Гексагональная кристаллографическая плотнейшая упаковка

Периоды трансляции решетки в различных направлениях определяются в первую очередь силами, действующими между частицами. Поэтому анизотропию можно объяснить в конечном счете различием связей в разных направлениях. При небольшой разнице связей в различных кристаллографических направлениях образуются изометрические структуры, которые не проявляют ярко выраженной анизотропии свойств. Однако эти свойства могут очень резко проявиться в так называемых слоистых структурах, в которых расстояние между атомами и соотношение связей в пределах одной плоскости существенно отличаются от таковых в перпендикулярном к ней направлении. Типичным примером является графит, кристаллизующийся в гексагональной сингонии, который обладает плотной упаковкой атомов в одной плоскости и образует открытую структуру в перпендикулярном к ней направлении. Результатом этого являются характерные различия в твердости, тепло- и электропроводности и т.д. Симметрию свойств кристаллов можно объяснить симметрией их кристаллической структуры. Поэтому кристаллы с высокой симметрией, как например, кристаллы кубической сингонии, обнаруживают высокую симметрию свойств. В этом случае для полного описания зависимости свойств кристалла от направления требуется лишь несколько констант. Напротив число независимых констант для кристаллов триклинной сингонии сильно возрастает. [c.30]

Структурный тип Mg является примером плотнейшей гексагональной упаковки. Над первым горизонтальным слоем в том же положении находятся шары третьего слоя (см. рис. 4.6, е). В этой структуре существует только одно направление, совпадающее с кристаллографической осью Z, перпендикулярно которому расположены слои с наибольшей ретикулярной плотностью. В структуре типа Си существует четыре системы плоскостей с наибольшей д Q ретикулярной плотностью, [c.84]

ТРАНСКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ (от лат. 1гап8 — через) — кристаллизация. Сопровождающаяся прорастанием столбчатых кристаллов через объем затвердевающего расплава. Впервые описана (1879) рус. металлургом Д. К. Черновым. Способствует образованию столбчатой структуры (столбчатой зоны, или зоны Т.). Зона Т. расположена за корковой зоной — зоной мелких беспорядочно ориентированных кристаллов, образовавшихся у стенки литейной формы. В процессе разрастания этих кристаллов в Т. участвуют лишь те из них, к-рые благоприятно ориентированы по отношению к направлению отвода тенла. В таких кристаллах направлепия преимущественного (дендритного) роста (кристаллографические направления <100) для гранецентрированных и объемно-центрировапных кубических структур и <1010) для гексагональной плотной упаковки) перпендикулярны к стенкам литейной формы. Вследствие такого конкурентного роста толщина столбчатых кристаллов обычно в 5 —10 раз больше размеров кристаллов корковой зоны. Т. происходит, если в затвердевающем расплаве не наблюдается значительного переохлаждения (как концентрационного, возникающего при кристаллизации расплава с растворимой примесью. [c.584]

Другой критерий для определения эпитаксических соотношений металлов и солей, сформулированный нами [1], позволяет предсказать ориентации металлов на произвольных кристаллографических плоскостях ионных кристаллов. Согласно критерию, ориентации металлов на солях таковы, что параллельно двум направлениям с максимальной плотностью упаковки частиц одинакового знака в решетке типа Na l располагаются соответственно два направления с плотной упаковкой атомов в решетке металлов. В частном случае для металлов с гексагональной решеткой аналогичное заключение на основании своих экспериментальных данных сделал Конжо [25]. Важность направлений с плотнейшей упаковкой атомов при эпитаксии металлов от.ме-чалась в ряде работ [26—28]. Указанное выше правило иллюстрируется рис. 77—81. На рис. 77, а и 79, о — 81, а схематически показаны положения ионов одинакового знака в плоскости подложки, все остальные индексы соответствуют ориентациям металлов. Ориентации, предсказываемые правилами, показаны в табл. 49 все они наблюдались экспериментально. [c.270]

Цинковая обманка, кристаллизующаяся в кубической системе, и вюрцит, кристаллизующийся в гексагональной системе, являются интересными примерами полиморфизма. В обоих модификациях непосредственные соседи атомов одни и те же (как и у Si02, стр. 510) каждый атом цинка окружен тетраэдрически четырьмя атомами серы и каждый атом серы также четырьмя атомами цинка (рис. 186). Расстояние Zn — S в обоих модификациях равно 2,35 А. Плотность цинковой обманки в пределах ошибок опытов равна плотности вюрцита (4,09). Различие между решетками цинковой обманки и вюрцита состоит в расположении слоев атомов. В решетке цинковой обманки атомы серы имеют плотную кубическую упаковку, в которой имеются три одинаковых слоя, кристаллографически по-разному расположенных в порядке 1,2,3, 1,2,3 (стр. 127) атомы [c.699]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология