Система псевдобинарная

Рис. Х1П.1. Диаграмма ликвидус псевдобинарной системы

Рис. Х1П.2. Диаграмма ликвидус псевдобинарной системы, образуемой двумя формами бензальдоксима

Рис. 28. Псевдобинарная диаграмма состояния системы ре—Сг—N1—С для разреза 18 7о Сг+8 % N1 [94, с. 6051

Проверка опытных данных о фазовом равновесии путем приведения многокомпонентной системы к псевдобинарной [c.326]

Рассмотрим псевдобинарную оксидную систему АО—ВО, введем некоторые характеристики и обозначения и поясним их. Индекс / обозначает количество родственных двойных оксидов Л ВуО, в системе индекс / относится к исходным простым оксидам АО и ВО, образующим /-Й сложный оксид. [c.5]

В этой книге при создании и проверке методов расчета различных свойств критически проанализированы литературные и справочные данные по СЭО для 460 псевдобинарных соединений (в основном двойные оксиды) в 167 системах, для 447 бинарных соединений (в основном интерметаллиды и простые оксиды) в 85 системах по — для 330 бинарных и квазибинарных соединений примерно в 150 системах по С],2ух — для примерно 100 двойных оксидов Б приблизительно 90 системах. Таким образом, проанализированы значения АН%ц, и Для 1335 бинарны.ч и квазибинарных соединений в 492 системах. [c.118]

Остальные физические свойства псевдобинарных смесей, естественно, соответствуют реальным физическим свойствам рассматриваемой многокомпонентной системы. [c.71]

Некоторые авторы называют их псевдобинарными сечениями, что совершенно неправильно, так как они соответствуют настоящим двойным системам. [c.83]

Фиг. 539. Псевдобинарная частная система анорт т — ортоклаз подлинно бинарные равновесия ограничены полем первичной кристаллизации анортита из жидкости (Bowen S hairer).

Отметим, что исключительно полезно рассматривать плоские сечения многомерной фазовой диаграммы. Если такое сечение делают параллельно температурной оси, то получается псевдобинарная система, если перпендикулярно - то изотермический разрез. Более того, для уменьшения числа координат можно рассматривать сечение с постоянным соотношением концентраций компонентов (а именно X Xj) или с постоянной концентрацией определенного компонента. Тогда рассматривается только сумма концентраций определенных компонентов, такой прием часто используется, когда свойства компонентов близки (например, для силикатных систем это будут основные оксиды MgO и СаО [5]). [c.251]

В качестве другого примера рассмотрим раздел системы Fe-Si-Mn-O по линии, соединяющей ортосиликаты SiO F j-SiO Mn,, т.е. на псевдобинарную систему наложим ограничения [c.314]

В таблицах I и П (см. ниже) представлен список описанных в литературе систем, которые расслаиваются на дне или более жидкие равновесные фазы. Большинство систем — трехкомпонентные. Однокомпонентные системы представляют интерес как элементарные фазовые отношения, но они не распадаются на две жидкие фазы. Исключение составляет, по всей вероятности, одна система — окись фосфора, которая может иметь аллотропические формы и быть псевдобинарной. [c.93]

Минимум Тс, наблюдаемый в системе NbN — VN, нельзя объяснить изменением содержания азота. Подобные же минимумы были найдены и в нескольких псевдобинарных системах VN и V с другими монокарбидами и мононитридами (рис. 111). Объяснение причин их появления не дано. Максимумы Тс наблюдаются в псевдобинарных системах NbN —Nb и NbN — Ti (рис. 112). Возможно, появление их отчасти объясняется изменением отношения неметалл/металл при различном содержании NbN в твердых растворах. [c.217]

На рис. 115 и 116 представлены значения Яс, для псевдобинарных сплавов NbN с некоторыми мононитридами и монокарбидами при 4,2 К [10, 20—22, 39]. Отношение неметалл/металл определялось только в нескольких системах, а большинство образцов было приготовлено так, что в них эго отношение было близко к единице. Существует некоторое сомнение в причине появления максимума Нс наблюдавшегося на образцах, по составу близких к NbN. Для тех сплавов, которые анализировались химически, было найдено, [c.223]

Как показывает рис. 114, понижение содержания азота в псевдобинарных системах может привести к появлению максимума Величины Не, псевдобинарных твердых растворов (НЬМ)о,75. [c.224]

Из диаграммы состояния системы Мо—Si—С (рис. 95) следует, что нецелесообразно спекать чистый дисилицид молибдена в графитовых тиглях ввиду неизбежного частичного разложения этого силицида и образования Si и тройной фазы. Тройная фаза этой системы дает псевдобинарную эвтектику с углеродом (температура плавления около 1950°) и представляет интерес в качестве связки в графитовых изделиях. [c.170]

В табл. 3 для 19 двойных оксидов, обнаруженных при изучении различных фазовых диаграмм [27], рассчитаны неизвестные СЭО с применением РПЛА по уравнениям для соответствующих систем табл. 2. Выборочные исследования для 5 систем соль— соль и Н,0—соль показывают, что и для псевдобинарных соединений в этих системах РПЛА также может быть использовано в целях оценки величин стандартных энтальпий образования. [c.16]

В [43—45] для расчета стандартных энтальпий образования, энтропий и теплоемкостей сверхпроводников в системах V— Ва—Си—О [43, 44] и —Ва—Са—Си—О [45] предложена методика, включающая использование модели идеальных растворов продуктов взаимодействия (ИРПВ) [53] и возможностей термодинамического моделирования (ТМ) [51, 52]. В данном разделе этот подход получил дальнейшее развитие при сравнении СЭО пар <оксидный раствор>/двойной оксид (далее — раствор/оксид ) в условиях равенства или близости нх атомных составов. Исследовано свыше 100 пар раствор/оксид , представляющих около 90 псевдобинарных систем из оксидобразующих элементов I—УШ-й групп и 2—6-го периодов периодической системы. Выявлены как тождества, так и различия между СЭО групп двойных оксидов и энергетическими характеристиками эквивалентных по составу оксидных растворов, образованных элементами разных групп и периодов периодической системы предложены способы оценки СЭО двойных оксидов с учетом этой классификации на основе данных ТМ о составе растворов и величин СЭО структурных составляющих растворов (простых оксидов) рекомендованы системы Эл,—Эл,—О , в которых можно использовать предложенные варианты расчетных методик для оценки неизвестных и коррекции известных значений СЭО бинарных оксидов, образующихся в этих системах. [c.68]

При исследовании фазовых соотношений в псевдобинарной системе АШ—81С установлено [87—91] образование ТР общего состава (АШ) (81С)1 (при одновременном замещении в матрице атомов-компонентов по схеме А1 <-> 81 и N <-> С) с гексагональной структурой вюртцита (2Я). О возможной концентрационной неоднородности образующихся ТР сообщали авторы [91], изучавшие состав и морфологию композиционных порошков АШ—81С, получаемых карботермическим восстановлением и азотированием оксидов 81, А1. Наряду с упомянутыми ТР, обнаружены также индивидуальные соединения составов 81зА14М4Сз и 81зА15Ы5Сз. [c.56]

В соответствии с диаграммой псевдобинарной системы СигЗ-N 28 (N1—N 382) по Фридриху, при остывании файнштейна снача ла выделяются кристаллы СигЗ, затем кристаллизуется и N 2 При снижении в расплаве содержания СигЗ до 7 % (5,6 % Си) 1 температуре 575°С кристаллизуется эвтектический сплав Си2 -N 28 и весь расплав застывает. [c.132]

При анализе процессов образования новой фазы следует учитывать, что фазовые равновесия в системах полимер — растворитель, как это было отмечено еще Харди [25] и особенно убедительно показано Панковым [1], могут быть описаны диаграммами состояний, вполне аналогичными диаграммам состояний систем, содержащих одни лишь низкомолекулярные компоненты. Примеры таких диаграмм приведены на рис. 4 для ряда бинарных систем. Для трех- и более компонентных систем диаграммы соответственно усложняются, например, в случае системы полиэфируретан — диметилформамид— вода [26, 38]. Все системы, содержащие синтетические полимеры, практически оказываются поликомпонент-ными, так как содержат широкую по пуляцию макромолекул различной массы во многих случаях, однако, их можно считать псевдобинарными [4], учитывая лишь, что в равновесных фазах распределение одного и того же псевдокомпонента но молекулярным массам оказывается различным. Именно это обстоятельство позволяет использовать процессы выделения новых фаз (и вообще установления фазовых равновесий) для фракционирования, полимеров. [c.321]

На рис. XIII.1 изображена диаграмма состояния псевдобинарной системы. Если превращение одной изомерной формы в другую вблизи температуры плавления совершается достаточно медленно, то вещество — смесь двух форм — будет вести себя как двухкомпонентная система с простой эвтектикой, так как при этом одна изомерная форма не будет успевать переходить в другую. Роль компонентов в этом случае будут выполнять две изомерные формы. [c.147]

Псевдобинарные, так же как и нсевдотройные и более сложные псевдо-системы, имеют значение в химии полимеров, в расплавах которых существуют динамические равновесия. [c.149]

Как было показано выше, методы проверки опытных данных о фазовом равновесии, основанные на использовании свойств функции Ф, приводят к выражениям, содержащим интегралы, число которых на единицу меньше числа компонентов. Учитывая трудоемкость и неизбежные погрешности операции графического интегрирования, целесообразно уменьшить число вычисляемых таким путем интегралов. Это можно осуществить путем приведения многокомпонентной системы к псевдобинарной с помощью метода, предложенного в работе [146], рассматриваемого для наглядности изложения применительно к трехкомпонентной системе. [c.326]

Алдерс [2, стр. 32, 33] заметил, что точки на пограничной кривой (автор не прибегает к этому названию) такой псевдобинарной системы, взятые при одной и той же температуре не являются сосуществующими фазами и что точка складки не находится на максимуме кривой . [c.26]

Фиг. 549. Псевдобинарная система диопсид — нефелин (карнегиит) с продуктами реакций между расплавами и кристаллическими фазами (Bowen)

Справочник химика 21

Химия и химическая технология