Радиационные дефекты

Проникая в твердое вещество, излучение в зависимости от величины его энергии может затрагивать только валентные электроны, всю электронную оболочку атомов или же, при достаточно высокой энергии, и атомные ядра. В последнем случае оно производит не только возбуждение электронов, ионизацию, но и смещение атомов данного вещества из их нормальных положений. Зто относится как к электромагнитному излучению (видимому свету, ультрафиолетовым и рентгеновским лучам, 7-излучению), так и к потокам частиц (электронов, ионов, например, протонов или а-частиц и др.). При этом энергия излучения трансформируется частично в тепловую, вибрационную энергию твердого вещества, которая передается соприкасающимся с ним веществам, а частично в электромагнитное излучение сниженной частоты по сравнению с частотой поглощенной лучистой энергии. Местные изменения структуры твердого вещества, возникающие при его взаимодействии с излучением высоких энергий, принято называть радиационными дефектами. Радиационные дефекты, равномерно распределенные по всему сечению луча, проникающего в твердое вещество, создаются фотонами, электронами, а-частицами и т. д. [c.121]

Другим направлением проводимых исследований является изучение процессов дефектообразования при ионной имплантации пластин арсенида галлия. Прямые экспериментальные исследования с привлечением современных методов дополнялись расчетами по модельным компьютерным программам. Было изучено влияние режимов имплантации, типа и режимов постимплантационного отжига на структуру имплантированных слоев. Установлено влияние поверхности подложки на концентрацию и тип точечных дефектов, образующихся при имплантации. Показано, что в процессе активирующего отжига происходит пространственное разделение межузельных атомов и вакансий и обогащение поверхностного слоя последними. Изучены механизмы влияния дислокационной структуры подложек на характер распределения имплантированной примеси и радиационных дефектов по площади подложек. Результаты исследований представляют практический интерес при разработке процессов импланта-ционного легирования полупроводников. [c.158]

Значит, материал с совершенной структурой, что характерно для высокочистого бериллия или материала, облученного при высокой температуре, имеет, низкое значение теплосопротивления в области низких температур, а следовательно, высокие значения теплопроводности (№ =1Д). Обратная картина характерна для материала, загрязненного примесями либо содержащего радиационные дефекты, зафиксированные при низкотемпературном облучении. [c.14]

Мы видим, что действие различных видов излучения на твердое вещество может быть очень различным. Но часто необходимо, не вникая в подробности, охарактеризовать или, что еще важнее, предсказать действие излучения на вещество. Для этого можно воспользоваться представлением о радиационных дефектах в структуре твердого вещества. С этой точки зрения действие излучения зависит не столько от его природы, сколько от величины энергии, вносимой в твердое вещество. В то время как излучение малой энергии, например инфракрасная радиация, лишь до- [c.141]

В мощных радиационных полях широкозонные диэлектрики резко меняют многае свойства, в частности, электрическое сопротивление и уже не могут выполнять функции диэлектрического материала. Потребности техники вызвали активизацию фундаментальных исследований в области изучения электронных возбуждений и первичных радиационных дефектов, т.к. без понимания природы первичных процессов весьма сложно идентифицировать радиационно-химические реакции на последующих стадиях, приводящие к изменению свойств материалов. Исследование радиационно-стимулированной проводимости является перспективным методом изучения первичных процессов, поскольку несет информацию о генерации и последующей релаксации зонных носителей заряда. [c.76]

Наблюдается в спектрах люминесценции облученных алмазов после отжига радиационных дефектов (рис. 119). Встречается также в спектрах КЛ алмазов (приро.дных и синтетических), не подвергавшихся облучению. Модель центра не предложена, [c.120]

РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В БЕРИЛЛИИ [c.27]

Радиационные дефекты и радиационно-стимулированная [c.147]

Спектр обусловлен центром, образующимся при захвате вакансии примесным азотным центром В1 [290], Образуется в результате отжига радиационных дефектов, [c.120]

Облучение бериллия быстрыми частицами способствует образованию и накоплению в нем обычных радиационных дефектов, а тарже ядер гелия и трития в результате протекания ядерных реакций на атомах бериллия. При определенных параметрах облучения эти эффекты могут вызывать существенное изменение физико-механических свойств материала, основными из которых в практическом приложении являются плотность, теплопроводность, прочность и пластичность. [c.3]

Наблюдается в спектрах поглощения (рис, 120) и фотолюминесценции (в КЛ не проявляется) алмазов типа 16 после отжига радиационных дефектов. [c.120]

При облучении вещества скорость образования радиационных дефектов, наибольшая в начале облучения, затем постепенно снижается. Полное же радиационное повреждение монотонно и непрерывно возрастает с течением времени и асимптотически прибли-н ается к некоторой предельной величине. Пример такого процесса представлен на фиг. 9.5 [1]. Приступая к исследованию конкретной системы, целесообразно набросать график роста концентрации спинов во времени. Это даст возможность выбрать наилучшее время экспозиции. Приближение числа спинов к асимптотическому значению при длительном облучении иногда называется насы- [c.330]

Осложняющим эффектом может быть явление атомного перемешивания, когда первичные ионы генерируют радиационные дефекты и вызывают искажение концентрационного профиля в исследуемом материале. Этот эффект тем сильнее, чем выше энергия первичных ионов при 10 кэВ эффект перемешивания практически не проявляется. [c.582]

Выше были рассмотрены спектры ЭПР А1- и Ое-центров, возникающие под действием ионизирующей радиации. В настоящем разделе будут приведены данные по ЭПР и оптической спектроскопии радиационных дефектов, образующихся под действием реакторного, протонного или электронного облучений. Такие центры возникают в синтетическом кварце в отличие от природных, для которых они также описаны только после воздействия соответствующими дозами указанных видов излучения. Приведенные расчеты показали, что при у-воздействии вероятность об-равования точечных дефектов в кварце невелика. В случае облучения электронами пороговая энергия смещения ионов кислорода (образования вакансий) существенно зависит от степени совершенства кристаллической решетки. В случае облучения электронами с энергией 2 МэВ она составляла 50 5 эВ для кварца, выращенного с малой скоростью ( 0,2—0,3 мм/сут), и 15 5 эВ — для кварца, выращенного с большой скоростью ( 1 мм/сут). Для нейтронов эта зависимость более слабая. [c.147]

Учитывая кристаллохимические особенности кварца, следовало ожидать, что набор радиационных дефектов непримесной природы сводится к следующим вакансия кислорода, дивакансия кислородов, вакансия кремния, дивакансия кислород-кремния, междуузельный кислород, дефекты типа разорванных связей в результате смещения атомов. Дефекты типа междуузельного кремния Не описывались и поэтому не обсуждаются. [c.147]

В детекторах такого типа чувствительная область создается в результате компенсации доноров в исходном материале акцепторными уровнями радиационных дефектов, возникающих под действием у-излучения °Со при флюенсе порядка см в кристалле германия и-типа. В отличие от литий-дрейфовых детекторов, радиационные ППД не требуют охлаждения во время хранения, поскольку эти дефекты стабильны при комнатной температуре. Однако их энергетическое разрешение хуже, чем дрейфовых (собственный шум приблизительно в 2 раза выше), меньше и толщина чувствительной области, достигающая в лучшем случае 0,2-0,3 см. [c.89]

Как можно видеть из приведенных снимков (рис. 7), плотность зародышей золота на необлученном кристалле заметно меньше, чем на облученном. Подсчет показывает, что плотность зародышей золота на облученном кристалле составляет 3,4-10 см , а на необлученном — 1 10 см -и почти совпадает с поверхностной плотностью радиационных дефектов (3,6-10 см ). После отжига кристаллов различие между плотностями зародышей на облученном и необлученном кристаллах сглаживается. По-видимому, точечные дефекты так же, как и другие неоднородности поверхности, являются активными местами в процессе зародышеобразо-вания [29]. Для окончательного решения этого вопроса требуются дальнейшие исследования. [c.295]

Таким образом, полученные экспериментальные данные свидетельствуют о том, чго рекомбинация стабшшзированных на поверхности радиационных дефектов представляет собой температурнозависимую туннельную реакцию переноса электрона на расстояние, превышавдее 8 А. [c.54]

Штересно отметить, что одновременно с кинетикой рекомбинации радиационных дефектов нами наблвдалась слабая и спадапцая во времени самопроизвольная люминесценция облученных образцов. Кинетика спада люминесценции во времени коррелирует с наблвдаемой методом ЭПР рекомбинацией 07 и е7 , что позволяет сделать предположение [c.54]

В этом сшоле действие электронов ( -частицами) и -квантов эквивалентно, а различия определяются лишь плотностью образовавшихся дефектов. Благодаря большей проникащей способности "-лучей возможно создание радиационных дефектов и в глубинных слоях ката-лизауорЬв, в то время как р-частицы оказывают более поверхностное воздействие. Различие в воздействиях jft -частиц и j -квантов обнаруживается при изучении влияния дозы облучения катализаторов на скорость гидрирования непредельных соединений, однако механизм активации контакта под влиянием указанных видов ионизирукадего излучения один и тот же. [c.167]

Присутствие радиоактивного изотопа изменяет работу выхода электрона (рис.5). Характер изменения зависит от способа введения изотопа. При препаративном получении радиоактивного катализатора работа выхода утленьшается по сравнению с нерадиоактивным препаратом. Облучение в ядерном реакторе может привести как к повышению, так и к понижению работы выхода. Это связано с различным влиянием на работу выхода двух факторов излучения радиоактивного, изотопа и образования радиационных дефектов,возникащих при нейтронной бомбардировке. Поэтому препараты ,облученные в ядерном реакторе,при удельной [c.279]

Сравнение каталитических и оптических свойств окислов р.з.э. и пгтрия выявило роль радиационных дефектов в реакции разложения [c.281]

Все эти обстоятельства диктовали необходимость атомарных расчетов структуры ядра дислокации. Толчком к их проведению послужили классические исследования Виньярда и его сотрудников [ 113] радиационных дефектов, положившие начало Методу машинного моделирования дефектов решетки точечных, линейных, планарных (подробнее см. Обзор [114]). Первые работы по математическому моделированию ядра дислокации появились в 1964-1965 гг. [115, 116]. После того как парк ЭВМ в нашей стране пополнился машинами с достаточными быстродействием и памятью, в СССР были начаты работы по математическому моделированию ядра дислокации в металлах [117, 118], сплавах [119], ионных кристаллах [120]. За прошедший с начала исследований период появилось большое число работ, посвященных моделированию структуры ядра дислокации (см. обзоры [121,122]). [c.36]

Смотреть страницы где упоминается термин Радиационные дефекты: [c.141] [c.76] [c.112] [c.295] [c.122] [c.156] [c.49] [c.54] [c.62] [c.278] [c.281] [c.282] [c.269] [c.270] [c.270] [c.272] [c.284] [c.427] [c.719] [c.10] [c.221] [c.580]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология