Проводимости механизм электронный

Повышенная электрическая проводимость органических полупроводников объясняется высокой подвижностью я-электро-нов сопряженных двойных связей. Это обусловливает эстафетную электронно-дырочную проводимость при состоянии, когда электроны находятся в них на более высоких энергетических уровнях. В результате взаимодействия с поверхностью, ограничивающей объем, электрон мол<ет оторваться от молекулы л попасть на поверхность. При этом в молекуле возникает вакансия— дырка. Эффективная масса электронов и дырок много меньше массы молекулы, так что у соседней молекулы, которая не успевает заметно сместиться, один из электронов. может перескочить в образовавшуюся дырку. Одновременно мигрируют как положительные, так и отрицательные заряды. Электрическая проводимость по эстафетному механизму возникает за счет электронных донорно-акцеиторных взаимодействий между молекулами и на границе масляной фазы с поверхностью металла. В отличие от ионной или форетической проводимости при эстафетной электрической проводимости не происходит переноса вещества, а значит, последняя не долл<на зависеть от вязкости среды. [c.61]

В кратком курсе нет необходимости более детально рассматривать эти соотношения. Однако следует характеризовать специфические особенности механизма электронной проводимости в полупроводниках, существенно отличного от механизма проводимости металлов. Металлы н полупроводники не только количественно сильно различаются по проводимости. Хот-я в обоих случаях ток переносится движением электронов, но в металлах это электроны электронного газа, не связанные с определенными атомами кристаллической решетки, а в полупроводниках — это электроны, вырываемые из атомов или молекул, составляющих кристаллическую решетку. Концентрация электронов, способных передавать ток в металлах, в тысячи и миллионы раз больше, чем в полупроводниках. В металлах понижение температуры, ослабляя колебания атомов, составляющих решетку, повышает проводимость и при достаточном понижении температуры (вблизи абсолютного нуля) у некоторых металлов она сильно возрастает. В полупроводниках же понижение температуры обычно уменьшает число Электронов проводимости, а следовательно, и электронную проводимость, и при достаточно низкой температуре последняя становится очень малой. [c.146]

Если к полупроводнику приложить невысокую разность потенциалов, то это вызовет движение электронов в зоне проводимости (дырочная проводимость п-типа) и одновременное перемещение дырок (дырочная проводимость р-типа). Движение дырки происходит по следующему механизму электрон, находящийся рядом с дыркой, занимает ее положение, при этом на его месте снова возникает положительно заряженная дырка. Соседний электрон осуществляет подобный переход и т. д. Таким образом, в валентной зоне дырки будут перемещаться в сторону отрицательного электрода, а в зоне проводимости электроны будут двигаться в сторону положительного электрода (рис. 4.17). Проводимость такого типа называется собственной. [c.185]

Структура цеха КИП и автоматики определяется возложенными на него функциями. Ремонт приборов выполняют подразделения цеха, оформляемые в зависимости от объема производства как лаборатории, отделения или участки. Эти подразделения специализируются по предметному признаку, что вызвано разнообразием приборов, поступающих в ремонт. Обычно создаются отделения по ремонту приборов механических, пневматических, электронных, пирометрических, электрической аппаратуры, газоанализаторов и т. д. Ремонт ртутных приборов обособляется вследствие вредности проводимых работ. Механическая мастерская изготовляет сменные детали, восстанавливает изношенные, выполняет различные работы по ремонту арматуры, исполнительных механизмов и др. [c.130]

Радиационные эффекты в твердых телах [18]. При облучении ионных кристаллов и других изоляторов, например стекла, часто возникает интенсивное окрашивание. Это явление связывают с возникновением полос поглощения в результате захвата электронов дефектами решетки или атомами примесей. В соответствии с типом электронной ловушки различают полосы F, F, V и др. Энергетические уровни, на которых находится электрон в дефектах кристалла или примесных ионах, соответствуют центрам люминесценции со временем электрон может вернуться в основное состояние (на заполненную полосу), что сопровождается испусканием света в видимой области или в области ближнего ультрафиолета. Именно таков механизм сцинтилляций неорганических фосфоров, таких, как активированный таллием Nal или активированный серебром ZnS, которые находят все большее применение в качестве датчиков устройств, предназначенных для измерения излучений. В связи с практическими приложениями эффекта весьма существенно, что фосфор прозрачен для собственного люминесцентного излучения это обусловлено тем, что энергетические уровни центров люминесценции лежат ниже полосы проводимости (куда электрон может быть переброшен при поглощении фотона достаточно большой энергии). [c.129]

ГИИ этой зоны 11 11ос гедующей (пустой) зонами невелик. Поэтому уже при комнатных температурах некоторое количестао электронов аа счет теплового возбуждения перебрасывается в квантовые ячейки пустой зоны, где эти электроны ведут себя совершенно точно так же, как электроны проводимости в металлах (где понятие валентной лоны я зоны проводимости совпадают). Поэтому эта первая пустая зона в полупроводниках носит название зоны проводимости. Механизм электропроводности и электронной теплопроводности здесь такой же, как в металлах главное же различие заключается в том, что число таких электронов проводимости мало и эффект от них невелик роме того, эффект должен по определенной закономерности увеличиваться с температурой, связанной с увеличенным перебросом. Поэтому температурная зависимость ЭТИХ свойств у металлов и полупроводников резко различна. [c.204]

Абсолютное большинство пластмасс обычно обладает очень высокими электрическими сопротивлениями и по этому показателю являются диэлектриками. И тем не менее у всех пластмасс в меньшей или большей степени отмечается и электрическая проводимость, которая описывается тремя механизмами — электронным, ионным и биполярным. Электропроводимость диэлектриков в большинстве случаев носит ионный характер. [c.152]

Для механизмов катализа существенно наличие двух типов полупроводников п-полупроводников с электронным типом проводимости и р-полупроводников с дырочным типом проводимости. Рассмотрим эти понятия. Если в результате дефекта поверхности или решетки кристалла, включения иримеси, нарушения стехиометрии в многокомпонентном полупроводнике на одном из атомов решетки образуется избыточный отрицательный заряд, то он будет странствовать по решетке, создавая электронную проводимость. Кристалл при этом остается электронейтральным, что, например, видно при включении нейтрального атома Си в решетку Си 0 ".. Аналогично, наличие электронной вакансии, т. е. свободной дырки, означает, что один из атомов решетки несет избыточный положительный заряд, наиример ион Си++ в той же решетке СиТО". В энергетическом спектре полупроводника появление таких избыточных электронов или образование дырок приводит к появлению, соответственно, донорных или акцепторных локальных уровней, с которых либо электроны легко переходят в зону проводимости, образуя электронный полупроводник, либо электроны из валентной зоны [c.31]

В механизме проводимости полупроводников важную роль играют примеси к основному веществу, даже при очень малом их содержании. Если химическая природа примесей и их размещение в кристалле таковы, что в результате теплового движения от ИХ атомов могут отщепляться некоторые валентные электроны [c.146]

Механизм переноса электричества в разных участках электрической цепи различен (рис. FV.l). В металлических проводниках электричество переносят электроны, в растворе — ионы, а на поверхности электродов цепь замыкается за счет перехода от ионной проводимости к электронной в результате электрохимической реакции. [c.309]

При прыжковом механизме электрон проводимости основное время локализован на одном ионе (или небольшой группе ионов), обеспечивая ему отрицательный эффективный заряд, В этом случае электрон можно рассматривать как дефект замещения нормального иона того же химического элемента с зарядом, на минус единицу отличающимся от нормального Ад . При перескоке электрона эффективный заряд переносится на соседний ион [c.30]

Собственные полупроводники. Простейшим механизмом образования электронных дефектов в неметаллических твердых телах является непосредственное возбуждение электрона из состояния с энергией, соответствующей валентной зоне, в состояние с энергией, соответствующей зоне проводимости при этом возникает пара дефектов электрон проводимости и электронная дырка. В символах зонной теории этот процесс изображается уравнением квазихимической реакции [c.31]

В целом эти эксперименты ведут к двум важным выводам. С методологической точки зрения данная работа показывает, что в случае полупроводников фотокатализ и фотохимия являются новыми эффективными средствами изучения механизмов электронного перехода. Очевидно, что на современном этапе развития этой области новые экспериментальные данные более необходимы, чем детализированная теория. Фактически этим методом было показано, что действие полученных с помощью света электронов проводимости согласуется с концепциями, основанными на данных о термических реакциях. [c.271]

Предполагается, что за первичным разрядом в мембране, вызванным этим механизмом электронной проводимости, следует непрерывный разряд, осуществляемый при помощи более обычного электролитического механизма, обусловленного отсутствием равновесия между ионами щелочного металла внутри и снаружи клетки. Потеря хромофором электрона может в конце концов восполняться путем темновой химической реакции. [c.195]

О механизме проводимости (электронном или дырочном ) можно судить по направлению термоэлектродвижущей силы. Изменения химического состава полупроводников не только сказываются на величине проводимости, но могут менять и механизм проводимости. [c.207]

В настоящей работе аналогичное исследование произведено применительно к системам [(СНз) м] Х, в которых метиль-ная группа отделена от заместителя мостиковым атомом азота или кислорода. Работа является составной частью проводимого нами комплексного изучения закономерностей механизма электронных взаимодействий в органических соединениях различных классов. [c.245]

Известно, что высокая электрическая проводимость металлов обусловлена наличием в их кристаллической решетке свободных электронов> Б твердых полимерах, составляющих основу лакокрасочных покрытий, свободных электронов нет, так как все внешние электроны прочно связаны в молекулах. Поли.меры не обладают электронной 132 проводимостью. Механизм прохождения электрического то- [c.132]

Об электронном или дырочном механизме проводимости судят по знаку т. э. д. с. (плюс или минус). Если носители тока — электроны, то с повышением температуры они диффундируют от горячего конца к холодному, и горячий конец получает более высокий положительный потенциал. При дырочной проводимости горячий конец заряжен отрицательно [87]. В ряде случаев имеется смешанная проводимость, а также изменение механизма проводимости в пределах некоторых температур. Примесные атомы, особенно кислород и сера, могут изменять величину и характер проводимости. [c.213]

Механизм электрической проводимости масел несколько иной природы. Согласно обзору [110], основным механизмом являются электронные донорно-акцепторные взаимодействия с появлением комплексов с переносом заряда. В маслах присутствует большое количество углеводородов, молекулы которых содержат сопряженные двойные связи (типа конденсированных ароматических соединений). Такие системы обладают полупроводниковыми свойствами и называются органическими полупровоч-никами. Зависимость проводимости от температуры определяется формулой [c.61]

В чистых металлах (особенно при низких температурах) теплопроводность объясняется главным образом наличием свободных электронов проводимости, т. е. электронов, способных легко перемещаться по кристаллической решетке, передавая тепловую энергию. В неметаллических кристаллах и некоторых интерметаллических соединениях теплопроводность объясняется в основном механическим взаимодействием между молекулами. Для одиночных кристаллов при весьма низких температурах этот механизм передачи тепла может оказаться очень эффективным, причем теплопроводность кристаллов может быть равной и даже превосходить [c.148]

Механизм проводимоста включает электронную проводимость через длинные цепочки сопряженных молекул и/или я-комплексные структуры. Подробное обсуждение теории проводимости выходит за рамки данной книги в этом разделе приводятся лишь возможные области применения гетероциоических соединений. [c.675]

При невысоких температурах доля электронов, переп1едших в возбужденные состояния, невелика. Поэтому у полупроводников с собственной проводимостью валентная зона почти заполнена (свободные состояния имеются лишь у верхнего края зоны), а зона проводимости почти свободна (заняты состояния у дна 301И11). Соответственно почти пустая зона проводимости у полупроводника /г-типа и почти заполненная валентная зона у полупроводника / -типа. Как мы уже отмечали, поведение электронов почти пустой зоны аналогично поведению свободных электронов с массой т [формула (УП1. 47) для кинетической энергии и формула (УИ1.45) для энер[ етической плотности состояний]. Состояние электронов почти заполненной валентной зоны может быть. описано путем рассмотрения движения свободных квазичастиц — дырок [формулы (УП1.48) и (УП1.49)]. Соответственно говорят об электронной проводимости, обусловленной электронами зоны проводимости, и дырочной проводимости, обусловленной движением электронов ( дырок ) валентной зоны. В случае полупроводников с собственной проводимостью осуществляются оба механизма проводимости — электронный и дырочный. В случае полупроводников п-типа имеет мес- [c.194]

Дайте определение электролиза. Какоп механизм электролитической проводимости Чем он отличается от механизма электронной проводимости [c.329]

Перенос заряда в жидкости в зависимости от природы носителей может осуществляться различными механизмами. В нефтяных системах возможно существование и конкуренция различных типов проводимости (электронная, электронно-дырочная, форетическая), причем с участием как положительно, так и отрицательно заряженных носителей. Нередко нефтяные системы являются коллоидами, так что форетическая электрическая проводимость (движение заряженных дисперсных частиц) становится преобладающей. [c.60]

Как следует из квантовомеханической теории гетерогенных редокс-реакций для простых по механизму реакций электронного обмена химическое слагаемое энергии активации в значительной мере определяется энергией реорганизации растворителя. Это обстоятельство подчеркивается уравнением (1.15), в котором предполагается, что Кгет может быть отнесена к любому металлу. Предсказания теории относительно близких значений 1 для разных материалов с металлическим характером проводимости специально подвергались проверке в системах Ре + 2+ и [Ре(СЫ)б1 Для растворов Ре +- + на Аи-, 1г-, КН-, Р1- и Рс1-электродах различия в значениях о составили л 1,5 порядка (от г о ==—.3,6 для Аи до lgio = —2,2 для Р(1 при концентрации ионов железа 0,01 М) [78]., В системе [Ре(СЫ)б] в пределах тех же 1,5 порядков отличаются токи обмена на платине, золоте, стеклоуглероде и углеродных пастах, натрийвольфрамовых бронзах, карбиде бора [45, 79]. Аналогичные результаты для щести металлов получены и при изучении ряда простых по механизму электронного обмена органических систем в апротонных растворителях [80]. [c.61]

К оксидным электродам непосредственно примыкают электроды из электронопроводящих оксидных стекол, в которых электронная составляющая проводимости появляется при введении в них окислов переходных металлов. Систематические исследования железо- и титаносиликатных стекол позволили получить новый тип оксредметрических электродов. Для иллюстрации проблем, с которыми всегда приходится сталкиваться при изучении новых электродных материалов в оксредметрии, остановимся подробнее на таких вопросах, как электрические характеристики, область индифферентности, параметры электродных процессов и особенности механизма электронного обмена в типичных редокс-системах. [c.72]

Механизм, который предложили Кабрера и Мотт (]949 г.), исходит и из существования на металле образовавшейся в процессе хемосорбции кислорода пленки, в которой ионы и электроны движутся независимо друг от друга. При низких температурах диффузия ионов через пленку затруднена, в то время как электроны могут проходить через тонкий еще слой окисла либо благодаря термоионной эмиссии, либо, что более вероятно, вследствие туннельного эффекта (квантово-механического процесса, при котором для электронов с максимальной энергией, меньшей, чем это требуется для преодоления барьера, все же характерна конечная вероятность того, что они преодолеют этот барьер, т. е. пленку), обусловливающего высокую проводимость окисной пленки при низких температурах. При этом на поверхности раздела металл— окисел образуются катионы, и на поверхности раздела окисел— газ—анионы кислорода (или другого окислителя). Таким образом, внутри окисной пленки создается сильное электрическое поле, благодаря которому главным образом ионы и проникают через пленку, скорость роста которой определяется более медленным, т. е. более заторможенным, процессом. [c.48]

Целью большинства физико-химических исследований боразинов было выяснение молекулярной структуры и электронных состояний неорганического гетероцикла. Например, Лонсдейл и Тур [145] установили, что величина диамагнитной анизотропии В-трихлорборазина составляет около 40% диамагнитной анизотропии 1,3, 5-трибромбензола и около 30% бензола. Это, конечно, нельзя рассматривать как меру диамагнитной анизотропии самого боразина,. но, по-видимому, уменьшение молекулярной диамагнитной анизотропии может быть возможной мерой степени ароматичности. Измерены сопротивления В-триметил-N-триметилборазина и В-трифенилборазина и проведено сравнение сопротивлений этих соединений с сопротивлениями соответствующих производных бензола [146]. Хотя механизм электронной проводимости в органических твердых телах пока едва ли понятен, однако сообщалось об определенных корреляциях между производными боразина и бензола. [c.165]

Описанные механизмы электронной проводимости, вообще говоря, присущи всем твердым телам с неметаллическими типами связи, хотя явления, приводящие к появлению электронных дефектов — электронов проводимости или электронных дырок— могут быть достаточно разнообразными. Во всех случаях электропроводность, обусловленную движением отрицательно заряженных электронов проводимости, называют проводимостью п-типа (от латинского negative — отрицательный) электропроводность, обусловленную движением электронных дырок, обладающих положительным эффективным зарядом — проводимостью р-типа (от латинского positive — положительный). [c.31]

Заметим, что механизм рекомбинации (3.18) или (3.180 был квантово-механически рассмотрен Ф. Ф. Волькенштейном [5] на примере того случая, когда частица R представляет собой атом с одним валентным электроном. Было показано, что по мере приближения атома R из газовой фазы к хемосор-бированному атому ReL между ними возникает постепенно упрочняющаяся связь. Связь хемосорбированного атома с решеткой при этом ослабевает, локальный уровень А на рис. 28 подтягивается к зоне проводимости и электрон, локализованный на этом уровне, постепенно делокализуется. В итоге после преодоления некоторого активационного барьера локальный уровень оказывается втянутым в зону проводимости, сидящий на нем электрон — делокализо-ванным, а связь между хемосорбированным атомом и решеткой — разорванной. [c.98]

Как в электронных, так и в ионных проводниках переход от избытка А к избытку В имеет большое значение для механизма проводимости. Поскольку вакансии А ведут себя как акцепторы, а вакансии В — как доноры, переход от избытка В к избытку А является переходом от преобладающей дырочной (р-тип проводимости) к преобладающей электронной проводимости (п-тип проводимости). В случае, приведенном на рис. XII 1.5 (область II, п р), переход от дырочной проводимости к электронной происходит в области собственной проводимости и оказывается внезапным для состояния, показанного на рис. XIII.6. Для ионной проводимости характерно противоположное поведение. Так, в случае, которому соответствует рис. XII 1.6 (область II [Уд] = " [Ув1), при переходе от проводимости, осуществляемой ионами А [Уд], к проводимости, определяющейся ионами В Уй1, в переносе тока принимают участие оба иона. В состоянии, представленном на рис. XIII.5, рассматриваемый переход осуществляется скачком. В приведенных рассуждениях рассмотрены лишь концентрации дефектов. В действительности важны не только концентра- [c.337]

Илшнер-Генш и Вагнер [29] высказали предположение, что механизм данного явления заключается не только в снижении температуры плавления и флюсовании, но включает в себя и описанные выше электрохимические процессы. Губчатая пористая сетка оксида, обладающего электронной проводимостью, например FeaOj, заполненный жидким электролитом, аналогичен элементу (рис. 10.6), состоящему из платинового катода и никелевого [c.201]