Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Постоянная кристаллических

    Цель работы получение и расчет рентгенограммы, определение состава вещества, постоянной кристаллической решетки и числа частиц в ячейке. [c.369]

    По уравнению (XXX. 5) определяют постоянную кристаллической решетки а. [c.371]

    Цель работы получение и расчет рентгенограммы, определение состава вещества, постоянных кристаллической решетки, типа ячейки и числа формульных единиц в ней. [c.372]


    Постоянные кристаллической решетки определяют решением системы уравнений (XXX. 9) для двух линий. [c.373]

    Решение. При типичных для коллоидных систем размерах частицы являются единичными доменами с постоянным магнитным моментом р, = Здесь а —радиус ферромагнитного ядра частицы, который обычно меньше радиуса частицы а на величину порядка постоянной кристаллической решетки дисперсной фазы. В отличие от суспензий в коллоидных растворах расстояние между частицами в цепочечной структуре заметно больше, чем 2а Го = 2(о4-б), где б—толщина защитной оболочки. [c.230]

    Можно сказать иначе в кристаллах льда каждый атом кислорода связан с четырьмя другими атомами кислорода, причем связь осуществляется через водородный атом. Все такие связи между атомами кислорода равноценны. Расстояния между ядрами кислородных атомов равны 2,76 А. Этому отвечает радиус молекулы 1,38 А, если принять ее шарообразной. Связи распределяются под тетраэдрическим углом (109,5°) рис. 5). Постоянные кристаллической решетки льда надежно определены с помощью рентгеновского структурного анализа. [c.9]

    Для исследования структуры кристаллов применяют также метод, основанный на дифракции медленных нейтронов. Рассеяние их потока происходит в результате взаимодействия с ядрами микрочастиц, образующих кристалл. Поэтому положение последних в кристаллической структуре можно определить с большой точностью вплоть до 0,0001 нм. Метод применим лишь для изучения структуры веществ, атомы которых обладают малым сечением захвата нейтронов. Известен также метод изучения структуры кристаллов, основанный на дифракции электронов. Исследуемый образец готовят в форме тончайшей пленки толщиной 10—100 нм и помещают в специальную вакуумную камеру. Точность определения положения микрочастиц в кристалле составляет порядка 0,003 нм. Методы, основанные на дифракции нейтронов и электронов, определяют положение атомных ядер в кристаллической структуре и не подвержены влиянию поляризуемости связей. Поэтому они позволяют более точно рассчитать постоянные кристаллических решеток в сравнении с величинами, определенными из рентгенограмм вещества. [c.92]

    J Атомные и ионные радиусы. Чтобы вычислить радиус атома, полагают, что он имеет шарообразную форму. Можно считать, что атомы в кристалле простого вещества касаются своими сферами. Расстояние между центрами двух соседних атомов в кристаллической решетке — важнейшая константа, называемая постоянной кристаллической решетки, обозначаемая d. Если соседние атомы одинаковы (простое вещество), то частное d/2 равно радиусу атома. Такие радиусы получили название эффективных или кажуш,ихся радиусов. [c.89]


    Постоянные кристаллических решеток [c.170]

    Постоянные кристаллических решеток. ... [c.200]

    Постоянная кристаллической решетки при 5°К, А [c.77]

    Величина постоянной кристаллической решетки поллуцита, по данным различных исследователей, имеет следующее значение (в А) 13,66 [191], 13,71 [188, [c.215]

    Постоянные кристаллической решетки и плотность безводных фторидов рзэ [c.296]

    Вторым видом упругой поляризации является ионная, характерная для твердых тел с ионным строением. Она обуславливается смещением упруго связанных ионов под воздействием электрического поля на расстояния, меньшие постоянной кристаллической решетки. Время установления поляризации зависит от частоты собственных колебаний иона относительно положения равновесия и имеет порядок 10 . .. 10 -с. [c.415]

    Определяют число частиц в элементарной ячейке 2 по среднему значению постоянной кристаллической решетки. Значения плотностей веществ приведены в табл. 20 (Приложение II). [c.347]

    Диэлектрическая постоянная кристаллические полиамиды. [c.345]

    Крупп [468] оценивал величину 2о в 0,4 мкм, что соответствует постоянной кристаллической решетки для кристаллов с Ван-дер-Ваальсовскими связями, что подтверждено экспериментально. Крупп [467] подчеркивает также, что практически Д не является просто микроскопическим радиусом , а представляет собой функцию шероховатости поверхности, поскольку оба тела соприкасаются на выступающих участках шероховатой поверхности. Шпер-линг [787] дает статистическую модель этого явления, основываясь на данных электронной микроскопии. [c.333]

    Чтобы найти значение радиуса одного из них, следует знать значение радиуса другого. С помощью оптических методов Вазаштерна удалось относительно строго и точно вычислить радиусы ионов фтора и кислорода гр = = 1,32 А и го - = 1,33 А. Пользуясь этими данными и зная постоянную кристаллических решеток различных фторидов и оксидов, можно находить радиусы различных ионов. [c.89]

    Экситон Ванье — сравнительно слабо связанное образование, электрон и дырка находятся на различных узлах решетки, причем расстояние между электроном и дыркой считается большим по сравнению с постоянной кристаллической решетки. [c.77]

    Взаимодействие ацетобромглюкозы с этилксантогенатом калия ведет к образованию этилксантогената тетраацетил-й-глюкозы. Последний даст ири омылении холодным раствором хлористого водорода в метиловом сиирте этилксантогенат глюкозы, между тем как при омылении по Цемплену (см. отдел Ацетилпроизводные моносахаридов ) можно получить в чистом виде постоянную, кристаллическую натриевую соль /-ТИ0ГЛЮК03Ы, в основе которой лежит /9-форма 1-тиоглюкозы. [c.365]

    Приложение 26 Постоянные кристаллических решеток и плотность оксифторидов типа ЬпОР [c.297]

    Так, при pH = 5,5 в осадках содержится 7,5% фосфора, а при pH = 3,5 14,6%. Повыщение твердости покрытия до 1100-1200 кгс/мм при 200 - 300 С вызывается выделением фазы МзР, которая кристаллизуется в тетрагональной системе с постоянной кристаллической рещетки а = Ь = 8,954-10 м и с = 4,384-10 м. Максимум твердости никеля соответствует 750°С Модуль упругости при этом составляет 19000 кгс/мм . Предел прочности при растяжении равен 45 кгс/мм (при 20°С) и 55 кгс/мм после термообработки при 200° С в течение 1 ч. Коэффициент трения покрытия (при нагрузке > 10 кгс) после его нанесения такой же, как и блестящего хрома. Удельный износ никелевого покрытия при 100°С составляет 2-10" мм /м. [c.71]

    III — валентная, запрещенная и 1ча-стично заполненная зоны d и do — межатомное расстояние и постоянная кристаллической решетки W — энергия. [c.36]


Смотреть страницы где упоминается термин Постоянная кристаллических: [c.116]    [c.116]    [c.269]    [c.335]    [c.60]    [c.210]    [c.250]    [c.103]    [c.12]    [c.341]    [c.6]    [c.296]    [c.199]    [c.339]    [c.134]    [c.293]    [c.359]    [c.359]    [c.477]    [c.477]    [c.62]    [c.12]   
Краткий справочник физико-химических величин Издание 8 (1983) -- [ c.122 , c.199 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте