Диэлектрические слои

Чтобы получить аналитические выражения для энергии, запасаемой в полном объеме резонатора и для мощности потерь Я, необходимо решить электродинамическую задачу для цилиндрического резонатора, содержащего три диэлектрических слоя (см. рис. УП.2.2). [c.106]

При возникновении проводящих каналов в нефти напряжение прикладывается к диэлектрическому слою и короткого замыкания не происходит. В нормальном режиме напряжение распределяется между слоем и нефтью. [c.18]

Работа 7.5. Определение состава диэлектрических слоев на границе раздела кремний — алюминий [c.153]

Определяют в спектре структуры кремний—диэлектрический слой — алюминий частоты максимумов полос поглощения И сравнивают их с частотами максимумов спектра структуры кремний — алюминий. Выделяют полосы поглощения, соответствующие диэлектрическому слою, и, сравнив частоты мак- [c.154]

Подготовка. Четыре зеркала устанавливаются в виде параллелограмма (угол 0) и освещаются параллельным пучком света. Полупрозрачные диэлектрические слои разделителей световых пучков должны быть специально рассчитаны на выбранный угол (в данном случае 0 = 60°, фиг. 33) и длину волны Я используемого света, чтобы интенсивности сравнительного и измерительного пучков были одинаковыми. Расстояния между зеркалами 2а и а должны быть выдержаны с точностью не ниже 1 мм (см. разд. 2.3, когерентные длины физических источников света). На фиг. 36 схематически показаны последовательные этапы юстировки [c.91]

В производстве печатных плат, микроузлов, электромагнитное экранирование, защитное маскирование при размерном травлении, лужение, повышение износостойкости контактов, коррозионная защита, эстетическое назначение Изолирование металлической поверхности, создание диэлектрического слоя на обкладке конденсатора, коррозионная защита, эстетическое назначение, повышение износостойкости поверхности [c.83]

Преобразователь имеет диэлектрические слои из конденсаторной бумаги или целлофановой пленки. Верхний электрод смазывают трансформаторным маслом. На преобразователь подают постоянное напряжение поляризации 600. .. 1000 В. Преобразователи и образец помещены в механическое устройство, которое обеспечивает их строгую соосность. При измерениях учитывается дифракционное расхождение ультразвука. Общая погрешность измерения не превосходит 0,3 дБ/мм. Диапазон частот 0,2. .. 30 МГц. [c.737]

Приборы позволяют измерять удельную электрическую проводимость от 1 до 55 МСм/м с погрешностью не более 3 %. Возможны измерения под диэлектрическим слоем толщиной до 0,3 мм. В приборах используются трансформаторные ВТП. [c.419]

Волны СВЧ легко получить в виде когерентных поляризованных гармонических электромагнитных колебаний, а это дает возможность обеспечивать высокую чувствительность и точность контроля, используя интерференционные явления, возникающие при взаимодействии когерентных волн с диэлектрическим слоем. [c.420]

Рис. 7. Отражение волны от слоя при наклонном падении (а) и расчетные зависимости Лс и фс (в) от толщины диэлектрического слоя на металлической основе

Под тихим разрядом в настоящее время, как правило, понимают разряд переменного тока между диэлектрическими электродами. Классическим примером такого вида разряда является разряд в озонаторах. Название тихий используется и для других форм разряда, например для истечения тока с острия. Это иногда может привести к неясностям, поэтому для разряда в озонаторе предлагали другие названия, например разряд, стабилизированный диэлектрическими слоями [2], барьерный [3]. Однако эти термины не являются общепризнанными, поэтому мы используем название тихий разряд. [c.77]

Радиоволновыми методами можно измерять и контролировать толщину диэлектрического слоя, одного диэлектрического слоя на другом, диэлектрического слоя на металле и металлического листа. [c.434]

Геометрический метод. Если направить оптическую ось радиоволнового пучка под углом 6 к нормали поверхности плоского диэлектрического слоя толщиной Л, то расстояние между точками входа и выхода пучка [c.435]

Рис. 28. Зависимость отраженного сигнала от толщины диэлектрического слоя, находящегося на металле, для различных расстояний (мм) между излучающей антенной и металлом

Толщину диэлектрического слоя, нанесенного на проводящую основу, можно контролировать резонансным радиоволновым методом по изменению резонансной частоты измерительного резонатора. [c.438]

Существует способ получения диэлектрических слоев нанесением на вращающуюся подложку раствора соответствующей соли с последующим высушиванием. Такая технология более проста, но получаются слои со значительно худшими оптическими свойствами, чем при вакуумном испарении. В то же время последние менее прочны. [c.241]

Электрододержатель. В целях обеспечения лучшей сохранности в условиях воздействия горячей среды и пламени механизмы электро-, додержателя закрыты водоохлаждаемым кожухом из антимагнитной нержавеюш ей стали. В пространстве между кожухом и оболочкой электрода подается инертный газ для создания противодавления, препятствующего выбиванию СО из рабочей зоны печи и попадания воздуха в печь, что может привести к образованию взрывоопасной смеси газов. Помимо этого, обдув предохраняет поверхность электрода от оседания пыли и образования диэлектрического слоя, ухудшающего контакт между контактными плитами и электродом. [c.143]

С помощью метода МНПВО стало возможным изучение свойств тонких и сверхтонких диэлектрических слоев, выполняющих различные функции в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем (маска при диффуз ии, пассивация пове зхности, прослойка в МДП-структурах и т. д.). [c.147]

Исследование диэлектрических слоев па границе раздела полупроводник — металл представляет собой одну из наиболее сложных задач П11и физико-химическом исследовании твердых веществ, поскольку анализируемое вещество на границе раздела содержится в виде слоя толщиной от долей до нескольких нм и, кроме того, оно экранировано основным объемом граничащих сред. Для определения состава подобных соединений наиболее эффе1 тивно применение метода ИК-спектроскопии отражения-поглощения, характеризуемого высокой чувствительностью и г озволяющего выполнят ) измерения без разрушения одис " пз сред. [c.153]

Сравнение спектров отражения-поглощения слоев одинакового состава, находящихся на границах раздела полупроводник — металл и воздух — металл, показывает соответствие частот максимумов и полуширин полос поглощения и значительное различие их интегральных интенсивностей. В случае сильнопоглощающих диэлектрических слоев фактор поглощения в [c.153]

Применяя методы диффузии в фотолитографии, можно получать в определенных местах р—п-переходы. В сочетании этих методов с методами эпитаксиального наращивания тонких пленок различных веществ, а также наращивания электролитическим методом металлов и травления по рисунку открываются широкие возможности изготовления различных узлов твердосхемных и пленочных устройств. Такими методами удается на одном полупроводниковом кристалле получать схемы, содержащие несколько транзисторов или диодов с необходимыми емкостными и резистивными элементами. Емкостные эле-гленты схем могут конструироваться не только на основе р—п-переходов, но и на основе диэлектрических слоев на поверхности кремниевых пластин. Об использовании фотолитографии для изготовления мозаичных люминесцентных телеэкранов см. далее ( 9). [c.360]

В последние годы широкое применение нашли интерференционные светофильтры, которые представляют собой многослойную систему чередующихся тонких пе-поглощающих диэлектрических слоев с высоким и низким показателями преломления. Иа рис. 5.14 представлена кривая пропускания интерференционного светофильтра. Основными характеристиками фильтра явля- [c.249]

Метод нанесения стекловидных покрытий на порошок паполпи-теля позволяет добиться минимизации стеклофазы, что дает возможность снизить внутренние механические напряжения и вероятность растрескивания при остывании от температур вжигания благодаря сближению температурных коэффициентов расшире-ния диэлектрика и подложки, а также устранить сквозную пористость. Последнее позволяет избежать традиционного двух-трехкратного нанесения диэлектрического слоя [31]. [c.65]

Механизм образования в плазме отрицательных ионов кислорода на пове,рхности растущего окисла. В тонких диэлектрических слоях концентрация вакансий (ловушек) весьма высока и достигает 102 м . В то же время в кислородной плазме положительного столба есть много атомарного кислорода. Степень диссоциации зависит от разрядных условий и лежит в пределах 1—20%. Атомы кислорода, попадающие на поверхность растущего окисла, извлекают электроны из тех приповерхностных (максимальная глубина залегания порядка 0,6 нм) ловушек, в которых энергия связи элек- [c.155]

Анодизационное покрытие состоит из двух слоев пористого толстого внешнего слоя и тонкого слоя внутреннего, который является плотным и электроизоляционным. Последний называют барьерным или диэлектрическим слоем, составляющим 0,5 — 2% общей толщины пленки. Этот слой образуется в начале анодирования при высоком напряжении, и его толщина изменяется прямо пропорционально рабочему напряжению и обратно пропорционально растворимости оксида в данном электролите. Средняя толщина диэлектрического слоя анодных пленок равна 0,03—0,05 мкм. Верхний слой оксидной пленки имеет микропористую структуру. [c.214]

Амплитудно-фазовый метод использует функциональную связь между величиной коэффициента отражения от диэлектрического слоя и его толщиной. Принципиальная схема приведена на рис 17, а. Изменение величины коэффициента офажения, как правило, контролируется с помощью введения дополнительного опорного сигнала той же длины волны. Поэтому, применяя высокочувствительные мостовые СВЧ-схемы, осуществляют одновременный контроль модуля и фазы коэффициента отражения, несущих информацию об изменении толщины слоя. [c.436]

Метод переменной частоты может быть реализован и по двухантенной схеме (рис. 30, а). Если изменить частоту СВЧ генератора и регистрировать разность частот, соответствующую ближайшим экстремальным значениям отраженного от диэлектрического слоя сигнала, то [c.438]

При пролете через диэлектрический слой тяжелой заряженной частицы в результате ионизации образуется некоторое количество первичных носителей заряда (электронов и ионов), затем формируется трек с большой локальной плотностью положительного заряда. Электроны термализуются за короткое время и захватываются на уровни, расположенные в запрещенной зоне, в результате происходит пространственное разделение зарядов и в области траектории частицы образуется ионная сердцевина с радиусом г 1 нм. Ионы 1юд действием электростатических сил отталкивания смещаются из положения равновесия в междоузлия, образуется область протяженных дефектов = 10 нм. Время, затрачиваемое на такое смещение, составляет всего 10с, поэтому процесс получил название ионного взрыва [9]. [c.94]

Интерференционная картина эталона Фабри—Перо. Эталон Фабри—Перо состоит обычно из двух кварцевых или стеклянных пластин, установленных параллельно друг другу. Обращенные внутрь поверхности пластин покрыты отражающими металлическими или диэлектрическими слоями, частично пропускающими свет. При сборке и юстировке эталона эти поверхности устанавливаются взаимопараллельно с точностью до 0,01 длины световой волны. [c.97]

Поскольку в поле HoJf -типа присутот ет йлько одна электрическая составляющая, энергию в полном объеме резонатора с тремя диэлектрическими слоями удобно рассчитать, интегрируя по объему квадрат абсолютного значения электрической составляющей Ет [c.107]

Разные авторы пользуются несколько отличающимися методами получения диэлектрических покрытий. Дю-ФУР Р ]. Польстер и Ф. А. Королев и А. Ю. Клементьева [ ] получают диэлектрические слои путем испарения в вакууме сернистого цинка и криолита. В качестве разделительного слоя используется сульфид цинка, позволяющий получать слои большей толщины, т. е. изготовить светофильтры более высоки.х порядков. Т. Н. Крылова для получения диэлектрических пленок применяет химический метод. Многослойные покрытия получаются из спиртовых растворов легко гидролизующихся этиловых эфиров ортотитановой и ортокрем- ниевой кислот с последующей термической обработкой. Число нанесенных слоев может изменяться от 3 до 15 при общей толщине слоев порядка 1,2—1,4 мк. [c.105]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология