Модель квазисвободных электронов

Б. Модель квазисвободных электронных дефектов. В этом случае, при отсутствии вырождения электронного газа, химические потенциалы электронов проводимости и дырок связаны с их концентрациями соотношениями (2.19) [c.265]

Электропроводность плотной плазмы, В пределах модели квазисвободных электронов, т, е, когда применимо понятие длины свободного пробега, проблема определения электронных кинетических свойств плотной плазмы аналогична подобной задаче в теории разреженной идеальной плазмы. Главное отличие заключается в том, что [c.289]

Многие полезные сведения о свойствах плазмы могут быть получены с помощью приближенных модельных теорий. В [1] сделана попытка описания электронных кинетических свойств плотной плазмы с помощью теоретического и эмпирического аппарата теории твердых и жидких проводников. При этом использовалась в основном модель квазисвободных электронов. В настоящем разделе излагаются приближенные методы определения неравновесных свойств плотной слабо неидеальной плазмы, заимствованные из кинетической теории газов. [c.295]

Во всех перечисленных расчетах не учитывалась, однако, анизотропия работы выхода, которая, по мнению Е. М. Савицкого [433], по различным кристаллографическим направлениям может достигать 20—25%. Поэтому наиболее интересны результаты работ, в которых с использованием различных моделей электронной структуры твердого тела вычислена ф для граней металлических монокристаллов. Сюда относятся модель НОЭ [825] модель квазисвободных электронов, сопоставляющая поведение поверхностных и интенсивно взаимодействующих свободных атомов [551, 552] гелиевая модель, использующая распределение электронной плотности у поверхности металла [977, 979]. В работе [70] говорится о возможности использования поляризационной части энергии взаимодействия точечного заряда с поверхностью металла для вычисления работы выхода электрона в щелочных металлах по различным кристаллографическим направлениям. [c.13]

Рассчитано на основе модели квазисвободных электронов для поликристалла (выход граней на поверхность 70% 100 - -20о/о 211 ) [c.70]

Рассчитано на основе модели квазисвободных электронов для поверхности с выходом 70% грани 211 монокристалла [c.93]

ТМ Рассчитано на основе модели квазисвободных электронов [55 [c.120]

Зонная теория твердого тела позволяет объяснить основные физико-химические свойства кристаллов высокую электрическую проводимость и теплопроводность металлов, особенности проводимости в полупроводниках, изолирующие свойства диэлектриков и т. п. Электрическая проводимость кристаллов определяется наличием квазисвободных электронов, способных к направленному перемещению под действием внешнего электрического поля. Если на электрон действует сила, определяемая напряженностью электрического поля, то он начинает двигаться с ускорением и его кинетическая энергия при этом возрастает. В зонной модели, которая является результатом применения представлений квантовой механики к твердому телу, возрастание энергии электрона равносильно его переходу на более высокий энергетический уровень. При наличии в зоне разрешенных энергий вакантных уровней, ко- [c.309]

Наиболее простым случаем, рассмотренным в классической физике, является рассеяние квазисвободным электроном. Эта модель не позволяет экспериментальной проверки, но представляет принципиальный интерес. 4 [c.193]

В случае слабой связи исходят нз модели свободных электронов, а потенциал учитывают как возмущение. Этот случай имеет место при достаточно большой степени коллективизации электронов, ответственных за проводимость. Такие электроны являются квазисвободными, имея значительную вероятность движения вдоль цепи и некоторую среднюю длину пробега вдоль макромолекулы. [c.259]

Наглядное представление об электронной структуре примесного центра дает атомная модель Бора, согласно которой электроны в атоме движутся по стационарным орбитам. В этой модели основному состоянию примесного атома фосфора в кристалле германия соответствует движение четырех валентных электронов по внутренним орбитам, а пятого — по некоторой внешней орбите большего радиуса. Поэтому очевидно, что энергия связи пятого электрона должна быть гораздо меньше, чем четырех остальных (А о значительно меньше ширины запрещенной зоны), и он легко может быть оторван от примесного центра и переведен в квазисвободное состояние с энергией, лежащей в зоне проводимости. Этот процесс аналогичен процессу ионизации свободного атома при отрыве от него валентного электрона, поэтому его удобно изобразить в виде квазихимической реакции [c.34]

Рис. 1. —Г-диаграмма Прямые участки стрелок соответствуют диапазону (яе, Т), в котором теория идеальных (свободных) алектропов заведомо применима. Штриховые участки стрелок указывают область (Пе, Г), на которую распространяется модель квазисвободных электронов.

Сгрон ТМ ций 8г Рассчитано на основе модели квазисвободных электронов [552] [c.128]

Итак, в качестве физической модели твердого тела для описания механохимических явлений при коррозии металла под напряжением можно принять модель упругого континуума. (имеющего квазисвободные электроны) с дефектами структуры типа дислокаций. В этой модели потенциал деформации, обусловленный средней дилатацией упругодеформированного металла или средним нелинейным расширением дислокаций, реализуется в значениях, практически не влияющих на работу выхода иона металла, но оказывающих воздействие на электромагнитные явления переноса в металле и работу выхода электрона. [c.14]

Мы рассмотрели модель системы, состояш,ей из квазисвободного электрона в плотной жидкости. Как уже было отмечено, такая модель пригодна лишь тогда, когда электрон слабо взаимодействует с атомом однако это условие не сохраняется в случае жидкого гелия. Действительно, отталкивание электрон — атом оказывается в гелии настолько большим, что образование полости в жидкости может приводить к состояниям с более низкой свободной энергией, чем состояние квазисвободпого электрона, несмотря на резкое возрастание кинетической энергии при локализации электрона внутри полости. Пузырьковая модель электрона в жидком гелии обычно приписывается Фейнману, на подробно она была впервые описана Купером в работе [40]. Основная идея модели состоит в том, что достигается устойчивая конфигурация раствора в результате равновесия, которое наступает, с одной стороны, между отталкиванием электрона от всех окружающих атомов и, с другой стороны, между силами сжатия пузырька, возникаюгци-ми из-за поверхностного натяжения. В первоначальной работе Купера [40] поверхностное натяжение было весьма приближенно подсчитано на основе микроскопического подхода. Недавно Левин и Сандерс [41а, б] придали пузырьковой модели более отчетливый вид. В вычислениях Сандерса использованы наблюдаемые значения поверхностного натяжения (вместо взятого из приближенной молекулярной модели), а также волновая функция электрона, соответствующая яме с определенной глубиной, подгоняемой под длину рассеяния. Диаметр пузырька оказался равным приблизительно 20 А, что вдвое превышает значение Купера. В результате соответствующего уменьшения кинетической энергии электрона внутри пузырька последний становится легко с кимаемым и изменяющим форму. [c.166]

Мы рассмотрели модель системы, состоящей из квазисвободпого электрона в плотной жидкости. Как уже было отмечено, такая модель пригодна лишь тогда, когда электрон слабо взаимодействует с атомом однако это условие не сохраняется в случае жидкого гелия. Действительно, отталкивание электрон — атом оказывается в гелии настолько большим, что образование полости в жидкости может приводить к состояниям с более низкой свободной энергией, чем состояние квазисвободного электрона, несмотря на резкое возрастание кинетической энергии при локализации электрона внутри полости. Пузырьковая модель электрона в жидком гелии обычно приписывается Фейнману, на подробно она была впервые описана Купером в работе [40]. Основная идея модели состоит в том, что достигается устойчивая конфигурация раствора в результате равновесия, которое наступает, с одной стороны, между отталкиванием электрона от всех окружающих атомов [c.166]

Увеличение эффективной массы поляронов приводит к уменьшению ускорения, испытываемого ими в электрическое поле за период между столкновениями, а следовательно, и к уменьшению подвижности. Поэтому в предельном случае сильной связи поляроны малого радиуса правильнее рассматривать не как квазисвободные частицы, а как некие квазичастицы, локализованные на одном-двух определенных ионах. Так, в LiF при температуре ПО К подвижность дырок настолько мала (1,7-10- см -В -с ), что дырка совершает всего один прыжок Б минуту, что на 15 порядков ниже частоты колебаний атомов. Этот результат нельзя объяснить в рамках зонной теории. Более того, в предельном случае сильной связи полярон-ные зоны становятся настолько узкими, что зонная модель утрачивает смысл, так как неопределенность энергии, вытекающая из общего квантовомеханического соотношения неопределенностей и связанная с волновыми свойствами электронов, становится сравнимой с шириной поляронной зоны. В этом случае в более строгой, нежели зонная, теории стационарные состояния поляронов малого радиуса следует описывать локализованными [c.199]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология