Механизм роста КСЦ

Все предложенные до настоящего времени теории зарождения и роста НК и пленок игнорируют реальное состояние поверхности раздела, участие во многих случаях химических реакций в процессе кристаллизации из газовой фазы, следствием которых является наличие слоя хемосорбированных молекул на поверхности раздела. При наличии хемосорбции непосредственный обмен между подложкой и средой практически отсутствует и хемосорбционный слой в известном смысле можно считать промежуточной двумерной фазой . Рост кристалла в этом случае, по-видимому, происходит в результате актов химического распада молекул хемосорбционного слоя, механизм которых совершенно не изучен. Особая трудность возникает при обсуждении возможных механизмов роста эпитаксиальных пленок сложных соединений при жидкофазном осаждении в связи с тем, что молекулярная форма нахождения большинства этих соединений в растворах и расплавах в настоящее время неизвестна. Поэтому единой достаточно удовлетворительной теории зарождения и роста НК и пленок при газофазном осаждении пока не существует. Необходимо дальнейшее накопление надежных экспериментальных данных о реальной структуре (атомной и электронной) поверхностей раздела, о явлении хемосорбции, о так называемой закомплексованности и других определяющих явлениях. Важным также в теории гетерогенного зародышеобразования пленок является установление соотношения между процессами статистического зародышеобразования на чистых подложках и на активных центрах. Имеются сведения (Л. С. Палатник и др. 1972 г.) об образовании и длительном существовании в тонких пленках термодинамически неравновесных фаз. Поэтому пределы применимости к тонкопленочным системам (приборы микроэлектроники, оптические покрытия и др.) диаграмм состояний, разработанных для систем массивных материалов, требуют подробного анализа и обсуждения. [c.485]

При деформации больше критической размер зерна уменьшается до значений исходного. При этом происходит нормальный механизм роста зерна. Вначале возникают зародыши новых зерен, а затем наблюдается их рост. [c.88]

Углеродное число и распределение изомеров в продуктах синтеза могут быть рассчитаны с достаточной точностью, если принять некоторые предположения относительно механизма роста углеродной цепи 12, 27i]. Эти предположения следуюш,ие [c.523]

Механизм роста кристаллов парафиновых углеводородов хорошо обосновывается диффузионной теорией, предложенной Андреевым [I], согласно которой рост кристаллов происходит в две последовательные стадии транспортировка вещества из основной массы раствора к поверхности кристалла и фазовое превращение. Скорость процесса определяется первой стадией, то есть диффузией. Рост кристаллов описывается уравнением [c.88]

Остальные величины, входящие в правую часть уравнения (163) Л, В, с, / и 1 —постоянны по условию. Таким образом, следует, что в случае диффузионного механизма роста двухслойной окалины параболический закон не должен соблюдаться. Рост окалины и отдельных ее слоев должен идти по какому-то более сложному закону. [c.72]

О механизме роста частиц металла на поверхности носителя при термической обработке высказывают два мнения [133, 137]. Согласно первому, рост частиц происходит через двумерный пар, т. е. имеет место направленное движение атомов металла с частиц малых размеров, обладающих большим давлением насыщенных паров, к частицам большего размера и меньшим давлением. Однако, как показано авторами работы [133], для частиц платины процесс спекания через двумерный пар должен длиться около 100 лет. Поэтому авторы предполагают, что рост частиц платины на поверхности носителя обусловлен преимущественно броуновским движением частиц, их столкновениями и слиянием. В соответствии с расчетами скорость перемещения частиц платины диаметром 5 нм по поверхности носителя вполне достаточна для обеспечения необходимой скорости роста кристаллов, вырастающих за несколько часов. [c.61]

Анализ начала роста трешин серебра в трубчатых образцах при одновременном их растяжении и кручении с учетом такого механизма роста трещин серебра, при котором благодаря периодическому разрыву вогнутых граничных поверхностей воздух—полимер при вершине такой трещины (менисковая нестабильность) образуются пучки трещин серебра. Для поверхностной энергии =0,05 Дж/м и пластического сопротивления растяжению сг =10 МПа при коэффициенте удлинения Хп=2 материала трещины серебра диаметр пучка таких трещин равен 0,05 мкм [c.372]

Механизм роста кроме катализатора определяется подложкой. По данным [7-5], из смеси ацетилена с водородом (10 1) с никелевым катализатором на углеродной подложке образуются волокна аморфного, по-видимому, ленточного строения. [c.462]

Обратите внимание на то, как в структуре полиизобутилена отражается механизм роста цепи с наиболее стабильным катионом на растущем конце цепи. Этот вид последовательного присоединения известен как присоединение голова к хвосту . [c.328]

Туннельный механизм роста оксидных пленок. Кроме перемещения собственно ионов при росте оксида замедленной стадией процесса может быть туннелирование электронов через оксид. Это явление наблюдается для оксидных пленок, по толщине не превышающих 4 нм. Механизм нарастания оксида следующий происходит замедленное туннелирование электрона через оксид от границы оксид—раствор к металлу, а затем быстрое перемещение ионов кислорода или металла через пленку с образованием но- [c.276]

В настоящее время активно развиваются теоретические представления, связа ные с механизмами роста и разрушения оксидных пленок на металлах. При этом используется широкий круг методов, включая не электрохимические. [c.277]

ИЗУЧЕНИЕ МЕХАНИЗМА РОСТА ОКСИДНОЙ ПЛЕНКИ НА ПАССИВНОМ ЖЕЛЕЗЕ В БОРАТНОМ БУФЕРНОМ РАСТВОРЕ [c.282]

TOB. До температуры 1473 К процесс агломерации протекает по схеме твердофазного спекания и путем агрегирования частиц в локальных объемах за счет поверхностного натяжения жидкости. Поскольку неравновесные точечные расплавы, растворяя компоненты, быстро кристаллизуются, их роль в процессе агломерации, по-видимому, непостоянна и случайна. Формирование крупных гранул клинкера начинается с появления в системе равновесного расплава — около 20—30%. Наиболее интенсивно растут гранулы в местах повышенного содержания расплава. Механизм роста гранул с участием расплава подчиняется общим закономерностям жидкофазного спекания. Процесс образования зерен клинкера в присутствии равновесного расплава условно можно разделить на три стадии стадию соединения и перегруппировки частиц, стадию уплотнения гранул за счет реакций растворения — кристаллизации и стадию охлаждения с кристаллизацией и застыванием расплава. Деление процесса жидкофазного спекания на стадии условно, поскольку в реальных условиях процессы соединения и перегруппировки и растворения — кристаллизации протекают параллельно и накладываются друг на друга. [c.230]

Однако уравнения (9.9) и (9.10) не раскрывают действительного механизма роста кристалла. Они не учитывают условий, приводящих к образованию кристалла в форме многогранника, и разную скорость роста отдельных его граней. Если бы скорость роста была одинаковой во всех направлениях, кристалл имел бы форму шара. Причиной того, что кристалл принимает многогранную форму, является различная скорость роста отдельных элементов его структуры вследствие разного их энергетического потенциала. [c.245]

Кинетика и механизм роста кристаллов. Скорость роста кристалла определяется линейным перемещением растущей грани кристалла параллельно самой себе в единицу времени [c.58]

Механизм роста кристалла во многом определяется микрорельефом поверхностей, которые можно подразделить на атомно-гладкие и ступенчатые. Образовавшийся на атомно-гладкой грани двумерный [c.59]

В процессах нанесения покрытий и гранулирования основные преимущества фонтанирующего слоя являются следствием направленной циркуляции твердого материала. Осаждаемый материал образует на частицах пленку, которая успевает высохнуть за время их нахождения в кольцевой зоне в фонтане частица покрывается следующей пленкой осаждаемого материала. Такой послюйный механизм роста обеспечивает равномерное покрытие и образование крупных гранул однородной структуры. [c.652]

В 2 рассмотрен механизм роста граней монокристалла. Процесс электрокристаллизации при образовании поликристаллического осадка протекает в две стадии образование зародышей (центров кристаллизации) и рост уже образовавшихся кристаллов. Каждый из этих процессов протекает с определенной скоростью, зависящей от условий электролиза (состав электролита, наличие или отсутствие примесей, катодная плотность тока, температура и скорость перемешивания раствора и т. д.). [c.128]

Опыт показывает, что физико-химические свойства НК и пленок зависят не только от размера, но и от метода их получения и структуры. На методах получения микрокристаллов мы останавливаться не будем [1]. Ниже кратко рассмотрим механизмы роста, структуры и свойства НК и пленок. [c.479]

Следует иметь в виду, что изменение условий кристаллизации или межфазного взаимодействия может привести к смене механизма роста у одной и той же пары пленка—подложка. [c.484]

Согласно гипотезе о периодическом электрохимически-меха-ническом механизме роста [13], коррозионный процесс в вершине трещины ослабляет металл и облегчает последующее механическое разрушение. Однако там не объясняется, каким образом происходит такое ослабление, тем более, что если на гладкой поверхности избирательная коррозия действительно ведет к образованию концентратора напряжения, то в вершине трещины кор- [c.133]

Согласно гипотезе о пе ханическом механизме роста [c.146]

Если принять диффузионный механизм роста кристаллов, то скорость их роста 2 можно представить уравнением [c.226]

Фольмер (1930) распространил описанный механизм роста кристалла из парообразной фазы па случай электрокрнсталлизации металлов. В этом случае скорость роста грани (в единицах плотности тока) может быть выражена уравнением [c.337]

Процесс кристаллизации начинается с выделения из пересыщенного раствора мельчайших частиц кристаллизующегося вещества — зародышей кристаллов. Они способны расти, причем рост кристаллов происходит наиболее легко на острых углах первоначальных зародышей. На микрофотографиях при большом увеличении наблюдается спиральная структура поверхности кристаллов ларафиновых углеводородов. Механизм роста кристаллов индивидуальных парафинов нормального строения и их смесей объясня- ет дислокационная теория 1[4, 5]. [c.118]

В сообщении Энгеля и Боймеля 1 ] приводятся данные о том, что в кипящем растворе нитрата кальция напряженное железо подвергается периодическому растрескиванию со скоростью 0,2 мм/с. Какая плотность коррозионного тока соответствует этой скорости Если это значение скорости считать характерным, то каков, по вашему мнению, электрохимический механизм роста пленок [c.391]

Исследована структура и предложены механизмы роста углерод-азотных ианотрубок в аппарате высокого газового давления. Показано, что содержание азота в таких нанотрубках достигает 33 ат.%. [c.20]

В основе математической модели лежат представления о кластерах - это устоюшвые образования, которые формируются в 1гересыщенном растворе в ходе серии бимолекулярных реакций между ионами или молекулами растворенного вещества кластеры, достигшие критического размера, расходуются на образование зародышей и играют важную роль в росте кристалла кластеры диффундируют к поверхности растущего кристалла и ожидают в некоторой очереди кластеров со случайной ориентацией на поверхности, что приводит к значительной пленке кластеров, нуждающейся во встраивании в кристаллическую решетку [4 . По такому механизму рост кристаллов как бы квантуется порциями этих кластеров. Причем раствор то обедняется ими за счет роста и образования зародышей, то обогащается ими за счет создания пересыщения путем химической реакции. [c.164]

Как предполагалось, на поверхности кристалла имеются лишь ступени атомной высоты, т. е. микроступени. Нередко происходит процесс концентрирования и укрупнения микроступеней, приводящий к образованию видимых макроступеней (иногда толщиной более 1000 А). Механизм роста макроступеней изучался в работах П. Д. Данкова, К. М. Горбуновой и сотр. Из макроступеней развиваются макроспирали, обнаружение которых в микроскоп служит доказательством роли винтовых дислокаций в процессах роста кристаллов. [c.334]

Полярографические максимумы 2-го рода появляются при вытекании ртути из капилляра при высоких значениях т, когда период капания т<С1 2с. Струя ртути двкжется из капилляра вначале вертикально до нижней части капли, а затем симметрично изгибается по направлению к шейке (рис. 4.14, а). Так как механизм роста капли в этих условиях определяется лишь параметрами капилляра, то следовало бы ожидать увеличения предельного диффузионного тока при всех потенциалах. Однако в реальных условиях при , о наблюдается максимальный ток, а с ростом q ток уменьшается, и на по- [c.232]

Аналогичного вида функциональные зависимости / и 1 от времени, правда, с другими коэффициентами,получаются и при диффузионном механизме роста оксида. Точное решение задачи в этом случае называют законом Крофта. Отметим, что оба механизма роста оксидных пленок, вытекающие из уравнения (4.109), характерны для металлов, иа которых формируются весьма толстые слои оксида. [c.276]

Возможны два оснопных механизма роста граней и всего кристалла н целом. Первый механизм состоит в том, что грани расту 1 послойно. На плоскую новер.хность грани (рис. 5.6, а) ма некотором ее участке осаждается из жидкой фазы частица. Вероятность того, что она удержится на краю грани или на ее у ле, намного ниже, чем на некотором серединном участке грани. Это объясняется тем, что на такую отдельную частицу кроме сил п )ямого контакта с поверхностью действуют силы соседних частиц, что ослабляет способность частицы к перемещению по поверхности грани. Присоединение к осевшей частице другой частицы будет более вероятно, чем осаждение этой второй час- [c.247]

В то же время известно, чги кристаллы pa iyi и при кр .и . малых (доли процента) пересыщениях. Это объясняют тем, что поверхность грани растущего кристалла не идеально плоская, а имеет различного рода впадины, микротрещины, изломы ит.д Другой механизм роста кристалла заключается в том, что п.ч-за некоторого винтового наруп(ения (винтоиой дмслокати ) на поверхности кристалла его дальнейший рост происходит как бы по винтовой лестнице, или по спирали (рис. 5.5, (5). Для роста кристалла путем присоединения частиц к постепенно продвигающейся спирали не требуется образования двухмерного зародыша, поэтому рост возможен при минимальных пересыщениях раствора. [c.248]

Скорость роста идеально гладкой грани пропорциональна частоте появления на ней двумерных зародышей. Этот этап является весьма чувствительным к пересыщению, и вероятность образования нового слоя при пересыщениях ниже 25—50% совсем ничтожна. Дальнейшее разрастание слоя происходит быстро и от пересыщения не зависит. Однако в реальных кристаллах рост кристалличеекой поверхности становится непрерывным и осуществляется при ма/гых пересыщениях порядка 1 % и ниже. Это противоречие между теорией и практикой объясняет так называемая дислокационная теория. В настоящее время эти представления о механизме и кинетике роста кристаллов из пара являются общепринятыми. Согласно дислокационной теории винтовые дислокации, всегда присутствующие в реальном кристалле и выходящие на растущую поверхность, обеспечивают наличие готовых ступенек. Частицы, адсорбировапные поверхностью, свободно по ней перемещаются и, наконец, присоединяются к имеющемуся дислокационному выступу — ступеньке. В процессе кристаллизации ступеньки не зарастают, а сохраняются в новых слоях. Поэтому вся кинетика роста определяется движением ступенек и нет необходимости в появлении новых двумерных зародышей. При таком механизме роста полностью заполненных плоскостей нет, присоединение частиц происходит по спирали. -Для образцов с достаточно ( свершенной структурой плотность дислокаций, выходящих на поверхность, достигает 10 Поэтому рост такой поверхности происходит во многих точках одновременно и микрорельеф ее оказывается не гладким, а шероховатым. [c.60]

Появление лорарифмическгой зависимости может бшть объяснено тем, что процесе окисления контролируется переносом электронов через пленку — туннельный эффект или торможением диффузии частиц вследствие наличия большого количества мелких пузырей в пленке. Логарифмическая зависимость характерна для тонких пленок (до 1000 нм). При увеличении толщины пленки логарифмическая зависимость превращается в параболическую, что объясняется изменением механизма роста пленки. Логарифмическая зависимость роста пленки установлена для окисления на воздухе Fe -< 400 "С, Си < 100 X, Ni < 500 С, А1 < 225 С. Ti < 300 С, Та < 150 "С [13]. [c.23]

Согласно этому представлению, при сорбции триэтнлалюми-ния образуется мостиковый комплекс, в котором связь А1—С поляризована в направлении образования карбаниона СНз—СН . Благодаря близости сорбированного мономера простое внедрение поляризованной молекулы мономера при одновременном расщи-рении мостикового комплекса приводит к присоединению первого мономерного звена. При этом в освободивщееся пространство вблизи активного центра перемещаются другие сорбированные молекулы мономера. На следующей стадии происходит повторное сужение мостикового комплекса, однако алкил, связанный с алюминием, уже длиннее на два углеродных атома. По данному механизму рост цепи продолжается п дальще (рис. 3.3). [c.34]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология