Кривые упругости паров элементов

Рис. 13.136. Кривые упругости паров элементов [13.4],

Для элементов с высокой упругостью паров, поступление атомов и их потеря происходит, очевидно, примерно с одинаковой скоростью, поэтому имеет место относительно равномерное распределение. Для элементов с пониженной летучестью диффузия атомов происходит быстрее, чем их испарение из пробы, в результате чего на кривой получается более резкий спад к открытому концу. При уменьшении отверстия в передней части происходит замедление диффузии и кривые распределения соответственно выпрямляются (рис. 9 6). [c.253]

Температура наиболее холодной части кюветы должна определяться с максимально возможной точностью. Упругость насыщенных паров зависит от температуры экспоненциально и недостаточно точное измерение может привести к большим погрешностям в определении концентрации атомов. Кривые упругости насыщенных паров элементов приведены на рис. 13.15а— 13.15в ). [c.343]

Хотя микроскопические методы определения температуры перехода являются лучшими для температур от —100 до 240°, возможны и другие способы обнаружения превращений. Например, можно использовать дилатометрию для определения изменения плотности при фазовом переходе, рентгенографию, которая может указать на изменение фазового состава при превращениях, и, конечно, могут быть использованы кривые растворимости и упругости пара двух модификаций для нахождения температуры перехода по точке пересечения кривых. В некоторых случаях, например при изучении металлов, могут быть использованы специальные методы. Если две различные модификации применить в гальваническом элементе в качестве электродов, можно обнаружить измеримую э. д. с. при всех температурах, кроме температуры перехода. [c.440]

В термосистему с паровым заполнением вводится насыщенный пар заполнителя (чаще всего одного из хладонов) при определенной температуре термобаллона, называемой предельной Работоспособность термосистемы обеспечивается при температурах ниже предельной, когда в ней конденсируется жидкость, и пар находится в насыщенном состоянии. Предельную температуру <пр выбирают так, чтобы она была выше наибольшей температуры пара. На оис. 103 (кривая 1) показан вид зависимости давления рт в термосистеме от температуры t термобаллона. Температуры ниже 1 р соответствуют области насыщенного пара, а температуры выше tпp — области перегретого пара. Преимуществами системы с паровым заполнением являются сравнительно малые размеры термобаллона, малая инерционность и ограничение давления в области высоких температур, что снижает требования к прочности упругого чувствительного элемента (сильфона или мембраны). [c.190]

Изменение потенциала меди при деформации в упругой области, по-видимому связано с микроскопическими разрывами поверхностной пленки, что приводит к образованию многочисленных пар локальных элементов металл—пленка [86]. На ходе кривых в области пластической деформации также сказывается осложняющее действие пленок, как это видно из сопоставления величин механохимического эффекта при различных скоростях деформации, обусловливающих различное время залечивания пленок. [c.94]

Парожидкостная термосистема характеризуется увеличенным объемом термобаллона, составляющим не менее V2 объема термосистемы. При этом в нее вводится жидкость, занимающая примерно /3 объема термобаллона. Такой способ заполнения обеспечивает работу термосистемы при любых соотношениях температур термобаллона и других частей. Во всех случаях граница раздела жидкость — пар находится в термобаллоне и, следовательно, давление в системе определяется температурой термобаллона. Основной недостаток этой термосистемы — повышенные требования к прочности упругого элемента, так как давление растет с температурой практически неограниченно (см. пунктирный участок кривой I на рис. 111, в). [c.175]

Раствор детергента в углеводородном растворителе, содерл а-щий растворенную воду, точно так же представляет собой двухфазную систему из трех компонентов. На основании пр авила фаз можно предвидеть, что три из четырех переменных будут независимы, а именно упругость пара, температура и концентрация двух из трех комнонентов. Когда концентрация детергента и температура будут найдены, то тогда может быть определена, на основании концентрации воды, упругость пара. Таким образом, в данном случае имеется возможность построения характерных для системы кривых упругости пара. Эта возможность реализована сотрудниками государственного института химической чистки Фултоном и его коллегами (см. ссылки 25 и 154). Для определения относительной упругости водяного пара в растворах они пользовались электрическим гигрометром (см. ссылку 155). Раствор детергента, содержащийся в растворителе стоддард , они помещали в бутыль, снабженную тремя горлышками и полой мешалкой. Через последнюю они пропускали воздух, который проходил через раствор, после чего он выходил из бутыли, а вслед за. этим проходил через чувствительный элемент и, наконец, возвращался в мешалку. Следовательно, последняя действовала в качестве насоса для создания циркуляции воздуха. Для определения концентрации воды они пользовались несколько измененным способом Карла Фишера (см. ссылку 136). [c.179]

Такой вид кривых, кроме различий в условиях возбуждения, при разных давлениях может быть объяснен еще изменениями в характере испарения примесей в разряд ниже будет показано, что при увеличении давления происходит перераспределение температуры по глубине полости, и в частности, охлаждение ее дна, где была расположена проба. Снижение температуры пробы естественно приводит к замедлению испарения примрсей в разряд указанное обстоятельство больше сказывается на элементах с пониженной упругостью пара. [c.113]

Строение диаграммы состояния однокомпонентной системы удобно рассмотреть на конкретном примере (рис. 58). Основными элементами диаграммы состояния однокомпонентной системы служат линии моновариантных равновесий АО, ОС и ОБ, изображающие графически зависимость упругости пара над твердой, жидкой фазой и смесью твердой и жидкой фаз соответственно в зависимости от температуры. Моновариантные кривые разбивают диаграмму состояния на поля, а при пересечении друг с другом дают тройную точку О. [c.197]

Для фотонного И.И. имеют место упругое рассеяние (классич. рассеяЕше) и неупругие процессы, основные из к-рых - фотоэффект, эффект Комптона и образование пар электрон-позитрон. При фотоэффекте фотон поглощается атомом среды с испусканием электрона, причем энергия фотона за вычетом энергии связи электрона в атоме передается освобожденному электрону. Вероятность фотоэффекта с /С-оболочки атома пропорциональна 2 (2-ат, номер элемента) и быстро убывает с ростом энергии фотона (кривая 1 на рис. 1). В случае эффекта Комптона происходит рассеяние фотона на одном из атомных электронов при этом уменьшается энергия фотона, изменяется направление его движения и происходит ионизация атомов среды. Вероятность комптоиовского рассеяния пропорциональна г и зависит от энергии фотонов (кривые 2 и 3 на рис. 1). При энергии фотона выше 1,022 МэВ вблизи ядра становится возможным образование пар электрон-позитрон. Вероятность этого процесса пропорциональна 2 и увеличивается с ростом энергии фотона (кривая 4 иа рис. 1). При энергии фотона до 0,1 МэВ преобладает классич. рассеяние и фотоэффект, при энергии от 0,1 до 10 МэВ-эффект Комптона, при энергии выше 20 МэВ-образование пар. [c.254]