Отраженные электроны

Вариант 2. Так как периодическая таблица элементов является отражением электронной структуры атомов, то электронную формулу элемента можно получить при последовательном заполнении электронами атомных орбиталей, начиная от атома водорода до атома Мп. До атома кальция происходит последовательное заполнение внешних слоев [c.23]

Рис. 61. Принципиальная схема получения изобрах<ений распределения элементов и микрорельефа поверхности в отраженных электронах ио методу сканирования

Рис. 3.15. Угловое распределение отраженных электронов относительно нормали к поверхности, соответствующее закону косинуса.

Теперь об эксперименте Дэвиссона и Джермера, Поначалу Дэвиссон искал. .. электронные оболочки атомов, а точнее, изучая отражение электронов от твердых тел, он стремился прощупать конфигурацию электрического поля, окружающего отдельный атом. В 1923 г. совместно со своим учеником Г. Канс-маном он получил кривые распределения рассеянных электронов по углам в зависимости от скорости первоначального (нерассеянного) пучка. Схема опыта показана на рис. 4. В этой установке можно было изменять энергию первичного пучка, угол падения на мишень (поверхность металла) и положение детектора. Согласно классической физике рассеянные электроны должны вылетать во всех направлениях, причем их интенсивность мало зависит от угла рассеяния и еще меньше — от энергии первичного пучка. Почти так и получалось в опытах Дэвиссона и Кансмана. Почти., ., но небольшие максимумы на кривых распределения электронов по углам в зависимости от энергии нерассеянного пучка все-таки были. Исследователи приписали их неоднородности электрических полей около атомов мишени. [c.21]

Особые свойства воды являются отражением электронного строения ее молекулы, которая имеет угловую структуру атом кислорода в ней находится в состоянии 5р -гибридизации. Молекулы воды ассоциированы главным образом за счет водородных связей (см. 5.9). [c.248]

Рис. 3.12. Подробный расчет электронных траекторий для модели однократного рассеяния методом Монте-Карло в медной мишени, Ео=30 кэВ. Пересекающие поверхность траектории соответствуют отраженным электронам.

Рассмотрим явления, связанные со вторичной эмиссией электронов с бомбардируемой электронным пучком поверхности металла. Уходящие с этой поверхности электроны можно разделить на истинно вторичные, электроны термоэмиссии и отраженные электроны. [c.237]

Отраженные электроны появляются вследствие того, что часть электронов бомбардирующего пучка, испытывая упругие и неупругие соударения, отражается от поверхности металла. Эти электроны уходят на стенки камеры и имеют широкий спектр энергий от малой доли энергии первичных электронов до ее полной энергии. Чтобы выявить потери мощности первичного пучка с отраженными электронами, необходимо определить коэффициент отражения [c.238]

На контраст сканирующего изображения в РЭМ решающее влияние оказывают топография поверхности объекта и его химический состав. Поскольку количество отраженных электронов зависит от химического состава и микрорельефа (топографии) поверхности, то можно получить два соответствующих изображения 1) распределение химических элементов по поверхности образца 2) микрорельеф поверхности образца. Получение изображения осуществляется с помощью специальных парных детекторов отраженных электронов по принципу, изображенному па рис. 61. Образец / состоит из нескольких частей разного химического состава. Детекторы А и Б. расположенные симметрично к падающему пучку электронов С, будут фиксировать равное количество отраженных электронов и давать синхронные сигналы на регистрирующую систему (линии а и 1в). При движении пучка на экране получится изображение, согласующееся с характером изменения химического состава материала. Наоборот, образец II химически однороден, но имеет неровную поверхность. Это приводит к несимметричному отрал<ению электронов от разных точек поверхности. Следовательно, в детекторы А Б будут попадать разные количества отраженных электронов и их выходные сигналы будут различными по фазе (линии Па и IIб)- При вычитании этих сигналов будет исключаться влияние химического состава вещества и полученная разность (линия Па-б) даст изображение микрорельефа поверх- [c.150]

Рассуждения де Бройля и известные эксперименты Дэвиссона и Джермера с отражением электронных пучков от кристалла убедительно доказали, что частицу микромира следует сопоставлять с некоторым волновым процессом. Природа того, что колеблется , вызывала споры, но в настоящее время общепринятой является точка зрения, согласно которой изменяется вероятность найти частицу в том или ином состоянии. Отсюда вытекает необходимость найти приемы, позволяющие вычислять вероятности значений различных физических величин, характеризующих частицу (координат, импульсов, энергии). [c.32]

На границе зоны 6 Е/йк обращается в нуль, а масса — в бесконечность. Происходит как бы отражение электронов от плоскостей решетки. [c.53]

Таким образом, уносимая отраженными электронами энергия [c.238]

Экспериментальные установки обычйо сочетают проведение в одной и той же вакуумной камере Оже-спектроскопии и измерений дифракции электронов низкой энергии. В результате получается информация как о химическом составе поверхности, так и о ее атомной структуре. Для изучения геометрической структуры поверхности используют электронный сканирующий микроскоп. Принцип действия этого прибора аналогичен передаче телевизионного изображения, только здесь на исследуемый объект направляется сфокусированный пучок электронов, а детектируется интенсивность отраженных электронов, которая затем передается на экран электронно-лучевой трубки. Движение сфокусированного пучка электронов вдоль исследуемого образца синхронизовано с движением луча электронно-лучевой трубки, в результате чего на ее экране получается изображение изучаемой поверхности. Разрешение современных сканирующих микроскопов составляет 5—10 нм. [c.86]

Значения к кУ в формуле (9-10) и относительная мощность отраженных электронов при бомбардировке некоторых металлов [c.238]

Поверхность образца исследуют под микроскопом при освещении видимым светом Изображение поверхности получают с помощью отраженного электронного луча. Испускаемые при этом характеристические рентгеновские лучи делают возможным определение химического состава наблюдаемых участков методом так называемого микроанализа (микрозонда). Метод требует вакуума [c.150]

НОГО электрона — вклад отраженных электронов (от освинцованных пластин) в ионизационный ток камеры. [c.61]

В гл. 4 и 5 рассматривается процесс детектирования и обработки сигналов вторичных электронов, отраженных электронов, катодолюминесценции и рентгеновского излучения, полученных в РЭМ—РМА. Вслед за этим материалом в гл. 6—8 обсуждаются различные методы количественного и качественного рентгеновского анализа. Методы препарирования таких твердых материалов, как минералы, металлы и керамики, для РЭМ и рентгеновского микроанализа даются в гл. 9. Методы препарирования образцов весьма критичны для большинства биологических объектов и других материалов, содержащих воду. Методики нанесения покрытий для биологических объектов и образцов в материаловедении рассматриваются в гл. 10. Методы препарирования биологических объектов для РЭМ обсуждаются в гл. 11, а для рентгеновского микроанализа — в гл. 12. [c.11]

Рис. 3.10. Объяснение причины роста отражения электронов от наклонных образцов.

Отраженные электроны создают чрезвычайно полезный сигнал для получения изображения в растровой электронной микроскопии [29]. [c.46]

Для правильной интерпретации изображения необходимо понимать свойства отраженных электронов в зависимости от параметров электронного пучка и свойств образца (подробный обзор по отраженным электронам представлен в [30]). [c.46]

Графики электронных траекторий, полученные методом Монте-Карло (рис. 3.7), показывают, что число пересекающих поверхность траекторий, которые представляют собой траектории отраженных электронов, возрастает при увеличении атомного номера. Если коэффициент отражения г) изменить в зависимости от атомного номера 2, то получится проведенная на рис. 3.13 зависимость [31, 32]. В целом г увеличивается при возрастании V [c.46]

Если электронный пучок падает перпендикулярно поверхности, то угловое распределение отраженных электронов при их выходе на поверхности соответствует закону косинуса (рис. 3.15) [c.49]

В век быстро развивающейся техники ученому необходимо наблюдать, исследовать и правильно объяснять явления, происходящие на микронном (mikm) и субмикронном уровнях. Растровый электронный микроскоп и рентгеновский микроанализатор— это два прибора с большими возможностями, позволяющие на таком уровне наблюдать и изучать неоднородные органические и неорганические материалы и поверхности. В обоих приборах исследуемая область или анализируемый микрообъем облучаются тонко сфокусированным электронным пучком, либо неподвижным, либо разворачиваемым в растр по поверхности образца. При взаимодействии электронного пучка с поверхностью образца возникают следующие типы сигналов вторичные электроны, отраженные электроны, оже-электроны, характеристическое рентгеновское излучение и фотоны различных энергий. Эти сигналы исходят из специфических эмиссионных областей внутри образца и могут быть использованы для изучения многих характеристик объекта (состава, топографии поверхности, кристаллографической ориентации и т. д.). [c.9]

По мере возрастания угла наклона 0 угловое распределение отраженных электронов изменяется и становится асимметричным относительно оси наклона. При больших углах наклона эта диаграмма очень сильно вытягивается в направлении прямого рассеяния (рис. 3.17, а), так что наибольшая часть отраженных электронов движется над поверхностью примерно под тем же самым углом, что и падающий пучок. Электроны стремятся проскочить несколько первых атомных слоев и выйти из образца после нескольких актов рассеяния. Кроме того, для сильно наклонных образцов электроны стремятся вылетать в плоскости, которая определяется вектором пучка и нормалью к поверхности (рис. 3.17, б). [c.50]

Изображение в отраженных электронах мол<но получить и в микроскопах просвечивающего типа (напрпмер, УЭМВ-100), если, в их конструкции предусмотрена возможность наклона осветителя или отклонения пучка электронов. [c.155]

В первой книге монографии известных американских специалистов изложены стандартные методы растровой электронной микроскопии и некоторые аспекты рентгеновского микроанализа. Рассмотрены особенности электронной оитики приборов, взаимодействие электронов с твердым телом, теория формирования изображения в растровом микроскопе, а также разрешение, информативность режимов вторичных и отраженных электронов, рентгеновская спектрометрия с дисперсией по энергии и длине волны и качественный рентгеновский микроанализ. [c.4]

Ротр = /отр ио р = к г]о1рРп- (9-10) Исследованиями установлено, что а) значения к и г) при бомбардировке твердых и жидких металлов практически одинаковы и не зависят от температуры б) величина энергии вторично отраженных на поверхность металла от стенки камеры электронов исчезающе мала в) значения к и т], а также величины относительных потерь для разных металлов с учетом углового распределения отраженных электронов могут быть приняты согласно табл. 9-4. [c.238]

В растровом электронном микроскопе (РЭМ) наибольший интерес представляют сигналы, создаваемые вторичными и отраженными электронами, поскольку они меняются при изменении топографии поверхности по мере того, как электронный луч сканирует по образцу. Вторичная электронная эмиссия возникает в объеме вблизи области падения пучка, что позволяет получать изображения с относительно высоким разрешением. Объемность изображения возникает за счет большой глубины фокуса растрового электронного микроскопа, а также эффекта оттенения рельефа контраста во вторичных электронах. Возможны и другие тииы сигналов, которые оказываются также полезными во многих случаях. [c.9]

Экспериментальные данные о зависимости электросопротивления Си от размеров зерен в исследованном диапазоне от 0,2 до 13 мкм удалось описать с помощью хорошо известной модели Маядаса-Шатцкеса [274], разработанной для тонких пленок. Точнее с помощью той ее части, которая описывает частичное отражение электронов проводимости от границ зерен, представляемых в виде потенциальных барьеров. В работе [274] получено следующее выражение [c.164]

Сравнение результатов, полученных с помощью расчетов в рамках данной модели, с экспериментальными результатами для случая Си показывает [273], что хорошее согласие между ними наблюдается при 1К/ 1 — Н) = 0,097 мкм. В работе [275], используя данные [276] для скорости Ферми 1,57 х 10 см/с и времени релаксации 2,1 X Ю с при температуре 77 К, вычислена длина свободного пробега электронов проводимости в Си = 0,33 мкм. Исходя из этих результатов, коэффициент зеркального отражения электронов проводимости от границ зерен в Си, подвергнутой ИПД, оказался равным Н = 0,23. Эта величина близка к вели- 1ине 0,24, типичной для крупнокристаллической Си [274]. Следовательно, для довольно большой части электронов проводимости границы зерен являются непреодолимыми барьерами, и дальнейшее уменьщение размеров зерен в нанокристаллическую область [c.164]

Рис. 3.17. Сравнение углового распределения отраженных электронов для углов наклона образца 0 = 0° и 0 = = 80°. При больших углах наклона распределение имеет резкий максимум в направлении прямого рассеяния (а). Схематическая иллюстрация направленности максимума отражения в сяльно наклоненных образцах (б).

Справочник химика 21

Химия и химическая технология