Тетрагональная кристаллографическая система

Системы кристаллов различаются характером взаимного расположения кристаллографических осей и их длиной. В трех первых типах систем оси а, Ь я с взаимно перпендикулярны (а=Р=7=90°). В кубической системе оси имеют одинаковую длину (а=6=с), тетрагонально й — одинаковы лишь две оси (а=Ьфс), в орто-ромбической — все три оси разной длины (афЬфс). В гексагональной системе две оси одинаковой длины располагаются в одной плоскости и образуют угол 120°, ось с им перпендикулярна (а=Ьфс а=Р=90°, 7= 120 )- В моноклинной системе все три оси разной длины (афЬфс), две из них образуют между собой угол, отличный от 90°, а третья ось расположена под прямым углом к этим двум осям ( =7=90°, Р=90°). В триклинной системе все три оси имеют разную длину (афЬфс) и расположены под разными углами (аф фу). Ромбоэдрическая система характеризуется одинаковой длиной осей (а=Ь=с) и одинаковыми углами между осями, отличными от 90° (а=Р= 79 90 ). [c.133]

Кристаллографические сингонии обозначаются следующим образом К — кубическая (равноосная кристаллическая система) Т —тетрагональная Г —гексагональная Тр- три-гональная Р —ромбоэдрическая М—моноклинная, а. 3 и т. д. —модификации, существующие при обычных температурах. [c.111]

В табл. 2.1 приведены кристаллографические данные для различных кристаллических модификаций полимеров и удельный объем полимера в различных фазовых и агрегатных состояниях. При обозначении сингонии использованы следующие сокращения гекса.— гексагональная, моно.— моноклинная, орто.— кубическая (орторомбическая), тетра.— тетрагональная, три.— триклинная, триг.— тригональная (ромбоэдрическая). Приставка п- перед названием сингонии означает псевдо (например, п-гекса.— псевдогексагональная). Обозначения пространственных групп даны в соответствии с принятой международной системой [14, 492]. Значения параметров элементарной ячейки кристалла а, й и с даны в 10"i м. Как правило, параметр с соответствует периоду идентичности вдоль оси макромолекулы, за исключением случаев, когда ось макромолекулы совпадает с направлением другого параметра ячейки. [c.123]

Этот кристалл принадлежит к классу / 2й тетрагональной системы и в нормальном состоянии является одноосным. Его оптическая ось направлена вдоль оси Ог. Во избежание интерференции, обусловленной достаточно сильным естественным двулучепреломлением кристалла, пластинка вырезается перпендикулярно оптической оси (пластинка г-среза). Электрическое поле подается с помощью двух прозрачных электродов, помещенных на обеих поверхностях пластинки. Под действием электрического поля кристалл становится двуосным. Плоскости оптических осей расположены под углом 45° к кристаллографическим осям, т. е. вдоль направления пересечения одной либо другой плоскости симметрии кристалла ОХ или ОУ (рис. 25) в соответствии со знаком приложенного электрического поля. Ось [c.62]

Для описания физических свойств кристаллов пользуются правой прямоугольной системой координат. Для кубической, тетрагональной и ромбической сингоний оси этой кристаллофизической системы координат Х , Х2, совпадают с кристаллографическими X, У, Z, для остальных сингоний кристаллофизические оси ориентированы относительно кристаллографических по правилам стандартной установки (см. табл. 26 и 27). [c.188]

При образовании минералов в природных условиях также преобладали упорядоченность и простота построения. Число известных типов минералов составляет примерно 3000, но все их разнообразные кристаллические формы являются вариантами семи основных кристаллографических систем кубической, тригональной, гексагональной, тетрагональной, ромбической, моноклинной и триклинной. При этом кубическая система служит основой всех остальных (рис. 8.1). [c.99]

В зависимости от внешней формы и строения кристаллы делятся иа кристаллографические системы, или сингонии (син — сходный, гония — угол) Всего существует семь кристаллографических систем которые сгруппированы по набору элементов симметрии в три категории выс-шую, среднюю и низшзто К высшей категории относится только кубическая система Кристаллы, входящие в нее, в наборе элементов симметрии имеют несколько осей симметрии высшего порядка (п>2) К средней категории относятся уже три системы — тригональная (ромбоэдрическая), тетрагональная и гексагональная Кристаллы этих систем имеют лишь по одной оси симметрии высшего порядка К низшей категории относятся оставшиеся три системы— триклинная. моноклинная и ромбическая Кристаллы этих систем не имеют ни одной оси симметрии высшего порядка [c.236]

Двуокись титана Ti02 — порошок белого цвета, выпускаемый в виде двух кристаллических модификаций анатазной (анатаза) и рутильной (рутила), относящихся к одной и той же кристаллографической системе (тетрагональной), но имеющих разные параметры элементарной ячейки. [c.277]

Ка уже упоминалось, кристаллы, имеющие комбинационные формы, встречаются часто. Простейшие формы любой кристаллографической системы — призма и пирамида. Куб, например, представляет собой призматическую форму правильной системы, а октаэдр — пирамидальную форму. Некоторые сочетания этих двух форм были показаны на рис. 6. Две простые комбинационные формы в тетрагональной системе показаны на рис. 10. На рис. 10,а и б показаны тетрагональные призма и бипирамида соответственно на 1рис. 10,е — тетрагональная призма, ограничиваю- [c.25]

Форму кристаллов изучает кристаллография. Для описания формы кристаллов пользуются системой трех кристаллографических осей (рис 63). В отличие от обычных координатных осей эти оси представляют собой конечные отрезки а, 6 и с, а углы между ними могут быть прямыми и косыми. В соот ветствии с геометрической формой кристаллов возможны следующие их системы (рис. 64) кубическая, тетрагональная, орторомбическая, моноклинная, шриклинная, гексагональная и ромбоэдрическая. Как видно из рис. 64, системы кристаллов различаются характером взаимного расположения кригталлографи-ческих осей а, 7) и их длиной (а, 6, с). [c.117]

В настоящее время установлено, что на процесс меления большое влияние оказывает кристаллографическая форма частиц пигмента. Так, например, описанное выше явление меления лакокрасочных покрытий, содержащих в качестве пигмента двуокись титана, имеет место только в том случае, если частицы двуокиси титана имеют структуру анатаза (пирамиды тетрагональной системы). Если же прокаливанием или иным путем получить двуокись титана со структурой рутила (иглы тетрагональной системы), то такая двуокись титана в отличие от анатазной не мелит. Установлено также, что покрытия, содержащие в качестве пигмента цинковые белила, мелят только в том случае, если частицы цинковых белил имеют форму зернышек. Если же частицы цинковых белил имеют форму более или менее крупных игл, то меление или не имеет места совсем или происходит в незначительной степени. Поэтому в промыщленности стремятся для лакокрасочных целей получать двуокись титана в форме рутила, а цинковые белила в форме возможно более крупных игл. [c.89]

С(1А82. Электрические и оптические свойства СдАза — полупроводника п-типа— исследованы в работах [13, 25, 70, 77]. На осно вании гальваномагнитных измерений, проведенных на монокристаллах с концентрацией электронов п = 5,101 см , описана структура изоэнергетических поверхностей Сс1Аз2 с учетом зонной структуры кристаллов тетрагональной системы [38, 50]. Поскольку Сс]Аз2 имеет тетрагональную симметрию, его удельное сопротивление и коэффициент Холла являются тензорными величинами. Тензор коэффициентов Холла содержит только две независимые составляющие, которые соответствуют случаям Я ц и Ях оси с (ось с является осью четвертого порядка). Практически в пределах ошибок измерений обе составляющие равны между собой и их отношение равно = 0,98 0,05. Тензор проводимости также содержит только независимые составляющие, отвечающие направлениям кристаллографических осей а и с. [c.107]

Рассмотрим подробнее наиболее полно изученное мартенситное превращение в системе Fe—С, давшее название этому классу превращений. Этот процесс исключительно важен с практической точки зрения, поскольку позволяет существенно повысить твердость стали. Мартенситом называют пересыщенный твердый раствор внедрения углерода в а-железе (тетрагонально искаженная объемноцентрированная кубическая решетка), образующийся при глубокой закалке твердого раствора углерода в у-железе (аустенита см. подразд. 4.5, рис. 4.11 гранецентрированная кубическая решетка). Образование мартенсита наблюдается при охлаждении аустенита ниже некоторой температуры зависящей от содержания в аустените углерода (значение монотонно понижается от 650 °С для безуглеродного y-Fe до 100 °С для сплава с содержанием углерода 1,6 мае. %) и других легирующих элементов. Кристаллы мартенсита образуются внутри исходных кристаллов аустенита в виде тонких пластинок, расположенных относительно друг друга под углами 60° и 120°. Г. В. Курдюмовым установлено, что в кристаллах мартенсита и исходного аустенита совпадают кристаллографические направления [111] и [110], а также плоскости (ПО) и (111) соответственно. Это открытие позволило предложить сдвиговый механизм роста мартенситного кристалла. При росте мартенситного кристалла в аустенитной матрице возникают и накапливаются механические напряжения, приводящие к тому, что после достижения зернами мартенсита определенного размера их рост останавливается, а для продолжения превращения необходимо постоянное увеличение степени переохлаждения аустенита. Поскольку образование мартенсита требует существенно неравновесных условий, при его нагреве переход в аустенит происходит со значительным температурным гистерезисом или наблюдается образование термодинамически равновесной (точнее — ква-зиравновесной по отношению к выделению углерода в виде графита) смеси твердого раствора углерода в a-Fe и карбида железа Fej . [c.209]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология