Быстро растущие грани

Этот эксперимент доказывает, что размер каждой грани тем больше, чем меньше скорость ее роста, и что кристалл меняет свою форму только за счет перестройки граней, которая осуществляется в результате переноса вещества с быстро растущей грани на медленно растущую. При нагревании вблизи температуры насыщения раствор становится слегка недонасыщенны.м, и в этот момент кристалл частично растворяется при охлаждении раствор становится слегка пересыщенным, и кристалл в этот момент растет. Кристалл как бы колеблется около состояния термодинамического равновесия, при этом развиваются именно те. медленно растущие грани, которые отвечают наиболее плотной, равновесной упаковке частиц. Чем более совершенным становится кристалл, тем медленнее происходит его геометрическое перестроение. Образовавшийся кристалл равновесной формы имеет ту же массу и объем, что и исходный шарообразный монокристалл. [c.249]

Рис. У-35. Исчезновение быстро растущих граней кристалла.

Согласно законам кристаллизации во время роста кристаллов исчезают быстро растущие грани и остаются только медленно растущие (рис. У-35). [c.400]

Рис. 30. Вытеснение быстро растущей грани Ьс медленно растущими аЬ и сд.

Дефекты поверхности (царапины, язвины, изломы и т. п.) обычно служат участками преимущественного начального кристаллообразования. По наблюдениям М. Фольмера и И. Странского, кристаллы растут первоначально на недостроенных участках кристаллической решетки. Наиболее быстро растущие грани кристаллов вырождаются в ребра и вершины. При благоприятных условиях роста кристаллы получаются тем большими по величине, чем дольше длится процесс электролиза. Если прервать электролиз и возобновить его через некоторое время, то первоначально возникнут мельчайшие кристаллы, из которых только постепенно со временем разрастутся большие. Возможно также обратное растворение мелких кристаллов и рост за их счет крупных. В целом эти процессы протекают сопряженно и обычно приводят к укрупнению структуры. [c.390]

Повышенная реакционная способность характерна для мест выхода на поверхность плоскостей раскалывания кристаллов или плоскостей, совпадающих с определенными слоями в кристаллах слоистого строения. Высокая активность обычно характерна для ребер, идущих по контуру наиболее быстро растущих граней кристалла. [c.434]

Замещение быстрорастущих шероховатых граней медленнорастущими сингулярными определяет обычную плоскогранную форму кристаллов. Сингулярные грани с разной плотностью ступеней различаются скоростями роста, соотношение которых определяет облик (огранку и габитус) кристалла. Быстро растущие грани, как правило, уменьшаются в размера и огранка определяется наиболее медленно растущими сингулярными гранями. Обычно кристалл огранен небольшим числом кристаллических форм, которым отвечают малые значения рациональных символов. [c.37]

Для примера рассмотрим поперечные срезы растущего кристалла (рис. IX-15). Многоугольники, показанные на рисунке, выражают различные стадии роста кристалла. Поверхности, обозначенные буквой Л, являются медленно растущими гранями (низкие скорости переноса), а поверхности, обозначенные буквой В, — быстро растущими гранями (высокие скорости переноса). Быстро растущие поверхности В стремятся исчезнуть, так как они перекрываются медленно растущими поверхностями А. [c.589]

Ориентация и структура граней кристалла исследуются уже довольно давно. Термодинамическое рассмотрение величины свободной поверхностной энергии в зависимости от ориентации позволяет получить удовлетворительную картину равновесной структуры. Однако надо иметь в виду, что фактическое соотношение граней может отличаться от равновесного вследствие влияния кинетических факторов на рост той или иной грани. Быстро растущие грани легко исчезают при росте кристалла. Грани с плотной упаковкой, как правило, растут наиболее медленно. [c.201]

Покажите на простой геометрической модели, почему быстро растущая грань кристалла легко исчезает. [c.214]

Влияние поверхностноактивных агентов проявляется тем сильнее, чем ниже плотность тока осаждения. При высоких плотностях тока на быстро растущих гранях кристаллита поверхностноактивные вещества не успевают накопиться в достаточном количестве, чтобы остановить рост. Однако быстрое увеличение площади катода [c.369]

В результате второго этапа нашей работы, выполненной методом микрокиносъемки, были построены кривые кристаллизационных параметров, изображенные на рис. 50. Было найдено, что линейная скорость роста ромбовидных монокристаллов р-формы (измерения производились вдоль наиболее быстро растущей грани) постепенно возрастает при понижении температуры от 42 до 27°, как это видно из кривой 1, рис. 50 (данные везде представлены в мм/мин.). Измерить скорость кристаллизации р-формы ири более низких температурах затруднительно, так как расплав попадает в область интенсивного роста сферолитов а-формы. [c.114]

В соответствии с принципом перекрывания плоскостей по мере роста кристалла в его огранке увеличивается доля медленно растущих граней, которые преимущественно и сохраняются в конечной форме роста. Быстро растущие грани постепенно вытесняются и могут совсем исчезнуть. Так как скорость роста отдельных граней (Ш) в грубом приближении [37,41, 42] пропорциональна сумме квадратов кристаллографических индексов [c.67]

Равновесная форма кристалла определяется согласно закону Вульфа и принципу Гиббса— Кюри минимумом свободной поверхностной энергии кристалла (см. 111.25). При этом быстро растущие грани с большей свободной удельной поверхностной энергией исчезают. [c.620]

Ранее, при рассмотрении особенностей катодного процесса, было локазано, что наиболее быстро (растущие грани кристаллов вырождаются в ребра или вершины. В ходе анодного процесса быстро растворяющаяся грань должна, напротив, непрерывно увеличиваться, пока не достигнет наибольших размеров, характерных для данного растворяющегося кристалла. При этом весь ход явлений оказывается настолько закономерным, что сняв микрокинофильм о зарождении и росте кристаллов и пустив его в обратную сторону, можно с достаточным приближением воспроизвести картину их растворения. [c.390]

Различные грани кристалла растут с различной скоростью, что определяется ретикулярной плотностью, т. е. количеством атомов на единицу поверхности грани. При этом грани с малой ретикулярной плотностью растут быстрее, поскольку для их достроения требуется меньше вещества. Грани с высокой ретикулярной плотностью растут медленнее, вследствие чего наблюдается нзчезновение быстро растущих граней. Это обусловлено тем, что в процессе роста кристалл сохраняет равновесную форму, определяемую законом постоянства двугранных углов (рис. 30).- Грани аЬ и сс1, медленно растущие (ь ), вытесняют быстро растущую грань Ьс v2 , 1>2 > 1)- Таким образом, форма кристалла должна определяться наиболее медленно растущими гранями. [c.59]

Уже в ранних опытах по росту кристаллов в очепь слабо пересыщенном растворе многократно отмечалось, что па некоторых гранях процесс роста не выявляется. Недавно этот факт был подтвержден А. Нейгаузом [90] на гранях куба Na l. При этом было особо отмечено еще и то, что рост граней кристалла отсутствует, когда они граничат с другими, явно растущими гранями. Очевидно, это явление связано с тем, что обычно двумерные зародыши возникают у углов (и, возможно, ребер). Одиако в случае огра-пения быстро растущими гранями пересыщение в этих зонах оказывается более низким отчасти вследствие образования диффузионных двориков, а отчасти, возможно, и вследствие отвода строительных элементов на соседние грани. [c.116]

Тажая картина наблюдается не всегда иногда первоначальные зародыши продолжают расти в фо рме столбиков во все время осажщения, при этом наиболее быстро растущие грани кристаллов вырождаются в ребра, или вершины. [c.363]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология