Температуры сверхпроводящего перехода

При температуре 0.68 0,2 К уран переходит в сверхпроводящее состояние. С повышением гидростатического давления до 0.1 ГПа температура сверхпроводящего перехода возрастает до 2.3 К. [c.609]

Сверхпроводники. Существенную для выяснения механизма сверхпроводимости информацию могут дать эксперименты по исследованию влияния изотопического замещения атомов сверхпроводника на температуру сверхпроводящего перехода Т . Как известно, открытие изотопического эффекта для Тс ртути, сделанное Э. Максвеллом [229] и К. Рейнольдсом с коллегами [230], явилось экспериментальным указанием на участие фононов в формировании сверхпроводящего состояния и сыграло решающую роль при построении Дж. Бардиным, Л. Купером и Дж. Шриффером микроскопической теории (низкотемпературной) сверхпроводимости (теории БКШ) [231]. Изотопические эффекты в этих сверхпроводниках обусловлены тем, что выигрыш потенциальной энергии электронов при фононном механизме спаривания пропорционален характерной энергии фононов, которая зависит от массы атомов решётки как [c.93]

К ним чувствительны магнитные свойства металла (см, следующий параграф) особенно ярко они должны проявиться в зависимости гальваномагнитных характеристик от давления ( 27). И, наконец, неожиданно чувствительной к изменению топологии ферми-поверхности оказалась температура сверхпроводящего перехода [16]. [c.131]

Во второй побочной подгруппе близкие к отмеченным в подгруппе меди отличия найдены для ртути по сравнению с цинком и кадмием. В частности, с релятивистскими эффектами связывают уникальную стабильность кластерного иона наличие жидкого состояния ртути при комнатной температуре, резко отличающуюся температуру сверхпроводящего перехода Hg (Т = 4,15 К) по сравнению с С<1 (0,52 К) или Zn (0,85 К), уникальную устойчивость амидных содинений ртути в водном растворе. [c.87]

Эпитаксиальному росту сверхпроводящих тонких пленок состава Bi2Sr2 a u20y с плоскими поверхностями посвящен обзор [19], содержащий 11 ссылок. Изучены влияние материала подложки на морфологию и качество пленок, их электрические свойства. Пленки, выросшие на подложках с большим несоответствием решеток, имеют низкую температуру сверхпроводящего перехода. Напротив, пленки, выросшие на подложках с малым несоответствием решеток, имеют очень гладкую поверхность и высокую температуру перехода в сверхпроводящее состояние. Эти результаты интерпретируются в терминах внутренних напряжений, возникающих между пленкой и подложкой. [c.241]

I . Такое положение заставляет взглянуть с повышенным интересом на структурные свойства традиционных сверхпроводников, которые и ранее были очень важными при обсуждении многих применений сверхпроводимости. Так, в частности, соединения типа А-15, которые до открытия высокотемпературной сверхпроводимости демонстрировали наиболее высокие температуры сверхпроводящего перехода Т , как правило, являла югся гетерофазными системами. К тому же при изготовлении сверхпроводящих линий из таких материалов применяются сложные методы их механической обработки. Но сейчас изучение этих особенностей приобрело особое значение. [c.233]

Экспериментальные ийследования сверхпроводящих кристаллов, содержащих значительное число параллельных плоскостей двойникования, показали, что температура сверхпроводящего перехода таких кристаллов выше массивного монокристалла [478—484]. Изучение магнитных свойств )тдельной двойниковой границы подтвердило ее особые свойства, связанные со сверхпроводимостью. На ркс. 9,2 приведены результаты измерения распределения намагниченности в монокристалле Sn, содержащем одну изолированную двойниковую границу, при температуре, превышающей Tj отдельного монокристалла [482]. Хорошо видно, что в районе двойниковой границы возникает аномальное распределение диамагнитного момента, которое можно связать с локализованной в этой области сверхпроводимостью. Диамагнитная намагниченность вблизи двойниковой границы на два порядка величины превышает флуктуационную намагниченность в совершенном монокристалле. Возникновение сверхпроводи-моста в кристаллах, содержащих двойникозые границы, при температуре, превышающей обнаружено как в сверхпроводниках I рода (например, в Sn, In, Re, Tl), так и в сверхпроводниках II рода (например, Nb). Подробное и детальное описание обсуждаемого явления приведено в обзоре [482]. [c.236]

Изменения сверхгфоводящих параметров гетерофазных сверхпроводников следует в силу указанной вьпие причины ожидать и при циклировании внешним магнитным полем. Весьма интересными е точки зре а1Я возможной реализации обсуждаемого механизма представляются результаты работы [527], в которой экспериментально обнаружено увеличение верхнего критического поля и температуры сверхпроводящего перехода в системе H NbSe2 (х < 0,01),подвергнутой циклической обработке внешним шгнитным полем при температурах ниже критической температуры исходного кристалла. [c.251]

Другие подтверждающие сведения об относительных величинах fai для различных соединений были получены из измерений вклада в сопротивление, обусловленного спиновым беспорядком у чистых соединений, и из измерений понижения температуры сверхпроводящего перехода у веществ, подобных LaAl2, при добавлении к ним магнитных РЗЭ. Эти два параметра описываются уравнениями [25, 26, 38] [c.41]

Фиг. 45. Зависимость температуры сверхпроводящего перехода в СеСог от параметра решетки соединения.

Одни из вариантов сверхпроводящего болометра описан в [683]. Кусочек сверхпроводника вмонтирован в поверхность, температура которой поддерживается равной средней температуре сверхпроводящего перехода. По сверхпроводнику течет неизменный по значению ток. Воспринимаемое излучение прерывается зубцами вращающегося колеса с определенной частотой. С этой же частотой изменяются температура и напряжение иа сверхпроводнике, причем чем выше энергия излучения, тем больше амплитуда их колебаний. Чувствительность оловянно-констан-таиового болометра 3-10 Вт. Другой вариант болометра с оловянным детектором и чувствительностью 10- Вт описан в [б44]. [c.405]

Для идентификации синтезированного вещества были использованы методы рентгенофазового и химического анализов. Фазовый анализ проводился методом порошковой дифрактомет-рии. Погрешность методики составляет (2-3)% [23]. Согласно результатам анализа, полученный образец представлял собой индивидуальную фазу Ва2СизОб+ . Химический анализ вьшолнялся методом атомно-адсорбционной спектроскопии (на содержание V, Си, Ва) и иодометрическим титрованием (на содержание кислорода). Методика анализов приведена в работах [24, 25]. По результатам химических анализов синтезированный образец имел состав YBQ2 u3O6.9010.03- Измерения магнитной восприимчивости образца, сделанные в интервале температур 10-300 К, показывают, что температура сверхпроводящего перехода =93.5 К. [c.186]

При чем же здесь жидкие кристаллы — удивится вдумчивый читатель. Оказывается, к системам пониженной размерности они имеют самое непосредственное от-, ношение. Дело в том, что, теоретически выявив и изучив самые разнообразные свойства системы пониженной размерности, ученые хотели бы обнаружить эти свойства у реальных физических объектов. Например, повышение температуры сверхпроводящего перехода у одномерного сверхпроводника по сравнению с массивным. Но не все так просто, как хотелось бы. Например, в случае мономолекулярного слоя, задавшись характером взаимодействия между отдельными атомами этого слоя, можно рассчитать его свойства. Однако эти рассчитон-ные свойства будут отличаться от наблюдаемых, если даже решение двумерной задачи проведено безукоризненно. В чем дело Мы забыли учесть влияние подложки, которая может существенно повлиять как на взаимодействие отдельньгх атомов монослоя, так и на наблюдаемые свойства монослоя в целом. [c.121]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология