Опыты по электронному облучению

Суть метода заключается в следующем исследуемое газообразное вещество в вакуумной трубке с двумя электродами подвергают электронному облучению с постоянно возрастающим ускоряющим напряжением. Начиная с некоторого значения напряжения, ток между электродами резко увеличивается, что свидетельствует о появлении новых носителей электричества — ионов. При дальнейЩем росте ускоряющего напряжения ток почти не изменяется, а затем, начиная с какого-то нового значения, опять резко увеличивается и т. д. Резкий рост анодного тока соответствует отрыву от атома или иона очередного электрона. В зависимости от номера отданного электрона различают 1-й, 2-й, 3-й и т. д. потенциалы ионизации, обозначаемые как /3. и т. д. Естественно, что каждый последующий электрон удаляется от атома труднее, чем предыдущий, поэтому ПИ всегда увеличивается вместе с номером удаленного электрона. [c.113]

Метод обработки алмаза облучением пребывал в забвении до развития в конце 40-х годов ядерной физики. Тогда для ускорения дейтронов (ядер тяжелого водорода — дейтерия, которые состоят из протона, связанного с нейтроном) стали использовать циклотрон. Дейтронами бомбардировали кристаллы алмаза. Алмаз оставался сильно радиоактивным в течение нескольких часов, но и в этом случае окрашивался только внешний слой. Было установлено, что бомбардировка электронами с высокой энергией приводит к окрашиванию алмаза в бледно-голубой или зеленый цвет, но опять-таки окрашивался лишь тонкий слой. А вот нейтроны, обладающие более высокой проникающей способностью, могут изменить окраску всего камня. После облучения ими алмазы становятся зелеными, однако нагревание в инертном газе при 900°С меняет их цвет сначала на коричневый, а затем на золотисто-желтый. Облученные алмазы золотисто-желтого цвета намного привлекательней, чем зеленые или коричневые, они очень популярны в Соединенных Штатах. [c.84]

Весьма характерны также явления, имеющие место при постепенном увеличении приложенной к газовому промежутку разности потенциалов, начиная от очень малых значений и до очень больших. Сперва через газ проходят лишь очень слабые т.жи, явно зависящие от внешних воздействий на газ и на помещённые в нём электроды. Такими процессами, влияющими на прохождение электрического тока через газ, являются пронизывающие газ рентгеновские, радиоактивные или космические лучи или, например, нагревание катода, вызывающее усиленную эмиссию электронов с поверхности последнего, или облучение катода ультрафиолетовой радиацией. -Все такие процессы, воздействующие на газ извне и сообщающие ему электропроводность, называются внешними ионизаторами. Чем лучше газ защищён от внешних воздействий, тем меньше его электропроводность. Мы имеем полное право заключить, что вполне отгороженный от внешнего мира газ при низких температурах является таким же идеальным изолятором, как и высокий вакуум ). По мере увеличения приложенной разности потенциалов ток, вызванный действием внешнего ионизатора, сперва возрастает по закону Ома, затем переходит в насыщение, потом опять начинает постепенно возрастать. Наконец, при определённой разности потенциалов всё явление внезапно приобретает совершенно новые качества при малом сопротивлении внешней цепи ток мгновенно возрастает до очень больших значений, ограниченных лишь этим сопротивлением или мощностью источника напряжения. Газ начинает ярко светиться. Электроды газового промежутка накаляются. При разряде в свободной атмосфере появляются звуковые эффекты. Этот переход к качественно новым явлениям носит название зажигания газового разряда или пробоя газового промежутка. Необходимая для зажигания разница потенциалов называется напряжением зажигания или напряжением пробоя. Прекращение действия внешнего ионизатора теперь уже не вызывает прекращения разряда. Разряд стал самостоятельным. При напряжении, меньшем чем напряжение зажигания, когда разряд прекращается вместе с действием внешнего ионизатора, разряд носит название несамостоятельного разряда. Поэтому описанное выше зажигание разряда называют также переходом разряда из несамостоятельного в самостоятельный . [c.14]

В работе В. К. Ермолаева и др. [15] была исследована рекомбинация радикалов в ряде замороженных органических веществ после облучения их быстрыми электронами с энергией 1,6 ае. Опыт проводился следующим образом замороженный образец облучался при постоянной температуре То 100° К, при которой рекомбинации радикалов практически не происходит. После этого образец быстро нагревался (в самом резонаторе спектрометра) до температуры Г , выдерживался при ней в течение двух минут и вновь охлаждался до Го, для измерения (К). После этого такая же операция проводилась при последовательно повышавшихся температурах Га, Г .., вплоть до температур, при которых время [c.198]

Убедительные доказательства в пользу изложенных выше представлений, впервые выдвинутых в работах [19—21] и в ходе дискуссии по работе [19], были получены Гейде [22]. Оп отмечает, что скорость загрязнения одинакова для различных типов электронных микроскопов, если путем регулирования условий облучения создают одинаковую температуру объекта. Это показывает, что парциальное давление паров загрязняющих углеводородов во всех исследованных случаях было практически одинаково (давление насыщения). Можно считать, что-оно составляет несколько единиц 10 мм рт. ст. [c.27]

В основе этой теории лежит постулат о трех главных путях хемосорбции веществ на поверхности полупроводников. Слабая хемосорбция охватывает случаи, когда адсорбированные вещества остаются электронейтраль-ными и свободные электроны или дырки кристаллической решетки не участвуют в образовании хемосорбционной связи. В зависимости от того, будет ли образовывать связь свободный электрон или свободная дырка, можно различать два типа сильных связей. Сильная п-связь (не путать с адсорбцией на полупроводниках и-типа) или акцепторная связь образуется в том случае, когда свободный электрон захватывается адсорбирующейся частицей. Такая связь обозначается как СеЬ, где символ еЬ означает свободный электрон решетки. Сильная р-связь (опять не имеющая никакого отношения к р-тину полупроводников) или донорная связь образуются нри захвате дырки адсорбирующейся частицей. Эта связь обозначается как СрЬ, где си мвол рЬ означает свободную дырку. Считается, что различные типы хемосорбции отличаются не только характером и прочностью связи, но также и реакционной способностью одна форма может переходить в другую при определенной температуре и давлении или в результате внешних воздействий (нанример, облучении, добавлении иримесей и т. п.). [c.241]

Для более подробного ознакомления с источниками излучения, применяемыми в радиационной химии, рассмотрим три облучательные установки, созданные в Институте физической химии им. Л. В. Писаржевского АН УССР в последние годы. Эти установки, на которых можно проводить опыты в укрупненных масштабах, использовались для выяснения основных особенностей технологии радиационной модификации полимерных материалов. В первых двух установках источником излучения служит Со с суммарной первоначальной активностью свыше 100 ООО г-экв радия. Они отличаются конструкцией биологической защиты, которая в значительной мере определяет не только стоимость устройства в целом, но и особенности его эксплуатации. В третьей установке облучение проводится при помощи ускорителя электронов. При конструировании изотопных установок был использован опыт, накопленный в данной области в физико-химическом институте им. Л. Я. Карпова [31—34], Институте электрохимии АН СССР [68] и ВНИИ по переработке нефти и газа и получению искусственного жидкого топлива [10]. Для ознакомления с ускорителями электронов, которые можно применять для промышленных целей, ниже приводится краткая характеристика ускорителя на основе трансформатора с секционированным сердечником конструкции Института ядерной физики СО АН СССР. На основании данных, полученных при строительстве и эксплуатации перечисленных выше устройств, авторами сделана попытка оценить стоимость радиационной обработки полимерных материалов различными видами излучения. [c.23]

Накопленный опыт показывает, что установка для облучения тонких образцов полимерных материалов ускоренными электронами проста в эксплуатации. Она обеспечивает достаточно высокую производительность радиационной обработки объектов исследования. Так, облучение полиэтиленовой изоляции провода КУГШ-0,5 дозой 50 Мрад производится со скоростью 600—700 м ч. Введение в полимер некоторых добавок, снижающих на порядок необходимую дозу [233], или применение определенных температурных режимов при облучении [406], повышает производительность установки до 5000—6000 м ч. [c.35]

При облучении электронами полиэтиленовых пленок, набухших в мономере, и несколько более высоких дозах — 1 Мрад) и мощностях доз в результате низкой скорости диффузии мономера этот процесс становится определяющим для реакции даже при температуре 60° [35]. При этом независимо от интенсивности облучения трудно получить продукт, содержащий больше 15% метилметакрилата. По-видимому, при высокой интенсивности облучения концентрация свободных радикалов становится настолько большой, что достаточно легко могут протекать процессы обрыва растущих цепей. Было установлено также, что если набухшие полиэтиленовые пленки после облучения снова поместить в мономер, то он опять продолжает поглощаться. Таким образом, вновь облучая такой набухший полимер и повторяя весь процесс, получают привитые сополимеры, содержащие до 80% включенного в полимер полиметилметакрилата, хотя его значительная доля не привита к исходному по лимеру. Такой способ прерывистого облучения весьма успешно используют для получения привитых сополимеров политетрафторэтилена и стирола, которые будут описаны ниже. [c.166]

В силу плохой проводимости экран при облучении электронным пучком принимает некоторый равновесный потенциал, соответствующий так называемому потенциалу свободного электрода . Равновесие устанавливается преимущественно за счёт вторичных электронов, вырываемых из люминофора и подложки при бомбардировке электронами достаточно больших энергий. Предположение о выравнивании потенциала за счёт поверхностной проводимости практически исключено. Для токов в десятки и сотни микроампер, поступающих в реальных условиях на экран, необходимы слишком высокие градиенты потенциала, чтобы обеспечить удаление заряда стеканием по поверхности. Опыт показывает, что в нормальных условиях работы трубш разцость потенциалов между экраном [c.56]

Предположение о стабилизированных электронах в системе НгО — Нг504 —Ре304 может быть отвергнуто на основании следующего факта. Если образец, который был уже разморожен до 120° К и облучен вторично при температуре 77° К светом больших длин волн через фильтр БС-4 (>и>2600 А), еще раз разморозить до температуры 120° К и снова облучить при 77° К через тот же фильтр, то опять наблюдается появление значительных количеств атомов водорода (см. рис. 88). Если бы эффект был обусловлен стабилизированными электронами, то при первом облучёнии светом больших длин волн они бы высветились, и мы не должны были наблюдать появления атомов водорода после второго размораживания под дейс гвием света больших длин волн. [c.225]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология