Разрешение энергетическое

Для атома водорода решение уравнения Шредингера дает вид волновой функции ф для каждого разрешенного энергетического состояния атома. Это и есть атомные орбитали атома водорода. Каждая орбиталь однозначно определена тремя квантовыми числами п, I к т. Этим квантовым числам может быть приписан следуюш,ий физический смысл. [c.253]

Атомно-абсорбционный метод основан на резонансном поглоще-нни характеристического излучения элемента его невозбужден-нымн атомами, находящимися в свободном состоянии, т. е. в состоянии атомного пара . В результате поглощения кванта света валентный электрон атома возбуждается и переходит па ближайший разрешенный энергетический уровень, а резонансное излучение, проходящее через плазму, ослабляется. Ослабление резонансного излучения элемента, падающего на плазму с интенсивностью /о, до интенсивности / для выходящего светового потока происходит по экспоненциальному закону, который идентичен закону Бугера — Ламберта — Бера [c.48]

В 1928 г. Блох показал, что в периодическом поле идеальной кристаллической решетки перемещающиеся электроны можно рассматривать как свободные, но не с любым значением энергии. Зоны разрешенных энергетических состояний, которые определяются энергетическими уровнями атомов, входящих в кристаллическую решетку, разделяются запрещенными зонами. Каждая зона разрешенных энергетических состояний имеет N уровней. Согласно принципу Паули, на уровне размещаются 2N электронов. Для обычных люминофоров предполагается существование двух зон — заполненной электронами (валентная зона) и незаполненной, в которой электроны могут свободно перемещаться (зона проводимости). Зоны разделены промежутком — запрещенной энергетической областью (запрещенная зона). Ширина запрещенной зоны у сульфидных люминофоров составляет несколько электрон-вольт. Введение примесей (активаторов), а также наличие примесей и дефектов в решетке создают условия для образования энергетических уровней, которые располагаются в запрещенной зоне. [c.73]

Как показывает эта схема, с ростом числа атомов возрастает число разрешенных энергетических состояний, а расстояния между [c.531]

Волновая функция (символ — v) — математическое описание разрешенного энергетического состояния или орбитали дпя электрона в кван-тово-механической модели атома. [c.64]

В неизотермическом случае (цепно-тепловой механизм) резкое увеличение скорости процесса связано как с искажением функции распределения (тепловой фактор), так и с понижением активационного барьера разрешенных энергетически процессов (цепной фактор) (см. рис. 38). Поскольку с ростом температуры скорость реакций разветвления и продолжения растет быстрее, чем скорость реакций обрыва (т. е. растет отношение аук/ ), то (4.52) быстро стремится к виду [c.328]

Рис. 52. Полоса разрешенных энергетических состояний твердого вещества шириной Д

Для атомных (немолекулярных) твердых соединений набор условий, обеспечивающий синтез индивидуального твердого тела химического соединения, должен быть строго постоянным, ни одно условие синтеза не может быть переменным. Это обусловлено, как мы знаем, принципиальным отличием природы твердых веществ данного типа, в частности тем, что соответствующие квантовые системы обладают огромным количеством разрешенных энергетических состояний для валентных электронов. [c.171]

Необычайные с точки зрения классической химии валентные состояния ряда элементов, как известно, вполне естественны для этих элементов в составе твердого вещества, обладающего богатым набором разрешенных энергетических состояний. [c.180]

В металле число атомных орбиталей, участвующих в образовании отдельной молекулярной орбитали, чрезвычайно велико, поскольку каждая атомная орбиталь перекрывается сразу с несколькими другими. Поэтому число возникающих молекулярных орбиталей тоже оказывается очень большим. На рис. 22.20 схематически показано, что происходит при увеличении числа атомных орбиталей, перекрыванием которых создаются молекулярные орбитали. Разность энергий между самой высокой и самой низкой по энергии молекулярными орбиталями не превышает величины, характерной для обычной ковалентной связи, но число молекулярных орбиталей с энергиями, попадающими в этот диапазон, оказывается очень большим. Таким образом, взаимодействие всех валентных орбиталей атомов металла с валентными орбиталями соседних атомов приводит к образованию огромного числа чрезвычайно близко расположенных друг к другу по энергии молекулярных орбиталей, делокализованных по всей кристаллической решетке металла. Различия в энергии между отдельными орбиталями атомов металла настолько незначительны, что для всех практических целей можно считать, будто соответствующие уровни энергии образуют непрерывную зону разрешенных энергетических состояний, как показано на рис. 22.20. Валентные электроны металла неполностью заполняют эту зону. Можно упрощенно представить себе энергетическую зону металла как сосуд, частично наполненный электронами. Такое неполное заселение разрешенных уровней энергии электронами как раз и обусловливает характерные свойства металлов. Электронам, заселяющим орбитали самых верхних заполненных уровней, требуется очень небольшая избыточная энергия, чтобы возбудиться и перейти на орбитали более высоких незанятых уровней. При наличии любого источника возбуждения, как, например, внешнее электрическое поле или приток тепловой энергии, электроны возбуждаются и переходят на прежде незанятые энергетические уровни и таким образом могут свободно перемещаться по всей кристаллической решетке, что и обусловливает высокие электропроводность и теплопроводность металла. [c.361]

Если состояние всех электронов в кристалле описывать с помощью/Зон Бриллюэна, то удобно считать электроны 1-оболочки заполняющими первые зоны, электроны /С-оболочки заполняющими следующие зоны (см. рис. 37, б). Тогда валентные электроны будут занимать зоны у внешнего края заполненной области. Так как многие процессы в кристаллах объясняются состоянием валентных электронов, удобно состояния электронов внутренних оболочек не учитывать и на энергетической схеме изображать только две разрешенные энергетические зоны (см. рис. 55) валентную (е ), соответствующую нормальным (невозбужденным) состояниям валентных электронов, и ближайшую к ней зону возбужденных состояний этих электронов — возбужденную зону или зону проводимости (8 ). [c.127]

Рассмотрим теперь вопрос о распределении электронов по отдельным разрешенным энергетическим уровням в случае теплового равновесия при произвольной температуре. [c.241]

Концентрация электронов в любом выбранном интервале разрешенных энергий выражается произведением плотности этих состояний g (е) на вероятность fo (е) их заполнения (см. гл. II, 3). Плотность разрешенных энергетических состояний в интервале энергии от 8 до е + de в зоне проводимости или в валентной зоне определяется по формуле [c.241]

Таким образом, в присутствии магнитного поля разрешенные энергетические состояния распределены не однородно по всему [c.337]

Затем решают это уравнение и находят волновые функции и соответствующие собственные значения Е — разрешенные энергетические уровни. [c.381]

Электроды из аморфного алмазоподобного углерода могут быть дешевой и потому более доступной альтернативой электродам из кристаллического алмаза. Их проводимость, по всей вероятности, обусловлена не движением свободных носителей в разрешенных энергетических зонах, а перескоками электронов между локализованными точечными дефектами. [c.74]

Здесь AEf представляет собой энергию, требующуюся для образования переходного состояния из реагентов в расчете на 1 моль, когда молекулы в исходном и переходном состояниях находятся на низшем разрешенном энергетическом уровне. Произведение П берется по всем веще- [c.136]

Распределение электронов на разрешенных энергетических уровнях подчиняется статистике Ферми — Дирака, согласно которой вероятность / нахождения электрона на уровне с энергией бг определяется формулой [c.23]

Химическая система находится в своем основном состоянии, если ее энергия соответствует низшему из разрешенных энергетических уровней в остальных случаях говорят, что она находится в возбужденном состоянии. Интервал между последовательными энергетическими уровнями заметно уменьшается с увеличением энергии, и поэтому, хотя, в принципе существует всегда бесконечное число возбужденных состояний, экспериментально можно различить только те из них, которые расположены сравнительно близко к основному состоянию. [c.12]

Зоммерфельда — Вильсона [56, 64] требует, чтобы I — пЬ, (где п — некоторое целое число). Разрешенные энергетические поверхности подразделяют фазовое пространство на области площадью А. Этот результат может быть обобщен на системы с несколькими степенями свободы. Для молекулы с f степенями свободы энергетические уровни соответствуют разрешенным состояниям, подразделяющим фазовое пространство на области объемом М. Другими словами, объем Ы ассоциируется с определенным квантовым состоянием, поэтому можно записать [c.65]

Подстановка в это выражение значений энергии разрешенных энергетических уровней дает разрешенные частоты [c.13]

Разрешенные энергетические состояния электронов в атомах по периодам [c.57]

Как уже было отмечено, в результате расчетов электронных свойств молекулы методом молекулярных орбиталей получается набор разрешенных энергетических уровней, на которых могут располагаться я-электроны. Естественно, что в основном состоянии молекулы электроны занимают уровни с минимально возможной энергией, причем на каждой молекулярной орбитали, которой соответствует данный энергетический уровень, располагается по два электрона с противоположными спинами (см. рис. 3.4). Общая энергия я-электронов в соответствии с этим равна удвоенной сумме энергий занятых уровней. [c.158]

Поверхностные состояния обладают двумя обязательными основными свойствами. Первое заключается в том, что энергии этих состояний должны лежать в интервале между двумя разрешенными энергетическими зонами [162] — простое положение, которое может ввести в заблуждение и породить дальнейшую дискуссию. Второе заключается в том, что поверхностные состояния реализуются в зонах, подобных тем, которые образуются объемными состояниями, но, возмон но, охватывают очень узкую область энергий и могут переносить электрический ток только вдоль поверхностей кристалла так же как и в случае объемных состояний, электрический ток могут проводить лишь частично замещенные зоны поверхностных состояний. [c.166]

В твердом теле каждому энергетическому уровню изолированного атома соответствует совокупность разрешенных энергетических уровней — энергетическая зона. Максимальное число электронов в зоне равно числу электронов на подуровне, умноженному на число атомов в объеме кристалла. Так, максимальное число электронов в -зоне равно 2 т (где т — число атомов в элементарном объеме кристалла). Энергия электронов в пределе зоны квантуется. Расширение электронных уровней в зоны и частичное перекрытие отдельных зон наблюдается только для валентных электронов. Зоны разряженных энергий в кристалле отделены одна от другой аонами запрещенных состояний, в которых не могут находиться электроны. [c.65]

В традиционной теории металлического состояния, развившейся нз предшествующей теории электронного газа Друде и Лоренца, методы волновой механики распространены на рассмотрение поведения электрона в трехмерном периодическом поле, периодичность которого соответствует кристаллической решетке. Возможные состояния электронов описываются в терминах разрешенных энергетических полос (зон), отделенных друг от друга интервалами запрещенн ых э/ ергий. Эта теория дает удовлетворительную картину поведения обычных проводников, полупроводников и изоляторов. Теория успешно применяется нри расчетах таких свойств ряда металлов, как размеры и энергия решетки, сжимаемость (при задании только типа кристаллической структуры, например ГЦК). Однако она не дает объяснения механических свойств вне пределов эластичности, поскольку в этом случае проявляется зависимость от вторичной структуры (мозаичность, дислокации и т. д.). Мы не собираемся более подробно излагать квантовомеханическую теорию металлов, Подчеркнем лишь, что в зонной теории совокупность электронов рассматривается как целое первоначально в простом [c.458]

Эффект квадрупольного момента. Ядра со спином >1, обладают квадрупольным моментом, который может взаимодействовать с флуктуирующими электрическими полями. Это взаимодействие облегчает переход энергии к ядру и от него и тем самым позволяет ядру осуществлять быстрые переходы между разрешенными энергетическими уровнями. Это вызывает уширение энергетических уровней, и спектры квадрупольных ядер всегда содержат широкие линии. Ширина последних уменьшается, если квадрупольные ядра находятся в симметричном электронном окружении. Спектр ядра со спином /г, которое связано с квадрупольным ядром, может состоять из частично сглаженных мультипле-тов. Они проявляются в спектре как широкие сигналы. [c.420]

Важнейшей характеристикой сцинтилляционного успектро-метра является его энергетическое разрешение. Энергетическое разрешение сор — это отношение ширины пика полного поглощения, измеренного на половине высоты, к энергии Е, соответствующей максимуму пика (см. рис. 21) [c.77]

Модель Друде была усовершенствована на основе методов современной квантовой механики, позволяющей найти разрешенные энергетические уровни электронов металла в поле атомных ядер. Последние предполагаются фиксиро- [c.87]

Как показывает эта схема, с ростом числа атомов возрастает число разрешенных энергетических состояний, а расстояния между соседними энергетическими уровнями уменьшаются. При небольшом числе взаимодействующих атомов для перевода электрона с какого-либо энергетического уровня на ближайший более высокий уровень необходима затрата сравнительно большой энергии. Но при большом числе атомов N. (в макроскопическом кристалле N имеет порядок числа Авогадро) соседние уровни настолько мало различаются, что образуется практически непрерывная энергетическая зона, и переход электрона на ближайший более высокий уровень может осуществиться при затрате ничтожно малой энергии. Если такой ближайший уровень не занят электронами, то находящийся на предшествующем уровне электрон ведет себя как свободный вследствие делокализованности орбиталей он может перемещаться по кристаллу при сколь угодно малых энергетических воздействиях. [c.515]

Рядом с диаграммами приведены схемы распреи1,еления я-электроиов по молекулярным энергетическим уровням в условных единицах энергии 0 (разность энергий между двумя разрешенными энергетическими уровнями в этилене равна 2Э). Незаполненные электронные орбитали обозначены знаком электронные орбитали, на которых находятся два электрона с противоположными спинами, — знаком [c.151]

Решение волнового уравнения Шрёдингера для гармонического осциллятора дает результат, в соответствии с которым разрешенные энергетические уровни расположены на равных расстояниях один от другого их значения (рис. 10.7) можно найти по уравнению [c.329]

При вычислении Zpoт суммирование по всем разрешенным энергетическим уровням ротатора заменяют интегрированием, которое приводит к линейной функции 2рот Цд, если Т Обычно й2/(8п2/с/ ) < —200 °С, так что упрош,енное выражение для Zpoт можно использовать очень широко. [c.219]