Ретикулярная плотность

Зависимость твердости от ретикулярной плотности сеток видна на кристаллах алмаза (рис. 36), Чем выше значение ретикулярной плотности плоской сетки, тем выше значение [c.107]

Для меди соблюдается правило Бравэ, по которому отношение величин удельной свободной поверхностной энергии обратно пропорционально ретикулярной плотности, которая для грани (111) в 1,5 раза выше, чем для грани (100). В соответствии с этим удельная свободная энергия на грани (100) примерно в 1,5 раза выше, чем на грани (111). [c.526]

Рассмотрено равновесие в системе кристалл - раствор через равенство потоков ионов растворяемого и осаждаемого металла. В выражении для потока ионов входит ретикулярная плотность Цк и поверхностная плотность жидкой фазы. [c.26]

В кристаллической решетке можно выделить бесконечно большое число плоских сеток. Через любые три узла решетки, не лежащие на одной прямой, можно провести плоскость, и эта плоскость (плоская сетка) будет возможной гранью кристалла. Число различных плоских сеток в кристалле бесконечно велико, а число реально существующих граней всегда весьма ограниченно. Разные серии сеток будут отличаться друг от друга ретикулярной плотностью, т. е. числом узлов, приходящихся на единицу площади. Бравэ предположил, что грани кристалла являются сетками с наибольшей ретикулярной плотностью. Эта гипотеза обычно известна под названием правила, или закона Бравэ. Однако Бравэ не предложил способа определения типа решетки в реальных случаях. Гипотеза продолжала оставаться лишь догадкой. Она была в известной мере решена Е. С, Федоровым при создании кристаллохимического анализа. Е. С. Федоров разработал стройную систему, по которой можно было, опираясь на гипотезу Бравэ, определить структуру кристалла, т. е. найти тип решетки Бравэ у кристаллов того или иного вещества. Для этого прежде всего изучалась внешняя форма кристаллов исследуемого вещества. На основании этого изучения составлялся список граней вначале выписывались грани, встречающиеся на каждом кристалле, затем — грани, обычно наблюдающиеся, затем — грани, встречающиеся все реже и реже. Для каждого типа решетки были составлены таблицы сеток, начиная от сеток с максимальной ретикулярной плотностью и далее со все уменьшающейся плотностью. Сопоставляя список символов граней, найденных на кристаллах определяемых веществ, со списком теоретических плотностей, можно сделать вывод о типе решетки Бравэ у кристаллов конкретных веществ. [c.60]

О. Бравэ. Исходя из развитой им теории кристаллических решеток, он высказал гипотезу, что плоскости спайности проходят параллельно сеткам с наибольшей ретикулярной плотностью, ибо такие сетки отстоят в решетке друг от друга на максимальных расстояниях. Эта идея была бы верна, если бы структурной единицей в кристаллах являлись изометричные молекулы, как это думал Бравэ. В этом случае, очевидно, максимальное расстояние между ними определяло бы наиболее слабые связи и обусловливало существование по этим направлениям плоскостей спайности. Однако такой упрощенный подход к явлению спайности может оправдаться только в простейших частных случаях, например в графите. [c.246]

Совокупность узлов, расположенных в одной плоскости, образует плоскую сетку (см. рис. 1,6). Для однородности строения кристалла необходимо, чтобы узлы в плоской сетке находились в вершинах параллелограммов — равных, параллельно ориентированных и смежных по целым сторонам. Плоскую сетку можно построить, если известны три узла, не лежащие на одной прямой, или два ряда пересекающихся узлов. Число узлов, приходящихся на единицу площади плоской сетки, называется ретикулярной плотностью О, которая обратно пропорциональна площади 5 элементарного параллелограмма 0 — 1/5. [c.9]

Плотноупакованные слои возникают при укладке равновеликих сфер таким образом, что они формируют на плоскости три плотноупакованных узловых ряда. Если на плоскости укладываются лишь два плотноупакованных ряда, то возникают менее плотные упаковки объемноцентрированная кубическая, если эта упаковка содержит в пространстве четыре плотноупакованных узловых ряда <111>, или примитивная кубическая, если в пространстве она содержит три плотноупакованных ряда <100> (рис. 4.8, 4.9). Сетки объемноцентрированной упаковки с наибольшей ретикулярной плотностью Ьиы [c.102]

Газожидкие включения в кристаллах заполняют полости (пустоты, пузырьки) всевозможной формы и величины. Несмотря на разнообразие внешней формы пустот, стенки их представлены гранями, которые имеют наибольшую ретикулярную плотность. Такие полые кристаллы называются отрицательными. Включения размером более 0,01 мм составляют 0,0 % их общего количества все другие имеют меньшие размеры. [c.39]

Двойником называется закономерное срастание кристаллов одного вещества, в котором один индивид выводится из другого путем поворота на некоторый угол или же один кристалл является зеркальным отражением другого. Плоскость, по которой соединяются индивиды,— возможная или существующая грань кристалла ВЕ (рис. 21). Она называется плоскостью срастания, или двойниковым швом, обладает большой ретикулярной плотностью, ее символ выражается первыми числами натурального ряда. Элементами симметрии двойника являются двойниковая ось 00 (при вращении вокруг нее индивиды совмещаются) и двойниковая плоскость ВЕ (при отражении в ней индивиды [c.59]

Твердость — свойство анизотропное. На гранях кристалла она зависит от направления и обусловливается ретикулярной плотностью в одном и том же кристалле вершины и ребра всегда оставляют царапины на гранях. Классическим примером анизотропии твердости является дистен. [c.107]

Полиморфные формы могут отличаться между собой различными характером связи, структурой, симметрией, координационными числами, степенью упорядоченности структурных элементов, объемом элементарной ячейки, ретикулярной плотностью идентичных атомных плоскостей и т. д. К полиморфным превращениям, кроме того, относят также некоторые превращения, не связанные с изменениями в структуре. Попытки классификации полиморфизма в зависимости от характера и особенностей, происходящих при этом превращении, предпринимались неоднократно, поэтому существуют различные схемы подобной классификации. Все они в определенной степени условны, поскольку в реальных кристаллах полиморфизм может быть связан со структурными изменениями разного, а не какого-либо одного характера. [c.53]

Для теории дефектов наибольший интерес представляет г — = —Afi г — повышение химического потенциала относительно бесконечно больших кристаллов. Ожидаемое значение A j, для реальных кристаллов может сильно отличаться от предполагаемого в теории Гиббса, так как для абсолютно устойчивых форм огранения характерны грани с плотной упаковкой и значениями o , близкими к величине поверхностного натяжения жидкости, тогда как в кристаллах с произвольными формами огранения могут присутствовать грани с малой ретикулярной плотностью и высокими а,-. [c.111]

Задача приведенного расчета состоит главным образом в обосновании качественного вывода, что равновесное число дефектов для правильно ограненных металлических кристаллов, размер которых превышает 20А, пренебрежимо мало для не слишком высоких температур, но для неравновесных решеток возможно появление нескольких процентов дефектов на поверхности граней с низкой ретикулярной плотностью. [c.120]

Физические св-ва К. зависят от хим. состава, сил и типа действующей между материальными частицами хим. связи, от характера структуры. Так, спайность К., т. е. его способность раскалываться по направлениям, параллельным определенным граням, обусловлена слабыми силами связи, возникающими между соответствующими плоскими сетками кристаллической решетки, к-рые, как правило, одновременно наиболее удалены друг от друга. Твердость различных граней К. зависит от ретикулярной плотности (количества материальных частиц, приходящихся на единицу площади соответствующих плоских сеток ре- [c.656]

Первое исследование зависимости формы от структуры было сделано до открытия дифракции рентгеновских лучей. Еще в 1848 г. Бравэ [6] выдвинул гипотезу о том, что наиболее развитыми у кристаллов должны быть те грани, которые обладают наибольшей ретикулярной плотностью или, что одно и то же, параллельны плоскостям решетки с максимальными значениями межплоскостных расстояний. Менее развитые грани должны быть параллельны плоскостям с меньшими межплоскостными расстояниями, так что порядок значимости наблюдаемых граней должен соответствовать порядку уменьшения межплоскостных расстояний. [c.331]

Р-олово (см. задачу 9) имеет базис ООО 1/2 1/2 1/2 О 1/2 1/4 1/2 О 3/4. Построить проекцию четырех смежных ячеек на плоскость (001). Вычислить главные межатомные расстояния, описать координацию и вычислить рентгеновскую плотность. Показать следы плоскостей (ПО) (210), (320), вычислив для них абсолютную ретикулярную плотность. [c.139]

Описание конкретных структур заменяется в кристаллохимий описанием структурных типов, поскольку конкретные структуры, принадлежащие одному типу, отличаются друг от друга лишь линейными размерами осевых трансляций решетки и величинами тех осевых углов, которые заданы в определении кристаллической системы как скользящие. В основу описания структурного типа положены координационное число и координационный полиэдр как основные характеристики пространственной организации структуры, а также типичная плоская сетка с наивысшей ретикулярной плотностью заполнения Lhhi как основная энергетическая характеристика структуры. Потенциал взаимодействия такой сетки составляет более 90 % потенциала взаимодействия решетки, описываемого константой Маделунга. Размерный фактор привлекается к этому описанию как определяющий характер замещения пор в укладках основных (больших) частиц структуры. В кристаллах металлической связи при описании структурного типа указывают электронную концентрацию в качестве характеристики взаимодействия электронного газа с остовами атомов решетки. В стандартном описании структурного типа указывают также пространственную группу, число занятых в элементарной ячейке узлов и базис. Каждому структурному типу присваивается символ. [c.109]

Твердость — свойство анизотропное. На гранях кристалла она зависит от направления и обусловливается ретикулярной плотностью в одном и том же кристалле вершины и ребра всегда оставляют царапины на гранях. Классическим примером анизотропии твердости является дистен. Если на гранях кристалла определять твердость по разным направлениям и от одной точки откладывать отрезки, пропорциональные ее численному значению, то в итоге получится [c.73]

Зависимость твердости от ретикулярной плотности сеток видна на кристаллах алмаза (рис. 38). Чем выше значение ретикулярной плотности плоской сетки, тем выше значение твердости на ней. Твердость определяется плотностью упаковки атомов в структуре кристаллов она возрастает с уменьшением радиуса действия атомов, увеличивается с возрастанием их валентности, координационного числа и, как правило, увеличивается в кристаллах компактной структуры. Минералы, обладающие слоистой структурой, имеют низкую твердость. Твердость довольно низкая у минералов ленточной структуры. В полиморфных модификациях одного и того же химического соединения твердость повышается с увеличением плотности и с уменьшением энтропии. Жесткая и прочная решетка кристаллов обусловливает высокую твердость и резко ограничивает возможности для беспорядка в расположении атомов и перемещения их в кристаллическом пространстве. [c.73]

Различные грани кристалла растут с различной скоростью, что определяется ретикулярной плотностью, т. е. количеством атомов на единицу поверхности грани. При этом грани с малой ретикулярной плотностью растут быстрее, поскольку для их достроения требуется меньше вещества. Грани с высокой ретикулярной плотностью растут медленнее, вследствие чего наблюдается нзчезновение быстро растущих граней. Это обусловлено тем, что в процессе роста кристалл сохраняет равновесную форму, определяемую законом постоянства двугранных углов (рис. 30).- Грани аЬ и сс1, медленно растущие (ь ), вытесняют быстро растущую грань Ьс v2 , 1>2 > 1)- Таким образом, форма кристалла должна определяться наиболее медленно растущими гранями. [c.59]

Наикратчайшее расстояние между двумя параллельными плоскими сетками называется межплоскостным расстоянием d (см. рис. , г). Соотношение между объемом элементарного параллелепипеда V, межплоскостным расстоянием плоских сеток d и их ретикулярной плотностью D определяется выражением vD = d. Для данной пространственной решетки у = onst. Следовательно, чем больше ретикулярная плотность плоских сеток, тем больше их межплоскостное расстояние. [c.10]

Внешний вид кристаллов называется обликом, или габитусом. Эта особенность индивидов играет такую же важную роль, как и их огранение. Внутреннее строение кристаллического вещества, его анизотропия отражаются прежде всего на облике кристалла. При образовании индивиды имеют наибольшую скорость роста в направлении максимальной химической связи. Это приводит к развитию на кристалле граней с наибольшей ретикулярной плотностью. Облик кристаллов пока описывают качественно, иногда отмечают обликовые (габитусные) грани и второстепенные (акцессорные). Выделяют следующие наиболее важные виды облика изометрический, призматический и листоватый. Для более полного описания кристаллов призматического облика используют слова длинно, тонко, коротко и плоско. Индивиды в виде толстых листочков называют табличками, о них говорят облик тонко- или толстотаблитчатый. [c.61]

Габитус, облик, рельеф граней, распределение примесей и включений в кристалле целиком определяются его структурой, физико-химическими условиями в среде роста, пересыщением, присутствием примесей, симметрией питания, а также кинетикой процесса роста. Согласно теории Хартмана и Пердока, удельный вес грани в облике кристалла убывает в последовательности f, S, К, что соответствует уменьшению ретикулярной плотности граней и повышению их структурной шероховатости. Для алмаза атомно-гладкими f-гранями являются (111), ступенчатыми 5-гранями— (ПО), атомно-шероховатыми Л -гранями—(100). Реальный облик алмазов сложнее предсказываемого теорией и обусловлен конкретным сочетанием указанных выше факторов. В этой связи изучение особенностей морфологии кристаллов синтетического алмаза обеспечивает получение информации, необходимой как для совершенствования процесса кристаллизации, так и для более глубокого понимания природного алмазообразования. [c.390]

Максимальная скорость коррозии ненаводорояенного / /В наблюдалась на гранях монокристаллов с большей ретикулярной плотностью и наибояее несовершенной структурой в слабокислых растворах. НВ ниобия в зависимости от pH и температуры электролита может приводить как к потере его пассивности, так и к повышению коррозионной стойкости. Повышение химического сопротивления наблюдается в слабокис1шх средах (рН=4,5), в сильнокислых (рН=0,45-1,8), напротив, скорость коррозии-растет. [c.10]

Полярные кристаллы могут показывать различное раавитие граней (hkl) и (кЩ. Для этих двух граней ретикулярная плотность строго одинакова. Также одинакова и молекулярная энергия присоединения. Впервые морфологию полярного кристалла, выделенного из паровой фазы, обсудили Монье и Керн [43, 44, 53 . Они показали, что поверхности двух неэквивалентных граней (hkl) и (кЩ имеют различные размеры и вследствие [c.348]

Предельная электронная концентрация способна характеризовать каждое интерметаллическое соединение с определенной структурой, но вычисление этих электронных концентраций осложнено непостоянством вклада электронов в электронный газ переходными металлами, переменным характером их валентных состояний и иногда неоднозначностью конфигураций зон Бриллюэна из-за близости ретикулярных плотностей заполнения плоскостей с разными индексами или несовпадения геометрически и физически плотнейших сеток. Принято считать при вычислении электронных концентраций в первой зоне Бриллюэна валентности металлов VIII группы равными нулю или (реже) единице. При вычислении электронных концентраций в больших зонах, включающих и -электроны, можно пользоваться оценками условной -валентности, приведенными в табл. 3.1. [c.87]

Двойником называется закономерное срастание кристаллов одного вещества , а которых один индивид выводится из другого путем поворота на некоторый угол или же один кристалл является зеркальным отражением другого. Плоскость по которой соединяются индивиды, — возможная или существующая грань кристалла ВЕ (рис. 23). Она обладает большой ретикулярной плотностью, ее символ выражается первыми числами натурального ряда, называется она плоскостью орастания или двойниковым швом. Элементами симметрии двойника являются двойнико-9вая ось 00 (при вращении Б01фуг нее индивиды совмещаются) и двойниковая полость ВЕ (при отражении в ней индивиды также совмещаются). Плоскость срастания, двойниковая ось и двойниковая плоскость — элементы Д двойника, они определяют за-хон двойникования . Не могут быть элементами двойника плоскость симметрий и оси симметрии четного наименова-вия. [c.41]

Численное значение коэффициентов, обусловливающих прочность кристаллов, зависит от направления, что ярко проявляется в спайности. Спайностью называется способность М Инералов раскалываться по определенным кристаллографическим направлениям с образованием плоских зеркальных поверхностей, например, при ударе, мнгновенном термическом сжатии или расширении. Плоскости спайности обычно перпендикулярны направлениям наименьшего значения сцепления в кристаллической решетке. В одних случаях они соответствуют плоским сеткам, которые сложены ионами одного знака, даже если эти сетки не находятся на наибольших возможных расстояниях в данной кристаллической решетке (например, сфалерит). В других — плоскости спайности совпадают с направлением наиболее удаленных друг от друга пложих сеток, которые имеют наибольшую ретикулярную плотность (например, алмаз, графит). [c.71]

Кристаллохимия (1971) -- [ c.60 ]

Физико-химическая кристаллография (1972) -- [ c.369 ]

Очерки кристаллохимии (1974) -- [ c.20 ]

Кристаллография (1976) -- [ c.83 , c.91 , c.133 , c.302 ]

Кинетика и механизм кристаллизации (1971) -- [ c.16 , c.36 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология