Локальное расширение

Весьма перспективен нагрев поверхности лучом лазера. Излучение происходит под действием нескольких эффектов. При небольших значениях интенсивности падающего светового потока происходит импульсное локальное расширение объема вблизи поверхности ОК. Эти деформации передаются соседним зонам, порождая упругие волны. При этом амплитуда ультразвуковых колебаний пропорциональна повышению температуры металла и достигает наибольшего значения при температуре плавления. В этой области реализуется термоупругий механизм генерации ультразвука. [c.227]

Однако даже эквивалентность локального расширения позволяет формулировать необходимые условия оптимальности исходной задачи НП через условия оптимальности ее расширения. Такую формулировку дает теорема Куна — Таккера [c.76]

Рис. 3.18. Кулонметр с локальным расширением в капилляре

Кулонметр с локальным расширением капилляра может работать как времязадающий элемент, в котором сигналом об окончании предыдущего временного интервала и начале последующего служит импульс напряжения в момент перескока объема электролита. Выдержка времени определяется значением тока, протекающего через РК. При непрерывном пропускании через РК тока интегрирования реализуется циклический режим работы РК, который заключается в попеременном нахождении объема электролита в цилиндрической и расширенной части капилляра. Это позволяет создать генератор импульсов. Конструктивные параметры РК и допустимые значения токов интегрирования позволяют осуществлять регулирование частоты следования импульсов от 15-10 3 Гц и ниже. Погрешность работы Р К в режиме времязадающего элемента или генератора импульсов составляет + 1,5 %. [c.94]

Рис. 3.20. Зависимость внутреннего сопротивления РК с локальным расширением от количества прошедшего электричества С и времени ( прн токе управления /=1 мА

В процессе работы РК, изображенного на рис. 3.24,в, объем 6, заполненный электролитом, периодически заходит в конусообразное расщирение и в момент взаимного касания ртутных менисков (рис. 3.24,г) перескакивает обратно в начало расширения. В результате этого между электродами 5 и 7 появляется импульс напряжения, аналогичный рассмотренному ранее для РК с локальным расширением внутреннего диаметра капилляра (см. рис. 3.20). Благодаря тому, что электролит 6 помещен между двумя расширениями, имеющими одинаковые геометрические размеры, импульсы напряжения не зависят от направления тока управления. Это позволяет РК дополнительно выполнять функции интегратора с импульсным считыванием информации, генератора импульсов напряжения, ЭУР, времязадающего устройства. Внутреннее сопротивление РК составляет 30—50 Ом. Ток интегрирования до 10—30 мА. Интервалы измерения времени находятся в пределах от 1 с (на расширениях) до ЮООО ч (в измерительном канале капилляра). Максимальная же частота следования импульсов напряжения (при максимальном токе интегрирования) не превышает 1 Гц. [c.100]

Для сольватированных электронов было предложено несколько моделей [127]. В неполярных растворителях, например в жидких благородных газах, электрон, по-видимому, локализован в полостях [1,33—135]. Отталкивание электрон — атом, если оно достаточно сильно, может стабилизировать состояние локального расширения жидкости и создавать, таким образом, полости, в которых двигается электрон. Действительно, известно [136], что отталкивание электрона и атомов гелия достаточно сильно, и поэтому вышеупомянутая модель приемлема для такой систе.мы. Однако между электроном и атомами [c.346]

Установлено также, что локальные расширения могут до-. статочно близко примыкать друг к другу — на расстоянии всего [c.29]

ЛИШЬ Х/4 уже нет взаимного влияния на величину задержки (в данном расчете к = 5). Следовательно, дендрит с несколькими локальными расширениями может создать задержку, равную сумме задержек в расширениях. [c.30]

Получаемые в локальном расширении задержки достаточно велики. Для сравнения напомним, что нейронные структуры [c.30]

Повышение надежности проведения узлом с локальными расширениями. На модели узла с предварительными расширениями сливающихся волокон исследовались две задачи. [c.33]

Первая задача состояла в том, чтобы выяснить условия проведения через узел одиночного импульса, приходящего по одному волокну. Установлено, что благодаря наличию локального расширения ( л на волокне непосредственно перед точкой ветвления одиночный импульс способен пройти через узел при значи-телыю больших отношениях (рис. 4, д) ( 3/ 1 достигает 10 [65, 66, 68] вместо 5,5, как в случае без локального расширения [c.33]

Во второй задаче рассматривался такой узел, в котором одиночный импульс заведомо блокируется, но два проходят, если At < А о при этом выяснялись условия проведения двух импульсов, подошедших по обоим входным волокнам. Установлено, что благодаря локальным расширениям на входе узла импульс на выходе будет появляться при большем временном интервале (Лго) между входными импульсами, чем в узле без локального расширения. [c.33]

Дг 0,6 мс. Дополнение такого узла локальным расширением dJd = 3, I = X) обеспечивает прохождение импульсов при [c.34]

На одном локальном расширении к = Ъ длиной I =- к получено, что при указанных воздействиях время проведения изменяется на 0,1 лгс (что составляет примерно 4 - 30% от времени проведения по однородному волокну той же длины). [c.35]

Априори нельзя еще однозначно предсказать процессы в локальных расширениях. Скорее всего возможны два варианта, зависящие от того, больше или меньше критического величины локальных расширений. [c.56]

Деформационное локальное расширение решетки вблизи поверхности металла ведет к отсасыванию электронов из соседних областей, в том числе из френкелевского двойного слоя, вследствие выравнивания уровня Ферми. Возникновение локального потенциала деформации растянутой области сопровождается изменением в противоположном направлении потенциала областей, которые выполнили функцию донора электронов. Нелокализо-ванные электроны френкелевского двойного слоя наименее прочно связаны с ион-атомами остова кристаллической решетки (относительно электронов внутренних областей) и в первую очередь втягиваются в растянутые области кристалла, оголяя поверхностный монослой ион-атомов остова решетки, несущих положительный заряд. В результате такого перетекания электронов образуется двойной электрический слой, состоящий из отрицательно заряженной обкладки — растянутых подповерхностных областей кристалла и положительной обкладки — монослоя выдвинутых наружу положительных поверхностных ион-атомов. Для краткости будем называть такой двойной слой, обусловленный деформацией, внутренним двойным слоем металла. Одновременно изменяется структура френкелевского двойного слоя вследствие частичного ухода в металл внешних электронов и в связи с этим уменьшается тормозящий выход электронов из металла скачок потенциала, а следовательно, уменьшается работа выхода электронов (уровень химического потенциала электронов внутри металла сохраняется). [c.98]

Деформационное локальное расширение решетки вблизи поверхности металла ведет к отсасыванию электронов из соседних областей, в том числе из френкелевского двойного слоя, вследствие выравнивания уровня Ферми. Возникновение локального потенциала деформации растянутой области сопровождается изменением в противоположном направлении потенциала областей, которые выполнили функцию донора электронов. Нелокализованнце электроны френкелевского двойного слоя наименее прочно связаны с ион-атомами остова кристаллической решетки (относительно электронов внутренних областей) и в первую очередь втягиваются в растянутые области кристалла, оголяя поверхностный монослой ион-атомов остова решетки, несущих положительный заряд. В результате такого перетекания электронов образуется двойной электрический слой, состоящий из отрицательно заряженной обкладки — растянутых подповерхностных областей кристалла и положительной обкладки — монослоя выдвинутых наружу положительных поверхностных ион-атомов. Для краткости будем называть такой двойной слой, обусловленный деформацией, внутренним двойным слоем металла. [c.101]

Расчет теплоты адсорбции для вхождения в поверхностный слой на гранях или ребрах и углах кристаллов настолько неточен, что не имеет смысла его приводить. Здесь будут рассмотрены только ионные модели Oa и 0 и образование перекисных форм (XVII). Уже отмечалось, что последняя форма должна образовываться в некоторой степени на всех окислах, не обладающих сжатой решеткой Ьна может также возникать на дефектах, вызывающих локальное расширение решетки. [c.54]

В реальных нервных волокнах — главным образом в дендритах — часто наблюдаются измепепия толщины (диаметра) волокна. Чтобы судить об информационном значении этих участков, необходимо выяснить особенности проведения нервного импульса через расширение волокна. Здесь рассматривается класс волокон, харак-тер1и>1Х большой протяженностью как узкой, так и расширенной частей — ото означает, что протядчегаюсть каждой из них много больше своего диаметра (в отличие от локальных расширений — см. 3). [c.25]

Задержка импульса в локальном расширении. 1 [оделироваиие показало, что в локальном расширении импульс значительпо задерживается. Величина задержки Дт пе постоянна, она зависит от протяженности I расширенной части и коэффициента расширения к (рис. 7). Для значений к = [c.29]

Э к в и п о т е и ц и а л ь II о с т ь локального расширения. Интересен тот факт, что локальные расширения практически эквипотенциальны в любую фазу проведения импульса. Иа рис. 8 приведено рассчитанное на ЭВМ распределение нотен-циала вдоль волокна с тремя. юкальными расширениями протяженностью I Х/3. Распределение указано для момента 1 ре-мени, когда максимум потенциала нриходится па среднее из трех расширений. [c.30]

Узел ветнлония с локальными расширениями. В таком узле входные волокна перед тем, как слиться в одно выходное волокно, несколько расширяются, претерпевая скачкообразное утолщение протяженностью I меньше к (рис. 4, д). Как указывалось, локальные расширения в узлах наблюдаются морфологами. 11рограм-ма, моделирующая такую структуру, представляет собой комбинацию двух программ для скачкообразного расширения и для узла ветвления волокон. [c.33]

Эти расчетные данные указывают на существенное влияние деполяризации иа скорость проведения. На их основе можно предположить, что возбуждаюнще и тормозные сипапсы, создающие подпороговые изменения ВПСП, способны менять величину задержки на десятые доли миллисекунды. Цепочка локальных расширений, имеющая синаптические контакты, может слун ить, по-видимому, эффективной управляемой линией задержки. [c.35]

В элементарных звеньях дендритов могут происходить такие операции, как ускорение и замедление движения импульса (особенно эффективные в локальных расширениях) его блокировка в узлах ветвления и в резких расширениях, превосходящих критическое нреобразования импульсных последовательностей смена ритма последовательпости, прохождение на выход той последовательности, частота импульсов в которой равна разности двух входных или равна наибольшей из частот входных последовательностей, или равна только заданной величине (см. табл. 2.1). [c.42]

Представляется возможным существование по крайней ере двух видов детекторов скорости. Детекторы первого вида образованы цепочкой элементов совпадения — это могут быть или узлы совпадения (рис. 16, а) [67, 73], или локальные расширения (рис. 16, б), когда коэффициент расширения больше критического (к ко). Условием появления выходного импульса в таком детекторе является равенство времени прохождения возбуждения по среде между двумя точками съема информации той задержке, которая вносится соответствующими отрезкалш дендрита на пути движения дендритного спайка. [c.51]

Постулируемая функция нейрона aav состоит в том, что он является детектором формы фронта звукового импульса или, согласно изложенному, детектором определенного закона изменения скорости распространения возбунедения по группе разнопороговых клеток спирального ганглия, или детектором ансамбля нервных-импульсов, отличающихся моменталш прихода. Чтобы довести эту гипотезу до конца, требуется изложить механизм работы детектора, состоящего на основе сказанного ранее, из цепочки локальных расширений, в каждом из которых взаимодействуют [c.55]

Если коэффициенты локальных расширений больше критического (к кд), то расширения вынолпяют роль элементов совпадения и импульс в дендрите па входе в сому возникнет при тех же условиях, что и для спт троволокна при совпадении в канздом локальном расширении двух сигналов, но здесь один приходит по дендриту, а другой через синапс. Последним элементом совпадения является сома. [c.56]

Более вероятной представляется другая возможность, в основе которой лежат известные из гл. II, 2 свойства локального расширения — пропускать одиночные импульсы даже при значительных расширениях к ко) и служить управляемой линией задержки. При таком взгляде на зтот элемент получается, что любая комбинация входных импульсов не помешает появлепию сигнала на выходе дендрита, т. е. у сомы. Однако момент возникновения дендритного импульса на входе сомы будет сильно зависеть от того, [c.56]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология