Эпитаксия при химическом взаимодействии

Ориентированная кристаллизация продуктов химических реакций на исходном веществе представляет собой весьма распространенный процесс. В настоящее время подробно изучена эпитаксия при окислении металлов и некоторых других веществ, а также ориентированный рост при образовании и распаде солей. Однако получение монокристальных слоев и изучение эпитаксических соотношений при химическом взаимодействии возможно [c.22]

Эпитаксия при химическом взаимодействии [c.194]

Наиб, распространенными методами газофазной эпитаксии являются хлоридная, хлоридно-гидридная и с применением металлоорг. соединений. При хлоридной эпитаксии в качестве исходных материалов используют летучие хлориды элементов, входящих в состав П.м. Исходными материалами при хлоридно-гидридной эпитаксии являются летучие хлориды и гидриды соответствующих элементов, а при эпитаксии с применением летучих металлоорг. соед. используют также летучие гидриды. Процессы осуществляют в реакторах проточного типа, транспортирующим газом является Н . Все исходные материалы и Н подвергают предварит, глубокой очистке. Преимущества эпитаксиального наращивания пленок с применением металлоорг. соед. отсутствие в газовой фазе мюрсодержащих компонентов, химически взаимодействующих с подложкой, низкие рабочие т-ры, простота аппаратурного оформления, легкость регулирования толщины и состава эпитаксиальных слоев. Метод обеспечивает создание многослойных структур с тонкими, однородными по толщине слоями и резкими границами раздела и позволяет воспроизводимо получать слои толщиной менее 10 нм при ширине переходной области менее 1-5 нм. Его широко используют для вьфащивания эпитаксиальных структур соед. типа А В , А В , А В и твердых р-ров на их основе. Получение эпитаксиальных структур 8 и Ое осуществляется в процессе водородного восстановления соотв. хлоридов или термич. разложением гидридов. [c.61]

Близость параметров сопрягающихся решеток не является необходимым условием ориентированной кристаллизации галоидных солей щелочных металлов. Это положение подтверждено работами Шульпа, Людеманна и других авторов, получивших срнептированные нарастания при конденсации из паровой фазы лля веществ, у которых величина А достигает 90%. Однако при химическом взаимодействии и кристаллизации из растворов значение А приобретает определенную роль. В первом случае эпитаксия возможна лишь для веществ, у которых А не превышает нескольких процентов, во втором — при А< 15%. При этом совершенство ориентации тем выше, чем меньше А. [c.85]

В качестве примеров эпитаксии в результате химического взаимодействия можно привести ориентированные срастания гексаметилентетрамина на гипсе (с образованием МеЗОд- пНгО — гексаметилентетрамина), антрахинона с сурьмой (с образованием металлоорганического соединения) и ряд других. По мнению Виллемса [48, 50], существенную роль при кристаллизации органических веществ на неорганических подложках играет способность к образо-ванию водородных мостиков между молекулами осадка и подложки. Чтобы объяснить это, рассмотрим осаждение различных фенолов на карбонатах ряда известковых шпатов. В этом случае эпитаксия получена при кристаллизации а-гидрохинона, /7-гидроксидифенила, 3-гидроксипирена. С другой стороны, нафтазарин, а-глюкоза, янтарная и салициловая кислоты не дают ориентированных выделений при осаждении из растворов на кальците и других шпатах. Интересно отметить, что в последнем случае вещества образуют в растворе ионы и, таким образом, удовлетворяют условию Руайе — Фриделя. Поведение этих двух типов веществ Виллеме объясняет различием свойств водородных атомов, входящих в гидроксильные группы. У гидрохинона и других органических веществ водород гидроксильных групп способен присоединяться к атомам подложки с образованием водородного мостика. Стремление к образованию водородной связи максимально между атомами О и О или О и N. оно мало между N и К, 5 и С1 и др. У шпатов водородные мостики могут осуществляться через кислород карбонатных анионов. [c.145]

Как правило, при химическом взаимодействии ориентированное нарастание имеет место лишь при некоторых оптимальных экспериментальных условиях. По-видимому, совершенство ориентировки связано со скоростью реакции степень совершенства ориентировки увеличивается с уменьшением скоросги роста слоя. В частности, при взаимодействии галогенов с металлами слой соли ориентировано нарастает при малом содержании галогена в реакционной среде (так, при эпитаксии Ag l на серебре содержание I в воздухе должно быть < 5%). Прп больших концентрациях реагента и при экзотермической реакции выделяется много тепла, скорость реакции увеличивается и в осадке наблюдаются кристаллы с произвольной ориентировкой. [c.192]