Фотоэффект поверхностный

Предполагалось, что большая вторичная эмиссия сложных кислородно-цезиевых катодов [491—493, 496, 527—532, 567 —570] так же, как и фотоэффект, обусловливается низким потенциалом ионизации адсорбированных в поверхностной плёнке атомов цезия. Однако параллельное исследование фотоэффекта и вторичной эмиссии кислородно-цезиевых катодов показывает, что это не так [503—505, 536, 537]. При утомлении кислородно-цезиевых катодов путём их интенсивного освещения, а также при изменении толщины поверхностей плёнки цезия путём дополнительного прогрева всего прибора ход изменения коэффициента вторичной эмиссии далеко не соответствует ходу изменения фототока. Максимумы обеих кривых не совпадают. Точно так же не совпадают изменения вторичной эмиссии и фототока и при изменении структуры промежуточного слоя сложного катода. Поэтому при построении теории вторичной электронной эмиссии из сложных катодов их надо рассматривать как примесные полупроводники ) (как и в случае других видов электронной эмиссии со сложных катодов). При этом надо учитывать, что вторичные электроны вылетают не с самой поверхности сложного катода, а с некоторой глубины и что основной причиной, тормозящей их движение, является взаимодействие их с электронами полосы проводимости. Таким образом, влияние факторов, приводящих к увеличению числа этих электронов, должно отзываться на вторичной эмиссии более сложным образом, чем при термоэлектронной эмиссии. Возрастание числа электронов проводимости сверх некоторого оптимального значения должно уменьшать вторичную эмиссию из примесных полупроводников. [c.185]

Электронная спектроскопия для химического анализа, ЭСХА, рентгеноэлектронная спектроскопия основана на рентгеновском фотоэффекте и предназначена главным образом для изучения состава поверхностных слоев и пленок [46, 47]. [c.16]

Фотораспад адсорбированных газовых и поверхностных соединений. Экспериментально установлен фотораспад молекул воды адсорбированных на распыленных слоях цинка и кадмия (но не сурьмы и висмута) фотораспад молекул аммиака, адсорбированных на активной окиси алюминия, при величине квантов освещающего света значительно меньшей, чем при фотораспаде газообразного аммиака образование метильных радикалов при фотораспаде молекул ацетона и диацетила, адсорбированных на распыленном слое висмута и др. Фотораспад с образованием устойчивых продуктов может быть установлен манометрическим методом. Одним из чувствительных методов обнаружения фотораспада молекул, адсорбированных на полупроводнике, является изменение поверхностной люминесценции или поверхностного фотоэффекта, возникающее в результате появления на поверхности активных продуктов распада. [c.245]

Здесь ф — работа выхода электронов из катода в электрон-вольтах. Граница фотоэффекта связана с чисто поверхностными явлениями и поэтому зависит [c.316]

Теории поверхностного фотоэффекта в дальнейшем были уточнены другими физиками. При этом были учтены оптические явления, имеющие место при переходе световых волн из окружающей [c.71]

Ограничиваясь рассмотрением однофотонного поверхностного фотоэффекта [73], чему соответствует первый порядок теории возмущений по электромагнитному взаимодействию, можно полагать, что I Л Р оо I р, где — матричный элемент перехода между начальным и конечным состояниями эмиттируемого электрона [c.50]

Чувствительность фотоэмиссионного тока к поляризации света. Особенностью фотоэлектронной эмиссии, отличающей ее от ряда других фотоэлектрохимических явлений, является чувствительность к поляризации света. Для того чтобы поглотивший квант света электрон покинул металл, он должен обладать не нулевым значением импульса в направлении, перпендикулярном границе раздела. Как уже отмечалось (см. 2.6), из закона сохранения импульса следует, что вызвать такой переход в модели поверхностного фотовозбуждения может лишь ж-компонента вектора электрического поля поглощение же волны, поляризованной в плоскости падения, не вызовет, если не происходит дополнительных взаимодействий, заметного внешнего фотоэффекта. Отсюда вытекает [формулы (2.48) и (2.51)], что фототок должен увеличиваться с ростом проекции электрического вектора на нормаль к поверхности металла / — 81п А, где Д — угол поляризации в плоскости падения (см. рис. 2.4). [c.80]

В теории разряда Таунсенда из всех возможных элементарных процессов выделения электронов из катода только этот процесс и учитывался. Введённый Таунсендом коэффициент поверхностной ионизации у, равный числу электронов, эмиттируемых катодом, приходящихся на каждый ударяющийся о катод положительный ион, принимали за количественную меру вторичной эмиссии под действием положительных ионов. В действительности дело обстоит несколько сложнее. Чтобы получить значение-коэффициента вторичной эмиссии электронов при ударах о катод положительных ионов, нельзя просто приравнивать этот коэффициент коэффициенту у, а надо ещё учитывать фотоэффект с катода под действием коротковолновых излучений, возникающих в разряде, и в известной мере также действие метастабильных атомов и быстрых нейтральных частиц. Поэтому имеющиеся па отнощению к коэффициенту вторичной эмиссии экспериментальные количественные данные должны рассматриваться как верхний предел и нередко относятся к суммарному коэффициенту Т-Но и надёжных измерений суммарного у очень мало, особенна если принять во внимание, что как у, так и действительный коэффициент вторичной эмиссии — назовём его уо — должны зависеть как от природы газа, так и от природы катода. [c.188]

Фоторазложение поверхностных комплексов с переносом заряда. Выше уже упоминалось о предположении Гейровского [19, 20, 228, 229], согласно которому фотоэффект в электрохимических системах обусловлен комплексами с переносом заряда (КПЗ), образованными поверхностью металлического электрода с молекулами растворителя или растворенного вещества и распадающимися под действием света. Как следует из материала книги, концепция фоторазложения КПЗ не описывает фотоэлектрохимических свойств широкого круга систем при потенциалах отрицательнее порога фотоэмиссии. Здесь определяющим элементом фотопроцесса является именно фотоэмиссия. Но при более положительных потенциалах, когда эмиссия энергетически невозможна, такое объяснение в некоторых случаях, видимо, справедливо возникаю-пще при освещении токи обычно имеют обратное направление (анодные фототоки). [c.150]

Фотоэлектронная спектроскопия основана на измерении кинетической энергии электронов, испускаемых атомами при облучении твердых тел ультрафиолетовыми или рентгеновскими лучами, т. е. вследствие фотоэффекта. Для достижения необходимой чувствительности и точности таких измерений требуется высокий вакуум (10- —10- ° мм рт. ст.), который создается в приборах специальной конструкции. Фотоэлектронный спектр представляет собой график зависимости числа детектируемых электронов от их кинетической энергии. Поскольку электроны в твердых телах имеют малую длину свободного пробега, получаемая из спектров информация относится к поверхностным слоям толщиной 1—10 нм. [c.220]

Причиной процессов поверхностной ионизации является эмиссия (испускание) электронов твёрдыми или жидкими телами под действием квантов радиации, падающих на тело (поверхностный или внешний фотоэффект), под действием высокой температуры (термоэлектронная эмиссия), сильного поля у поверхности тела (автоэлектронная эмиссия), ударов о поверхность тела ионов и электронов (вторичная эмиссия), возбуждённых и, наконец, нейтральных атомов. Процессы электронной эмиссии имеют и самостоятельное значение помимо явлений газового разряда, так как некоторые из них происходят и на границе между твёрдым телом и высоким вакуумом и обусловливают собой прохождение электрического тока через вакуум. [c.22]

Большую ясность в вопросе о том, какие же электроны могут быть вырваны светом из металла без нарушений закона сохранения импульса благодаря их связи с кристаллической решёткой металла, внесла теория Тамма [392]. Тамм отдельно рассматривает действие света на электроны, находящиеся в очень тонком слое у самой поверхности металла, где сосредоточено поле, вызывающее наличие потенциального барьера, и на электроны во внутренних областях металла, где электроны находятся в периодическом (в пространстве) поле ионов пространственной решётки. Эмиссию первых под действием света Тамм называет поверхностным фотоэффектом, эмиссию последних — внутренним фотоэффектом ). Данное Таммом решение задачи возмущения электронной волны светом приводит, к ещё более сложному выражению для СИЛЫ фототока с единицы поверхности металла, чем (137) и (138). Кривая спектральной характеристики обладает по Тамму селективным максимумом, и имеет место векториальный эффект. [c.159]

Здесь ф — работа выхода электронов из катода в электрон-вольтах. Граница фотоэффекта связана с чисто поверхностными явлениями и поэтому зависит от степени чистоты поверхности и даже в некоторой степени от характера ее обработки. Зависимостью ф от состояния поверхности широко пользуются для смещения в длинноволновую сторону красной границы фотоэффекта. С этой целью изготавливаются сложные фотокатоды, поверхность которых соответственным образом обработана покрыта тонким слоем интерметаллических соединений, окислов и т. п. [c.311]

Подъем кривой фотоэффекта в сторону коротких длин волн, как это изображено на рис. 9, б, обязан собственной фоточувствительности ZnO, превосходящей по величине сенсибилизованную. При возрастании концентрации адсорбированного красителя наблюдается расширение фотоэлектрической чувствительности в обе стороны и на максимуме кривой собственной фотоэлектрической чувствительности ZnO, лежащем у А=340—350 нм, появляется углубление, вызванное наложением сильной ультрафиолетовой полосы поглощения красителя, действующего как светофильтр. Этот факт приводит к двум следующим выводам 1) в ультрафиолетовой полосе поглощения красителя фотоэлектрическая чувствительность, если она существует, безусловно меньше, чем в максимуме ZnO 2) адсорбция красителя, даже при большой поверхностной концентрации, не изменяет сколько-нибудь существенно фотоэлектрической чувствительности ZnO, которая, очевидно, имеет глубинное происхождение. [c.188]

Проведенные нами исследования фотоэдс порошкообразной окиси цинка методом конденсатора в вакуумных условиях при комнатной температуре показали большую его чувствительность к присутствию посторонних паров и газов, что указывает на поверхностное протекание фотоэлектрических процессов, измеряемых этим методом. Окись цинка получалась а) сжиганием электролитически чистого металла на воздухе б) окислением при 700° С на воздухе тонких слоев цинка, полученных испарением в высоком вакууме в) разложением карбоната цинка при 350—650° С. Различия в способах изготовления не оказывали суш,ественного влияния. Освещение производилось в области собственного фотоэффекта ZnO линией 366 нм от ртутной кварцевой лампы СВД-250 или участком сплошного спектра криптоновой лампы, выделяемым кварцевым монохроматором. [c.199]

Предварительная адсорбция паров хинона на ZnO с последующим их вымораживанием, оставляющим лишь небольшую поверхностную концентрацию прочно сидящих молекул хинона, коренным образом устраняет спадание фотоэдс при непрерывном освещении (рис. 2). Очевидно, хинон избирательно отравляет каталитические и фотокаталитические активные центры окиси цинка, не ослабляя фотоэффекта. [c.203]

Усиливающее влияние адсорбированных молекул О2 и хинона, обладающих сродством к электрону, на поверхностный фотоэффект окиси цинка можно объяснить тем, что они действуют как поверхностные ловушки электронов, способствующие удлинению времени жизни фотоэлектронов в зоне проводимости. Усиливающее действие смесей паров воды с кислородом или этанола с кислородом на фотоэффект окиси цинка, по-видимому, сводится к тому, что адсорбция молекул воды или этанола блокирует энергетически более глубокие уровни прилипания на поверхности ZnO и тем самым создает возможность накопления электронов на менее глубоких кислородных уровнях. [c.203]

Приведенные результаты свидетельствуют о важной роли состояния поверхности для органических полупроводников. Несомненно, что поверхностные состояния играют важную роль в спектральной сенсибилизации фотоэффекта адсорбированными красителями, обнаруженной нами [18]. [c.235]

Обсуждаются различные теории механизма сенсибилизации внутреннего фотоэффекта в полупроводниках адсорбированными красителями. Приводимые собственные экспериментальные данные подтверждают, что энергия возбуждения передается от молекулы красителя электронам на поверхностных ловушках полупроводника, а не электрон отдается возбужденной молекулой красителя зоне проводимости полупроводника. [c.239]

Явления отщепления и переноса электрона в органических соединениях, в частности красителях, были включены в сферу интересов ГОИ с 1938 г., когда А. Т. Вартанян приступил к опытам по фотоэлектрической проводимости осажденных пленок органических красителей и по влиянию паров и газов на их проводимость [29]. В 1954 г. Вартанян на обширном круге объектов показал легкость отщепления электрона в такой агрегированной фазе пигмента под действием кванта видимого света, в то время как отрыв электрона от газообразной или растворенной молекулы потребовал бы кванта света, в 3—4 раза большего. Граница внешнего фотоэффекта с таких пленок также лежит в ультрафиолетовой области. Поверхностная природа фотопроводимости, а также темновой электропроводности некоторых красителей следует из резкого влияния газов, в особенности таких, молекулы которых способны захватывать электрон [29]. [c.387]

Единственное наблюдение, которое может быть интерпретировано как повышенная адсорбируемость газа на электронном полупроводнике, освещаемом заведомо в спектральной зоне его фотоэффекта, относится к области исследований внешнего фотоэффекта со слоев щелочных металлов, обработанных (сенсибилизованных) парами иода [21], т. е. несущих поверхностный слой иодистого калия, содержащий из-за наличия избытка калия так называемые центры окрашивания , ответственные за внутренний фотоэффект KI. А. К. Вишневским в 1943 г. было показано, что при освещении такого слоя длинноволновым светом, попадающим в спектральную область поглощения центров окрашивания KI (аналогично для ВЫ), происходит падение фототока, вызываемого коротковолновым светом от фотокатода, расположенного в том же [c.385]

Мягкие рентгеновские лучи (до 100, кэВ) поглощаются в поверхностных слоях ткани за счет фотоэффекта. Длина пробега фотоэлектронов не превышает 2 мм, поэтому биологически существенный эффект, связанный с ионизацией атомов и молекул, возникает /вблизи места поглощения падающего кванта. Пространственное распределение ионов определяется энергией выбитых фотоэлектронов. Так, фотоны мягкого рентгеновского излучения с энергией 10 кэВ (это соответствует 1=10 нм) передают фото- [c.39]

С этой точки зрения имеют значение результаты ранних измерений, проведенных Д. Б. Тейлором и И. Ленгмюром [56] с атомами цезия и К. К. Л. Босвортом [57] с атомами калия ими получены интересные данные, связанные с рассматриваемыми явлениями. В их опытах исходная проволока покрывалась пленкой атомов заданной плотности только на определенном отрезке по ее длине. При соответственно подобранных температурах, когда испарение еще пренебрежимо мало, происходит распространение атомов вдоль первоначально свободных от них частей проволоки. Для измерения поверхностной плотности были развиты различные достаточно надежные методы, основанные на применении термоионной эмиссии или фотоэффекта, не рассматриваемые здесь подробнее. На основе этих измерений упомянутые авторы вычислили коэффициент диффузии. Они пришли к одинаковому заключению о том, что коэффициент диффузии сильно возрастает вместе с плотностью атомного слоя. По этому поводу следует сделать принципиальное замечание о том, что коэффициент диффузии имеет ясный теоретический смысл только в области применимости закона диффузии Фика, т. е. в рассматрива- [c.59]

Наряду с описанными выше методами ДМЭ и РФЭС к современным методам исследования принадлежат метод дифракции отраженных электронов высокой энергии (ДОЭВЭ) и оже-спектроскопия. Оже-электроны, обнаруживаемые в спектре вторичных электронов, возникают в результате внутреннего фотоэффекта — освобождения электрона из энергетически более высоко лежащей оболочки после безызлучательного электронного перехода в том же атоме, возбужденном полученной энергией. Энергия оже-электронов характеризует данный элемент. Из наружных участков твердого тела эмитируются электроны только первых двух или трех атомных слоев. Состав поверхностного слоя твердого тела и виды связи на его поверхности определяют, как и для описанных в разд. 3.3,7 спектров РФЭС, по положению пика в энергетическом спектре, изменению этого положения (химическому сдвигу) и по плрщади пика. [c.42]

Поверхностные состояния играют важную роль в физике полупроводников. Предположение о наличии на поверхности полупроводника большой концентрации поверхностных состояний позволило Бардину [2] объяснить чрезвычайно интересный опытный факт независимости работы выхода полупроводника от положения уровня Ферми в его объеме. В случае германия или кремния именно эти состояния (расположенные, по-видимому, на поверхности окисной пленки) ответетвенны за явления медленной релаксации, наблюдаемые в опытах по эффекту поля [3 по измерению проводимости канала а п-р-п (или р-п-р) переходе [4] и в опытах по поверхностному фотоэффекту. [c.146]

Относительные концентрации электронов и дырок в окисле можно изменить путем облучения в области основного поглощения твердого тела. Используя зонную схему, можно представить, что поглощенный квант возбуждает электрон валентной зоны, который перескакивает через запрещенный участок, отделяющий ее от зоны проводимости наличие свободного электрона в зоне проводимости и дырки, свободно передвигающейся в валентной зоне, проявляется в случае приложения электрического поля как фотопроводимость. Если электрон и дырка образуют возбужденное состояние, оставаясь связанными вместе в виде экситона, то фотопроводимости не наблюдается, пока какое-нибудь дополнительное воздействие не приведет к диссоциации экситона. Поскольку электроны и дырки возникают в результате поглощения света или у-лучей, то можно ожидать — при условии правильности идей о роли электронов и дырок как реагентов при адсорбции и катализе, — что облучение будет стимулировать фотоадсорбцию , фотодесорбцию и фотокатализ точно так же, как оно вызывает фотопроводимость. Ввиду того что после прекращения возбуждающего облучения фотопроводимость очень быстро исчезает из-за рекомбинации электронов и дырок, можно полагать, что фотоадсорбция и родственные явления будут наблюдаться только в процессе облучения. Донорные или акцепторные центры в окисле, обусловленные, например, несте-хиометричностью, должны играть важную роль в определении природы и величины поверхностных фотоэффектов вследствие их способности избирательно захватывать электроны или дырки, а также из-за того, что вызываемое ими нарушение периодичности решетки может привести к поглощению за пределами области основного поглощения. [c.353]

У диэлектриков с большой шириной запрещенной зоны при облучении ультрафиолетовыми лучами возможно возбуждение электронов локальных поверхностных состояний, приводящее к фотосорбции водорода и, особенно, кислорода, которые взаимодействуют на поверхности катализатора с образованием воды. Фотокатали-тическое окисление водорода при облучении ультрафиолетовым светом X < 260 нм) наблюдается, в частности, на окиси магния [189]. Каталитическая активность наблюдается и некоторое время после прекращения облучения (эффект па-мяти ) и связывается с возникнове- нием при УФ-облучении так называ- емых S-центров, на которых и про-исходит фотосорбцня кислорода, об- ладающего в этом состоянии (судя поданным изотопного обмена) высо- -кой химической активностью. Гид- 5-Ю ратация поверхности увеличивает фотоэффект, стабилизируя S-центры и повышая их концентрацию. В связи с этим в работе [189] высказывается предположение, что фотокаталитиче- ская активность MgO может быть связана и с фотодиссоциацией по- верхностных гидроксильных групп. [c.237]

К новым применениям спектроскопии в проблеме катализа следует отнести использование спектра внешнего фотоэлектрического эффекта в поверхности окисных катализаторов под действием короткого ультрафиолетового излучения. Принцип этого метода, осуществленного аспирантом Вилесовым в ЛГУ, заключается в том, что при помощи ионизационного счетчика измеряется ничтожная по своей величине (10 А) фотоэмиссия с поверхности полупроводникового катализатора, вызываемая освещением ультрафиолетовым светом в области длин волн короче 2500 А. Длинноволновый порог фотоэффекта, а следовательно, работа выхода электрона с очищенной от газов поверхности может быть определена с точностью, превышающей 0,1 эв. После адсорбции на полупроводнике газов, примешанных к основному газу счетчика (аргон), порог фотоэффекта испытывает значительные перемещения в сторону больших или меньших частот, свидетельствующие об изменении работы выхода. Как и для хорошо изученного внешнего фотоэффекта с металлов, это явление вызвано поляризацией или ионизацией адсорбированных газовых молекул, причем поляризация или ионизация с направлением поверхностного электрического поля, благоприятствующим выходу электрона, снижает работу выхода и наоборот. [c.221]

Относительно недавно появился еще один физический метод анализа — электронная спектроскопия для химического анализа (ЭСХА), которую называют также рентгеноэлектронной спектроскопией. В основе метода — явление рентгеновского фотоэффекта, метод пригоден для изучения твердых, в частности органических, веществ. Эффективный слой твердого вещества для выхода фотоэлектронов составляет приблизительно 10 нм, поэтому рентге-ноэлектронная спектроскопия перспективна для изучения состава поверхностных слоев и пленок. Важно только, чтобы вещество не разлагалось под действием рентгеновских лучей или вакуума, исследуемая поверхность должна быть чистой. Относительная ошибка определения может быть доведена до 1—2%, определять можно все элементы, кроме водорода. К сожалению, точные аналитические характеристики метода не вполне установлены. В СССР первые работы по ЭСХА начались в Институте общей и неорганической химии АН СССР (В. И. Нефедов). Приборы для анализа и исследования вещества этим методом выпускают несколько зарубежных фирм — Вариан (США, Швейцария), Хьюлет-Паккард (США), Вакуум Дженерейторс (Англия). [c.74]

В так называемом малосигнальном варианте метода поверхностный потенциал вычисляют из измеряемой фото-э.д.с. с использованием теории пространственного заряда. Для той же цели можно использовать прямой метод — фотоэффект на больших сигналах. При введении в образец неравновесных [c.7]

Одним из наиболее ранних и наиболее широко используемых методов анализа поверхности является оценка хемосорбционной емкости адсорбента. Трепнел [19] показал, что количество водорода, хемосорбированного при температуре жидкого воздуха, представляется вполне удовлетворительным критерием оценки стенени чистоты поверхностей ряда металлов. Робертс и Сайкс [20] использовали, но существу, тот же самый критерий для оценки чистоты поверхности порошка никеля. В другом методе, позволяющем обнаруживать поверхностные загрязнения, составляющие незначительные доли монослоя поверхности, используется дифракция медленных электронов [21—24]. Ряд методов основан на изучении автоэлектронной эмиссии или ионизации иод действием электрического поля таких газов, как гелий [25, 26], фотоэффекта [27], работы выхода вторичных электронов [28], работы выхода электронов Оже [29]. Кроме того, изучение самой каталитичес1 ой активности твердого тела может служить для оценки степени чистоты его поверхности. При ознакомлении с дальнейшими разделами книги для пас будет все более очевидным, что каталитические свойства пленок, полученных испарением металлов, зависят от чистоты их поверхности. Робертс показал [30, 31], что низкотемпературное каталитическое разложение этана на пленках из родия и иридия в значительной стенени ингибируется в присутствии адсорбированного кислорода или окиси углерода. [c.69]

Заметная фоточувствительность обнаружена у некоторых металлпч. электродов, свободных от поверхностных окислов и других химич. соединений полупроводникового характера, когда кванты света поглощаются поверхностными атомами металла к явлениям этого типа относится ускорение под действием света процесса выделения водорода на металлах. В простейшем случае фотоэффект рассматривается как эмиссия электронов пз металла в р-р, к-рая наступает прп пороговой частоте v [c.280]

Внешний фотоэффект имеет место как с поверхности чистых металлов или покрывающих такую поверхность тонких плёнок, так и при более сложном строении поверхностного слоя тела, эмитт ирующего фотоэлектроны. В дальнейшем мы будем называть всякое эмиттирующее фотоэлектроны тело, безразлично, будет ли это чистый металл или нет, — катодом, самое явление внешнего фотоэффекта мы будем сокращённо называть просто фотоэффектом. [c.130]

Согласно Дебуру фотоэффект со сложных катодов обусловливается не выходом из катода электронов проводимости, поглотивших энергию светового кванта, а фотоионизацией атомов цезия, адсорбированных на сравнительно толстом слое окиси цезия. Положение границы фотоэффекта и чувствительность сложного фотокатода зависят от строения поверхности слоя окисла, от числа имеющихся на поверхности активных точек и от напряжённости молекулярного поля в этих точках. Толщина, строение и другие свойства слоя окисла, промежуточного между серебряной подкладкой катода и эмиттирующим фотоэлектроны тонким поверхностным слоем цезия, оказываются тоже не безразличными для хода кривой спектральной характеристики катода. Электроны, эмиттируемые при фотоионизации адсорбированных атомов цезия, возмещаются за счёт электронов, приходящих из серебряной подкладки через промежуточный слой окисла. Поэтому на чувствительность [c.167]

Спектральная характеристика кислородно-цезиевого катода имеет два максимума — один в области малых частот около 4000 А, другой в области больших частот в начале инфракрасной области спектра. Сравнение спектральных характеристик сложных катодов, у которых подкладкой во всех случаях служило серебро, а щелочные металлы (восстанавливающие в процессе формирования катода окись серебра и образующие адсорбированный внешний слой) были различны, показало, что максимум спектральной характеристики в коротковолновой области спектра приходится у всех этих катодов на одну и ту же длину волны, тогда как граница фотоэффекта и положение максимума в длинноволновой области различны для различных щелочных металлов (рис. 75). Отсюда Дебур делает заключение, что максимум в коротковолновой области обязан своим происхождением вкрапленным в промежуточный слой частицам серебра, а максимум в длинноволновой части обусловливается фотоэмиссией из поверхностной плёнки щелочного металла (см. также [461]). [c.168]

По теории Дебура процессы утомления и восстановления объясняются так. При фотоэффекте часть атомов поверхностной плёнки цезия превращается в ионы. При непрерывном освещении и сравнительно плохо проводящем промежуточном слое нейтрализация этих ионов электронами, проходящими к ним через слой окиси, задерживается число атомов цезия с малым ионизационным потенциалом в поверхностном слое уменьшается. Вызванная этим эффектом доля утомления исчезает после прекращения освещения, так как при отсутствии дальнейшей ионизации все наличные в поверхностном слое ионы нейтрализуются. С другой стороны, электрическое поле, возникающее в промежуточном слое между положительными ионами в поверхностной плёнке и отрицательно заряженной серебряной подкладкой, втягивает часть положительных ионов внутрь слоя. Положительный ион цезия, втянутый в промежуточный слой, рано или поздно нейтрализуется одним из электронов, двигающихся ему навстречу. Образовавшийся при этом нейтральный атом может вернуться в поверхностный слой лишь путём диффузии, что далеко не для всех атомов имеет место отсюда — необратимая доля утомления. [c.170]

Сперва мы предполагали провести опыты по образцу опытов Гуддена, Поля и Гильша, т. е. на хорошо образованных монокристаллах. Однако из органических красителей такие кристаллы приготовить трудно и, кроме того, они должны были бы иметь весьма малые размеры, чтобы удовлетворять нашим целям. В противном случае высокий коэффициент поглощения красителей позволил бы наблюдать только поверхностный фотоэффект. Работа с такими мелкими кристаллами весьма затруднительна, и [c.237]

Термическая энергия активации фотопроводимости ТИ в области длинноволнового хвоста практически одна и та же с сенсибилизатором и без него. Необходимость поверхностных электронных ловушек для сенсибилизации Agi продемонстрирована суш,ественным увеличением ее эффективности ири засвечивании полупроводника, ведущим к образованию молекул иода на поверхности. Восстановленная форма красителя (гематопорфирин) обладает значительно меньшей аффективностью сенсибилизировать фотоэффект в ZnO, чем основная форма красителя. Красители в протони-зированной и депротонизированнои форме на поверхности T1I и ZnO не меняют эффективности сенсибилизации. Эти и другие опыты дискутируются на основании двух гипотез передача электрона или энергии от сенсибилизатора полупроводнику. [c.251]

В качестве одного из чувствительных методов обнаружения фотораспада молекул, адсорбированных на полупроводнике, мы использовали также изменения поверхностной люминесценции или поверхностного фотоэффекта, возникающие в результате появления на поверхности активных продуктов распада, обладающих, например, большим электронным сродством. Нами были описаны опыты по тушению поверхностной, возбуждаемой длинноволновым ультрафиолетом люминесценции AljOg и ZnO атомами иода, возникающими на поверхности при фотораспаде адсорбированных молекул H3I, диссоциируемых короткими ультрафиолетовыми излучениями [25]. [c.391]

Энергия электрона в твердом теле определяется суммой потенпиальной и кинетической энергий.Электрон может выйти из металла в вакуум, если преодолеет поверхностный потенпиальный барьер, высота которого называется работой выхода Ф. Способствовать преодолению этого барьера может тепловое движение термоэлектронная эмиссия) или поглощение фотона с достаточно больщой энергией внешний фотоэффект или фотоэмиссия). [c.184]

Мне это представление кажется очень натянутым. Вряд ли здесь найден хороший выход для понимания активированной адсорбции. Даже в том случае, когда свет может вырвать один электрон из металла при внешнем фотоэффекте, это все же не создаст свободной валентности у металла. Тогда у всего металла остается лишь положительный заряд. При появлении неспаренных электронов на поверхности, мы должны были бы обнаружить появление поверхностного фотопарамагнетизма. Мне кажется, необходима постановка соответствующих опытов, которые более перспективны не для металлов, а для полупроводников. [c.76]