Тетрагональная кристаллографическая

Системы кристаллов различаются характером взаимного расположения кристаллографических осей и их длиной. В трех первых типах систем оси а, Ь я с взаимно перпендикулярны (а=Р=7=90°). В кубической системе оси имеют одинаковую длину (а=6=с), тетрагонально й — одинаковы лишь две оси (а=Ьфс), в орто-ромбической — все три оси разной длины (афЬфс). В гексагональной системе две оси одинаковой длины располагаются в одной плоскости и образуют угол 120°, ось с им перпендикулярна (а=Ьфс а=Р=90°, 7= 120 )- В моноклинной системе все три оси разной длины (афЬфс), две из них образуют между собой угол, отличный от 90°, а третья ось расположена под прямым углом к этим двум осям ( =7=90°, Р=90°). В триклинной системе все три оси имеют разную длину (афЬфс) и расположены под разными углами (аф фу). Ромбоэдрическая система характеризуется одинаковой длиной осей (а=Ь=с) и одинаковыми углами между осями, отличными от 90° (а=Р= 79 90 ). [c.133]

Каждый кристалл можно отнести к одной из следующих шести кристаллографических систем (или сингоний) кубической (или изометрической), гексагональной, тетрагональной, ромбической, моноклинной [c.36]

В табл. 2.1 приведены кристаллографические данные для различных кристаллических модификаций полимеров и удельный объем полимера в различных фазовых и агрегатных состояниях. При обозначении сингонии использованы следующие сокращения гекса.— гексагональная, моно.— моноклинная, орто.— кубическая (орторомбическая), тетра.— тетрагональная, три.— триклинная, триг.— тригональная (ромбоэдрическая). Приставка п- перед названием сингонии означает псевдо (например, п-гекса.— псевдогексагональная). Обозначения пространственных групп даны в соответствии с принятой международной системой [14, 492]. Значения параметров элементарной ячейки кристалла а, й и с даны в 10"i м. Как правило, параметр с соответствует периоду идентичности вдоль оси макромолекулы, за исключением случаев, когда ось макромолекулы совпадает с направлением другого параметра ячейки. [c.123]

Для придания методу универсальности Федорову пришлось доказать на огромном экспериментальном материале, что все кристаллы по своим углам приближаются к кубическому или гексагональному типам, что у них можно выделить зоны, аналогичные призмам тригональной, тетрагональной или гексагональной сингоний, что отклонение от этих идеальных значений у реальных кристаллов низших сингоний встречается тем реже, чем сильнее само отклонение. Это обобщение известно под названием закона кристаллографических пределов, который может быть сформулирован так все кристаллы идеальны или приближаются к идеальным. [c.61]

Кристаллографические сингонии обозначаются следующим образом К — кубическая (равноосная кристаллическая система) Т —тетрагональная Г —гексагональная Тр- три-гональная Р —ромбоэдрическая М—моноклинная, а. 3 и т. д. —модификации, существующие при обычных температурах. [c.111]

В основу классификации кристаллов положена их симметрия известно 32 вида симметрии кристаллов. Для удобства они сгруппированы в 7 кристаллографических форм, или сингоний (кубическая, тригональная, тетрагональная, гексагональная, ромбическая, моноклинная, триклинная), и 3 категории — высокую (к которой относится первая форма), среднюю (три следующих формы) и низкую (три последующих формы). [c.353]

Нагревание при температуре выше 390 К ведет к постепенно возрастающей дегидратации и увеличению степени кристалличности образца. При 683—703 К наблюдается чрезвычайно быстрая экзотермическая рекристаллизация. Если температура ниже 1370 К, стабильной кристаллографической модификацией является моноклинная, но первоначально из аморфного вещества могут образоваться и тетрагональная, и моноклинная модификации— в зависимости от условий. Тетрагональная форма обычно получается при осаждении двуокиси циркония из водных щелочных растворов или в результате прокаливания при невысоких температурах солей циркония, например нитрата. [c.71]

Кристаллографическая структура высокотемпературных сверхпровод ников близка к структуре перовскитов [496]. Однако в отличие от типич ных перовскитов, где на одну молекулу приходится 9 атомов кислорода в соединениях тапа 1-2-3 число атомов кислорода близко к 7, т,е. около 1/4 атомов кислорода отсутствует. По-видимому, это является решающим обстоятельством в определении сверхпроводящих свойств подобных материалов. Эти материалы могут находиться по крайней мере в двух фазах высокотемпературной (тетрагональной) и низкотемпературной (ромбической) [497]. Рентгенодифракционный анализ обнаруживает систему ориентированных структурных доменов [498], возникающих при переходе [c.238]

По кристаллографически цветовому принципу деления ромбическим хроматам свинца соответствует зелено-желтый, моноклинным — красновато-желтый, тетрагональным — оранжево-красный тона. [c.143]

Известно, что двуокись свинца может кристаллизоваться в двух модификациях ромбической а-РЬОг и тетрагональной р-РЬОг, и каждая из этих модификаций в серной кислоте имеет различные емкостные и разрядные характеристики. А. Ф. Кондратьев, В. Ф. Лазарев и А. И. Левин исследовали разрядные и емкостные характеристики а- и р-РЬОг-модификаций в кремнефтористоводородной кислоте. Из опытных данных оказалось, что величина разрядного потенциала электрода сс-РЬОг меньше, чем у электрода р-РЬОг. Эта зависимость сохраняется при изменении концентрации кислоты и при изменении величины разрядной плотности тока. Технологическая емкость электрода а-РЬОг также значительно меньше, чем у электрода р-РЬОг, при разряде их током одинаковой плотности. В растворах с различным содержанием Н281Рв наблюдалась экстремальная зависимость удельной емкости РЬОа-злектродов. С изменением величины разрядной плотности тока удельная емкость а-РЬОг-модификации уменьшается в большей степени, чем р-РЬОг-модификации. Подобная зависимость для а- и р-РЬОг-модификаций была ранее установлена и в растворах серной кислоты и объяснена условиями кристаллизации РЬ504 и величиной истинной поверхности двуокиси свинца. Действительно, кристаллографическое изучение осадка р-РЬОг показало, что в данном случае р-РЬОа-модификация имеет развитую поверхность. Установлено, что относительное содержание р-РЬОг в осадке, полученном из более кислых растворов, увеличивается. Однако это не значит, что величина истинной поверхности является единственной причиной, определяющей повышенную емкость электрода из двуокиси свинца. Очевидно, что и условия электроосаждения двуокиси свинца влияют на разрядные характеристики электрода. [c.487]

Форму кристаллов изучает кристаллография. Для описания формы кристаллов пользуются системой трех кристаллографических осей (рис 63). В отличие от обычных координатных осей эти оси представляют собой конечные отрезки а, 6 и с, а углы между ними могут быть прямыми и косыми. В соот ветствии с геометрической формой кристаллов возможны следующие их системы (рис. 64) кубическая, тетрагональная, орторомбическая, моноклинная, шриклинная, гексагональная и ромбоэдрическая. Как видно из рис. 64, системы кристаллов различаются характером взаимного расположения кригталлографи-ческих осей а, 7) и их длиной (а, 6, с). [c.117]

Может показаться удивительным, что молекулы или ионы, ио-видимому обладающие собственной симметрией, не всегда проявляют эту симметрию в кристаллах, т, е, занимают позиции с бо 1ее низкой точечной симметрией. Вполне очевидно, что-кекристаллографическая симметрия (например, симметрия поворотной оси 5-го порядка плоского кольца или икосаэдриче-ской группы) не может проявиться в кристалле. В лучшем случае группа с такой симметрией могла бы занять в кристалле позицию в плоскости симметрии или на поворотной оси 2-го порядка, Кроконат-пон в (ЫН4)2Сб05 имеет точную (в пределах точности структурного определения) симметрию оси 5-го порядка, по в кристалле ионы должны упаковываться таким образом, чтобы составить одну из 230 пространственных групп. Подобным же образом, даже если молекулы обладают симметрией кристаллографического типа (например, поворотными осями 4-го или 6-го порядков), основное требование состоит в том, чтобы они эффективно упаковывались, а это может оказаться неосуществимым при параллельном расположении их осей, что было бы необходимо в структурах с тетрагональной или гексагональной симметрией, [c.69]

Рутил, анатаз, брукит (рис. 50). Диоксид титана Т10г в природе встречается в трех полиморфных модификациях. Одна из них — рутил — наиболее распространенная и прочная, две другие — анатаз и брукит — встречаются сравнительно редко. Рутил и анатаз кристаллизуются в тетрагональной сингонии Li AL2 5РС они различаются по структуре, что выражается отношением кристаллографических осей 1 с — для рутила [c.159]

Высший окисел титана TiOj существует в >трех кристаллографических модификациях рутил и анатаз с тетрагональной решеткой [c.118]

Этот раздел касается некоторых вопросов, трактовка которых иногда встречает затруднения в кристаллографической литературе. Речь идет о том, что одно и то же аналитическое описание часто используют по отношению к кристаллическим структурам с совершенно различными геометрией и топологией. Наглядным примером служит структура, описываемая ромбоэдрической элементарной ячейкой с атомами М в позиции (ООО) и атомами X-—в (V2 V2 V2). Так описываются структуры типа s l (8-координация М и X), если а = 90°, и типа Na l (6-координация М и X), если а=60°. Такое разночтение появляется, если имеется (по меньшей мере) один переменный параметр, который может влиять либо на форму элементарной ячейки (напрнмер, иа величину угла а в ромбоэдрической ячейке, на отношение осей гексагональной или тетрагональной ячейки), либо иа позицию атома в элементарной ячейке. Ниже приведены соответствующие примеры. [c.321]

Характер АЭ зависит от вида движения дислокаций. Если движение дислокаций однородно и непрерывно в объеме исследуемого материала, то большое количество малых импульсов создает непрерывную АЭ. При прост -ранственной или временной неоднородности деформации проявляются вспышки большой амплитуды. Общепринято, что появлению АЭ-сигналов с большой амплитудой способствуют высокая скорость деформирования, гетерогенность материала, склонность его к хрупкому разрушению и деформации двойникованием, кристаллографическая структура с ограниченным числом систем скольжения (тетрагональная, кубическая гексагональная), крупнозернистая структура образца. Напротив, непрерывная АЭ с малым уровнем возникает в гомогенных мелкозернистых материалах при малой скорости деформирования сдвигом, что присуще, в частности, материалам с изотропной кристаллической структурой. Изменение условий деформирования (температуры, приложенных напряжений, среды) приводит к изменению соотношения между активностями двух видов АЭ. [c.169]

В зависимости от внешней формы и строения кристаллы делятся иа кристаллографические системы, или сингонии (син — сходный, гония — угол) Всего существует семь кристаллографических систем которые сгруппированы по набору элементов симметрии в три категории выс-шую, среднюю и низшзто К высшей категории относится только кубическая система Кристаллы, входящие в нее, в наборе элементов симметрии имеют несколько осей симметрии высшего порядка (п>2) К средней категории относятся уже три системы — тригональная (ромбоэдрическая), тетрагональная и гексагональная Кристаллы этих систем имеют лишь по одной оси симметрии высшего порядка К низшей категории относятся оставшиеся три системы— триклинная. моноклинная и ромбическая Кристаллы этих систем не имеют ни одной оси симметрии высшего порядка [c.236]

К сожалению, эти линии часто перекрываются, особенно в сложных структурах с низкой симметрией, и это является основным ограничением применимости данного метода. В общем случае часто оказывается, что плоскости с достаточно различными индексами и ориентацией имеют одни и те же или очень близкие межплоскостные расстояния, поэтому они не могут быть однозначно идентифицированы по порощкограмме. Для кубической, гексагональной, триго-нальной и тетрагональной сингоний индексы линий можно находить с помощью графических методов и по этим индексам определять размеры элементарной ячейки. Но даже в этих случаях отражения от ряда кристаллографически различных плоскостей сливаются в одну линию и невозможно оценить интенсивность каждой из них в отдельности. Для систем с низкой. симметрией очень трудно однозначно определить даже размеры элементарной ячейки, если в распоряжении исследователя нет некоторых дополнительных данных. На практике обычно невозможно детально определить структуру, если в распоряжении имеется только рентгенограмма порошка. Однако метод имеет огромное значение для характеристики и идентификации веществ и точного измерения межплоскостпых расстояний. [c.41]

Появилась работа, посвященная изучению монокристалла бронзы состава Каолз Оз методом дифракции нейтронов [26]. Несмотря на то что в кристалле содержались домены тетрагональной фазы, симметрия кристалла была кубической. Однако элементарная ячейка была удвоена и рассматривалась структура, в которой из восьми кубических позиций А в шести находились атомы натрия. Атомы кислорода занимали лишь одно из четырех мест, предназначенных им пространственной кристаллографической группировкой. Отсюда вполне вероятно, что причиной усадки является локальное упорядочение этих атомов, которое может достигаться лишь путем пониженйя симметрии кристалла. При низких температурах, когда вполне реальна кубическая симметрия, сохраняется упорядоченное расположение атомов натрия и наличие вакансий в позициях А. Возникает вполне резонный вопрос, является ли расположение атомов натрия упорядоченным при различных концентрациях и могут ли такие упорядоченные фазы иметь кубическую симметрию [c.133]

Плотность по кристаллографическим данным оценивают тем же способом, который применяется для оценки составов. Размеры канала для молекул- гостей можно также оценить из молекулярных моделей или по предварительным измерениям плотности чистых твердых веществ или тонкого слоя. Размеры молекул жирных кислот, спиртов и родственных им соединений приведены в работе [661. Расчетная плотность мочевины с тетрагональной структурой согласуется с литературными данными (7 = 1,323). Подобным образом плотность мочевины с пустой гексагональной решеткой, полученная расчетным путем из параметров ячейки, если диаметр канала принять равным 5,25 А, составляет 0,956 г/см . Учитывая х бъем канала, определяют плотность мочевины 1,34 г/сж , что приблизительно равно плотности мочевины с тетрагональной структурой. Величину массы молекул-вхозяев , приходящихся на 1 см а йукта, полученную в результате анализа, прибавляют к числу 0,956 и получают плотность комплекса . Таким способом Шленк [90] нашел, что плотность комплекса с н-додеканом = 1,203 сравнима с расчетной величиной, равной 1,205. Для соединения с 4,4 -дихлордибу-тиловым эфиром измеренная ур — 1,310, а расчетная — 1,307. [c.466]

Смотреть страницы где упоминается термин Тетрагональная кристаллографическая: [c.483] [c.167] [c.100] [c.241] [c.427] [c.28] [c.147] [c.303] [c.209] [c.69] [c.28] [c.156] [c.287] [c.655] [c.771] [c.839] [c.509] [c.20] [c.179] [c.139] [c.231] [c.239] [c.600] [c.249] [c.128]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология