Пространственная решетка ионная

II вообще об атомных и электронных процессах. Так, мы знаем теперь, что положительные ионы металла расположены в узлах некоторой правильной пространственной решётки, что колебания этих ионов около положения равновесия подчинены законам квантовой физики и обусловливают в основном теплоёмкость металлов, что те же квантовые законы управляют взаимодействием атомов и электронов и движением как электронов в металле, так и молекул газа, наконец, что электроны обладают волновыми свойствами наравне со свойствами частицы. Прежнее представление о свободных электронах и об их движении, совершенно не учитывавшее взаимодействия электронов с ионами и атомами и не знавшее квантовых законов, не может теперь удовлетворять физика. Но и все новые, более совершенные видоизменения электронной теории принимают 1) что в металлах существуют электроны, передвигающиеся так или иначе по всему металлу, 2) что при увеличении температуры скорость движения электронов увеличивается, 3) что при вылете из поверхности металла электрон должен затратить некоторую работу за счёт энергии своего движения. [c.80]

Большую ясность в вопросе о том, какие же электроны могут быть вырваны светом из металла без нарушений закона сохранения импульса благодаря их связи с кристаллической решёткой металла, внесла теория Тамма [392]. Тамм отдельно рассматривает действие света на электроны, находящиеся в очень тонком слое у самой поверхности металла, где сосредоточено поле, вызывающее наличие потенциального барьера, и на электроны во внутренних областях металла, где электроны находятся в периодическом (в пространстве) поле ионов пространственной решётки. Эмиссию первых под действием света Тамм называет поверхностным фотоэффектом, эмиссию последних — внутренним фотоэффектом ). Данное Таммом решение задачи возмущения электронной волны светом приводит, к ещё более сложному выражению для СИЛЫ фототока с единицы поверхности металла, чем (137) и (138). Кривая спектральной характеристики обладает по Тамму селективным максимумом, и имеет место векториальный эффект. [c.159]

Согласно выводам, основанным на квантовомеханических расчётах, коэффициент прозрачности потенциального барьера не равен нулю и для медленных электронов, не могущих, по классическим представлениям, перескочить через барьер. Но для этого необходимо, чтобы вне металла потенциальная кривая снова начала падать, т. е. чтобы у поверхности металла имелось внешнее поле. При таких условиях, как увидим ниже, мы приходим к новому явлению — автоэлектронной эмиссии. С другой стороны, пользуясь методами волновой механики, можно подойти к рассмотрению таких вопросов, как влияние периодического поля пространственной ионной решётки внутри металла на явление термоэлектронной эмиссии [166, 167]. В тесной связи с последним вопросом стоит различное значение ср для различных граней монокристалла вольфрама [262, 275]. [c.93]

Кроме того, кристаллические структуры различаются также и по характеру распределения в них структурных узлов. Помимо координационных решёток (ионных и атомных), а также молекулярных, обычно наблюдаются, слоистые (например Ссиг), сетчатые (например графит), цепные (например селен) решётки, что вызвано спецификой пространственного распределения связей в соответствии с характером последних. [c.158]

Большую ясность в вопросе о том, какие же электроны мог т быть вырваны светом из металла без нарушений закона сохранения импульса благодаря пх связи с кристаллической решётко [ металла, внесла теория советского физика И. Е. Тамма. Тамм отдельно рассматривает действие света на электроны, находящиеся в очень тонком слое у самой поверхности металла, где сосредоточено поле, вызывающее наличие потенциального барьера, и на электроны во внутренних областях металла, где электроны находятся в периодическом (в пространстве) поле ионов пространственной решётки. Эмиссию первых под действием света Тамм называет товерхностным фотоэффектом, эмиссию последних— внутренним фотоэффектом ). Данное Таммом решение задачи возмущения [c.69]

В настоящее время наиболее правдоподобной является теория катодного распьшения, представляющая собой синтез теории ионного удара и теории испарения. По этой теории энергия иона передаётся не одному атому, а некоторому их числу, другими словами, предполагается, что при ударе положительного иона о пространственную решётку металла происходит сильное местное нагревание на очень небольшом участке поверхности металла. За короткий промежуток временп вследствие теплопроводности металла температура нагретого элемента поверхности быстро падает за счёт увеличения нагретой площади, но за это короткое время успевает произойти отрыв отдельных атомов металла. [c.273]

Механизм прилипания серосодержащих коллекторов типа ксан-татов к поверхности сернистых минералов подвергался большой дискуссии. Имеется много указаний на то, что в большинстве случаев это не простая адсорбция, а химическое соединение иона ксан-тата с поверхностным слоем, приводящее к образованию ориентированной плёнки, прочно связанной с тяжёлыми металлическими атомами минерала, в которой углеводородные группы обращены наружу иными словами, в случае галенита образуется тонкая ориентированная плёнка ксантата свинца в виде наружного слоя пространственной решётки минерала путём двойного разложения с растворимым ксантатом. Таггарт, Тэйлор и Нолл наблюдали взаимодействие растворов ксантатов с порошкообразным галенитом со слегка окислённой поверхностью. Как показали эти наблюдения, концентрация ксантата в растворе при этом уменьшалась количество свинца в растворе не увеличивалось, но наблюдалось определённое повышение концентрации сульфата и гидрата окиси реакции на поверхности могут быть записаны следующим образом [c.258]

При температзфах при(1лизительно от 1500 до 2000° С (в зависимости от состояния поверхности) вольфрам легко испускает электроны, но его положительные ионы, образующие пространственную решётку металла, не испаряются в сколько-нибудь значительных количествах. [c.391]

Во втором случае силовое поле кристалла возникает за счёт серьёзной перестройки структурных узлов. Иногда последние дезагрегируют, как, например, РВг на [РВг ]+ и Вг . Иногда происходит перераспределение их компонент, как, например, у PGl , образующего в кристалле ионы [P l4]+ и [P lj] . Иногда возникает сшивание исходных структурных узлов в цепи, сетки и даже пространственную вязь . Очень характерно в этом смысле поведение химического аналога двуокиси углерода—молекулы OS. Тогда как СО упаковывается в типичную молекулярную решётку, OS за счёт добавочных валентностей серы образует сетки, сшиваемые, возможно, и между собой. Аналогичные сетки образует борная кислота В(ОН)з. [c.646]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология