Полишиффовы основания

Для сильных КПЗ характерны сдвиги полос поглощения групп С=0, С—С1 и других в колебательных ИК-спектрах. Предельным случаем сильных КПЗ являются ион-радикалы с полным переносом заряда, у которых наблюдается сигнал ЭПР. При изучении КПЗ полишиффовых оснований и полиазинов с бромом и иодом установлено, что только одна из 10—10 молекул акцептора (Ь, Вгз) образует КПЗ с полным переносом заряда. Остальные молекулы образуют с полимером-донором сравнительно слабые КПЗ с частичным переносом заряда. Интересно, что в этих слабых КПЗ происходит полный перенос заряда при освещении образца светом с длиной волны, соот- [c.70]

Если вместо А. и альдегидов использовать диамины и диальдегиды, напр, /г-фенилендиамин и терефталевый диальдегид, то можно получить полишиффовы основания. [c.57]

Полимерные шиффовы основания образуют комплексные соединения с различными металлами Си, Ре, Со, 2п, N1, Сс1 и т. п. [11 —15]. Интересны полишиффовы основания, полученные Байером [15] из аминофенолов и глиоксаля, способные избирательно связывать ионы металлов с образованием комплексных соединений, которые при действии кислот распадаются на исходный полимер и металл. Они используются в технике и аналитической химии для разделения металлов. [c.187]

Конденсацией п-фенилендиамина с диацетилом, терефталевым альдегидом и глиоксалем синтезированы полишиффовы основания. Исследование полученных продуктов методом ИК-спектроскопии показало наличие системы сопряженных двойных связей, ответственных за полупроводниковые свойства полимерных материалов 8. [c.354]

Карпачева Г.П. Исследование комплексов с переносом заряда полишиффовых оснований и некоторых галоидов. - "Изв. [c.21]

Большинство синтезированных полиазинов является кристаллическими веществами. Полишиффовы основания в зависимости от структуры и условий синтеза могут быть кристаллическими или аморфными. При отсутствии разрывов в цепи полисопряжения полиазины и полишиффовы основания обладают характерным для [c.109]

Как уже упоминалось, многие из описанных полимеров, не поглощающие кислорода в темноте, начинают активно поглощать кислород при освещении. Такое фотоинициирован-ное поглощение кислорода характерно для продуктов термического превращения полиакрилонитрила, некоторых полишиффовых оснований и полиазинов. Результаты, иллюстрирующие эти факты, приведены в табл. У.2 и У.З. [c.182]

Полишиффово основание, полученное конденсацией гг-фенилендиамина [c.183]

Карборансодержащие мономеры с функциональными группами непосредственно у карборанового ядра были использованы для синтеза полиэфиров, полиамидов, полишиффовых оснований, а также таких полимеров циклоцепного строения, как полибензимидазолы, полиоксадиазолы, полиимиды, полиамидофенилхинокса-лины [30]. [c.252]

Поликонденсацией ж-карборансодержащих диаминов с терефталевым, изофта-левым альдегидами и 5,5 -тиобисфурфуролом в среде органического растворителя синтезированы и исследованы ж-карборансодержащие полишиффовы основания [92-94]. [c.259]

Термообработкой в вакууме л<-карборансодержащих полишиффовых оснований можно существенно изменять их электрические свойства. Так, например, если проводимость исходного полишиффового основания ж-карборанилендиамина и терефталевого альдегида составляет 10 Ом см , то после 1-часовой термообработки в вакууме при 900 °С она увеличивается до 10 Ом см [94]. [c.259]

При реакции ароматич. диальдегидов, напр. терефталевого альдегида, с первичными диаминами получены П., содержащие в основной цепи макромолекулы связи —НС=К— (см. Полишиффовы основания). По-ликопденсацией получают высокотермостойкие П. с азотсодержащими гетероциклами в цепи (см., напр., Полибензимидазолы, Полибензоксазолы, Полихиноксалины). [c.374]

Неполные эфиры кислот фосфора присоединены и к полишиф-фовым основаниям . Реакции с ними проводились в присутствии алкоголята натрия при длительном нагревании. Протекают они не количественно. В реакцию вступает около половины имеющихся в полишиффовых основаниях азот-углеродных двойных связей. Продукты присоединения представляют собой твердые вещества, не плавящиеся при нагревании до 400 °С, нерастворимые в органических растворителях. [c.61]

Структуру и свойства растворимых и плавких К. п. исследуют методами, обычно применяемыми в химии полимеров для исследования нерастворимых и неплавких К. п. разрабатываются специальные методы. Так, для определения типа структуры (линейная или сетчатая) предложен метод диффузного отражения в диапазоне длин волн 1,5—5,5 мкм. Метод разработан для К. п. полишиффовых оснований, полимеров на основе дитиокарбаматов и рубеановой к-ты. Спектры диффузного отражения линейных К. п. полишиффовых оснований и их модельных соединений (I — III, в столбце 1111) характеризуются наличием максимумов отражения, положение к-рых определяется природой хелатного узла. Для соединений с хелатным узлом, содержащим связи Ме—О и Ме—К, максимум отражения расположен при 2,75 мкм, а для соединений с хелатным узлом, содержащим связи Ме — 8 и Ме — N5— вблизи 2,3 мкм. В спектрах диффузного отражения сетчатых полимеров (IV и V) специфич. пики отсутствуют. Природа металла (Си, N1 или гп) почти не влияет на характер диффузного отражения. По спектрам отражения была установлена сетчатая структура полирубеанатов меди. [c.552]

Многие К. п. проявляют повышенную магнитную восприимчивость. Магнитный момент полихелатов на основе быс-(5-салицилальдегид)метана и Си +, N1 +, Со + или Ке + равен соответственно 1,72 2,80 3,84 и 4,79р,В. В зависимости от структуры исходного полимера магнитный момент К. п. полишиффовых оснований с Си +, Со + и Ре2+ лежит соответственно в пределах 1,45—1,79, 4,01—4,25 и 3,72-5,32 цВ. [c.553]

Полиацетали —СН=0 I Гликоль - - диальдегид Полишиффовые основания —СН=0 I Диамин -1- диальдегид П о л II а н г и д р и д ы -ООСОСН [c.427]

Фотохимич. процессы в гетероцепных полимерах могут инициироваться и развиваться непосредственно в цепи. Напр., большая склонность к фотохимич. превращениям полиуретанов, полишиффовых оснований, полиазинов, ароматич. полиэфиров и полиамидов обусловлена малой величиной энергии перехода п— я в содержащих гетероатомы хромофорных группах, к-рые входят в основную цепь макромолекулы. Интенсйвные фотопревращения наблюдаются и в тех случаях, когда гетероатом хромофорной группы не входит в основную цепь. Примером таких полимеров может служить сополимер этилена с окисью углерода структуры [—СН —СНа—С—СНа—СНа-] . Поглощение света II [c.386]

Способность к фотохимич. превращениям полимеров с системой сопряжения определяется числом т двойных связей в участке сопряжения. С ростом т снижается энергетич. уровень возбужденного (я ) состояния, возрастает склонность к донорно-акцепторному взаимодействию. Полимеры, для к-рых от З, поглощают свет с Л.>280 нм и вступают в фотохимич. реакции гидрирования, гидрогалогенирования и др. Эти полимеры характеризуются высокой фотосенсибилизирующей способностью. Так, полишиффовы основания, полихинолин, полипропиоловая к-та — эффективные сенсибилизаторы фотоокисления аскорбиновой к-ты. Высокой поглощательной способностью отличаются также карбоцепные полимеры, содержащие в боковых [c.386]

Описаны некоторые полимераналогичные реакции поливиниламина и его сополимеров. Так, конденсацией поливиниламина с ароматическими альдегидами 0ыли получены полишиффовы основания — полисалицилиденвиниламин и др. 2э. [c.708]

Василенко Н.А., Праведников А.Н. Свойства полишиффовых оснований как соединений с сопряженными 5Г-свя-зями. - "Высокомолек.соединения", 1975, T.AI7, .I74I-I747. [c.20]

Синтез полимерных шиффовых оснований описан Крессигом , осуществившим поликонденсацию терефталевого диальдегида с алифатическими диаминами, и Байером , получившим полишиффовы основания из глиоксаля и диамииокрезола или триаминофе-нола. [c.108]

В работах 2 описан синтез полиазинов и полишиффовых оснований с применением полиеновых диальдегидов октатриен-2,4,6-диаля-1,8 и 2,7-диметилоктатриен-2,4,6-диаля-1,8. Обычно для синтеза указанных соединений в качестве среды применяется ледяная уксусная кислота, которая к тому же является катализатором и дегидратирующим агентом . [c.108]

Гидразинолиз полиш иффовых оснований протекает в тех же услов иях, что и [Полиазинов. В качестве объектов исследования были выбраны полишиффовы основания, полученные конденсацией глиоксаля и бензила с п-фенилендиамином . [c.195]

Энциклопедия полимеров Том 2 (1974) -- [ c.0 ]

Энциклопедия полимеров том 1 (1972) -- [ c.120 ]

Энциклопедия полимеров Том 1 (1974) -- [ c.120 ]

Энциклопедия полимеров Том 3 (1977) -- [ c.2 , c.3 , c.88 , c.120 ]

Итоги науки химические науки химия и технология синтетических высокомолекулярных соединений том 7 (1961) -- [ c.187 ]

Итоги науки химические науки химия и технология синтетических высокомолекулярных соединений том 8 (1966) -- [ c.354 ]

Химия полисопряженных систем (1972) -- [ c.15 , c.42 , c.108 , c.110 , c.178 , c.182 , c.183 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология