Электронные явления

Волновые свойства электрона обнаруживаются в упомянутом выше явлении дифракции электронов. Явление дифракции (см. курс физики) было хорошо известно для световых лучей, для рентгеновских лучей и других электромагнитных колебаний. Дифракция обусловливается волновой природой этих лучей. Поэтому существование дифракции электронов подтверждает наличие у них волновых свойств. Это явление, теоретически описанное де-Бройлем (1924), было экспериментально обнаружено Дэвиссоном и Джермером (1927). В СССР оно впервые было исследовано П. С. Тартаковским в том же году. [c.44]

С восьмидесятых годов прошлого столетия в физике начался период так называемых электронных явлений. [c.421]

Если при рассмотрении ионных кристаллов правомерно использовать электростатику, то для электронных явлений возможно только квантовомеханическое объяснение — на нем и базируется современная теория металлов и полупроводников. Ее основу составляет представление об энергетических зонах, которое мы. здесь кратко рассмотрим. [c.271]

С 1950 г. раздел 3 разбит на 3. Электронные явления и спектры. ЗА. Ядерные явления. [c.357]

Первый период научной деятельности Н. Н. Семенова под руководством академика А. Ф. Иоффе (1880—1960) был посвящен изучению электрических полей, электронных явлений и молекулярной физики. В это время он разработал тепловую теорию пробоя диэлектриков. В области молекулярной физики большое значение получили исследования Н. Н. Семеновым молекулярного пучка — струи молекул, быстро двигающихся в вакууме. Изучение этого явления привело к установлению нескольких молекулярных констант. [c.252]

Хауффе K. Теория полупроводников и проблема гетерогенного катализа. (Сб. статей по катализу. Электронные явления. ИЛ, 1958). [c.62]

Более того, это приближение позволяет обосновать рассмотрение химической связи как электронного явления и сформулировать критерий ее образования на языке потенциальных поверхностей (или кривых , т. е. позволяет утверждать, что основному состбянило химически связанных атомов соответствует минимум на потенциальной поверхности (кривой). [c.113]

Сульфид цинка, а также оксид цинка входят в группу веществ, обладающих способностью люминесцировать — испускать холодное свечение в результате действия на них лучистой энергии или электронов. Явление люминесценции широко используется в науке и технике. Так, большое значение приобрел люминесцентный анализ, люминесцентные лампы применяются для освещения, лю- тинесцентные экраны — важнейшая часть электронно-лучевых приборов. [c.544]

Действительно, это так. Однако если полоса поглощения расположена в далеком ультрафиолете, то обычные измерения рефракции пе обнаруживают никаких аномалий, По мере приближения полосы поглощения к видимой области (чему соответствует уменьшение энергии, необходимой для возбуждения электронов) явление аномальной дисперсии будет оказывать все большее влияние иа обычиые величины рефракции, Rd. Таким образом, повышение рефракции вблизи области поглощения ести у каждого вещества, ио в конъюгированных системах это повышение имеет место уясе в видимой части спектра — экзальтация рефракции. Поскольку измерения рефракции обычно проводятся при X = D, факт повышения рефракции удалось связат) со структурными особенностями молекул. [c.225]

Исследования этой группы соединений с использованием локализованных орбиталей приводят к результатам, прямо противоположным полученным с помощью методов типа простого метода Хюккеля [13, 14]. Для волновой функции МО, локализованных по критерию минимальной энергии, характерно описание молекулы, в котором образование кратных связей минимально. Так, например, установлено, что в 83N2 [15, 16] имеются две связывающие и одна антисвязывающая локализованные молекулярные орбитали, т. е. бтг-электронов, тогда как для 83 Ы, [17] образуются только две локализованные орбитали 7г-типа, что указывает на наличие 4тг-системы остальные шесть электронов размещаются на орбиталях неподеленных пар атомов серы. Четыре тг-электрона в свою очередь размещаются на двух внеплоскостных МО, охватывающих сегмент N — 8 — N плоского цикла. Таким образом, возникают два весьма различных описания этого соединения в одном используется Ют-электронная модель, в другом — 41г-электронная. Явление такого типа (противоречие) встречается в других плоских системах, например 83 N2, 84 в более усложненном виде — в неплоских системах сера — азот. Ясно, что полученный вывод об электронной структуре зависит от используемого теоретического метода анализа — весьма неудовлетворительная ситуация. [c.171]

Металлизацией спеканием называют процессы сцепления металла с подложкой в результате окислительно-восстановительных реакций в зоне контакта при высоких температурах. При спекании металла с Керамикой главную роль играют электронные явления. Для развития электронного механизма необходим адгезионный контакт соединяемых тел, достигаемый при смачивании подложки расплавленным металлом. При хорошем с 4ачивании газы вытесняются из зоны контакта и поверхности сближаются настолько, что начинают действовать электростатические межмолекулярные силы. Смачивание обеспечивается при условии образования жидкой прослойки, например, в виде легкоплавкой эвтектики, состоящей из окислов керамики и металла покрытия. Это интерметаллическое соединение образуется тем легче, чем активнее металл. Возможно применение промежуточного слоя из молибдена, алюминия или другого активного металла. [c.67]

Бенсон Дж. E. и др.— IV Междунар. конгресс по катализу. Симпозиум Электронные явления в хемосорбции и катализе на полупроводниках. Программа и тезисы докл., 1968, 18 РЖХим, 1969, 17Б919. [c.939]

A. А. Алчуджан отметил необходимость синтеза существующих теорий катализа. По его мнению, аргументированному магнитными и каталитическими йсследаваниями нанесенных блатороДНых металлов,, в теории катализа необходим учет электронных явлений. Основным во-, просом теории, по мнению А. А. Алчуджана, является вопрос о природе, активного центра и каталитического акта. [c.79]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология