверхностных слоев частиц ДФ и компонентами жидкой среды, следствием которых является формирование двойного электрического адсорбцион- [c.100]

Содержание окисленной формы окислов в поверхностном слое частиц активного вещества в течение разряда постепенно снижается. Вместе с этим наблюдается непрерывное падение потенциала, что можно объяснить зависимостью потенциала электрода не только от характера кристаллической решетки применяемой двуокиси марганца, но и от соотношения окисленной и восстановленной формы окислов, находящихся в реакционной зоне. [c.29]

При обогащении поверхностного слоя частиц активного вещества соединениями более богатыми кислородом потенциал электрода растет. [c.85]

Заряд электрода сопровождается концентрационной поляризацией, обусловленной изменением состава вещества в реакционной зоне как в твердой фазе, так и в электролите. Выравнивание состава более окисленной массы активного вещества, находящегося в поверхностном слое частиц, и менее окисленного вещества, находящегося в глубине частиц, происходит за счет диффузии протонов в твердой фазе из глубинных слоев к поверхности. Этот процесс протекает с небольшой скоростью. [c.85]

Когда поверхностный слой частиц активного вещества достаточно обогащен ионами трехвалентного никеля, начинается реакция [c.85]

После выключения тока система постепенно приходит к равновесию. При этом в поверхностном слое частиц активного вещества снижается концентрация кислорода как за счет диффузии протонов (и электронов) из глубинных слоев, так и за счет разложения находящейся у поверхности двуокиси никеля [c.85]

Уменьшение содержания кислорода в поверхностном слое частиц активного вещества ведет к снижению потенциала электрода. Вместе с этим обогащение массы гидратом закиси никеля вблизи ее соприкосновения с токоподводом может привести к преждевременному разрыву контакта между ними, когда в глубине частиц активного вещества еще имеется часть неиспользованной окисленной формы гидроокиси. [c.86]

Реакция распространяется в глубину частиц активного вещества не так легко, как при окислении железа в процессе разряда. Поэтому при осуществлении циклов заряд — разряд коэффициент использования железа в реакции токообразования определяется степенью восстановления железа в поверхностных слоях частиц активного вещества. Преждевременному прекращению заряда способствует недостаточная концентрация щелочи и низкая температура, Большое значение имеют также дисперсность и структура [c.87]

В устойчивом коллоидном ферромагнетике поверхностный слой частиц обычно полностью теряет магнитные свойства вследствие хемосорбционного взаимодействия поверхиости частиц со стабилизатором (поверхностно-активным веществом). Толщина немагнитного слоя приближенно равна постоянной й кристаллической решетки магнитного вещества (несколько ангстрем). Таким образом, если известно, какое вещество находится в коллоидно-растворенном состоянии, то известны и постоянная й, и намагниченность насыщения магнитной фазы Это позволяет по двум параметрам Хн и определить [c.231]

Возникновение реакций в твердом состоянии объясняется следующим. С возрастанием температуры увеличивается амплитуда колебаний молекул (атомов и ионов) в кристаллической решетке, так что некоторые из них приобретают способность обмениваться местами с молекулами, атомами и ионами другого компонента. Особенную подвижность приобретают вообще менее связанные частицы поверхностного слоя. Отсюда понятно, что степень дисперсности реагирующих веществ оказывает большое влияние на кинетику реакций в твердом состоянии. [c.174]

Адсорбция связана с особым энергетическим состоянием частиц на поверхности адсорбента в отличие от энергетического состояния частиц, находящихся в его объеме (рис. 54). Частицы (молекулы, атомы или ионы) во внутренних слоях вещества испытывают в среднем одинаковое по всем направлениям притяжение со стороны окружающих частиц. Частицы же поверхностного слоя подвергаются неодинаковому притяжению со стороны частиц внутренних слоев вещества и со стороны частиц граничащей с веществом посторонней фазы. Поэтому частицы поверхностного слоя адсорбента обладают свободной поверхностной энергией, которая может быть снижена за счет возникновения адсорбционных взаимодействий с молекулами, атомами и ионами адсорбата. [c.137]

В случае деформации тел, у которых в химической связи между частицами кристалла преобладает ковалентная составляющая, повышенная хрупкость твердого тела препятствует пластическому смещению одних участков решетки по отношению к другим. Но в таком случае появляется другая возможность изменения взаимного расположения структурных элементов твердого тела за счет аморфизации поверхностных слоев частиц. Аморфизация возникает вследствие разогрева поверхности частиц от внешнего воздействия, от выделения теплоты обратимых деформаций решетки, от взаимного трения частиц друг с другом. [c.253]

Молекулы или атомы, находящиеся в глубине вещества и на его поверхности, испытывают неодинаковое притяжение со стороны соседних частиц. Глубинная частица со всех сторон окружена своими партнерами, и силы притяжения, действующие на нее, взаимно уравновешиваются. Частицы поверхностного слоя испытывают притяжение со стороны частиц внутренних слоев вещества и стремятся втянуться внутрь. Поэтому и вся поверхность находится в состоянии натяжения. Особенно отчетливо это состояние проявляется для поверхностей раздела жидкость — газ и жидкость — жидкость, когда жидкость в силу своей текучести стремится принять форму шара, обладающего, как известно, минимальной удельной поверхностью. Этому препятствует сила тяжести, и в среде газа лишь маленькие капли жидкости являются сферическими. Однако по мере увеличения плотности среды объем капли с сохранением ее шарообразности может быть увеличен. [c.84]

Чтобы научиться рассчитывать поправки на влияние мениска при измерениях плотности ареометрическим методом, надо иметь представления о поверхностных явлениях в жидкости. Все молекулы, лежащие в поверхностном слое, вследствие поверхностного давления стремятся втянуться внутрь жидкости, т.е. молекулы поверхностного слоя жидкости обладают некоторым запасом свободной (потенциальной) энергии по сравнению с молекулами внутренних слоев жидкости. Поверхность жидкости будет находиться в равновесии, если потенциальная энергия будет иметь наименьшее значение (то есть поверхность жидкости стремится сжаться), и находится в состоянии некоторого натяжения, которое называется поверхностным натяжением. У ареометра, плавающего в жидкости, в соприкосновение с поверхностью жидкости входит стержень ареометра. Вследствие взаимодействия сил сцепления между частицами жидкости и стержнем ареометра вокруг стержня ареометра образуется вогнутый мениск. Силы поверхностного натяжения заставляют жидкость подниматься вдоль стержня ареометра. Мениск увеличивает массу apeo- [c.244]

Частицы дисперсной фазы одинакового состава заряжены одноименно, и поэтому легко представить себе, что они электростатически должны отталкиваться. Однако этот результат становится не столь очевидным, если учесть, что частица в целом, вместе со своим двойным электрическим слоем, строго электро-нейтральна в состоянии равновесия с окружающей средой. Действительно, на некоторый пробный заряд, находящийся за пределами ДЭС, никакая сила со стороны частицы не действует, поскольку все линии поля, идущие от поверхностного заряда т1о, экранированы противоионами. Однако при введении этого пробного заряда в диффузный слой поле поверхностного заряда (не полностью экранированное) и поле заряда периферийных противоионов, действуя в одном направлении, смещают пробный заряд радиально к периферии, если знак его совпадает со знаком Г)о. [c.257]

Рис. по. Схема возникновения неуравновешенных частиц поверхностного слоя [c.208]

Переход цемента из тестообразного состояния в твердое называют схватыванием . В процессе затвердевания цемента различают три стадии. Первая стадия — взаимодействие поверхностных слоев частиц цемента с водой [c.332]

Диффузия газа через пограничную пленку как лимитирующая стадия процесса. Профиль концентраций вещества вблизи поверхностного слоя частицы с учетом сопротивления пограничной газовой пленки изображеннарис.ХП-5. График показывает, что на поверхности частицы реагент отсутствует и, следовательно, концентрационная движущая сила г г г [c.334]

Следует подчеркнуть всю условность термина коллоидная химия . Коллоидные системы представляют собою системы, содержащие в виде дисперсных частиц не молекулы, а агрегаты молекул. Наиболее типичный процесс для коллоидных систем — коагуляция сводится к слипанию этих агрегатов в еще более крупные под действием межмолекулярных а не химических сил. Другие процессы, характер[ьГё для коллоидных систем (физическая адсорбция, электрофорез и т. д.), также являются в основном физическими или физико-химическими. Лишь при взаимодействии коагулятора со стабилизатором (веществом, находящимся в виде адсорбционного слоя на поверхностн коллоидных частиц и [c.13]

Образцы, содержащие кобальт, молибден, хром, ванадий и свинец, близки по характеру коксоотложений по сечению частицы к исходному алюмосиликатному катализатору, особенно при малых концентрациях металлов. Так, при содержании в образцах 0,8 вес. % хрома отношение содержания кокса на периферии и в центре шарика составляет 1,85, а при содержании 0,06—0,10 вес. % хрома кривая распределения кокса близка к кривой исходного катализатора (см. рис. 71). Такую разницу в распределении кокса по сечению частицы катализаторов, содержащих различные металлы, можно объяснить их различным влиянием на коксообразование. При добавлении к катализатору щелочных и щелочноземельных металлов кислотность катализатора и его активность понижаются. Из-за большего отложения металла в поверхностных слоях ката-, литическая активность периферийных слоев катализатора снижа-. ется больше, в то время как центральные слои сохраняют более высокую каталитическую активность. Это приводит к перемещению реакций крекинга в глубину частицы катализатора с одновременным отложением кокса в центральных слоях частиц. Поэтому кокс отлагается более равномерно по сечению шарика на образцах, содержащих щелочные и щелочноземельные металлы, чем на исходном катализаторе. Тяжелые же металлы не оказывают влияния на кислотность катализатора. Накапливаясь главным образом в периферийных слоях частицы. Поэтому кокс откладывается на этих образцах большей частью в периферийных слоях частицы катализатора, т. е. крайне неравномерно. По мере увеличения содержания в катализаторе металлов неравномерность отложения кокса возрастает. Металлы, увеличивающие коксообразование, [c.165]

Структура углерода на поверхности сажи отличается от его структуры в ядре. Наиболее упорядочен углерод в поверхностных слоях степень его упорядоченности уменьшается с продвижением к центру частицы и с уменьшением ее размеров. Возможно, что неоднородность частицы сажи объясняется наслаиванием на нее углерода в процессе ее образования при этом в последующем слое создаются более благоприятные условия для упорядочения такой частицы. По мере повышения ароматизованности сырья степень однородности слоев частиц увеличивается, что в общем позволяет в некоторых пределах влиять на свойства саж. Неод1юродность молекулярной структуры частиц влияет на химические и физикохимические свойства сажи. [c.52]

Таким образом, для диспергированных частиц поверхностное натяжение на границе ядра с адсорбционно-сольватным слоем весьма велико, что усиливает роль поверхностных явлений, приводящих к формированию вокруг ядра адсорбционносольватного слоя значительной толщины. [c.127]

Однако систематических исследований в этой области не опубликовано. Известна лишь работа Мак-Эвоя, Миликена и Милза [13], в которой приведены результаты определения концентрации никеля и ванадия, отлагающихся в поверхностном слое частиц. При крекинге сырья с добавлением соединений этих металлов в. ла- [c.109]

Формула Эйнштейна не учитывает наличия у частиц поверхностных слоев, таких, как адсорбционные, сольватные и двойные электрические. Увеличение вязкости, обусловленное наличием таких слоев, называют адсорбционным, сольватным и электровязкост-ным эффектами. Та-к как поверхностные слои не изменяют формы частиц, то их влияние можно учесть, увеличив объемной долю на объем слоев. Такой подход иногда используют для определения толщины поверхностных слоев. Если объемную долю слоев обозначить через фй, а ф /ф = К, то [c.371]

Как показано в разд. 9.1, механическая энергия превращается в тепло различными способами деформацией отдельных частиц, трением между частицами и диссипативным разогревом в областях расплава. В процессе плавления последний способ становится доминирующим. Интенсивное перемешивание распределяет вновь образовавшийся расплав по всему материалу. Расплав, контактируя с твердыми частицами полимера, охлаждается сам и в то же время нагревает и расплавляет поверхностные слои частиц. Следовательно, частицы полимера, находящиеся в смесителе, постепенно превращаются сначала в термически (и реологически) негомогенную, частично расплавленную массу, а в конце концов — в гомогенный расплав. В смесители типа Бенбери новую порцию материала загружают с небольшим количеством расплавленного и перемешанного [c.297]

Существование нескомпенсированного силового поля на границе раздела фаз приводит к перемещению молекул в этом поле, а следовательно, и изменению концентраций веществ в тонком поверхностном слое, разделяющем соседние фазы (сорбция). Количество сорбируемого вещества возрастает с ростом концентрации его в растворе, однако до известного предела, который отвечает плотнейшей упаковке сорбированных веществ в поверхностном слое. Частицы дисперсной фазы притягивают компоненты дисперсионной среды, концентрируют их на своей поверхности, за счет чего изменяется свободная энергия системы. [c.38]

При появлении в поверхностном слое частиц активного вещества восстановленной формы окислов начинается процесс выравнивания состава окислов в объеме массы за счет диффузии протоноЬ (и электронов) от поверхности в глубину частиц. Однако диффузия в твердой фазе проходит с небольшой скоростью.. Поэтому даже при разряде электрода с малой плотностью тока активное вещество в поверхностном слое частиц обогащается восстановленной формой окислов быстрее, чем в глубине частиц. Создается так называемая концентрационная поляризация по кислороду в твердой фазе . [c.29]

Наряду с взаимодействием химического характера адсорбция водяных паров в более слабой форме происходит и под влиянием физических факторов (физическая адсорбция). Атомы, ионы или молекулы, расположенные в поверхностном слое твердого тела, всегда в какой-то степени обладают способностью притягивать другие атомы, ионы или молекулы, так как эта способность их не может полностью насыщаться за счет взаимодействия с другими частицами поверхностного или внутренних слоев твердого тела. Вдоль поверхности создается некоторое силовое поле, в котором могут удерживаться частицы, попавщие в него из окружающего воздуха. Обратный выход частицы требует затраты энергии на преодоление действия этого поля, т. е. такое испарение частицы с поверхности не является свободным. [c.25]

С позиций кинетики агрегативная устойчивость коллоидных систем определяется состоянием граничных слоев вблизи поверхности частиц, т. е. силами, действующими между отдельными кол-.10ИДНЫМИ частицами (поверхностные силы). [c.96]

Адсорбция возникает за счет свободной энергии поверхности, обусловленной неуравновещенностью частиц, образуюп их поверхностный слой (см. гл. 8). Притягивая к себе частицы из другой фазы, частицы поверхностного слоя уменьшают свою неуравновешенность, устанавливая связь с адсорбированными частицами и выделяя при этом энергию. По величине энергии, выделяющейся при адсорбции, можно отличить различные виды этого физико-химического процесса [c.133]

При увеличении дисперсности системы, когда размер частиц оказывается соизмеримым с толщиной поверхностного слоя, понятна поверхностной энергии, а следовательно, и величины в становится более условным характерным свойством таких высокодисперсных (коллоидных) систем становится возрастающая роль участия частиц дисперсной фазы в тепловом движении, т. е. статистический характер совокупности большого числа образующих систему частиц. По словам Хилла , для коллоидного состояния наиболее характерен этот переход от статистических свойств молекул, образующих одну частицу, к статистическим свойствам совокупности коллоидных частиц. [c.117]

Частицы коллоидных систем значительно Оольше молекул, так как они представляют агрегаты из сравнительно большого числа молекул или атомов. Атомы частиц, находящиеся внутри частицы, по своим энергетическим свойствам отличаются от атомов, находящихся в поверхностном слое частицы. Это обусловливает наличие поверхности раздела на границе частица — раствор. Таким образом, коллоидные системы, так же как и суспензии, представляют гетерогенные системы. Если в суспензиях частицы можно наблюдать при помощи микроскопа и тем самым обнаружить поверхность раздела, то коллоидные частицы из-за незначительных размеров нельзя обнаружить даже при помощи микроскопа. Поэтому коллоидные системы в отличие от суспензий называются микрогетерогенными системами. [c.205]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология