Кристаллическая структура методы

У веществ с более сложной кристаллической структурой методом дифракции медленных электронов (ДМЭ) обнаружены упорядоченные поверхностные структуры, отличающиеся от [c.40]

Третий стандартный метод (ГОСТ 1929-51) служит для определения вязкости наиболее вязких нефтепродуктов, способных к фазовым переходам в коллоидные или кристаллические структуры. Метод основан на измерении усилия, необходимого для вращения внутреннего цилиндра (в. с. на рис. 3.11, в) относительно наружного (н.с.) при заполнении пространства между ними испытуемой жидкостью при температуре л Прибор называется ротационным вискозиметром. [c.124]

Детальный обзор, посвященный изучению ряда гидратированных органических кристаллических структур методами рентгеноструктурного анализа и дифракции нейтронов, выполнен Кларком [21 ]. Приведенные в этом обзоре таблицы содержат данные для гидратированных пептидов, галогенсодержащих соединений, алкалоидов, органических кислот, солей, производных аминокислот и металлорганических соединений. Кристаллографические характеристики включают тип решетки, симметрию, пространственную группу и ее номер, параметры ячейки, число независимых молекул в элементарной ячейке, вычисленные и измеренные значения плотности. [c.512]

Графит — превосходный объект для исследования кристаллической структуры методом электронной микроскопии на пропускание, поскольку он обладает низким коэффициентом поглощения электронов и легко изготавливается в виде тонких чешуек. Имеющиеся сведения о дислокациях и дефектах упаковки в графите, по-видимому, более подробны, чем сведения о других твердых телах. [c.8]

УТОЧНЕНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР МЕТОДО] НАИМЕНЬШИХ КВАДРАТОВ [c.242]

Успехи химии гидридов переходных металлов стали возможны лишь после того, как метод построения изотерм и изобар абсорбции был дополнен современными средствами изучения кристаллической структуры — методами рентгенографии, электронографии, нейтронографии, в особенности за последнее время — методами инфракрасной спектроскопии и парамагнитного резонанса, позволяющими определить характер электронного распределения и природу химической связи металл — водород. [c.188]

В заключение следует отметить, что два последних метода изучения кристаллической структуры — методы дифракции нейтронов и электронов — определяют положения атомных ядер, тогда как дифракция рентгеновских лучей указывает на области высшей электронной плотности. Это различие иногда приводит [c.191]

Были определены термодинамические функции [60] триметиламин-три-борана и исследована его кристаллическая структура методом дифракции рентгеновских лучей [65]. [c.330]

Косвенное разрешение атомно-кристаллической структуры методом муара [c.376]

Большое разнообразие процессов взаимодействия электронов с веществом (рис. 19.1) делает возможным использовать электроны для изучения разных характеристик вещества. Основной характеристикой электронов, которая определяет характер их взаимодействия с веществом и, следовательно, характер получаемой информации о веществе, является скорость электронов или, точнее, их кинетическая энергия. Когерентное (упругое) рассеяние электронов с энергией порядка сотен электрон-вольт (метод дифракции медленных электронов позволяет исследовать атомно-кристаллическую структуру по.верхностного слоя твердых тел). Дифракция упруго рассеянных электронов с энергией порядка десятков и сотен килоэлектрон-вольт (метод дифракции быстрых электронов) используется для анализа трехмерной атомно-кристаллической структуры. Метод дифракции быстрых электронов в этом отношении подобен методу дифракции рентгеновских лучей. Упругое рассеяние и дифракция быстрых электронов лежат в основе еще одного метода электронно-оптического анализа метода просвечивающей электронной микроскопии. В примене- [c.424]

Плотность твердых органических соединений не относится к числу часто определяемых констант, однако она имеет особый интерес при изучении кристаллической структуры. Методы определения плотности подробно описаны Бауэром [189] в томе I настоящей серии. При обычных определениях наиболее подходящими являются методы, основанные на свободной флотации (метод флотационного взвешивания). [c.158]

СбНр4-2,3,5,6 и -СбРз) (пара 11 и 12 или 10 и 12) (схема 1). Нужно отметить, что соединение 8 было получено ранее [9], были описаны его свойства, исследованы его кристаллическая структура (методом РСА) [9] и вольтамперометрические характеристики, однако, использованный в предыдущей работе метод был многостадийным и трудоемким. Метод же, примененный в данной работе, позволил получить это же соединение с очень хорошим выходом (93%). [c.159]

Лит. Е п а н ч инцев О. Г., Чистяков Ю. Д. Исследование степени совершенства кристаллической структуры методом гидростатического взвешивания. Заводская лаборатория , 1967, М 5 Ч е-репин В. Т. Экспериментальная техника в физическом металловедении. К., 1968. В. Г. Гаврилюк. [c.216]

Изучение микроструктуры и построение диаграмм состав — физическое свойство также применяются для характеристики гидридов переходных металлов (рис. 8, фото 1—4), хотя и не имеют для них пока еще такого значения, как для металлических сплавов из-за перехода металлов (при более или менее значительном поглощении водорода) в хрупкий по-рощок. Тем большее значение при изучении гидридов переходных металлов приобретает изучение их кристаллической структуры методом рентгенографии [23—25]. [c.13]

Изучение кристаллических структур методами рентгеноструктурного (основан на дифракции рентгеновских лучей кристаллической решеткой вещества) и электронографического анализа (основан на дифракции электронов или нейтронов) показало, что реальные кристаллы отличаются от идеальных. В реальных кристаллах строгая пространственная периодичность нарушается из-за наличия дефектов кристаллической структуры. Многие свойства кристаллических тел объясняются наличием таких дефектов. Последние могут быть собственными, если они образуются вследствие теплового движения в кристалле, или примесными, если в кристалле появляются посторонние примеси, введенные случайно или преднамеренно. Дефекту. могут затрагивать одну или несколько элементарных ячеек или весь кристалл в целом. В технологии пигментов большой интерес представляют, например, такие дефекты, как ультрамикротрещины, определяющие прочность кристалла, что в свою очередь играет важную роль в процессах измельчения и диспергирования пигментов. Если в момент кристаллизации возникают механические помехи росту кристалла, в нем может возникнуть дефект, называемый дислокацией. При деформациях кристалла дислокации и их скопления могут перерастать в ультрамикротрещины. Во многих случаях в узлах кристаллической решетки могут отсутствовать структурные единицы, т. е. атомы, ионы или молекулы. Такие дефекты носят название вакансий. В пространстве между узлами (в междоузлии ) могут присутствовать атомы, ионы или молекулы, причем как свои собственные (принадлежащие веществу кристалла), так и примесные (принадлежащие другому веществу). Вакансии и наличие атомов, ионов или молекул в междоузлиях оказывают существенное влияние на оптические свойства пигментов (цвет, показатель преломления), их электропроводность, а также на скорость роста кристаллов, особенно при реакциях в твердой фазе. [c.182]

Особым случаем получения сополимеров и сополиконденсатов с регулируемыми величинами свойств является использование метода изоморфного замещения. Суть этого метода заключается в том, что в качестве одного из компонентов (мономера) бер.ется вещество, имеющее примерно ту же длину и то же (или меньшее) поперечное сечение молекулы. Тогда, войдя в состав сополимера, новый ком1Понент не будет заметно влиять на кристаллическую структуру. Метод изоморфного замещения позволяет очень тонко [c.27]

Расчет плотности состояний Pd и PdO выполняли методом TB-LMTO-ASA [5, 6], который является развитием хорошо известного метода функций Грина. Линейный экранированный базис, в котором используются атомные s-, р- и i-орбитали, - самый экономичный базис для зонных расчетов. Линейность метода позволяет применять его для самых сложных кристаллических структур. Метод самосогласован и имеет высокую сходимость. В данном расчете потребовалось П итераций для достижения точности 10 по [c.93]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология