Халькогениды других металлов

Сульфид серебра для электродов с твердой мембраной представляет собой универсальное вещество. С одной стороны, он явился основой одного из первых гомогенных кристаллических электродов с высокой селективностью по отношению к ионам Ag+ и S , с другой — оказался превосходной матрицей для поликристаллических галогенидов серебра и многих сульфидов (халькогенидов) двузарядных металлов. В качестве приближенной меры коэффициента влияния твердых ИСЭ с мембраной из труднорастворимых солей принимают отношение произведений растворимости. Например, для иодидного электрода с мембраной, содержащей Agi, коэффициент влияния находящихся в растворе ионов А (С1 , Вг- и др.) равен [c.531]

Для образования электропроводных подслоев на пластмассах гораздо легче использовать другие полупроводниковые слои. Например, очень легко можно образовать слои из сульфидов меди, свинца и других металлов как путем осаждения их из растворов, так и путем насыщения поверхности пластмасс. серой или сульфидами щелочных металлов и после этого обрабатывать их растворами солей металлов, образующих нерастворимые сульфиды. Аналогичным образом можно образовать и другие халькогениды или фосфиды. Однако такие слои полупроводников не всегда обладают достаточной электропроводностью или не всегда достаточно прочно связаны с поверхностью пластмасс. [c.56]

Сульфиды молибдена, как и халькогениды других переходных металлов, перспективны для преобразования тепловой энергии в электрическую, так как обладают хорошими термоэлектрическими характеристиками. [c.157]

Некоторые пространственно-разделенные аддукты были синтезированы в Ленинградском технологическом институте методом деструкционно-эпитаксиального осаждения (ДЭП, см. гл. XV), исходя из силикагеля, а также ряда других гидроксидов и халькогенидов металлов. В частности, были получены аддукты основной поликремниевой соли меди с гидросиликатом меди, состав которых выражается общей формулой [c.47]

Остов металлов. В металлах остов образуют катионы, которые, так же как анионы в структуре гало генидов, оксидов, халькогенидов и многих других соединений, связаны друг с другом квантовомеханическим электронным обменным взаимодействием. Именно поэтому щелочные металлы имеют не плотнейшую упаковку с координационным числом 12, чего следовало бы ожидать при чисто электростатическом взаимодействии, а более рыхлую (рис. 19). [c.78]

Как и в предыдущем случае, энергии всех ионов, стабилизируемых в кристаллическом поле, лежат выше кривой, проведенной через значения энергии ионов с нулевой ЭСПЛ. Аналогичной зависимости подчиняются энергии решетки других галогенидов и халькогенидов двух- и трехзарядных ионов металлов. [c.80]

Халькогениды других металлов. Ниже вкратце рассмотрим полупроводниковые халькогениды других металлов Периодической системы. В 1941 г. в Академии наук УССР был создан фотоэлемент из Ag2S. В настоящее время фотоэлемент из сульфида серебра (ФЭСС) широко применяется в науке и технике. [c.203]

В последней гра( )е табл. 53 приведены халькогениды щелочных металлов, структуры которых обычно называют анти-флюоритными , так как роль фтора в Сар2 здесь играют металлы, а роль кальция-халькогены. Перечисленные примеры не являются единственными случаями антиструктур -в других структурных типах также встречаются подобные ситуации. Так, из соединений типа АВ2 можно привести примеры-Л2 О и 7128, которые кристаллизуются в антиструктуре СёТг. Однако относительное количество антиструктур в структурном типе флюорита является уникально большим. [c.76]

Из других халькогенидов одновалентных металлов интерес представляет сульфид меди ujS, который обладает дырочной проводимостью и используется для изготовления выпрямителей. Хорошая проводимость uaS позволяет получать плотность тока 5— 10 а см вместо 0,05 — 0,1 а/см в селеновых и меднозакисных выпрямителях. Недостатком выпрямителей из ugS считается небольшой к. п. д. [c.204]

Тонкие слои металла, полученные вакуумной или химической металлизацией, часто используют в качестве электропроводного слоя, на который затем гальваническим способом наносят толстый слой металла. Современная гальванотехника обладает широким выбором различных металлопокрытий, налаженной технологией и готовыми наборами относительно дешевого оборудования. Поэтому металлизацию пластмасс стараются свести к гальваническому способу, создавая различным путем электропроводную поверхность пластмассовых изделий. Способов получения неметаллических электропроводных слоев известно довольно много нанесение электропроводных лаков, осаждение электропроводных слоев фосфидов, халькогенидов, оксидов физическими и химическими методами или образование электропроводной поверхности прямо в электролите осажденного металла путем электрохимического восстановления оксидов цинка, кадмия, индня и других металлов в приповерхностном слое пластхмасс. Применяемые методы образования электропроводных слоев должны обеспечивать прочную связь металла с пластмассой, чем они в принципе отличаются от методов образования (сообщения) поверхностной электропроводности на диэлектриках, используемых в гальванопластике. [c.5]

Относительно свойств окислов, сульфидов и других халькогенидов галлия, индия и таллия, и особенно относительно их структуры, имеются вполне определенные сведения благодаря новейшим исследованиям. Для этих металлов известны халькогениды состава МаХ, МХ и М2Х3. Халькогениды состава МгХ (т. е. халькогениды одновалентного металла) в твердом состоянии с полной достоверностью известны только для таллия. Ранее предполагавшееся существование ГпгО и InaS поставлено под сомнение новейшими исследованиями. Также сомнительно существование в твердом состоянии халькогенидов одновалентного галлия. [c.364]

Делались попытки использовать в качестве фотоанодов халькогениды других (кроме d) металлов, например, ZnS, BijSj, а также dInSe4, но без особого успеха [2, гл. 13]. [c.142]

Остов оксидов металлов. Обменное взаимодействие анионов играет структуроформирующую роль не только в строении гало-генидов, но и многих других неорганических веществ. Это относится, например, к таким важным классам вещества, как твердые оксиды, сульфиды, вообще халькогениды, а также силикаты, алюмосиликаты и др. Остов оксидов образуется благодаря обменному взаимодействию оксоионов. При этом он определяет тип их структуры, природу соединений. Это видно на примере довольно странных на первый взгляд соединений вроде СаТ10з —не то солей, не то оксидов. В составе соединений такого рода находится два (или больше) вида катионов, размещающихся в соответствии с их размерами в октаэдрических или тетраэдрических пустотах кислород- [c.75]

Исследованиями ученых многих стран установлено, что к соединениям переменного состава относятся не только оксиды, но н субоксиды, халькогениды, силициды, бориды, фосфиды, нитриды, многие другие еорганические вещества, а также органические высокомолекулярные соединения. Во всех случаях, когда сложное вещество имеет молекулярную структуру, оно представляет собой соединение постоянного состава с целочисленными стехиометриче-скими индексами. Некоторые ионные кристаллы и даже атомные кристаллы и металлы могут также подчиняться законам стехиометрии. Но в случае немолекулярных кристаллов, как отмечает Б. Ф. Ормонт, уже не молекула, а фаза т. е. коллектив из Л/о (числа Авогадро) атомов, определяет свойства кристаллической решетки . Он предлагает для подобных веществ расширить формулировку закона постоянства состава Если... в твердом агрегатном состоянии соединение не имеет молекулярной структуры, то в зависимости от строения атомов и вытекающего отсюда строения фазы и характера химической связи в ней состав соединения и его свойства могут сильно зависеть от путей синтеза. Даже при одном и том же составе свойства могут сильно зависеть от условий образования . Б. Ф. Ормонт подчеркнул необходимость исследования зависимости условия образования—состав — строение — свойства,— направленного. на установление связи между условиями образования, химическим и фазовым составом системы, химическим составом и строением отдельных фаз и их свойствами. Нетрудно заметить, что добавление к обычной формуле, закона постоянства состава слов состав срединения зависит от условий его образования ,— лишает закон постоянства состава его смысла. В то же время указание на важность изучения в связи с проблемой стехиометрии не только состава, но и строения твердых веществ представляется очень существенным. [c.165]

Смешанный вид химической связи встречается в бинарных соединениях элементов, из которых один — металл, а другой — неметалл и электроотрицательности элементов отличаются недостаточно для того, чтобы связь считать ионной. Здесь имеется группа соединений, включающая отдельные халькогениды (например, AI2S3), пниктогениды ( a3N2), карбиды (ВегС), силициды (СагЗ ). Природа химической связи в этих соединениях — ковалентная сильно полярная или, как говорят, смешанная между ионной и ковалентной. Поэтому данные соединения проявляют свойства как ковалентных, так и ионных соединений, но не в полной мере. Большинство из них — солеобразны, как и ионные соединения. Однако в водных растворах они разлагаются, как многие ковалентные бинарные соединения, например [c.341]

Металлохимия. Кристаллохимнческое строение всех трех металлов различно. Галлий имеет орторомбическую решетку, индий — тетрагональную, а таллий обладает диморфизмом ос-модификация ГПУ и р-форма ОЦК. Ни один из обсуждаемых металлов не образует непрерывных твердых растворов с другими элементами Системы. Между собой галлий с таллием дают расслоение в жидком состоянии, галлий с индием — ограниченные твердые растворы со стороны индия с эвтектикой, а индий с таллием — ограниченные твердые растворы с перитектикой. Из-за низких температур плавления области гамогениости со стороны металлов подгруппы галлия очень малы. Кроме того, со многими металлами они образуют широкие области расслоения в жидком состоянии, особенно таллий. Металлидов они образуют такл е сравнительно немного главным образом с щелочными, щелочно-земельными и некоторыми переходными металлами. Интересно отметить, что в случае галлия и индия моно-халькогеииды на диаграммах состояния представлены более высокими дистектическими точками по сравнению с халькогенидами этих [c.166]

Строго говоря, пниктогениды и силициды не относятся к типичным соединениям металлов с неметаллами, таким, как галогениды, оксиды и халькогениды. Эти соединения не подчиняются правилу формальной валентности. С другой стороны, эти соединения неправомерно рассматривать в рамках металлохимии, поскольку многие из них обладают неметаллическими свойствами. Таким образом, пниктогениды и силициды элементов подгруппы хрома в определенном смысле представляют собой промежуточный класс соединений, переходный между объектами химии неметаллических фаз и металлохимии, что лишний раз подчеркивает условность любой классификации применительно к реальным объектам. [c.346]

Халькогениды. Для систем индий—халькоген характерно образование соединений типа ПаХ, 1пХ и 1П2Х3, а также промежуточных соединений и соединений с большим содержанием халькогена. Полуторные халькогениды 1П2Х3 плавятся конгруэнтно. У моносульфида и моноселенида, как и у монохалькогенидов галлия, найдена слоистая структура типа ОаЗ, в которой существует связь металл — металл, с координационным числом индия 4. Монотеллурид индия имеет другое строение (см. далее). Из соединений ЫаХ в кристаллическом состоянии устойчивы только селенид и теллурид. Они плавятся инконгруэнтно [58], [c.292]

Из других халькогенидов бериллия следует отметить селенид, котор>ый также обладает кристаллохимическим строением сфалерита. В то же время селениды магния и щелочно-земельных металлов кристаллизуются по типу Na l. Этот факт указывает, что в селениде бериллия доля ионной связи мала. [c.317]

Растворимость других элементов не определена. Имеются лишь отрывочные данные о концентрациях примесей в порошкообразных люминофорах и монокристаллах халькогенидов. По данным спектрального и масс-спектрометрического анализов установлено, что щелочные металлы (Na, Li) часто встречаются в концентрациях 10" —10" ат. %. Концентрация примеси щелочноземельных металлов примерно такая же, хотя растворимость, например магния, может достигать 20 мол. % при 980° [33]. Переходные металлы и р. з. э. вводили в порошки и монокристаллы в концентрациях до 1 ат. %. Железо обычно содержится пли вводится в количествах от 10" до 10" ат. %, но известно, что его растворимость в сульфиде цинка достигает 40 мол. % (природные минералы — железистые сфалериты). Марганец вводят обычно в количестве 1%, но растворимость его составляет десятки процентов как в ZnS, так и в dS и dSe [34]. [c.35]

Прежде всего отметим два обстоятельства. Во-первых, обратим внимание на то, что атомы, занимающие позиции плотнейшей упаковки, не обязательно действительно плотно упакованы, т. е. соприкасаются с 12 атомами того же сорта. Вообще одни лишь координаты атомов в структуре МтХ описывают структуры не полностью дополнительно следует указывать, какие из атомов кроме атомов А и X находятся в контакте друг с другом. Этот вопрос более подробно обсуждается в гл. 6 на примере структур хлорида натрия и флюорита. Во-вторых, в галогенидах и халькогенидах М Хи с октаэдрической координацией ионов металла описание в рамках теории плотнейших упаковок дает достаточно адекватное представление о структуре, тогда как для тетраэдрических структур это не справедливо. Имеется относительно немного соединений М Хи с тетраэдрической координацией М и с плотной упаковкой атомов (ионов) X. Очень мало, например, трехмерных структур МХ2. Тем не менее вполне удобно описывать идеализированные структуры в терминах плотнейшей упаковки атомов X с атомами М, занимающими определенную часть тетраэдрических пустот (табл. 4.5). Общее число тетраэдрических пустот вдвое больше, чем атомов в плотнейшей упаковке, вследствие чего заполнение всех тетраэдрических пустот отвечает формуле М2Х. В кубических плотноупакованных структурах МгХ структура антифлюорита) X окружен 8 атомами М, находящимися в вершинах куба (рис. 4.16,а). При заполнении (упорядоченном) лишь V4, V2 или 7+ всех тетраэдрических позиций координационное число атома X падает до 6, 4 или 2 соответственно. В этих случаях координационные группировки можно получить путем удаления соответствующего числа [c.198]

Другой предельный случай (2) дожен осуществляться при взаимодействии очень малых по размеру катионов и очень больших анионов, как, например, Lil и MgTe среди галогенидов элементов I группы и халькогенидов элементов II группы соответственно. В действительности же структурный тип Na l характерен для большинства соединений этих двух семейств. Для них отношение ионных радиусов га Гх изменяется в очень широких пределах, и сюда входят даже такие соединения, как KF и ВаО, которые построены из катионов и анионов приблизительно одинакового размера. Концепция ионных радиусов обсуждается в гл. 7. Расстояния между атомами X во фторидах щелочных металлов составляют [c.288]

Относительно свойств окислов, сульфидов и других халькогенидов галлия, индия-и таллия, и особенно относительно их структуры, имеются вполне определенные сведения благодаря новейшим исследованиям. Для этих металлов известны халькогениды состава М2Х, МХ и М2Х3. Халькогениды состава М2Х (т. е. халькогениды одновалентно- [c.406]

В результате поисков устойчивых на воздухе соедине-ни11 бора с халькогенами бы.ли найдены тройные халькогениды бора — сульфо- и селенобориды меди и серебра [24, 251. Эти соединения были синтезированы при повышенной температуре в запаянных под вакуумом кварцевых ампулах при использовании смеси аморфного бора, серы и соответствующего металла или смеси сульфида металла, аморфного бора и серы. При этом применялся избыток серы. Полученный продукт, по данным химического анализа, имел состав МеВЗ (8е). Авторы работы [24] предположили, что в этом соединении бор непосредственно связан с одновалентным металлом, с одной стороны, и с серой или селеном — с другой, т. е. соединение представляет собой сульфоборид металла с цепочкой Ме—В = 8. При синтезе аморфный бор и медь, взятые в эквимолекулярных соотношениях, смешивали с избытком серы и смесь помещали в кварцевую трубку, которая постепенно [c.19]

Элементы III А подгруппы — S , Y и РЗЭ — образуют очень большое число соединений с кислородом и халькогенами, обладающих высокими температурами плавления. При этом из кислородных соединений наиболее устойчивыми являются соединения состава 2 3, например S gOg, Y2O3, LagOs и другие, с трехвалентным атомом металла. Свойства соединений редкоземельных элементов с элементами VI группы различны для элементов подгруппы иттрия, церия и самария. Свойства халькогенидов РЗЭ подгруппы церия детально рассмотрены в работе Ярем-баша [60] на основе экспериментального материала, полученного в лаборатории химии полупроводников Института общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова АН СССР, а также в двух монографиях по сульфидам [28], селенидам и теллуридам [29] редкоземельных металлов. [c.210]

Смотреть страницы где упоминается термин Халькогениды других металлов: [c.274] [c.274] [c.346] [c.230] [c.151] [c.219] [c.175] [c.341] [c.132] [c.292] [c.268] [c.321] [c.58] [c.45] [c.268] [c.321] [c.227] [c.401] [c.485] [c.386] [c.416]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология