Грани роста, изменение строения

Необходимо отметить, что не во всех случаях зональное распределение примесей в кристалле можно связывать с изменениями условий роста. Например, отчетливо выраженные в сечении сх закономерно чередующиеся 2—3-миллиметровые зоны дымчатой окраски в секторах тригональной пирамиды синтетических кварцев проявляются в результате пересечения серии паразитных пластинчатых пирамид в секторе ТГ22 . Эти вторичные секторы, образованные акцессорными поверхностями грани (1122), располагаются взаимно параллельно и под углом 45° к оси у. Поэтому в тонких пластинках, параллельных плоскости (ГОЮ), пересекающих несколько вторичных пирамид сектора 1122 , наблюдается чередование слоев с дымчатой окраской различного оттенка и интенсивности. Различие в окраске объясняется эффектом аномального плеохроизма, свидетельствующим о достаточном сложном строении акцессорного рельефа поверхности дипирамиды. Наклонное положение вторичных секторов вызвано перемещением вдоль направления оси у акцессорных холмиков во время роста кристалла. Возможности проявления ложной зональности необходимо учитывать при изучении внутренней морфологии кри- [c.46]

Особенности такого строения и определяют внутреннюю морфологию кристаллов кварца. Макроскопическое распределение примесей осложняется явлением вторичной секториальности (образованием паразитных пирамид роста, по Г. Г. Леммлейну) и двойникованием кварца. Известно, что реальные грани даже в случае медленного роста, не говоря уже о стабильных и быстро нарастающих поверхностях, не являются идеальными плоскостями, а имеют характерный для данной грани или поверхности рельеф, состоящий либо из акцессорий (холмиков) роста, либо из участков гранен других индексов ( поверхности вырождения ). Поскольку коэффициент захвата примесей чрезвычайно чувствителен к изменению ориентации растущей поверхности, нарастание такой рельефной грани приводит к образованию вторичной секториальности в пределах данной пирамиды роста. Аналогичные искажения вносят также ростовые двойники. [c.22]

Нормальное отложение вещества, очевидно, также происходит и при нарастании граней тригональной призмы. В рельефе этих граней обычно отсутствуют акцессории роста с активными вершинами. Пирамида <+х> так же, как и пирамида пинакоида, может быть бездислокационной, однако и для этой грани сохраняются практически постоянными скорости роста как для дислокационных, так и для бездислокационных х-кри-сталлов. Не выявлено существенных различий и в строении макрорельефа поверхности +х таких кристаллов. Наблюдаемое в пирамиде <+х> периодическое изменение ориентировки ростовых дислокаций обусловлено трансформацией макрорельефа плоскости в процессе роста. [c.162]

Кристалл, введенный в переохлажденный расплав, температура которого поддерживается вблизи точки плавления, можно заставить расти с очень малой скоростью. В таких условиях кристалл, как правило, растет, сохраняя правильную форму, соответствующую его внутреннему строению, а его форма зависит от соотношения скоростей роста его граней. Как отмечалось выше, при увеличении переохлаждения скорость роста может повышаться, но пе в одинаковой мере для различных граней. По этой причине при изменении степени переохлаждения часто изменяется форма кристаллов могут исчезать одни грани и появляться другие. [c.44]

Кроме изменения внешнего облика кристаллов, представляет интерес изучение их внутреннего строения. В этом случае закономерное распределение примесей проявляется наиболее отчетливо при изучении секториального строения кристаллов [80]. Последнее понятие введено Бекке как одно из основных положений внутреннего строения кристаллов. Согласно Бекке, реальный кристалл сложен пирамидами роста его граней. Пирамиды роста разных простых форм физически различны. Во время роста кристалла каждая его вершина или ребро, [c.235]

Захват атомов примесей гранями К. приводит к секто-риальному строению Может происходить и периодич. изменение концентрации захватываемой примеси, что дает зонарную структуру. Кроме того, при росте К. почти неизбежно образуются макроскопич. дефекты - включения, напряженные области и т.д. [c.540]

Рост кристаллов. Реальный кристалл представляет собой многогранник, ограниченный определенным числом шшских поверхностей. При наличии пересыщения раствора образуется массовый поток кристаллизан-та к поверхности частиц. В силу своей физической природы идеальный кристалл увеличивает свои размеры послойно. Причем характер атомных связей в кристалле таков, что разные по строению грани растут по своим законам, т. е. в общем случае необходшю вводить несколько (по числу граней) зависимостей, определяющих изменение размеров кристалла. Подобная ситуация значительно усложняет расчет протекания массовой кристаллизации. В настоящее время теория массовой кристаллизации, учитывающая независимый рост нескольких граней кристалла, еще недостаточно разработана [8-10]. Поэтому на практике в основном используют понятие эквивалентного радиуса кристалла. Например, за радиус реального кристалла принимают радиус шара, объем которого совпадает с объемом кристалла. Ясно, что подобный подход носит ограниченный характер. В частности, при помощи него нельзя описывать исчезновение отдельных граней кристалла в [c.333]

В случае кристаллов со структурами типа алмаза или сфалерита гладкими повгоримо растущими являются грани 100 , 110 и 111 . Эти грани характеризуются различными ретикулярными плотностями, различными числом и распределением свободных связей и, следовательно, должны расти с неодинаковыми скоростями. При свободном росте кристалла, например из паровой фазы или раствора, его внешняя форма определяется той характеристической гранью, которая обладает наименьшей скоростью роста. Скорость роста каждой грани определяется скоростью образования зародышей и скоростью присоединения атомов к образовавшимся зародышам. Оба эти процесса требуют преодоления некоторых энергетических барьеров, величина которых зависит от микроскопического строения гладких граней, т. е. от изменения числа ненасыщенных связей. [c.261]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология