Таллия халькогениды

Халькогениды ЭгХ известны для галлия и индия. Энтальпии образования соединений закономерно уменьшаются в направлении от сульфидов к селенидам. Для таллия известен только сульфид Т Зз, который может быть получен сухим [c.342]

Книга знакомит с химическими и полупроводниковыми свойствами соединений элементов III Б подгруппы периодической системы Д.И.Менделеева с халькогенами серой, селеном и теллуром.Рассмотрены методы синтеза, выращивания монокристаллов, основные полупроводниковые свойства двойных халькогенидов бора, алюминия, галлия, индия и таллия, закономерности образования халькогенидов этих элементов и изменение свойств в рядах соединений-аналогов. [c.4]

Книга состоит из шести глав. В первых пяти главах рассматриваются химические свойства двойных сульфидов, селенидов и теллуридов бора, алюминия, галлия, индия и таллия, методы их синтеза, выращивания монокристаллов и дается обзор физических свойств соединений. В главах, посвященных соединениям бора и алюминия, описаны тройные соединения на основе халькогенидов этих элементов в связи с возможностью получения веществ, более устойчивых на воздухе, чем двойные халькогениды бора и алюминия. Тройные соединения других элементов П1[Б подгруппы не рассматриваются. % t J [c.5]

Глава V ХАЛЬКОГЕНИДЫ ТАЛЛИЯ [c.147]

Соединения устойчивы на воздухе, однако изучены они недостаточно особенно мало работ по сульфидам таллия. Физические свойства халькогенидов таллия скорее нолу-металлические, чем полупроводниковые. [c.147]

П. П. Шевчук. Исследование электрохимических и электрофизических свойств расплавов халькогенидов галлия, индия и таллия. Автореферат диссертации, Киев, 1970. [c.232]

В табл. 19 приведены некоторые свойства халькогенидов таллия. [c.166]

Все халькогениды галлия, индия и таллия обладают полупроводниковыми свойствами. Их устойчивость падает в ряду Ga- Tl (табл. 1.21). Из халькогенидов Т1 (III) получен только Т12Тез. Исследование системы Т1—Se показало, что TbSes может существовать лишь в узком температурном интервале (192—274° С). [c.176]

Металлохимия. Кристаллохимнческое строение всех трех металлов различно. Галлий имеет орторомбическую решетку, индий — тетрагональную, а таллий обладает диморфизмом ос-модификация ГПУ и р-форма ОЦК. Ни один из обсуждаемых металлов не образует непрерывных твердых растворов с другими элементами Системы. Между собой галлий с таллием дают расслоение в жидком состоянии, галлий с индием — ограниченные твердые растворы со стороны индия с эвтектикой, а индий с таллием — ограниченные твердые растворы с перитектикой. Из-за низких температур плавления области гамогениости со стороны металлов подгруппы галлия очень малы. Кроме того, со многими металлами они образуют широкие области расслоения в жидком состоянии, особенно таллий. Металлидов они образуют такл е сравнительно немного главным образом с щелочными, щелочно-земельными и некоторыми переходными металлами. Интересно отметить, что в случае галлия и индия моно-халькогеииды на диаграммах состояния представлены более высокими дистектическими точками по сравнению с халькогенидами этих [c.166]

Ферроцианиды. Нормальный ферроцианид Т14[Ре(СМ)в]- 2НгО мало растворим в воде. Может быть осажден из растворов солей таллия (I) действием ферроцианнда калия. Еще менее растворимы двойные ферроцианиды с тяжелыми металлами, например Tl2 u,4[Fe( N)e]2[56]. Таллий (III) восстанавливается ионами [Fe( N)el Халькогениды. Халькогениды таллия сильно отличаются по свойствам от халькогенидов галлия и индия. Это сравнительно легкоплавкие соединения. Большей устойчивостью отличаются соединения низшей валентности. Из полуторных халькогенидов устойчив при нормальных условиях только теллурид, а TI2S3, возможно, вообще не [c.334]

Относительно свойств окислов, сульфидов и других халькогенидов галлия, индия-и таллия, и особенно относительно их структуры, имеются вполне определенные сведения благодаря новейшим исследованиям. Для этих металлов известны халькогениды состава М2Х, МХ и М2Х3. Халькогениды состава М2Х (т. е. халькогениды одновалентно- [c.406]

Свойства халькогенидов таллия сильно отличаются от свойств халькогенидов галлия и индия. Это низкоплавкие соединения, с больпюй устойчивостью фаз в случае одновалентного таллия. В системе T1—S не существует сульфида состава TJ2S3 [1, 2]. Диаграммы состояния системы таллий — халькоген с большей или меньшей достоверностью известны для всех трех систем [3]. [c.147]

Рассмотрение диаграмм состояния систем элементов-аналогов показывает как общие черты характера химического взаимодейств11Я в системах А —В 1, так и их различие при переходе от легких элементов к тян елым, т. е. от бора к таллию и от серы к теллуру. Двойные системы В — S и В — Se не исследованы, а соединения бора с теллуром до сих нор никто не получргл. Сульфидные системы алюминия, галлия и индия изучены лишь в пределах кон-центраци11 О—60 ат.% S, так как изучение составов с большим ее содержанием представляет значительные трудности из-за высокого давления пара серы при температурах синтеза. Давления паров селена и теллура при температурах синтеза селенидов и теллуридов элементов III Б подгруппы невысоки, что позволило осуществить синтез всех соединений этих халькогенидов методами, применяемыми для получения неорганических полупроводниковых веществ, содержащих легколетучие компоненты. [c.170]

В обзорных статьях [35, 36] о свойствах соединений тина А" В приведены резу.тьтаты экспериментальных исследовани физических свойств халькогенидов галлия, селенида индия и селенида таллия, которые связываются с кристаллической структурой этих веществ. Свойства TlSe отличаются от свойств соединений со структурой GaS низкими значениями электросопротивления и ширины запрещенной зоны, наличием эффекта фононного рассея ния. [c.160]

Смотреть страницы где упоминается термин Таллия халькогениды: [c.72] [c.161] [c.335] [c.275] [c.227] [c.448] [c.591] [c.404] [c.407] [c.407] [c.160] [c.167] [c.197] [c.207] [c.209] [c.210] [c.335] [c.335] [c.167] [c.197] [c.207] [c.209] [c.210]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология