Эффект Шоттки

Значительный вклад в энергию некоторых твердых веществ дает переход электронов из основного состояния на более высокие уровни. Влияние этого явления на теплоемкость обсуждалось Шоттки [609]. Эффект Шоттки может быть выражен через статистическую сумму Z уравнения (21). Связь электронной составляющей теплоемкости (при постоянном объеме) с возбужденным состоянием дается выражением [c.107]

Для электронного механизма проводимости 7 либо не зависит от е, либо уменьшается (эффекты Шоттки — Френкеля). В случае инжекции электронов из катода у может возрастать с увеличением е, но весьма незначительно. Например, при вышеуказанном изменении е проводимость (ток инжекции) увеличится всего лишь в 1,3 раза. [c.45]

Внешнее электрическое поле уменьшает работу выхода эффект Шоттки). Если поверхность эмиттера однородна, то уменьшение работы выхода при наложении электрического поля напряженностью Е в см) равно [c.444]

Если 0 равно gi, то эффект Шоттки, т. е. электронная составляющая теплоемкости, описывается простой кривой, показанной на рис. 42, причем максимальное значение 0,872 кал- град г-ион имеет место при температуре Т, равной 0,417 EJR. Интервал температур, при котором эффект Шоттки делается очевидным, явно зависит от расстояния между энергетическими уровнями. Для более сложного набора энергетических уровней функция Шоттки несколько видоизменяется, но ее общая форма сохраняется. Если электронные уровни энергии расположены достаточно близко друг к другу, [c.107]

Энергетические уровни, полученные исследованием эффекта Шоттки, по данным Мейера и Смита [433] [c.109]

При применении диода насыщения (случай в ) сила тока определяется работой выхода катода ф , и в принципе график зависимости 1п ЛТ от ИТ представляет собой прямую линию с наклоном, равным — eц Jk). Для достижения режима насыщения, однако, требуется относительно высокое положительное напряжение на аноде, и образующееся сильное электрическое поле снижает работу выхода катода (эффект Шоттки [50, 79]). Чтобы получить точные результаты, необходимо определить плотность тока насыщения, экстраполируя приложенное поле к нулю. Поскольку уменьшение работы выхода пропорционально обычно строят график зависимости 1п / от и полученную прямую экстраполируют до значения 7 = 0 для каждой температуры катода. В полученную величину фс и в этом случае преимущественный вклад дают области заниженных значений, но в отличие от других ун>е описанных методов этим методом мон,но определить работу выхода, экстраполированную к ОК. как это моншо видеть, подставляя ф = фс(т> = фс (О) + в уравнение (14). Существенным недостатком метода, препятствующим его практическому применению, является то, что эмиссия бывает значительной только при высоких температурах. Этот метод применялся только для исследования многих тугоплавких металлов (в частности, для определения ПП для адсорбированных частиц), но тем не менее даже в этом случае возникают трудности, если только адсорбат не связан с поверхностью очень сильно (например, кислород на вольфраме) или не приводит к значительному уменьшению ф ., что позволяет использовать более низкие температуры (например, Сз на У). Иначе возможна экстенсивная десорбция. Типичное устройство для экспериментального определения работы выхода этим методом описано Смитом [99]. [c.115]

Это уравнение основано на допущении, что ф не зависит от V. Если имеет место эффект Шоттки, то получается несколько более сложное выражение [40]. Обычно фактор неизвестен, но ПП после адсорбции на игле можно определить по изменению наклона кривой зависимости 1п (//7 ) от V [см. уравнение (27)1. [c.120]

Рис. 44. Эффект Шоттки для диспрозийэтилсульфата [433]. Пунктир—экспериментальная кривая сплошная линия — кривая, рассчитанная по расщеплениям

Механизм образования положительных ионов на нагретой поверхности электрода, а также убывание термоэмиссии ионов во времени состоит, вероятно, в испарении адсорбированных щелочных ионов. Для тренированного электрода эмиссия ионов определяется балансом между приходом адсорбируемых (из глубины вещества и из окружающей газообразной фазы) на поверхность электрода атомов и их тепловым испарением. Установлено, что наложение электрического поля способствует увеличению эмиссии ионов с нагретой поверхности зонда-электрода, имеющего положительный потенциал. Это явление может быть объяснено тем, что внешняя энергия электрического поля уменьшает работу выхода иона с нагретой поверхности электрода (эффект Шоттки). [c.74]

Таким образом, при точных определениях работы выхода ср необходимо учитывать поправку на влияние внешнего поля ( эффект Шоттки ). Об отступлениях от установленных закономерностей ( закона Шоттки ) см. [276—279]. [c.103]

В большинстве экспериментальных работ изучались при постоянном потоке частиц на поверхность V = Vц. У(, зависимости от температуры и поля ионного тока с неоднородных эмиттеров. В области полей й , соответствующих нормальному эффекту Шоттки, плотность ионного тока с пятнистой [c.139]

I — кривая эффекта Шоттки для Д при 6,7 К 2 — экспериментальная кривая, полученная вычитанием из кажущихся величин теплоемкости значений вклада решетки Ыс1 +. Кривые 3 я 4 представляют теплоемкости СеЗ+ по данным Смита и Уолкотта [666] и Мейера и Смита [433] соответственно.- [c.110]

Напряженность поля у нити была равна 400 в1см это приводило к увеличению коэффициента ионизации благодаря эффекту Шоттки [3], Увеличение определяется формулой [c.126]

ГИИ, но и момента количества движения. Только электроны, близкие к потенциальному барьеру поверхности, удовлетворяют этому требованию [1001. Экспериментальным следствием такого положения является то, что суммарный фототок чрезвычайно мал, обычно находится в пределах от 10 до 10 А. Необходимы чувствительный электрометр или вибрационные усилители, а на электрод-коллектор необходимо подать дополните.чьное напряжение, чтобы он мог уловить все электроны эмиссии. Напряжение, необходимое для осуществления этой цели, зависит от геометрии ячейки, причем в случае сферической симметрии достаточно +10 В. Эйзингер [29] подавал на цилиндрический коллектор +20 В. Больших величин дополнительного напряжения следует избегать ввиду уменьшения работы выхода из-за эффекта Шоттки и возможности участия холодной эмиссии в образовании тока. Ток, идущий с фотокатода, необходимо измерить до поступления на коллектор, чтобы устранить возможность искажения результатов небольшими ложными токами фотоэмиссии под действием отраженного от других поверхностей и.ти рассеянного ими света. [c.155]

Для перехода от С , к Ср обычно применяют эмпирическую формулу (112) ч 210. Переход от (/ и/ к/У и Ф делается обычным путем Ч Соотношения (282) непосредственно применимы к твердым элементам, имеющим одну лишь собственную частоту. Для твердых соединений надо брать суммы функций для всех частот ш или характеристических температур 0, принимая во внимание, что в соединениях они иные, чем в свободных элементах ( 211). Согласно (281а), Z обращается в единицу и 5 обращается в нуль при 7 =0 это соответствует теореме Нернста, требующей исчезновения энтропии твердых тел при Т— -0 ( 285). Однако, если gQ не равно единице, то при абсолютном нуле Z = go и 5 = Л 1п gQ. Э этих случаях теорема Нернста перестает быть справедливой. Одним из примеров может служить эффект Шоттки. вращение одних групп в кристаллической/решетке относительно других (например у твердого СО). В этом случае go= =2 и энтропия получает добавочное слагаемое, приблизительно равное п2. Этот эффект становится ощутителен лишь при низких температурах. Он объясняет некоторые аномалии в кривых теплоемкостей и т. д. [c.426]

В оксидных катодах работа выхода очень сильно зависит от напряжённости приложенного к ним внешнего поля формула (61) к ним неприменима. У оксидных катодов в большинстве случаев ие имеет места ток насыщения [269] (т. е. максимальный для данной температуры ток, почти не зависящий от внешнего поля). Поэтому определение работы выхода и константы А в случае оксидных катодов несколько условно. Одно из объяснений, даваемых отсутствию насыщения тока при увеличении разности потенциалов между катодом и анодом, заключается в том, что на очень шероховатой поверхности оксидного катода много острий и бугорков, приводящих к наличию сильных полей, вызывающих местами сильный эффект Шоттки , а возможно и автоэлектронную эмиссию. Может играть роль и то обстоятельство, что внешнее поле проникает в толщу оксидного слоя. [c.118]

Таким образом, при низких температурах электрода (7 э<Гц) часть разности потенциалов, поданной на электроды, расходуется на создание иеобходимой интенсивности эмиссии за счет эффекта Шоттки. Вслед стБие этого падение потенциала на внутреннем сопротивлении межэлек тродного промежутка уменьшается за счет уменьшения плотности тока Это фиксируется измерительными приборами как уменьшение эффектив ной электропроводности системы электрод — поток — электрод, в срав нении с тем, как если бы эмиссия обеспечивалась без эффекта Шоттки Это дает основание считать, что сопротивление межэлектродного проме жутка складывается из сопротивления собственно потока Reu, сопротив ления прикатодного слоя Як и сопротивлений пограничных слоев Rn (когда температура электродов ниже температуры собственно потока) [c.316]

Все прежние рассуждения, в которых величина в была принята постоянной по всей поверхности, справедливы лишь для небольших участков рассматриваемых катодов, где это постоянство действительно имеет место. Кроме того, даже при юг >анй чении одним таким небольшим участком работу выхода не зя уже определять непосредственно из уравнения (42), так как оно справедливо лишь для бесконечно протяжённых поверхностей с однородным покрытием. В действительности же имеем расположенные рядом ограниченные элементы поверхности, на которых, из-за различной степени их покрытия, существуют различные поверхностные скачки потенциала Ai/, олределяемые уравнения (42). Поэтому между этими элементами поверхности существуют разности потенциалов, вызывающие дополнительные электрические поля у поверхности катода, называемые поверхностными полями. Эти поверхностные поля, добавляясь к силовому полю изображения и к внешяему полю, влияют на работу выхода таким же образом, как и внешнее поле в эффекте Шоттки. [c.75]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология