Микроскоп растровый

Растровая сканирующая электронная микроскопия. Растровый электронный микроскоп (РЭМ) — прибор, в основу работы которого положен телевизионный принцип развертки тонкого пучка электронов (или ионов) на поверхности непрозрачного исследуемого образца. Пучок электронов, падающий на поверхность образца, взаимодействует с веществом, следствием чего является возникновение целого ряда физических явлений (рис. 59). Регистрируя соответствующими датчиками то или иное излучение (например, вторичные электроны) и подавая сигналы на кинескоп, получают рельефную картину изображения поверхности образца на экране. [c.149]

Метод растровой (сканирующей) электронной микроскопии, Растровая электронная микроскопия начала использоваться в биологических исследованиях 10—15 лет тому назад. Этот метод дает универсальную возможность получения объемного изображения объекта в диапазоне увеличений до 100 тыс. при достаточно высоком разрешении. Сейчас оно достигает 3 нМ. [c.96]

Важную информацию получают при исследовании поверхности излома цементного камня методами электронной микроскопии, особенно растровой электронной микроскопии в сочетании с рентгеновским микроанализатором. Эти методы позволяют наблюдать форму и размеры кристаллов при увеличении в 50—100 тыс. раз, характер их взаимного расположения и срастания, форму и размер пор. [c.117]

Фрактографическое исследование композиционных материалов методом растровой электронной микроскопии (рис. 2) показало, что образцы представляют собой матрицу с равномерно распределенными в ней углеродными филаментами, структура которых полностью сохраняется. [c.208]

Рис. 60. Принципиальная схема растрового электронного микроскопа

Принципиальная схема растрового (сканирующего) электрон-ного микроскопа (РЭМ) показана на рис. 60. Пучок электронов [c.149]

Локальный рентгеноспектральный анализ. Получил широкое распространение растровый электронный микроскоп (РЭМ) для построения изображения при использовании рентгеновского излучения (см. рис. 59). [c.151]

S Е A i А (США). Растровый электронный микроскоп, работающий при ускоряющих напряжениях до 50 кВ м имеющий предельное разрешение 10 им в режиме вторичной электронной эмиссии. Микроскоп может использоваться вместе с рентгеновским микроанализатором. [c.154]

С W i к S с а п - 5 О А (США). Растровый электронный микроскоп. При ускоряющем напряжении 15 кВ имеет разрешение 5 нм, а при 1 кВ — 25 нм. Микроскоп имеет максимальное увеличение в 220 000 раз. У микроскопа имеется приставка для нагревания изображение можио наблюдать на телевизионном экране. [c.154]

На образовании эмиссии электронов методом бомбардировки г[оверхности сканирующим пучком электронов с получением соответствующего телевизионного изображения основан метод растровой электронной микроскопии. [c.155]

Для изучения полимерных материалов наибольшее распространение получили просвечиваюЩ Ие и растровые микроскопы. [c.110]

Оптический метод основан на измерении уступа, образованного краем покрытия с основным металлом, способом светового сечения или растровым способом с помощью оптического микроскопа. Метод применим для измерения толщины покрытия от 1 до 40 мкм с коэффициентом отражения не менее 0,3. Уступ получают растворением небольшого участка покрытия с предварительной изоляцией остальной части поверхности. [c.55]

Оценка сплошности покрытия и косвенные данные об адгезии покрытия к углеродному волокну были получены на основании проведенных электронномикроскопических исследований на растровом микроскопе JSM-UЗ с разрешающей способностью 200 А. [c.149]

Другие электронные микроскопы — растровые — фиксируют электроны, отраженные поверхностью объекта. Они тоже позволяют добиться уве.пичения в десятки, даже сотни тысяч раз и, что особенно ценно, получать объемное, стереоскопическое изображение поверхности. Картины при этом нередко отличаются несказанной красотой (рнс.79) и поставляют бесценную информацию как о строении твердых тел, так и о быстрых изменениях, происходящих на их поверхности под влиянием, например, химических превращений Тем не менее разрешение на уровне атомных или молекулярных размеров, особенно вожде.пенное для химиков и биологов, достижимо с помощью либо просвечивающих, либо комбинированных — расгрово-просвечивающих микроскопов. Тут уж увеличение достигает миллионов, а пространственное разрешение — 0,2—0,3 нм и доступны для прямого созерцания атомы не слишком легких элементов. [c.194]

Эффективным средством идентификации параметров и автоматизированного построения моделей пористых сред являются вычислительные комплексы, оснащенные средствами автоматического анализа изображения (ААИ). Принципиальная схема одного из таких вычислительных комплексов показана на рис. 3.3. При помощи передающего телевизионного сканирующего устройства изображение объекта может быть введено в цветном или чернобелом варианте непосредственно с плоскости наблюдения во всех ее видах, т. е., например, с фокальной плоскости окуляра оптического микроскопа, с экрана электронного микроскопа, с экрана телевизора, а также фотографических репродукций и др. Соответственно в схему ААИ может быть включен оптический микроскоп, электронный микроскоп (просвечивающий, эмиссионный или растровый), приемное телевизионное устройство, эпидиаскоп и т. п. Скорость работы современных ААИ более чем на 5 порядков превышает скорость работы человеческого глаза при значительно более высокой чувствительности (свыше 200 точек на [c.125]

Ю. и. Дытнерским, Н. С. Орловым, Н. С. Снегиревой проведено сравнение результатов исследования ядерных мембран гидродинамическим методом, объединяющим пузырьковый метод и метод продавливания растворителя, и методом растровой электронной микроскопии. Принципиальная схема установки для определения параметров пористой [c.102]

Офаничепия этих методов заключаются в возможности проведения исследований в узком диапазоне температур, близких к комнатной. Исключение составляют микроскопы с так называемым "горячим столиком", где имеется возможность исследовать структуры при высоких температурах. Анализ жидких НДС возможен в тонком слое в трансмиссионной электронной и просвечивающей оптической микроскопии. Электронная растровая и оптическая отражающая микроскопия требуют предварительного приготовления травленого шлифа. В работе [4] для протрава нефтепродуктов типа пеков рекомендуется тройной ор1 анический растворитель. Для этих целей можно использовать также обычную хромовую кислоту. [c.13]

Электронно-микроскопический анализ. Этот метод дает представление о строении кристаллических областей в асфальтенах и дает наглядную картину об их надмолекулярной организации. Исследования выполняются в просвечивающих и сканирующих (растровых)- электронных микроскопах [329, 330]. Просвечивающие электронные микроскопы позволяют одновременно получать как электронно-микроскопический снимок, так и электронограмму в области больших и малых углов. Разрешающая способность их составляет 15—2 нм, а для сканирующих микроскопов 3—5 нм. Пучок электронов вызывает значительный разогрев и даже плавление образцов, поэтому просвечивающая электронная микроскопия применяется для объектов, имеющих незначительную толщину,— несколько десятков нанометров. Для этого образцы специальным образом готовят получают либо тонкие пленки, либо с помощью ультрамикротомов готовят срезы толщиной 10—20 нм. Из косвенных методов для исследования структуры асфальтенов получил распространение метод реплик. Для исследования используют мелкодисперсные порошки асфальтенов [325] или растворы в бензоле [319]. В первом случае асфальтены помещают на угольную (аморфную) подложку на медной сетке. С целью определения фоновых микропримесей проводят контрольные съемки пустой подложки. Во втором случае бензольные 0,1 % растворы асфальтенов диспергируют на поверхность полированного стекла с частотой излучателя 35 кГц. Далее стекло.с пленкой асфальтенов помещают в вакуумный пост и растворитель откачивают в течение 20 мин. Для контроля сходимости результатов с поверхности пленки асфальтенов получают реплику двумя способами. Одноступенчатая реплика образовывается напылением угольной пленки, а двухступенчатая — чистого алюминия толщиной не менее 0,2 мм. Затем асфальтеновую пленку растворяют в бензоле и отдельную угольную реплику оттеняют платиной. Во втором случае на обратную сторону отдельной алюминиевой фольги напыляют платиноугольную реплику толщиной 20—30 нм, а алюминиевую фольгу затем растворяют в азотной кислоте [331]. [c.158]

Исследоваиия прочностных и деформационньк свойств кольцевых образцов проводили при торцевом сжатии с записью диафамм деформирования. Высокотемпературное воздействие проводили в диапазоне температур 500-1000 "С с выдержкой при указанных температурах. Получен разный характер деформирования при сжатии образцов при различном содержании пироуглерода, оценена повреждаемость, вносимая предварительным температурным воздействием. Исследованиями микросфуктуры на растровом электронном микроскопе установлена однородность насыщения пироуглеродом каркасов из ТРГ, подтверждена зависимость характера деформирования КМ от содержания пироуглерода. Проведенные исследования показали преимущества разработанных КМ по прочностным и упругим харатеристикам по сравнению с ТРГ при одинаковой плотности материалов. [c.71]

Исследован механизм изнашивания углеродных материалов на основе графита и политетрафторэтилена при трении без смазки по модифиш<рованным металлическим поверхностям. Углеродные материалы были разработаны на полимер - олигомерных матрицах и содержали армирующие компоненты и смазки. Для модифицирования поверхностей трения применяли механические, химические и физико-химические методы создания заданных параметров микрорельефа и поверхностной активности. Триботехнические исследования проводили на машине трения типа УМТ по схеме вал-частичный вкладыш при нагрузке до Ю МПа и скорости скольжения до I м/с. Анализ фазового состава и строения поверхностей трения осуществляли методами растровой электронной и атомной силовой микроскопии. Газоабразивная обработка поверхностей трения приводит к формированию специфического рельефа с высотой микронеровиости 1-3 мкм. Химическое фосфатирование образцов из стали 45 образует мелкозернистую пленку фосфатов марганца и железа с размерами единичных фрагментов до 10 мкм. Обработка поверхности трения разбавленными растворами фторсодержащих олигомеров с формулой Rf-R , где Rf. фторсодержащий радикал, Rj - концевая фуппа( -ОН, -NH2, -СООН) вызывает заполнение микронеровностей рельефа и выглаживания поверхностей. [c.199]

Электронные микроскопы бывают просвечивающие, отражательные, эмиссионные, зеркальные, растровые, теневые, автоэлектрон-ные, эмиссионные. Они отличаются друг от друга источниками свободных электронов, характером взаимодействия электронного пучка с веществом, методами регистрации дифрагированных электронов. [c.131]

И-500 (Япония). Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,14 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам имеет увсличе 1ие от 100 до 800 000 раз, работает при ускоряющем напряжении до 125 кВ. У микроскопа имеются приставки для охлаждения и нагревания до 800°С. Вместе с приставкой HSE-2 микроскоп мокнет работать и как сканирующий, при этом достигается разрешение в режиме растрового просвечивания 3 нм и режиме вторичной электронной эмиссии 7 нм. При использовании микроскопа совместно с многими рентгеновскими спектрометрами можно проводить микроанализ. [c.147]

JEM-IOO (Япония). Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,14 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам работает при ускоряющем напряжении до 100 кВ. Дает возможность получать микродифракцию с участка размером до 20 нм. Вместе с приставкой ASID-4D может работать и как сканирующий, при этом достигается более высокое разрешение, чем у предыдущего микроскопа в растрово-просвечивающем режиме 0,15 нм и в режиме вторичной электронной эмиссии 3 нм. [c.147]

Эльмископ 1202 (ФРГ), Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,2 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам работает при ускоряющем напряжении до 100 кВ, имеет увеличение от 200 до SOOOQx. Приставки к микроскопу для просвечивающей растровой микроскопии, стереустройство, устройство для нагревания, охлаждения и растяжения объекта и др. [c.148]

Р Э М М А. Растровый электронный микроскоп и микроанализатор позволяет фотографировать изображения поверхности объекта с экрана кинескопа и спетового микроскопа проводить визуальный осмотр исследуемого участка с помощью зеркального,микроскопа и на основании визуального осмотра выбирать место проведения локального анализа химического состава исследуемого веще-С1ва выполнять локальный анализ химического состава исследуемого вещества и определять процентное содержание последнего. [c.153]

Автоскан (Ли1о5сап) (ФРГ). Растровый э.пектронный микроскоп работает при ускоряющих напряжениях до 30 кВ при этом достигается предельное разрешение 7 нм в растрово-просвечнваюшем режиме и 10 нм в режиме вторичной электронной эмиссии увеличение от 7 до 240 ООО раз. У микроскопа [c.153]

Stereos an 180 (Англия). Растровый электронный микроскоп работает при ускоряющих напряжениях ло 60 кВ, при этом достигается предельное разрешение 7 нм в растрово-просвечивающем режиме и 10 нм в режиме вторичной электронной эмиссии. У микроскопа имеются приставки для нагревания до 400°С и деформации образца. Микроскоп может использоваться вместе со спектрометром. [c.154]

JSM-2 (Япония). Растровый электронный микроскоп с разрешающей способностью в 25 им, увеличением от 100 до ЮООООх и ускоряющим напряжением 5—50 кВ. [c.154]

HFS-2 (Япония). Растровый электронный микроскоп работает при ускоряющих напряжениях до 25 кВ,. при этом достигаются следующие предельные разрешения и максимальные увеличения в растрово-просвечивающем режиме 3 нм и 500 000 раз в режиме вторичной электронной эмиссии 3 нм и 250 000 раз. Сканирующий электронный микроскоп используется вместе с рентгеновским микроанзлизатором и имеет предельное разрешение 7 нм и максимальное увеличение 200 ООО раз. [c.154]

RSEM (Голландия). Растровый электронный микроскоп работает при ускоряющих напряжениях до 50 кВ, при этом достигается предельное разрешение 10 нм как при растрово-просвечивающем режиме, так и в режиме электронной эмиссии. Микроскоп имеет телевизионное изображение и может использоваться совместно с рентгеновским микроанализатором. [c.154]

Камебакс (Франция). Растровый электронный микроскоп и микроанализатор фирмы Сатеса . Разрешающая способность микроскопа 7—10 нм, увеличение — от 30 до 240 ОООХ. [c.154]

Микроскопы других марок серия растровых микроскопов фирмы Мини-СЭМ (Япония) с разрешающей способностью от 10 до 25 нм (настольный) Leitz-AmR- (ФРГ), ряд микроскопов фирмы Hita hi (Япония). [c.154]

Исследование структуры полимеров с помощью злектронных микроскопов можно проводить непосредственно а образцах полимера, приготовленных в виде ультрато,нких срезов, или на специально изготовленных образцах для растровых микроскопов (прямые методы), либо на слепках-репликах с поверхности полимера (косвенные методы). Применение косвенных методов вызвано разрушением полимера в электронном луче, что искажает картину структурного рельефа, роме того, применение косвенного метода позволяет получить высокое разрешение (до 0,3 нм). В то же время косвенные методы трудоемки и требуют специальной подготовки поверхности полимера. [c.111]

Растровые электронные микроскопы, в которых изображение создается электронами, отра-/кеиными исследуемой поверхностью, причем пучок электронов сканирует поверхность подобно лучу в телевизионном кинескопе. [c.169]

И. Л. Горелова и Т. Ю. Любимова [142] методом растровой электронной микроскопии установили, что дисперсность кристаллизационной структуры цементного камня после достижения максимальных значений в период до одних суток уменьшается к трем суткам, вследствие роста отдельных волокнистых кристаллов гидросиликатов, в дальнейшем — за счет взаимного переплетения кристаллов, способных огибать препятствия, создавать объемную ткань и полностью срастаться с исчезновением межкристалличе-ских границ. Образование однородных, плотных участков структуры, постепенно сливающихся друг с другом, является завершающей стадией формирования микроструктуры цементного камня. [c.168]

В случае полной герметизации образца, подготавливаемого к электронномикроскопическому исследованию, обычно не наблюдается шарообразных образований, о чем свидетельствуют, например, микрофотографии реплик в работах [491, 492[, Швите с сотрудниками и снимки, полученные на растровом электронном микроскопе, сделанные со сколов самых разнообразнейших образцов вяжущих в ранние и поздние сроки твердения. [c.216]

Исследование методами световой и растровой электронной микроскопии износа пары никель — никелевый сплав при трении без смазки позволило выяснить, что в начальный период износ является абразивным, обусловленным шероховатостью поверхностей. При этом происходит схватывание со сдвиговым разрушением и переносом сплава на поверхность никеля. При дальнейшем испытании непрерывное схваты вание и отпел ние епут к расслоению метал- [c.17]

Для исследования фазового состава применяли дифференциальнотермический и рентгенофазовый методы анализа. С целью изучения структуры спеченных стекол использовали растровый микроскоп JSM-U3. [c.117]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология