Базисные ленты

Базисные ленты переходных форм углерода по строению аналогичны графитовым плоскостям. Они состоят из атомов углерода, образующих гексагональную сетку, при этом атомы располагаются в вершинах шестигранника, а ординарные и двойные связи последовательно чередуются. Особенностью плоскостей является большая насыщенность сопряженными связями. Расстояние между атомами углерода в цикле и величина угла между ими составляют 1,417 А и 60° соответственно [3, с. 22—27]. В зависимости от условий получения углеродных материалов (УМ) (размеры лент могут колебаться в широких пределах, достигая тысячи ангстрем. [c.223]

Углеродные волокна [27, 28]. Процесс получения углеродных волокон из органических волокон состоит из двух основных стадий карбонизации при 900 —1500° С и графитации при 2600—2800° С. В зависимости от типа исходного сырья, которое подвергается карбонизации, углеродные волокнистые материалы могут быть получены в форме нити, жгута, войлока, ленты, ткани. Волокна делятся на изотропные и анизотропные. Анизотропные волокна получают из высокоориентированных материалов с развитой системой фибрилл. Фибриллы углеродного волокна образованы турбостратными кристаллитами, которые связаны друг с другом через базисные плоскости аморфным углеродом. В изотропном углеродном волокне, которое изготавливается из фенольной смолы или нефтяных пеков, размеры [c.27]

Если применяются дифференциальные детекторы, количественные анализы основываются на оценке пиков хроматограммы. Более эффективным является измерение площади, ограниченной пиком, но часто успешно может быть использована только высота. Для измерения площади применяются несколько методов, самый прогрессивный из которых — электронное интегрирование во время записи хроматограммы — обеспечивает получение весьма стабильной базисной линии. Другой метод заключается в вырезании площадей, ограниченных пиками, из ленты самописца и их взвешивании. Третий метод представляет собой приближенное вычисление площади измерением высоты пика и его ширины при половинной высоте и перемножением полученных величин. [c.284]

На рис. 1.9 приведена трехмерная модель высокомодульного УВ-ПАН, на которой видна слоистая структура, напоминающая годичные кольца роста древеоины, переплетенные базисные ленты, расположенные под разными углами к оси волокна, и пустоты (поры). [c.229]

В результате вытягивания и повышения ТТО происходит выпрямление изогнутых участков базисных лент, улучшение их ориентации, рост р ззмеров кристаллов и, как следствие этого, возрастание модуля Юнга волокна [23]. [c.231]

По Джонсону с сотр. [32—36], УВ представляет собой гетероген-лую систему, состоящую из прямых базисных лент и пор. Агрегаты пакетов разделены гранями и порами диаметром 10 А. Цепи агрегатов, расположенные вдоль оси волокна, группируются в фибриллы длиной более 1 мкм. Грани раздела между агрегатами кристаллов могут быть расположены под разными углами к оси волокна. Модель структуры УВ, предложбн ная Джонсоном и сотр. и дополненная Купером и Майером [37], приведена на рис. 1.12. Наличие муарового эффекта, по Джонсону, обусловлено отражением от разориентированных граней. [c.231]

По нашему м нению, наиболее приемлемой является следующая надмолекулярная организация УВ. Ооно вой структуры являются базисные ленты, ориентированные вдоль оси волокна. Турбо стратные кристаллы (пакеты), построенные из базисных плоскостей (лент), представляют наиболее совершенную структурную организацию УВ. Размеры лент значительно превышают размеры пакетов. Поэтому по аналогии с химическими вол окнами ленты являются проходными, участвуя в построении большого числа пакетов, и образуют пространственный полимер. Ленты состоят из прямых участков, входящих в пакеты, и искривленных участков, заполняющих межпачечное пространство. Кон цы лент могут находиться внутри пакетов и в межпачечном пространстве, создавая дефектность структуры. [c.232]

По этому методу правила орбитальной симметрии связываются с правилом Хюккеля относительно ароматичности, которое обсуждалось в гл. 2. Правило Хюккеля, согласно которому циклическая электронная система, содержащая Ап- -2 электронов, является ароматической (а следовательно, стабильной), применимо, конечно, к молекулам в основных состояниях. При использовании принципа орбитальной симметрии мы имеем дело не с основным, а с переходным состоянием. В этом методе рассматриваются не сами молекулярные орбитали, а скорее р-орбитали до их перекрывания, приводящего к образованию молекулярных орбиталей. Такой набор р-орбиталей называется базисным набором (рис. 15.2). При рассмотрении возможности согласованной реакции орбитали базисного набора необходимо расположить в соответствии с положением, которое они займут в переходном состоянии. На рис. 15.3 это изображено для [2 + +2]- и [4-Ь2]-циклоирисоединения, Затем следует обратить внимание на обращение знака. Из рис. 15.3 очевидно, что ни в одном из случаев обращения знака не происходит. Пунктирная линия на этом рисунке соединяет только отрицательные доли орбиталей. Системы без обращения знака или с четным числом таких обращений называются системами Хюккеля. Системы с нечетным числом инверсий знака называются системами Мёбиуса (по аналогии с лентой Мёбиуса, которая представляет собой математическую поверхность, изображенную на рис. 15.4). Мёбиусовские системы не вступают ни в одну из этих реакций, а примеры таких систем приведены в т. 4 (см. описание реакций 18-31 и 18-36). [c.247]

Минимальная базисная конфигурация системы включает сам компьютер РЕТ и кассетный накопитель на магнитной ленте, предназначенный для постоянного хранения программ и данных. Некоторые модели выпускаются с встроенным кассетным накопителем, в них предусмотрена также миниатюрная панель для монтажа аппаратуры для работы с лентой. В тех случаях, когда устанавливать сложную телекоммуникационнукксвязь нецелесообразно, кассетные накопители могут служить удобной формой обмена данными и программами между двумя лабораториями. [c.172]

Оценка высоты в некоторых случаях осуществлялась при помощи предназначенного для этой цели прибора после умножения высоты на градуировочный коэффициент рассчитывали процентное содержание для каждого компонента [8]. Цифровая индикация площадей пиков впервые стала применяться после появления различных механических и электромеханических интеграторов, которые, по существу, представляли собой не что иное, как автоматические планиметры [9, 10]. Существенный недостаток этих устройств заключался в том, что для их работы непременно требовались очень хорошая нулевая (базисная) линия и почти полное разделение пиков большим неудобством было также и то, что считывание результатов во время регистрации хроматограммы приходилось осуществлять после каждого пика. Последний недостаток удалось устранить при помощи дискового интегратора. В этом устройстве вторым пером сбоку хроматограммной ленты вычерчиваются зубцевидные пики, по числу которых можно затем рассчитать площадь хроматографируемого пика (рис. XIV. ). Дисковый интегратор как наиболее распространенный вариант механического интегратора, а также другие устройства подобного типа в той или иной степени облегчили процедуру обработки результатов. Трудности возникли и при оценке другого важного параметра — времени удерживания, который в отличие от площади и высоты пика при помощи указанных средств вообще не поддавался определению. Поскольку все ошибки компенсационного самописца входят в конечный результат измерения, требования, которым отвечают воспроизводимость и точность, оказываются весьма скромными. Согласно опубликованным данным [11—13], [c.419]

Для измерения оптической плотности линий на фотопластинке требуется енситолегр — специальной фотометр для измерения пропускания. Он состоит из источника света, линз, фокусирующих световой поток на очень небольшой участок пластинки, и фотоумножителя или другого аналогичного устройства, размещаемого под пластинкой. С помощью моторчика можно медленно перемещать фотопластинку через освещенное пятно. При этом на ленте самописца регистрируется оптическая плотность при разных положениях пластинки. Высота пика над базисной линией практически линейно связана с падающей на пластинку энергией при определенной длине волны. [c.194]

При получении изотропных волокон с ориентационным вытягиванием происходит сближение их структуры со структурой анизотропных волокон. Графитация под натяжением способствует ориентации базисных плоскостей вдоль оси волокна и росту пакетов до размеров ( а= = 175 А с =136 А), соизмеримых с размерами пакетов анизотропных волокон [41]. При просмотре под электронным микроскопом обнаружены фибриллоподобные элементы, р1асположенные вдоль оси волокна. Авторы работы [42] предлагают для стеклоуглерода (изотропный УМ) модель перепутанных (рис. 1.14) лент, соединенных межмолекулярны-ми связями с широким набором энергий. Прямые участки имеют размеры около 100 А, толщина пакетов 40 А, что согласуется со значением Ьс. [c.233]

Схема строения неграфитпрующегося углеродного вещества по Франклин представлена на рис. 1.2, а на рисунке прямыми линиями обозначены базисные плоскости, а извилистыми — прослойки аморфного углерода между ними. В отличие от Франклин авторы работы [17] для стеклоуглерода предлагают модель перепутанных лент (рис. 1.3), соединенных межмолекулярпыми связями с широким набором энергий. Прямые участки лент имеют размер около 100 А, соизмеримый с значением Ьа, определенным рентгенов- [c.25]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология