Кристалл инородные включения

Макроскопическим нарушением структуры решетки являются границы кристалла, границы зерен и блоков, трещины, поры, инородные включения, царапины и т. д. [c.69]

По этим фотографиям нельзя определить ориентацию ямок травления, но примечательно следующее авторы [16] предположили, что ямки травления образуются в областях, состоящих из мельчайших инородных включений, таких, как железо или соли щелочных металлов , и утверждали, что само появление гексагональных ямок травления служит доказательством влияния симметрии решетки на течение химической реакции . В том же году были проведены более точные измерения [17], подтвердившие результаты предшествующей работы и позволившие предположить, что гексагональные ямки, образованные при окислении кристаллов цейлонского графита на воздухе при 800°, обязаны своим происхождением инородным включениям в кристалле. Не считая работы [18], в которой изучено изменение формы ямок травления при окислении графита СОа, содержащей определенные примеси (например, НС1), а также работы [19], где подчеркивается, что на базисных плоскостях особо чистого графита при взаимодействии с кислородом всегда образуются гексагональные ямки травления, практически не встречается исследований, в которых проводилось микроскопическое изучение топографии окисленных кристаллов. Лишь в 1950 г, начаты детальные исследования этого вопроса [4, 5]. [c.128]

Обычно кристаллизация начинается на границе раздела фаз и чаще всего на поверхности. Внутри стекла кристаллы появляются, как правило, па газовых пузырьках, вдоль свилей или у границы инородных включений (камни и т. п.). Некоторые исследователи считают появление отдельных кристаллов в массе стекла, вне связи с фазовыми границами, явлением вторичным—результатом погружения в толщу стекла кристаллов поверхности в случае ИХ большего по сравнению с массой стекла удельного веса. [c.58]

На первый взгляд различие между химическим и физическим проявлением галогенсеребряных слоев состоит лишь в том, что в первом случае восстанавливающееся вещество находится в слое, а во втором — вносится извне. Действительно, если экспонированный галогенсеребряный слой обработать кислым раствором тиосульфата натрия и полностью удалить из него невосстановленный галогенид серебра, а затем физически проявить его, то активные центры скрытого изображения будут служить центрами осаждения серебра и дадут в конечном счете видимое изображение. Однако, если при химическом проявлении активными центрами, специфически влияющими на процесс, служат включения коллоидного металлического серебра в кристалле галогенида серебра, то при физическом проявлении осаждение металлического серебра может происходить не только на зародышах изображения, возникших в результате освещения, но и на любых инородных включениях в слой. В частности, [c.229]

Всякое изменение температуры кристалла приводит к изменению числа и размеров дефектов кристаллической решетки. При нагревании число и размер дефектов уменьшаются вследствие уменьшения микротрещин, растворения инородных включений и т. п. [86], но одновременно степень беспорядка в кристалле повышается в результате увеличения интенсивности теплового движения. В итоге прочность кристалла может как увеличиваться, так и уменьшаться. Этот эффект хорошо иллюстрируется зависимостью от температуры пределов прочности и текучести ванадия (рис. 20), молибдена и других металлов [15, 86—88]. Очистка вещества от механических примесей методом зонного плавления, а также рекристал- [c.60]

Из инородных включений в кристаллы наиболее интересны бактерии. Как было установлено при исследовании образовавшихся сотни миллионов лет тому назад морских отложений, заключенные в кристаллах бактерии при контакте с питательной средой способны оживать и размножаться. Эти древние бактерии, как правило, отличаются от современных и характеризуются иным обменом веществ. Последнее обстоятельство позволяет получить представление об условиях жизни, существовавших некогда на земной поверхности. [c.290]

Известные в настоящее время многочисленные экспериментальные данные свидетельствуют, что фотографическая чувствительность, т. е. эффект действия света и проявления, относятся к категории структурно-чувствительных свойств, которые определяются локальными нарушениями решетки эмульсионных микрокристаллов. Иными словами, последние представляют собой реальные кристаллы, содержащие два типа нарушений собственные (кристаллографические) дефекты и инородные включения — примесные центры (центры светочувствительности [3, 6]). [c.319]

Диэлектрическая проницаемость неоднородной среды, к которой следует отнести и большинство кристаллов синтетического алмаза, определяется количеством инородных частиц в объеме кристаллов, но зависит и от абсолютного значения вещества включений. [c.451]

Правильно образованные кристаллы редко обнаруживают каталитическую активность. Повышению активности благоприятствуют, наоборот, различные нарушения в правильности расположения частиц в поверхностном слое, в том числе и нарушения, вызываемые включением некоторых инородных атомов или молекул. [c.340]

Атомы ванадия в решетке окиси ванадия имеют валентность, равную пяти. Когда в качестве примеси в решетку вводится атом вольфрама, появляется один избыточный электрон, так как вольфрам имеет шесть валентных электронов (случай а, рис. 2). Однако при введении атома вольфрама в решетку окисла ванадия шестой валентный электрон вольфрама, связанный со своим атомом но очень сильно, может при термических колебаниях мигрировать сквозь решетку окиси ванадия как переносчик электрического тока или влиять на адсорбцию кислорода на поверхности. Электронейтральность кристалла сохраняется вследствие того, что избыток положительного заряда атома вольфрама нейтрализует избыток электронов, имеюш ихся в кристалле. Однако электрон может мигрировать сквозь решетку и проводить электрический ток, в то время как положительный заряд дол кен оставаться локализованным в том месте решетки, в котором находится атом вольфрама. В результате вольфрам способствует электронной проводимости в твердом веществе. В противоположность этому, когда в решетке окиси ванадия атом ванадия замещен на титан (случай б рис. 2), он отдает только четыре валентных электрона. Пятый электрон, необходимый для валентной структуры кристалла, отдается одним из атомов ванадия, входящих в решетку окисла, что приводит к образованию так называемых положительных дырок в твердом веществе. В этом случае перенос электрического тока и электрическая проводимость возникают при движении этих положительных дырок. В обзорной литературе, указанной во вступительной части этого раздела, довольно подробно излагаются количественные законы, управляющие скоростью движения потока электрических зарядов, и энергетические факторы, управляющие их движением от одного положения в решетке к другому. Дефекты решетки, вызванные либо нестехио-метричностью состава, либо включением инородных примесей, несут ответственность за перенос электронов от твердого вещества к адсорбированной молекуле или, наоборот, за переход электронов из адсорбированной молекулы в решетку. Подобным же образом движение электронов или положительных дырок в твердом веществе имеет большое значение для каталитического поведения полупроводника кроме того, этим можно объяснить быстрое образование дефектов решетки при соударении адсорбирующейся молекулы с поверхностью. Признано также, что дефекты не локализуются в определенном месте решетки (как показано на рис. 1 и 2), а распространяются на довольно большое число атомов. Представления, излагаемые в настоящем разделе, очень упрощены, но будут полезны читателю как предварительная, чисто качественная картина, прежде чем он сможет получить сведения из более авторитетных обзоров (ссылки [4, 6 и 12]). [c.367]

При увеличении длительности работы питтинга возможно появление предельного тока (например, при потенциале д) вследствие диффузионного ограничения доставки в глубокий питтинг компонентов раствора и отвода продуктов реакции, и тогда анодная кривая вырождается в кривую °д д 4 — что отмечалось при исследовании модельного питтинга [41, с. 77 71]. При потенциале коррозии к, задаваемом окислительными свойствами среды (в условиях питтингообразования ц более положительный, чем пт) происходит возникновение питтинга в результате взаимодействия адсорбированных активирующих анионов, например, хлор-ионов с пассивной пленкой в отдельных точках. Локальность процесса обусловлена негомогенностью поверхности металла и оксидной пленки и связанной с этим неравномерностью адсорбции анионов на пассивной пленке. Начальной стадии возникновения питтинга соответствует растворение структурных элементов поверхности, имеющих менее совершенную пассивацию. Несовершенство пассивной пленки может быть связано с каким-либо искажением структуры металла наличием границ зерен, различного рода включениями (металлическими и неметаллическими), выходом на поверхность кристаллов с менее благоприятной для пассивации ориентацией или же более тонкой неоднородностью, как, например, наличием дислокаций и включением в решетку инородных атомов. Местные изменения стойкости пассивной пленки могут быть вызваны также понижением концентрации основного пассивирующего компонента (например, хрома в коррозионностойких сталях), или дополнительных легирующих компонентов (51, Мо и т. п.). На этой стадии отсутствуют заметные концентрационные изменения электролита и омические падения потенциала. Питтинг еще не имеет характерной полусферической формы, определяемой этими параметрами. [c.91]

По агрегатному состоянию инородные тела в минералах могут быть твердыми, жидкими и газообразными. Жидкость и газ (пар), соответствующий ей, всегда находятся в равновесии, поэтому такие включения называются газожидкими. По времени образования различают включения первичные и вторичные. Первичные включения образуются одновременно с ростом кристалла-хозяи-на. Вторичные включения попадают в кристалл после его образования процесс кристаллизации хозяина может еще продолжаться, но включения проникают в него как в твердую фазу. [c.27]

Реально кристаллы из расплава зарождаются на случайных включениях инородной фазы, стенках тигля и т. д. Уравнение (63) в этом случае имеет вид [c.24]

III. Химические дефекты (включение инородных атомов в углеродную сетку). В ионных кристаллах изучено большое [c.22]

Большинство TA в твердом состоянии образуют кристаллогидраты с большим числом молекул воды [517 ]. Систематические исследования рентгеновских спектров, предпринятые Джеффри и Макмилланом с сотрудниками [518], доказывают, что структура их подобна структуре твердых гидратов газов. В клатратных гидратах молекулы воды сильнее взаимодействуют между собой, нежели с инородными частицами, включенными в пустоты кристалла льда. [c.294]

Так как абсолютно чистых веществ не существует (II 6), кристаллы неизбежно содержат примесные частицы, а иногда также и более значительные включения инородных веществ или пустот. В общем, реальные кристаллы примерно так же относятся к теоретически рассматриваемым идеальным, как реальные газы к газу идеально.му. [c.290]

Настоящая статья посвящена обсуждению особенностей процесса преобразования формы макроскопических включений в кристаллических телах, который может происходить либо самопроизвольно, либо под влиянием внешних по отношению к кристаллу силовых полей. Под словом включение будет подразумеваться не только инородное вещество, но и полость, заполненная газом. В нужных случаях смысл термина уточняется. Там, где это не оговорено, изложение ведется в изотропном приближении, т. е. предполагается, что поверхностная энергия на границе включение — матрица не зависит от ориентации нормали к соответствующему участку граничной поверхности. [c.110]

Прибор ПКПА предназначен для контроля качества прозрачных кристаллов путем оценки количества и размеров дефектов в них. Этот прибор имеет специальный осветитель, проецирующий на дефект метку монохроматического (желтого) света, и увеличительную часть с удобной системой отсчета трех координат положения дефекта и его размеров. Глубина залегания дефектов и их протяженность по глубине определяются методами фокусировки, а размеры в перпендир улярном направлении путем перемещения столика, где крепится кристалл, — по микрометрической шкале. Применение прибора ПКПА дает возможность обнаруживать, оценивать размеры пустот и инородных включений в глубине кристалла, по сравнению с серийными микроскопами упрощает и убыстряет процесс визуально-оптического контроля. [c.246]

Причины возникновения электрохимической гетерогенности могут быть самыми различными. По современным воззрениям электрохимическая гетерогенность поверхности металла может быть вызвана не только микронеоднородностью структуры металла как, например, различием в составе или ориентации отдельных кристаллов и наличием границ зерен или инородных включений [7,13]. Даже субмикронеоднородность металла как, например, местные не-соверщенства кристаллической решетки вследствие дислокаций или включения других атомов в решетку основного металла, а также различное энергетическое состояние атомов, зависящее от их полол<ения в решетке на поверхности, следует рассматривать как причины, вызывающие появление электрохимической гетерогенности металла. В предположении, что электрохимическая гетерогенность сплава существует даже на атомном уровне, нет необоснованных допущений, как это иногда высказывается, так как вполне очевидно, что элементарные анодные и катодные процессы относятся к отдельным дискретным атомам кристаллической решетки. Признание того, что электрохимическое растворение металла идет в виде двух независимых, но сопряженных процессов (анодного и катодного), влечет за собой и признание их дифференции в пространстве или во времени. Накопление на поверхности атомов более устойчивого компонента при растворении твердых металлических растворов может служить самым прямым доказательством того, что анодный процесс вполне реально (а не условно) относится к отдельным атомам более активного компонента твердого раствора. [c.23]

Одна из основных проблем при изучении К. полимеров — выявление механизмов К. и факторов, управляющих ею. Для полимеров, кристаллизующихся из расплава, характерна сферолитная структура. Причина этого — высокая вязкость расплава и наличие некристаллизующихся примесей (нестереорегулярные цепи, низкомолекулярные компоненты, случайные инородные включения и др.). При К. эти примеси выталкиваются из кристаллич. решетки и локализуются на границах растущих кристаллич. образований. Дальнейший рост кристалла существенно зависит от диффузии макромолекул к растущей кристаллич. грани, а также от скорости удаления примесей от фронта К. Предпочтитель-нвлм становится прорастание в область нетронутого расплава, поскольку грани, окруженные примесями, растут медленнее. Такой механизм роста препятствует образованию крупных монокристаллов и приводит к развитию радиальных разветвленных и скрученных [c.589]

ДЕФЕКТЫ МЕТАЛЛОВ - нарушения регулярной кристаллической структуры металлов. Возникают при изготовлении и эксплуатации металлических изделий. Существенно влияют на свойства металлов. Д. м. классифицируют по морфологическим (наружные, внутренние, в сочленениях), генетическим (механические, термические, диффузионные, коррозионные, адсорбционные, радиационные, эрозионные, кавитационные, сварочные и др.) и структурным (трещины, поры, неметаллические включения, разнозернистость и др.) признакам. Кроме того, есть физ. классификация Д. м. (см. Дефекты в кристаллах), основывающаяся на атомном строении дефектов. В зависимости от размера Д. м. подразделяют на субмикродефекты, микродефекты и макродефекты (табл.). Субмикродефекты — нарушения регулярной кристаллической структуры металлов в атомном масштабе. Различают субмикродефекты точечные, линейные, поверхностные и объемные. Точечные нарушения бесконечно малы в трех измерениях. Возникают при вычитании атомов металла (вакансии и твердые растворы вычитания), внедрении собственных (атомы в междоузлиях) или инородных атомов (твердые растворы внедрения), а также замещении собственных атомов инородными (твердые растворы замещения). Образуют скопления в отдельности или в комбинации. Линейные субмикродефекты малы в двух измерениях и протяженны в третьем. Из них наибольшее значение имеют дислокации, обусловливающие мех. и др. свойства [c.336]

Прочность и твердость тела зависит не только от энергии связи между атомами кристаллической рещетки, но и от макроструктуры, v777г кристалла. Реальные кристаллы содержат большое количество дефектов трещины, раковины, инородные включения и др. Эти дефекты в значительной [c.59]

Той [3] показал, что центры проявления образуются под влиянием отнюдь не только проявляющего раствора, — они присутствуют в зерне до его действия, возникая отчасти при синтезе фотографической эмульсии (центры латентной вуали) и главным образом после фотохимической реакции на ранее образовавшихся примесных центрах (центрах светочувствительности). Наличие последних на поверхности микрокристаллов подтверждается десенсибилизирующим действием окислителей. Наоборот, восстановители (арсе-ниты) вызывают образование центров проявления без светового воздействия. Эти реакции определенно указывают, что в эмульсионных кристаллах присутствуют инородные включения, расположенные на поверхности. [c.68]

Пластическое деформирование кристаллических твердьа тел связано с появлением и передвижением в их объеме особых линейных дефектов структуры, подзываемых дислокациями (см. гл. IV, 4). Дислокация отделяет в плоскости скольжения ту часть кристалла, в которой произошло смешение атомов на одно межатомное расстояние, от той части кристалла, где такого смещения еще ае происходило (рис. Х1-31). Перемещение дислокации через весь кристалл приводит к сдвигу в плоскости скольжения на одно межатомное расстояние. Движение дислокаций может тормозиться различными дефектами кристаллической решет -кн инородными атомами, включениями, другими дислокациями, границами блоков монокристаллов, двойниковыми гр 1вицами, границами зерен в полик- [c.404]

Примеси в расплаве ответственны за появление дислокаций, расщепление кристаллов во время роста, дендритный и блочномозаичный рост, деформацию кристаллов и т. д. Обособление примесей в кристаллах при росте приводит к появлению различных включений, источниками которых служат примеси из шихты, растворенные газы, материал контейнера, инородные кристаллофазы, остаточный фторидный расплав. Особенно богаты включениями кристаллы фторфлогопита, полученные при гетерогенной кристаллизации расплава из шихты на основе природного калиевого полевого шпата. Содержимое включений в момент захвата в кристаллы слюды представлено самыми различными фазами. [c.45]

Процессы замещения в земной коре разнообразны и многочисленны. Так, кварц замещается полевым шпатом полевые шпаты — слюдами, хлоритами сульфидами и т. д. Установить замещение одного минерала другим трудно Однозначно решается вопрос, когда замещающий минерал принимает кристал лографическую форму замещаемого индивида. При этом получается многогран ник, структура которого не соответствует его огранению. Такие многогранники называются псевдоморфозами (ложные формы). Особенно часто встречаются псевдоморфозы лимонита, образовавшиеся за счет пирита, т. е. псевдоморфозы лимонита по пириту. Менее надежный способ — наблюдение за образованием инородных минералов по ослабленным направлениям в кристаллах, например по трещинам. Вторичные включения секут при этом зоны роста кристалла. [c.28]

Дефекты в кристаллах различаются по типу и происхождению. Значительная их часть (фазовые неоднородности, включения, дефекты упаковки, дислокации) возникают уже в процессе изготовления слитков. Последующая глубокая пластическая деформация, неизбежная при производстве сортового металла, дополнительно порождает дефекты, прежде всего дислокации. В дефектных местах кристаллической поверхности имеют место значительные флуктуации термодинамических свойств решетки и энергии активации электрохимических процессов. Особенно резко изменяются свойства металла в местах включения инородных фаз (карбидов, гидридов, нитридов, окислов и др.). Другим источником энергетической, а следовательно, и кинетической неоднородности, несомненно, являются дефекты пассивирующей пленки. Ясно, что этот фактор тесно связан с дефектами самого металла. Поэтому скорости растворения пассивного металла для разных микроучастков поверхности должны существенно отличаться друг от друга и изменяться с течением времени. Последнее обстоятельство отражает динамику как выхода внутренних дефектов решетки на поверхность растворяющегося кристалла, так и процессов пленкообразования. Представления о неизбежном существовании активных пор в пассивирующей окисной пленке и о роли электрокапиллярных явлений в этих порах развиты Шултиным [27]. [c.69]

При охлаждении ниже температуры плавления эти сохранившиеся мелкие кристаллические включения на поверхности инородного тела будут служить зародышами для дальнейшего роста кристаллов. Размер пор определяет степень переохлаждения, необходимую для крист и1-лизации, а также возможную степень перегрева этих вкраплений выше температуры плавления в отсутствие разложения. На рис. 5-17 схематично представлена зависимость степени переохлаждения ДГ ниже температуры плавления, необходимой для того, чтобы зародышеобразование произошло за данное время, от степени перегрева Д вьш1е температуры плавления перед кристаллизацией. [c.60]

При больших скалывающих напряжениях величина скоплений определяется, по-видимому, характером препятствий, которые встречают дислокации в плоскости скольжения, а именно, распределением и степенью преодолимости препятствий. В монокристаллах чистых металлов сопротивление сдвигу обусловливается, в частности, взаимодействием параллельных дислокаций, лежащих в близких плоскостях скольжения, сидячими дислокациями, взаимодействием скрещивающихся дислокаций и возникновением при их пересечении уступов [201, 225], которые при последующем движении могут вызвать появление цепочек вакансий или межузловых ионов, и т. д. В поликристаллах решающую роль приобретают границы зерен [281]. В сплавах дислокации при своем движении должны преодолевать включения инородных атомов с той или иной степенью дисперсности препятствием движению служит также адсорбция на дислокациях внедренных атомов ( атмосфера Коттрелла ) [201, 232]. Особый интерес представляет взаимодействие дислокаций со свободной поверхностью кристалла [ИЗ, 117, 233]. [c.204]

Правильно образованные кристаллы редко обнаруживают каталитическую акгивность. Повыщению активности благоприятствуют, наоборот, различные нарушения в правильности расположения частиц в поверхностном слое, в том числе и нарушения, 1 ызываемые включением некоторых инородных атомов или молекул. Опыт показывает, что введение в катализатор некоторых добавок, которые сами не обладают каталитической активностью в данной реакции, мох<ет значительно повысить активность катализатора. Такие добавки получили название прстоторов. Их лей-ствие обусловливается, главным образом, влиянием их на структуру поверхности катализатора. Для обеспечения этого промотор вводят не в готовый катализатор, а еще в процессе его изгото-зления. Так, например, железный катализатор, применяемый для реакции СО + Н2О СО2 -1- Нг, промотируют введением добавок некоторых других металлов. Когда раствор нитрата железа выпаривают, прокаливают и восстанавливают, то получают простой железный катализатор если же предварительно ввести в раствор небольшие, но строго определенные количества бихромата аммония и нитрата тория, то в результате совместного их выделения при выпаривании раствора, совместного разложения прокаливанием и последующим восстановлением водородом получающийся продукт будет содержать в поверхностном слое все три металла (Ре, Сг, ТЬ) в очень тесном сочетании такой катализатор обладает повышенной каталитической активностью. Как показали исследования Н. И. Кобозева и М. А. Дубровской, промотор может концентрироваться в поверхностном слое катализатора. [c.378]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология