Кадмия сульфид, термодинамические

В работе [139, с. 122] для выращивания монокристаллов сульфида кадмия контролируемого состава из паровой фазы предложена специальная конструкция эвакуированной кварцевой ампулы, заполненной аргоном. Крупные монокристаллы dS получены методами сублимации в разных условиях в вакууме при температуре 1200° С и температурном перепаде АТ = 100°, среде аргона при температурах 1150—1775° С [162, с. 20, с. 1357 164]. В работах Б. М. Булаха изучены условия роста монокристаллов dS из паровой фазы при участии газа-транспортера. Выяснено, что главные факторы, определяющие возникновение различных форм роста кристаллов, — это соотношение исходных компонентов и температура в зоне роста предложена модель, объясняющая происхождение этих форм. На основании того, что рост происходит в условиях, когда имеется нестехиометрическое соотношение исходных компонентов, предполагается образование в паровой фазе различных по структуре комплексов атомов d и S в разных соотношениях, например ( d—S) , ( da—S) или ( dj—S) . Различная ориентация этих комплексов определяет те или иные формы роста, которые наблюдаются на практике (призмы, пирамиды, углы, пластинки, усы). Описан термодинамический метод определения условий синтеза монокристаллов dS из газовой фазы, получены зависимости температур испарения исходных элементов от температуры кристаллизации [162, с. 20]. [c.53]

Для соединений А В характерна преимущественная проводимость только одного типа. Исключением является теллурид кадмия, который получен с высокой проводимостью как п-, так и р-типа. Теллурид цинка можно получить с большой проводимостью р-типа и с незначительной проводимостью п-типа [17], а остальные халькогениды цинка и кадмия могут быть получены с высокой проводимостью /г-типа и незначительной проводимостью р-типа. И только при легировании в термодинамически неравновесных условиях удалось недавно получить теллурид цинка [18, 19] и сульфид кадмия [20] с высокой проводимостью. [c.36]

Поскольку исследования проводились при одной температуре, полученные данные позволяют лишь оценить термодинамические параметры (изменения энтальпии и энтропии). Поэтому сначала рассмотрим результаты более поздней и более полной работы, выполненной на теллуриде кадмия [15], а к сульфиду кадмия вернемся в конце этого раздела (разд. XVI.9.2). [c.476]

Многие полиморфные модификации различаются только типом чередования слоев плотнейшей упаковки, например модификации металлов с кубической и гексагональной плотно упакованной структурами, модификации иодида кадмия, сульфида цинка, карборунда и т.д. При заданных давлении и температуре обычно только одна из этих модификаций является термодинамически стабильной, а остальные существуют в ithx условиях вследствие ничтожной скорости превращения н стабильное состояние. В некоторых случаях образуются модификации с очень сложными, многослойными упаковками. Эти модификации назьшаются политип-ными. Склонность к политипии особенно четко выражена у слоистых структур. При политипии существует дальний порядок в чередовании слоев, и этим политипия отличается от дефектов упаковки, когда дальний порядок отсутствует. Некоторые способы синтеза кристаллов (конденсация паров, транспортные реакции) особенно часто сопровождаются образованием политипных форм. Образование дефектов [c.121]

Левина [314] опубликовала обзор работ по использованию масс-спектрометра для изучения термодинамики испарения и показала, что этот метод может быть применен для изучения состава паров в равновесных условиях и определения парциальных давлений компонентов, а также термодинамических констант. При повышенных температурах изучались галогенные производные цезия [9], были получены теплоты димеризации 5 хлоридов щелочных металлов [355] исследовались системы бор — сера [458], хлор- и фторпроизводных соединений i и z на графите [53], Н2О и НС1 с NazO и LizO [442], UF4 [10], системы селенидов свинца и теллуридов свинца [398], цианистый натрий [399], селенид висмута, теллурид висмута, теллурид сурьмы [400], окиси молибдена, вольфрама и урана [132], сульфид кальция и сера [105], сера [526], двуокись молибдена [76], цинк и кадмий [334], окись никеля [217], окись лития с парами воды [41], моносульфид урана [85, 86], неодим, празеодим, гадолиний, тербий, диспрозий, гольмий, эрбий и лютеций [511], хлорид бериллия [428], фториды щелочных металлов и гидроокиси из индивидуальных и сложных конденсированных фаз [441], борная кислота с парами воды (352), окись алюминия [152], хлорид двувалентного железа, фторид бериллия и эквимолекулярные смеси фторидов лития и бериллия и хлоридов лития и двува лентного железа [40], осмий и кислород 216], соединения индийфосфор, индий — сурьма, галлий — мышьяк, индий — фосфор — мышьяк, цинк — олово — мышьяк [221]. [c.666]

Очистка цинковых конценгратов. Отделение до или после обжига примесей свинца и кадмия, загрязняющих концентраты цинка, являлось предметом большого числа экспериментальных и теоретических исследований. Для удаления сульфида кадмия Майер [4] предложил процесс, основанный на обработке необожженного цинкового концентрата водородом. Этот процесс анализируется с термодинамической точки зрения в следующем примере. [c.285]

В [42] было проведено исследование влияния термодинамических условий синтеза (температур и давления пара d или S) на свойства сульфида кадмия, предварительно очищенного многократной откачкой от сорбированного кислорода и следов воды в приборе (рис. VIII.22). [c.568]

Халькогенид-полихалькогенидные окислительно-восстановительные системы, как правило, хорошо защищают халькогениды кадмия от фотокоррозии, в соответствии с принципами, сформулированными в разд. 2.2. Действительно, в стабилизации, например, фотоэлектрода из сульфида кадмия главную роль играют причины термодинамического характера. Это следует из рис. 75, на котором для различных окисли-тельно-восстановительных систем дана зависимость измеренного фактора стабилизации (т. е. отношения тока фотоокисления восстановлен- [c.142]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология