Дислокации отрицательная

Можно показать, что сила взаимодействия обратно пропорциональна расстоянию между дислокациями. Очевидно, что, как ионы в твердом теле образуют решетку, отвечающую наибольшему превышению энергии притяжения над энергией отталкивания, так и дислокации в твердом теле могут образовать решетку, в которой каждая положительная дислокация окружена отрицательными. [c.279]

Дефекты любого типа в кристалле влияют на его свойства. Точечные дефекты могут повышать и понижать прочность кристалла, влиять на его твердость, окраску, электропроводность, теплопроводность. Наличие дислокаций и их подвижность приводят к изменению пластичности кристаллов, обусловливают напряжения и могут вызвать разрушение кристаллов., Если точечные дефекты позволяют изменять свойства кристалла в нужном направлении и в этом отношении важна их роль в создании материалов с заданными свойствами, то дислокации, и особенно объемные дефекты, часто крайне отрицательно влияют на механические свойства кристаллов. Вместе с тем для проведения многих гетерогенных процессов, например гетерогенного катали- [c.178]

Полупроводник должен иметь кристаллическую структуру без изъянов. Всевозможные дефекты кристаллизации смещения (дислокации) атомов, вакантные узлы в кристаллической решетке дейст--вуют отрицательно. Например, если в решетке германия на 10 [c.452]

Из рис. XIV.6, виг следует, что тот же сдвиг в том же направлении может возникнуть, если дислокация движется в противоположном направлении. Существенно при этом, что теперь растянутой окажется область над дислокацией. Эти типы дислокаций отличают ио знаку первую считают положительной, а вторую — отрицательной. Очевидно, энергия, необходимая для создания двух дислокаций, не будет аддитивно складываться из энергий, требующихся для [c.359]

Рассеяние носителей заряда происходит и на других нарушениях решетки, например на дислокациях. Дислокацию в полупроводнике электронного типа можно уподобить линейному отрицательному заряду в виде бесконечно длинного цилиндра радиуса Я, вокруг которого имеется положительный пространственный заряд. Расчет показывает [Ю], что при рассеянии носителей заряда на дислокациях время релаксации не зависит от температуры кристалла, а определяется плотностью дислокаций Мо и скоростью ь рассеиваемого заряда, согласно выражению [c.251]

Дислокации могут быть положительными и отрицательными, а самое главное, они могут перемещаться в теле кристалла, накапливаться в месте наибольших напряжений и т. д. Дислокации могут выходить на поверхность кристалла и создавать нарушения поверхностного слоя. [c.115]

Для разработки способов управления реакционной способностью были исследованы свойства дислокаций в азидах серебра и свинца линии дислокаций имеют отрицательный з яд их подвижности в электрическом поле составили соответственно 10 и 10 см /(В с). Это обстоятельство позволяет с помощью электрического поля задавать будущий рисунок разложения. Срыв дислокаций со стопоров осуществляли с помощью инден-тора, который выставляли на поверхность кристалла на время не более 1 сек. Кроме того, появляется возможность полностью выводить дислокации из кристалла, после чего не более чем через 10 сек. кристалл становится химически инертным к действию УФ-облучения, электрического поля в режиме инжекции дырок. [c.92]

Зарождение трещин в металле при наложении растягивающих напряжений обычно происходит в средах, которые вызывают локализованную коррозию. Образование первичных трещин может быть связано с возникновением туннелей (порядка 0,05 мкм) или с начальными стадиями зарождения питтингов. Всевозможные нарушения кристаллического строения (границы зерен, включения, дислокации), риска, субмикроскопические трещины в металле или на защитной пленке могут стать местами зарождения трещин и значительно повышать склонность к КР. Интенсивная коррозия металла на отдельных ограниченных участках поверхности напряженного металла, испытывающего растягивающие напряжения, может привести к образованию очень узких углублений, величина которых может быть соизмерима с межатомными расстояниями. Отмечается, что существует критический потенциал КР, отрицательнее которого КР не будет происходить. Например, критический потенциал КР стали типа 18-8 в кипящем хлориде магния составляет — 0,14 В. При более положительных потенциалах (анодная поляризация) происходит [c.67]

Характер кинетических кривых электродного потенциала можно объяснить следующим образом. Известно, что механические напряжения в металле понижают его термодинамическую стабильность и нарушают сплошность пассивных пленок, смещают его потенциал в отрицательную сторону от сотых долей милливольта до нескольких милливольт. Существует мнение, что в зоне скопления дислокаций локальное повышение внутренней энергии способствует разблагораживанию потенциала в гораздо большей степени (десятки милливольт). [c.73]

При циклическом нагружении сплавов потенциал после первоначального всплеска с ростом числа циклов несколько облагораживается, плавно уменьшаясь по абсолютной величине (участок II), принимая спустя некоторое время установившееся значение и стабилизируясь в более отрицательной области III по сравнению с потенциалом ненагруженного образца. Очевидно, наряду с термодинамической активацией образца в данном случае немаловажную роль играет повышение электрохимической гетерогенности металла в ходе усталостного нагружения вследствие интенсивного накопления в его объеме повреждений, скопления вакансий и дислокаций, выхода их на поверхность, формирования грубых полос скольжения и зарождения усталостных трещин. Указанные процессы сопровождаются образованием новых поверхностей, несколько нарушающих сплошность пленок, разблагораживанием потенциала, возникновением менее совершенных защитных пленок на деформированной поверхности, в результате чего электродный потенциал удерживается в более отрицательной области. [c.74]

Удельный вес автотранспорта в загрязнении окружающей среды большинства крупных городов в последние годы превышает 60% от общего объема загрязнений различными источниками, а по некоторым токсичным компонентам — значительно перекрывает эту цифру. По этой причине авторы, сознавая всю важность проблем загрязнения окружающей среды в результате деятельности нефтеперерабатывающих заводов (НПЗ) в местах их дислокации, ущерб от различных видов загрязнений, вызванных утечками и разливами нефтепродуктов при их транспортировке, хранении, распределении, а также отрицательное воздействие других нефтепродуктов и применяемых при нефтепереработке химика-лиев, все же наибольшее внимание уделяют именно непосредственному влиянию использования автобензинов и дизельного топлива автомобильным транспортом. [c.6]

Полученные результаты моделирования объясняют часто экспериментально наблюдаемые смещения положений центров тяжести рентгеновских пиков в наноструктурных ИПД материалах [79-82]. Однако в реальных ситуациях упругие смещения атомов в зернах под действием дальнодействующих полей внесенных зернограничных дислокаций могут иметь разный знак, как положительный, так и отрицательный. В этом случае смещение положения [c.117]

Обрывы неполных слоев углерода, видимые иа поверхности трубок и кончиках конусов, говорят о том, что расширение и утолщение трубок происходит за счет роста островков с основными плоскостями, характерными для фафита, и Послойного роста на поверхности фубок. Зародышеобразование положительных., (пятиугольников) и отрицательных (семиугольников) дислокаций на открытых концах трубки приводит в результате к изменению направления роста и образованию различных морфологий. Для этих сфуктур характерен полный рост при обороте вокруг фубки, включающий образование пар пятиугольник - семиугольник. [c.92]

Таким образом, немногочисленные данные показывают, что ингибиторы могут эффективно подавлять коррозию сталей под напряжением. Однако пока не установлена зависимость между способностью ингибиторов тормозить коррозию под напряжением и их строением, что не позволяет научно обоснованно подходить к их выбору. На основе теоретических соображений можно пред-. положить [103[, что при воздействии растягивающих напряжений наиболее эффективными ингибиторами будут являться те, которые хорошо адсорбируются на отрицательно заряженной поверхности растянутого металла. Это прежде всего ингибиторы катионного типа, а также ингибиторы, образующие На поверхности плотные пленки. В случае пластической дефор.мации, когда в кристаллической решетке металла образуются линейные дефекты — дислокации, сжатая часть которых заряжена положительно, а растянутая отрицательно, можно ожидать, что эффективными ингибиторами могут являться вещества Как катионного, так и анионного типа, а также ингибиторы образующие плотные полимолекулярные слои или пленки. [c.65]

Рис. 19. Положительные и отрицательные краевые дислокации

Однако получение кристаллов без дислокаций — не единственный путь упрочнения материалов. Оказывается, что повышенной прочностью обладают не только кристаллы без дислокаций, но и кристаллы с повышенной плотностью дислокаций. Например, давно известен метод упрочнения металлов за счет их механической обработки (ударные нагрузки) в холодном состоянии ( наклеп металлов). В результате пластической деформации при наклепе плотность дислокаций резко увеличивается, а прочность повышается. Это объясняется тем, что отрицательное влияние на прочность материала обусловливается не самим присутствием дислокаций, а их способностью к передвижению. Если эту способность каким-либо образом ограничить, прочность материала повысится. [c.98]

Реальные непористые, даже кристаллические адсорбенты имеют дефекты поверхности часто порядка молекулярных размеров. Эти неоднородности представляют собой дислокации, трещины, а для поликристалличе-ских или аморфных веществ—микрошероховатости. Такие геометрические неоднородности поверхности молекулярных размеров можно рассматривать как относительно неглубокие поверхностные микропоры. В работе [26] было показано наличие у кристаллического порошка чистого рутила поверхностных микропор, заполняющихся при адсорбции азота при —196° С и воды при 25° С в области весьма малых давлений. Несмотря на то, что объем этих микропор составлял — 0,004 см г, их наличие вызывало увеличение определяемой удельной поверхности рутила па 22% и отрицательно сказывалось на точности выполнения линейной формы уравнения (4). Заполнение микропор предадсорбированной водой приводило к четкой картине полимолекулярной адсорбции азота на геометрически однородной поверхности. [c.258]

Рассмотренную краевую дислокацию можно охарактеризовать, проведя вокруг точки С против часовой стрелки цепь, насчитывающую одно и то же число узлов решетки в положительном и отрицательном направлении вдоль каждой оси или ряда. Если кристалл совершенный, эта цепь, называемая цепью Бюргерса [73], замкнута, а при наличии дислокации она разомкнута. Разрыв цепи Бюргерса и отличает дислокацию от точечного дефекта. Соединив концы цепи Бюргерса, получим некоторый вектор Ь, называемый вектором Бюргерса. Длина и направление (угол) вектора Бюргерса определяются величиной и типом дислокации. [c.216]

Комментируя эти рисунки, прежде всего заметим, что в отличие от выбора знака краевой дислокации, выбор знака клиновой дислокации имеет абсолютный характер смещение атомов в окрестности положительной дисклинации обратно смещению атомов в окрестности отрицательной дисклинации. В первом случае вдоль контура, охватывающего дисклинацию, кристалл претерпевает растяжение, а во втором — сжатие. [c.256]

Во всех задачах о прямолинейными дислокациями принимаем вектор т в отрицательном направлении оси г (х = —1). [c.262]

На рис. 50, б скользящая частичная дислокация аВ взаимодействует с краевой дислокацией a (-faS) и образует ряд дислокаций, связанный двумя частичными дислокациями с основными компонентами Аа. Ширина этого ряда меньше, чем ширина обычного линейного ряда дислокаций в графите. Это явление можно объяснить следующим образом. Поскольку атомы брома стремятся проникнуть в кристалл, область, содержащая атомы брома, увеличивается, что эквивалентно тому, что эта область имеет отрицательную поверхностную энергию —уг- При таких условиях ширина линейного ряда дислокаций выражается соотношением [c.69]

Дислокации могут быть положительными и отрицательными, а самое главное, они могут перемещаться в теле кристалла, накап- [c.111]

Снижение микротвердости, определенное по увеличению размера отпечатка накола поверхности армко-жёлеза под тонким слоем электролита в условиях анодной поляризации внешним током, оказалось пропорциональным логарифму плотности анодного тока, что соответствует теоретической линейной зависимости отрицательного упрочнения от перенапряжения анодной реакции растворения металла в стационарном состоянии с нулевым значением потока дислокаций — см. ниже формулу (217). [c.128]

Борн [4] предполагал, что плавление начинается, когда модуль сдвига кристалла становится равным нулю. Кульман Вильсдорф 18] предложил модель, где свободная энергия образования дислокаций в твердых телах положительна, а в жидкостях — отрицательна. Температурой плавления считается та температура, при которой свободная энергия равна нулю. [c.45]

Процесс зарождения и развития трещин коррозионной усталости также можно разделить на несколько этапов. Этап I, как и при растрескивании, - инкубационный. На этом этапе вследствие деформационного выхода на поверхность дислокаций и образования полос скольжения на металле формируются анодные зоны локальной коррозии. Роль среды, по-видимому, сводится к адсорбционному облегчению (ускорению) выхода полос скольжения на поверхность металла, т. е. в определешой степени проявляется эффект Ребиндера. После формирования на металле стойких полос скольжения с более отрицательным электродным потенциалом, чем потенциал остальных участков поверхности [12], начинается локальная коррозия по месту полос скольжения, т. е. реализуется П этап развития трещин — их коррозионное зарождение. [c.95]

В кремнии и германии, в частности, дислокации являются акцепторами. Если на дислокации заняты все акцепторные уровни, то лшши дислокации оказываются заряженными отрицательно, а это обстоятельство уже оказывает сильное влияние на рассеяние электронов проводимости и, следовательно, на подвижность электронов и дырок . [c.264]

Места выхода дислокаций на поверхности, окруженные ионами и атомами примеси, являются активными участками поверхности. Следовательно, травление дислокационной структуры — способ повышения ее активности. Травитель — это растворитель, в котором кристалл нерастворим и не содержит активирующие примеси. Примесь должна вступать во взаимодействие с участками поверхности и образовывать комплексные соединения, переходящие в раствор. Травление реализуется, если катион активной части травителя образует комплекс с анионом кристалла или анион травителя — комплекс с катионом кристалла. На этой основе следует подбирать жидкость-травитель. Часто в качестве наполнителя используют кварц. Поскольку S1O2 легко образует комплексы типа SiF , травитель должен содержать F-ион (NaF). Сильно отрицательный атом фтора оттянет к себе электронную плотность с соседнего катиона, что вызовет индуцирование на катионе большого положительного заряда и облегчит отщепление [c.48]

Свойства дислокаций. Прежде всего следует отметить, что дислокациям в кристалле условно приписывается определенный знак—положительный или отрицательный. Краевые дислокации, лишние атомные плоскости которых лежат в противоположных частях кристалла относительно плоскости скольжения, обозначаются разными знаками. Например, дислокациям (рис. 19), лишние атомные плоскости которых лежат выше плоскости скольжения тп, можно приписать знак плюс (или минус), тогда дислокациям с лишней атомной плоскостью, лежащей ниже плоскости /пп,—знак минус (или плюс). Винтовые дислокации также разделяются на положительные и отрицательные или, иначе, на право- и ле-вовращающиеся в зависимости от направления закручивания атомных плоскостей в кристалле — по или против часовой стрелки. [c.93]

Контроль с помощью позитронов [2] может быть применен для определения накопления усталостных напряжений в металлах до появления усталостных трещин нахождения величины и степени пластической деформации. Этот контроль основан на том, что в начальной стадии усталостных явлений, когда происходит образование дислокаций, в их области образуются отрицательные заряды. Позитроны, облучающие металл, притягиваются к областям расположения дислокаций и взаимодействуют с электронами. При аннигиляции позитрона и электрона возникают у-кванты. По количеству 7-квантов и среднему вермени жизни позитронов можно определить начало усталостных нарушений в металле. [c.340]

Поверхностное напряжение твердого тела можно рассчитать с помощью уравнений (V-3) и (V-4). В работе [26] такая оценка была сделана для кристаллов тверды.х инертных газов и щелочных галогенидов при О К (см. разд. V-3B). Так, например, согласно расчетным данным, для Na l Y составляет 155 эрг/см , тогда как х имеет отрицательное значение —130 дн/см. По мнению Даннинга [22], отрицательное т означает, что небольшие кристаллы подвергнуты положительной объемной деформации (т. е. несколько увеличены в объеме). Однако Никольсон [27], измерив постоянные решетки небольших кристаллов Na l, пришел к выводу, что они должны характеризоваться положительными значениями т. Поскольку теоретические расчеты основываются на многочисленных допущениях, результаты их могут оказаться неверными. В то же время можно предполагать, что растягивающие напряжения в небольших кристаллах снимаются в результате образования дислокаций. Под действием сжимающего поверх- [c.204]

Проанализируем сначала простейший случай кислотной коррозии, полагая, что растворяющийся сплав состоит из сильно различающйхся по своим Свойствам фаз, представленных практически чистыми компонентами-А и В. Весь процесс приближенно можно описать на основе теории коррозионных микроэлементов, допу стив, что реакция анодного растворения локализована на фазе А (фаза с отрицательным потенциалом), а катодная реакция — восстановление Н+-ИОНОВ — срсредоточена на фазе В (фаза с положительным потенциалом). В стационарных условиях скорости обеих реакций одинаковы и равны скорости саморастворения металла. В реальных процессах помимо работы фазовых элементов существует еще целый ряд причин, вызывающих коррозионные разрушения, в частности коррозионные элементы типа граница фазы — центр фазы, которые сильно усложняют анализ. По границам фаз всегда происходит накопление дислокаций и примесных атомов, что способствует сосредоточению в этих зонах интенсивного растворения. [c.155]

Необходимо помнить, что новыми материалами являются не только впервые синтезированные, ранее неизвестные соединения, но и многие широко применяемые металлы и различные соединения в состоянии высокой чистоты. Хорошо известно, что глубокая очистка часто придает веществу новые необычные свойства. Вместе с тем сравнительно недавно было установлено, что нару-игения кристаллической решетки (дислокации, дефекты) в ряде случаев весьма отрицательно сказываются на свойствах большинства веществ. [c.5]

Коттрелл [18] показал в 1948 г., что, поскольку посторонние атомы в твердом растворе локально искажают кристалл, они взаимодействуют с полем напряжения дислокации, и, так как последнее распространяется на большие расстояния, это взаимодействие является дальнодействующим. Рассмотрим для простоты только объемное изменение Ли, вызванное посторонним атомом. Тогда энергия взаимодействия будет р Ди, где р — компонента гидростатического давления напряжения дислокации. Для краевой дислокации имеет место сжатие на одной стороне и растяжение на другой, так что независимо от знака Ди всегда есть некоторое направление, в котором рДу отрицательно и в котором растворенные атомы притягиваются к дисло1чации, В саком-либо одном направлении энергия взаимодействия обратно пропорциональна расстоянию. В минимуме энергии, примерно на одном атомном расстоянии от дислокации Б соответствующем направлении, взаимодействие может дать существенную энергию связи. Для атомов углерода или азота, растворяющихся в объемноцентрированном кубическом железе по типу внедрения, она равна примерно 0,5 эв. Следовательно, растворенные атомы при всех температурах до некоторой степени адсорбированы на дислокационных линиях, отчасти в непосредственной близости, отчасти в диффузионной атмосфере. Если температура не слишком высока или концентрация не слишком мала, дислокация в железе оказывается линией насыщенной адсорбции углеродных атомов. Это вызывает заметное изменение механических свойств [c.26]

В этом разделе мы подходим к проблеме, которая, вероятно, станет одной из наиболее важных из всех приложений дислокационной теории в химии. Теоретически вероятно, что каждая дислокационная линия представляет путь, вдоль которого диффузия происходит быстрее, чем через недислоцированную кристаллическую решетку. Для этого есть несколько причин. Одна, которая не может быть применена к самодиффузии, обусловлена просто повышенной концентрацией на дислокациях. Вторая обусловлена отрицательным давлением на одной стороне дислокации, имеющей краевую компоненту. Эти два эффекта действуют в противоположных направлениях для растворенных атомов, которые сжимают решетку, и в одном направлении для атомов, которые расширяют ее. Третья возможная причина состоит в том, что атомные перегруппировки могут происходить более часто в местах относительно беспорядочного расположения атомов возле ядра дислокации. Четвертая обусловлена тем, что вакансии, подобно растворенным атомам, могут присутствовать в повышенной концентрации вблизи дислокации. Непосредственная демонстрация диффузии по индивидуальным дислокациям требует довольно трудных экспериментов в микроскопическом масштабе, но Тэрнбулу и Гофману [19] уже удалось показать, что повышенное проникновение радиоактивного серебра имеет место вдоль границы с дезориентацией в 9°, которая должна состоять из дискретных дислокационных линий. Некоторые менее прямые доказательства, полученные Форти и Фрэнком, упоминаются ниже, в разделе Дислокации и травление . [c.27]

Повышенное содержание оксидных включений вызывает смещение потенциала питтингообразования в отрицательную сторону, т. е. повышает склонность сталей к питтинговой коррозии. Повышение чистоты сплава снижает склонность к образованию питтинга. Однако даже чистейшие металлы и сплавы, взятые в виде монокристаллов, могут давать ямки травления. Это указывает на то, что в некоторых условиях отдельные несовершенства кристаллической решетки, как например, дислокации, также могут стать первопричиной возникновения питтинга. [c.98]

Углерод, входящий в твердый раствор, как правило, повышает, а азот снижает, стойкость сталей к коррозионному растрескиваник> [104, с. 243]. Положительное действие углерода связывают с образованием ячеистой структуры дислокаций, а отрицательное действие азота — с образованием конланарных дислокаций. Однако действие углерода и азота может быть связано также и с влиянием их на превращение и выпадение различных фаз в нержавеющих сталях. [c.115]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология