Гексагональная кристаллографическая

Рис. 20. Гексагональная система горизонтальных кристаллографических осей тригональной (а) и гексагональной (б) сингоннй

Системы кристаллов различаются характером взаимного расположения кристаллографических осей и их длиной. В трех первых типах систем оси а, Ь я с взаимно перпендикулярны (а=Р=7=90°). В кубической системе оси имеют одинаковую длину (а=6=с), тетрагонально й — одинаковы лишь две оси (а=Ьфс), в орто-ромбической — все три оси разной длины (афЬфс). В гексагональной системе две оси одинаковой длины располагаются в одной плоскости и образуют угол 120°, ось с им перпендикулярна (а=Ьфс а=Р=90°, 7= 120 )- В моноклинной системе все три оси разной длины (афЬфс), две из них образуют между собой угол, отличный от 90°, а третья ось расположена под прямым углом к этим двум осям ( =7=90°, Р=90°). В триклинной системе все три оси имеют разную длину (афЬфс) и расположены под разными углами (аф фу). Ромбоэдрическая система характеризуется одинаковой длиной осей (а=Ь=с) и одинаковыми углами между осями, отличными от 90° (а=Р= 79 90 ). [c.133]

Каждый кристалл можно отнести к одной из следующих шести кристаллографических систем (или сингоний) кубической (или изометрической), гексагональной, тетрагональной, ромбической, моноклинной [c.36]

Снежинки встречаются в тысячах различных вариантов, но все они имеют гексагональную симметрию. Известно более 2000 форм кальцита, и все они относятся к гексагональной кристаллографической системе [c.368]

В различных кристаллографических направлениях термическое расширение графита анизотропно. Для кристаллов графита различают два компонента теплового расширения коэффициент тепло-вого расширения в направлении гексагональной оси щ ) и в на- [c.33]

В кубической системе эквивалентны все три кристаллографические оси. Порядок записи элементов симметрии таков а, [111], [ПО]. Когда цифра 3 появляется во второй позиции, она служит только для отличия кубической системы от гексагональной. [c.427]

Из сравнения рис. 2.7 с табл. 2,3 можно видеть, что, хотя среди кристаллографических систем мы поместили тригональную и гексагональную, рис. 2.7 включает ромбоэдрическую и гексагональную решетки. Причина этого различия заключается в следующем. Все кристаллы с единственной осью симметрии 3-го или 6-го порядка могут быть отнесены к гексагональной решетке (элементарной ячейке) это значит, что все точки, изображенные на рис. 2.12 светлыми кружками, имеют одинаковое [c.64]

Для придания методу универсальности Федорову пришлось доказать на огромном экспериментальном материале, что все кристаллы по своим углам приближаются к кубическому или гексагональному типам, что у них можно выделить зоны, аналогичные призмам тригональной, тетрагональной или гексагональной сингоний, что отклонение от этих идеальных значений у реальных кристаллов низших сингоний встречается тем реже, чем сильнее само отклонение. Это обобщение известно под названием закона кристаллографических пределов, который может быть сформулирован так все кристаллы идеальны или приближаются к идеальным. [c.61]

Кристаллографические даппые Гексагональная [c.162]

Ввиду наличия примесей (главным образом Fe, Al и Mg) технический продукт нередко окрашен в темный или синий цвет. В чистом виде карбид кремния представляет собой бесцветные кристаллы. Подобно алмазу и графиту, он образует две кристаллографические моди-([/икацни — кубическую и гексагональную. Разница заключается только в том, что в Si половина атомов углерода замещена на атомы кремния. Поскольку кристаллохимическое строение Si обеспечивается прочными ковалентными связями, карборунд обладает высокой твердостью, износостойкостью (кубическая модификация) и тугоплавкостью. Химически и термически Si очень устойчив. Термическое разложение на элементы заметно лишь при температуре выиге 2300 °С. На карбид кремния не действуют индивидуальные минеральные кислоты, но он растворяется в смеси HF+HNO3. Сплавление с щелочами в присутствии окислителей [c.193]

На основе геометрического анализа структур кристаллов Е. С. Федоров пришел к выводу, что все царство кристаллов разделяется на два геометрических типа кубический и гексагональный. Это положение известно под названием закона кристаллографических пределов кристаллы идеальны или близки к ним. Закон кристаллографических пределов позволяет ввести плотнейшие укладки шаров для характеристики распределения анионов и катионов в кристаллическом пространстве. [c.20]

Кристаллографические сингонии обозначаются следующим образом К — кубическая (равноосная кристаллическая система) Т —тетрагональная Г —гексагональная Тр- три-гональная Р —ромбоэдрическая М—моноклинная, а. 3 и т. д. —модификации, существующие при обычных температурах. [c.111]

Задолго до появления рентгеноструктурного анализа и расшифровки структуры кварца при кристаллографических описаниях кристаллов этого минерала были приняты следующие соглашения. Один из основных ромбоэдров, а именно тот, который был сильнее развит на кристаллах, назван большим (или положительным) и ему приписан символ 1011 — R( соответствующей перестановкой индексов по ромбоэдрическому закону). Соответственно другой ромбоэдр назван малым (отрицательным) — 01 И — г. Для описания и кристаллографических расчетов кристаллов кварца применялись две системы координат морфологически правые кристаллы описывались в правой, а левые — в левой системе координат. Положительные концы полярных осей х (хз) выбирались в направлении на то ребро гексагональной призмы, которое не притуплялось гемиэдрическими гранями дипирамиды (и три-гонального трапецоэдра). Отрицательные концы осей х в этом случае переходили через противолежащие ребра гексагональной призмы, притуплявшиеся гемиэдрическими гранями. При такой установке кристалла кварца грани большого и малого ромбоэдров получали указанные выше символы. [c.83]

Как известно, грани положительной тригональной призмы на полярной диаграмме скоростей роста кристалла кварца соответствует седловая точка в сечении хг ей соответствует минимум, тогда как в сечении, перпендикулярном к оси г,— резкий максимум. Это обстоятельство приводит к неустойчивости этой грани. При малейшем отклонении от точной ориентировки, соответствующей кристаллографической плоскости (1120), на ней появляются ступеньки граней других индексов. Обычно образуются ступеньки сингулярных граней гексагональной призмы и граней положительной тригональной дипирамиды < + 5>. По мере нарастания кристалла такие грани образуют паразитные пирамиды На рис. 21 видно образование паразитных пирамид <+5> при наращивании кристаллов по плоскости (1 Г20) в щелочной и фторидной системах соответственно. Хорошо прослеживается укрупнение рельефа по мере роста вследствие слияния более мелких ступенек граней в более крупные. Видно также, что по мере нарастания основной грани <- -л > ступеньки < + 5> во фторидной системе испытывают значительное тангенциальное смещение, тогда как в щелочной системе такого смещения почти не наблюдается, что объясняется различием соотношений скоростей роста граней +х и +5 в указанных двух системах. [c.98]

Гексагональная структура не является единственной структурой графита. При чередовании слоев ab , ab реализуется ромбоэдрическая решетка. В отличие от гексагональной она явля- ется трехслойной. При температурах выше 2000° С ромбоэдрическая упаковка переходит в гексагональную. Кристаллографически обе структуры идеального графита должны рассматриваться как бесконечные сетки, состоящие из гексагонов, расположенных в параллельных слоях. Однако практически эти сетки имеют конечные размеры. Сетку конечного размера удобно рассматривать как макромолекулу углерода. [c.20]

В кристаллографии под ЭЯ обычно понимают наименьший объе.м, ограниченный векторами трансляций (не обязательно основных ), обладающий точечной симметрией решетки. Для всех решеток, кроме гексагональной, кристаллографическая элементарная ячейка есть параллелепипед (параллелепипед Браве), для гексагональной — правильная шестиугольная приз.ма (призма Браве). Показанная на рис. 1.1,в кристаллографическая (прямоугольная) ячейка прямоугольной решетки имеет объем (точнее, площадь), вдвое больший, чем примитивная ячейка (см. рис. 1.1,а), которая, однако, не обладает сим- [c.24]

Наиболее интересные результаты дает применение принципа геометрического соответствия к дегидрированию циклопарафинов. Типичными дегидрирующими катализаторами являются металлы, кристаллизующиеся в гранецентрированных и гексагональных рещетках, так как только на октаэдрических гра тГйх первой и на базоПинакондах второй встречается соответствующее строению шестичленных циклов расположение атомов решетки. Однако катализаторами являются только те металлы, в которых расстояние между центрами атомов в решёТКЕ ТГе-жит в пределах от 2,77 Ю" см (Р1) до 2,48- 10 см (N1). Так, каталитически активны гранецентрированные решетки Рс1 (2,74-10-8 см), 1г (2,70-10- см), КЬ (2,68-10- см), Си (2,56х Х10- см), а кристаллографически аналогично построенные решетки ТЬ (3,60-10- см), РЬ (3,50-10- см), Аи и А (2,88) X ХЮ- см) при дегидрировании шестичленных колец каталитически неактивны. [c.344]

Финч и Кворелл (1933 г.) на основании своих исследований предположили, что ориентация кристаллов образующегося соединения может сопровождаться изменением характера решетки, т. е. образуется псевдоморфный слой, являющийся кристаллографическим продолжением решетки металла. Так, на поверхности металлического магния, обладающего гексагональной структурой, первичный псевдоморфный слой окислов также имеет гексагональную структуру, ориентированную по структуре металлического магния, хотя для компактного окисла MgO характерна кубическая структура. Однако существование таких псевдоморфных слоев в настоящее время считается недоказанным. [c.43]

Интересным примером того, как, владея методикой создания высоких давлений, можно получить неизвестные до сих пор вещества, а потом, зная условия их образования, обнаружить их в природе, является синтез лонсдейлита (неправильное название его — гексагональный алмаз). Он был получен без катализатора при давлении порядка 13 ГПа и температуре немного выше 1000°С. Исходным веществом для его получения должен быть очень хорошо кристаллографически ориентированный графит, в котором плоскости слоев в макроскопическом кристалле имеют одно преимущественное направление, подобно листам бумаги в книге. Его следует помещать в камеру сжатия так, чтобы ось, перпендикулярная плоским слоям графита, была направлена точно по линии поступательного движения поршней пресса, посредством которого сжимается кусок графита. [c.142]

Углеродные материалы обладают анизотропией физических свойств, что обусловлено гексагональной слоистой структурбй графита. В силу этого свойства кристалла графита в направлении кристаллографических осей сия имеют резкое различие. Количественно величина анизотропии углеродных материалов может быть охарактеризована текстурой, определенной рентгеновскими методами. [c.26]

Для монокристалла графита характерна вьюокая анизотропия свойств, обусловленная слоистой структурой кристаллической решетки. Свойства монокристалла принято рассматривать относительно главных кристаллографических направлений - параллельно гексагональной оси и перпендикулярно к ней (параллельно базисной плоскости). Анизотропия свойств присуща и поликристаллическим искусственным графитам Ее величина определяется способом получения материала. Поэтому свойства искусственных графитов рассматривают либо относительно преимущественной ориентации кристаллографических осей, либо относительно направления приложенного давления при формовании заготовок. Анизотропия (для анизотропных материалов) учитывается как сумма [c.56]

Графит из-за гексагональной слоистой структуры, кристаллографической и геометрической ориентации зерен структурных составляющих и включений, направленности микро- и макродефектов обладает анизотропией физико-механических свойств. Графит, изготовленный методом продавливания, имеет более высокую анизотропию свойств по сравнению с материалом, отформованным в пресс-форме. Анизотропию нельзя не учитывать, поскольку изделия из графита работают в условиях не только одноосного, но и слджно-напряженного состояния. [c.73]

Образование ароматических фрагментов в гидраТцеллюлозном волокне из глюкозидных остатков начинается с 400 °С. Образующиеся на их основе гексагональные слои растут и совершенствуются в объеме области когерентного рассеяния. При, 500 °С они состоят в среднем из 8—10 слоев и их число практически не изменяется в материале при его обработке до 900 °С. Однако при этом протяженность слоев увеличивается в 1,5 раза, а расстояние между фрагментами соответственно уменьшается с 0,386 до 0,356 нм. В полученном при 900 °С волокне гексагональные слои далеки от графитоподобных, на что указывает средняя длина связи между атомами, равная 0,139 нм. После термообработки при 2500 °С структура все еще остается турбостратной гексагональные слои взаимно не ориенти[ ованы, хотя и обладают достаточно высокой степенью совершенства. Термообработка такого волокна при 2900 °С оставляет структуру турбостратной. Текстурированность волокна из гидроцеллюлозы из-за присутствия кристаллографически аморфного углерода практически не обнаруживается вплоть до 1500°С и надежно выявляется после 2000 °С [133]. [c.235]

Форму кристаллов изучает кристаллография. Для описания формы кристаллов пользуются системой трех кристаллографических осей (рис 63). В отличие от обычных координатных осей эти оси представляют собой конечные отрезки а, 6 и с, а углы между ними могут быть прямыми и косыми. В соот ветствии с геометрической формой кристаллов возможны следующие их системы (рис. 64) кубическая, тетрагональная, орторомбическая, моноклинная, шриклинная, гексагональная и ромбоэдрическая. Как видно из рис. 64, системы кристаллов различаются характером взаимного расположения кригталлографи-ческих осей а, 7) и их длиной (а, 6, с). [c.117]

Распо 10жение макромолекул в кристаллических области. всегда строго определенно оси макромолекул параллельны друг другу, концы их находятся на поверхности кристаллического образования. Кристаллографическая ось с совпадает с оськ макромолекулы По форме кристаллографические ячейки делят на несколько типов кубическая, орторомбическая, гексагональная и др. В ячейку входит, как правило, не вся молекула, а только се небольшая часть (несколько повторяющи.хся звеньев), пс-это.му элементарная ячейка полимера часто аналогична ячейке [c.54]

Таким образом, упорядоченный блок структуры имеет в центре кристаллографическую ось 63 и представляет собой тригональную призму с (№, М )-0-октаэдрами в вершинах. Из вышесказанного следует, что существует очень сильное связывание внутри призм в 2-направлении (N1, Mg)-0-oктaэдpы связаны друг с другом через общие ребра карбонатная СОз-группа связывает два октаэдра вдоль 2 два тетраэдрически координированных атома ртути связывают соседние (вдоль оси г) карбонатные группы наконец, тригональ-но-призматические блоки связаны через общие ребра (колонки из октаэдров) вдоль 2. В результате образуется очень жесткий трубчатый каркас с крупными гексагональными туннелями (с1 = 13,6А) (рис.7). На основании этого минерал шиманскиит можно считать несиликатным цеолитом. [c.24]

Может показаться удивительным, что молекулы или ионы, ио-видимому обладающие собственной симметрией, не всегда проявляют эту симметрию в кристаллах, т, е, занимают позиции с бо 1ее низкой точечной симметрией. Вполне очевидно, что-кекристаллографическая симметрия (например, симметрия поворотной оси 5-го порядка плоского кольца или икосаэдриче-ской группы) не может проявиться в кристалле. В лучшем случае группа с такой симметрией могла бы занять в кристалле позицию в плоскости симметрии или на поворотной оси 2-го порядка, Кроконат-пон в (ЫН4)2Сб05 имеет точную (в пределах точности структурного определения) симметрию оси 5-го порядка, по в кристалле ионы должны упаковываться таким образом, чтобы составить одну из 230 пространственных групп. Подобным же образом, даже если молекулы обладают симметрией кристаллографического типа (например, поворотными осями 4-го или 6-го порядков), основное требование состоит в том, чтобы они эффективно упаковывались, а это может оказаться неосуществимым при параллельном расположении их осей, что было бы необходимо в структурах с тетрагональной или гексагональной симметрией, [c.69]

Иногда наблюдаются закономерные сростки кристаллов разнородных веществ эпитаксия). Так, например, если взять каплю водного раствора Ю и испарить ее на свежем изломе слюды КА12[81зАЮю] (0Н)2, то полученные кристаллы иодистого калия будут ориентированы параллельно друг к другу и вполне закономерно по отношению к определенным кристаллографическим направлениям в кристаллах слюды (рис. 59, а). Это объясняется тем, что плоскости срастания будут иметь сходное расположение атомов. Так, в разобранном примере атомы (ионы) калия в структуре Ю в плоскости, перпендикулярной (грань октаэдра), располагаются по гексагональному закону (рис. 59, б). Атомы (ионы) калия в структуре слюды в плоскости, параллельной грани пинакоида, имеют сходное расположение (рис. 59, в). [c.42]

Этот раздел касается некоторых вопросов, трактовка которых иногда встречает затруднения в кристаллографической литературе. Речь идет о том, что одно и то же аналитическое описание часто используют по отношению к кристаллическим структурам с совершенно различными геометрией и топологией. Наглядным примером служит структура, описываемая ромбоэдрической элементарной ячейкой с атомами М в позиции (ООО) и атомами X-—в (V2 V2 V2). Так описываются структуры типа s l (8-координация М и X), если а = 90°, и типа Na l (6-координация М и X), если а=60°. Такое разночтение появляется, если имеется (по меньшей мере) один переменный параметр, который может влиять либо на форму элементарной ячейки (напрнмер, иа величину угла а в ромбоэдрической ячейке, на отношение осей гексагональной или тетрагональной ячейки), либо иа позицию атома в элементарной ячейке. Ниже приведены соответствующие примеры. [c.321]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология