Фотосопротивление проводимость

Действие фотосопротивлений основано на внутреннем фотоэффекте, при котором сопротивление полупроводника зависит от его освещения. Под действием света электроны из кристаллической решетки полупроводника переходят в свободное состояние (в зону проводимости). Изменение сопротивления обнаруживается по изменению тока в слое проводника. [c.243]

Ширина запрещенной зоны теллура 0,34 эв. Проводимость его при комнатной температуре значительно выше проводимости селена. Теллур — тоже дырочный полупроводник с сильно выраженной анизотропией проводимости. Селен широко используется для изготовления селеновых выпрямителей, фотосопротивлений, фотоэлементов с запирающим слоем. На мишени видиконов может идти аморфный селен, имеющий сопротивление порядка 10 —10 ом-см. Лучшие результаты дает твердый раствор 51,3-%-ного 5е и 48,7%-ного Аз он в 10 раз чувствительнее селена. [c.309]

В случае фотосопротивлений энергия поглощаемых квантов недостаточна для выбивания электронов из материала приемника, но в состоянии возбудить электроны из связанного состояния, когда они не участвуют в проводимости, до свободного состояния, когда они могут проводить ток. Фотопроводимость проявляется, таким образом, в уменьшении сопротивления полупроводников при их облучении (сопротивление уменьшается благодаря увеличению числа свободных электронов — носителей тока). [c.225]

Если электрон переносится из валентной зоны в зону проводимости не в результате теплового возбуждения, а под действием энергии фотонов, то говорят о фотопроводимости полупроводника это явление используют в фотосопротивлениях. [c.143]

В фотосопротивлениях непосредственно измеряется вызванное этим переходом изменение проводимости. Фотосопротивления из сульфида кадмия работают в области 400—800 нм, максимум чувствительности соответствует 650 нм. Фотосопротивления из сульфида свинца чувствительны от 300 до 3000 нм, причем максимум чувствительности находится вблизи 2500 нм. [c.142]

Фотосопротивление (ФС) —это приемник лучистой энергии, изменяющий свою проводимость (сопротивление) при воздействии лучистого потока. [c.127]

Проводимость фотосопротивлений зависит от приложенного напряжения и от освещенности. При сравнительно небольших освещенностях поведение фотосопротивлений подчиняется закону Ома, т. е. при постоянной освещенности сила тока, проходя- [c.506]

Проводимость фотосопротивлений зависит от приложенного напряжения и от освещенности. При сравнительно небольших освещенностях поведение фотосопротивлении подчиняется закону Ома, т. е. при постоянной освещенности сила тока, проходящего через сопротивление, пропорциональна приложенному напряжению. Величина фототока при малых освещенностях, если напряжение питания постоянно, растет пропорционально освещенности при дальнейшем увеличении освещенности наступает явление насыщения и прямая пропорциональность нарушается. Это ограничивает использование [c.443]

В стенке барабана сделаны узкие прорезы различной длины. Через эти прорезы свет от источника 7 через линзу 6 попадает на фотосопротивление 8, которое в связи с этим меняет электрическую проводимость. Число световых импульсов зависит от положения квадранта весов, которое, в свою очередь, зависит от нагрузки на ленте конвейера. [c.300]

В основу действия системы автоматики нового дозатора положено свойство фотосопротивления резко менять свою проводимость в зависимости от степени освещенности. Одновременно с изменением проводимости фотоприставки изменяется потенциал сетки электронной лампы, производящей соответствующие переключения приборов автоматики. [c.313]

Прежде всего фотоприставку совмещают с делением шкалы циферблата, соответствующим массе заданной дозы, и включают электромагнитный вибропитатель на полную мощность (режим насыпки). Под действием поступающего материала бункер дозатора опускается, а стрелка с флажком перемещается по шкале циферблата. При пересечении флажком луча света фотоприемника фотосопротивление изменяет потенциал сетки лампы, а она уменьшает напряжение в обмотке катушек электромагнитов питателя, вследствие чего интенсивность подачи материала уменьшается и дозатор переходит на режим досыпки. Досыпка материала длится до момента совпадения стрелки с делением, соответствующим массе дозы. При этом флажок выходит из-под луча света фотоприставки, что вызывает новое изменение проводимости фотосопротивления, которое гасит электронную лампу, а последняя выключает ток, поступающий на катушки магнитов питателя. Питатель останавливается, и подача материала в бункер дозатора прекращается. [c.314]

Удельная проводимость dS под влиянием различных факторов (примеси, температура, световое и ионизирующее излучение и т. п.) может быть изменена от 10 до 10 ом -см . Поэтому сульфид кадмия не только является самым чувствительным фотосопротивлением в видимой области спектра, но и используется для счета ядерных частиц, рентгеновских и -лучей. При этом квантовый выход часто достигает 10 ООО электронов на один поглощенный фотон, чем и объясняется высокая фоточувствительность. [c.179]

Полимеры с тройными связями (полиацетилены). Внутренний фотоэффект обнаружен у 50 органических полимеров (из исследованных 70) с тройными связями в цепи общей формулы К—[С=С—К1—С=С] —Н или К—[С=С] —К, где К и — органические радикалы с функциональными группами или гетероатомами. Проводимость приготовленных фотосопротивлений составляла 10 —10 ом" -см и увеличивалась под интегральным светом ртутной лампы СВД-120 на 2—3 порядка. Зависимость фототока от интенсивности света может быть выражена формулой г= скЬ , где п изменяется от 0.5 до 1. Фототок пропорционален где п близко к 2. Было установлено, что релаксация фотопроводимости имеет постоянные времени, изменяющиеся от 10 сек. до нескольких минут, и подчиняется гиперболическому закону, что свидетельствует о рекомбинационных процессах. Впервые установленная для органических полимеров быстрая составляющая фототока (10 сек.) свидетельствует о чисто электронном характере внутреннего фотоэффекта в изучаемых макромолекулярных соединениях [11]. [c.230]

Для того чтобы лучше понять принцип действия полупроводниковых фотоэлементов, вернемся к оиисанию механизмов дырочной и электронной проводимостей. Полупроводниковый материал, электрическая проводимость которого меняется при изменении освещенности, называют фотосопротивлением. Изменение электропроводности сопротивления связано с изменением концентрации носителей под воздействием освещения. Ранее всех из фотосопротивлений были изучены селеновые, которые однако не следует путать с современными фотосопротивлениями с внутренним фотоэффектом, содержащими селен. В настоящее время фотосопротивления изготавливаются в основном из таких материалов, как сульфиды и селениды кадмия и свинца. Темновое сопротивление типичного полупроводникового фотосопротивления составляет порядка нескольких тысяч мегом, тогда как ири среднем уровне освещенности оно не превышает нескольких тысяч ом. В табл. 22.1. приведены параметры фотоэлектрических приборов различных типов. [c.298]

Приемники с внутренним фотоэффектом применяют в видимой области лишь для некоторых измерений, не требуюш их большой чувствительности и малой инерционности (селеновый фотоэлемент). Зато в инфракрасной части спектра с успехом используют фотосопротивления в виде тонких пленок на основе РЬ8, РЬТе и РЬ8е, чувствительных вплоть до 7—8 мк, а также 1п8Ь, 1пА8 и некоторые другие полупроводники либо с электронной, либо с дырочной проводимостью, меняюш,ейся под действием освещения. [c.327]

Получение высокочистых селена и теллура в настоящее время является важной проблемой в связи со все растущей потребностью народного хозяйства в этих металлах. Элементарный селен широко используется для изготовления выпрямителей, фотоэлементов, в электронографии. Селениды и теллуриды нашли применение в качестве фотосопротивлений, люминофоров, кристаллических счетчиков. На основе селена и теллура получены сплавы с высокими термо- и фотоэлектрическими характеристиками. Однако микропримеси различных металлов, а также кислорода и галогенов оказывают большое влияние на свойства получаемых на основе селена и теллура. полупроводниковых материалов. Так, мйк-ропримеси кадмия изменяют электропроводность селена. Таллий очень сильно влияет на кристаллизацию селена. Чем больше таллия, тем более крупнозернистым получается селен. Наличие таллия также сказывается на тепло- и электропроводности селена. Примеси кислорода в селене в количествах 10 — 10- % изменяют проводимость селена. Также сильное влияние оказывают следы влаги. Известно, что галогены изменяют электрические свойства металлического селена при содержании 10 — [c.445]

Для германия характерио значителыное измеиение проводимости под действием излучения. Это свойство используется в различных типах фотодиодов и фотосопротивлений. [c.105]

Многие П. проявляют высокую чувствительность к световому потоку. Под воздействием световой энергии в этих П. возрастает плотность носителе тока, т. е. дополнительное число электронов переходит из валентной зоны в зону проводимости (внутренний фотоэффект). Из таких П. изготовляют весьма чувствительные фотосопротивления. К этим П. относятся Se, PbS, dSe, dTe, Ge, Si и др. На основе гальваномаг-нитных явлений в П. — эффекте Холла — изготовляют магнитные датчики, генерирующие эдс при помещении их в магнитное поле. Магнитные датчики применяют для измерения напряженности постоянных и переменных магнитных полей, измерения силы тока и мощности в цепях постоянного и переменного токов. В качестве материалов для маг- [c.125]

Вентильные фотоэлементы (табл. 35, стр. 182). Вентильные фотоэлементы являются единственными приборами, преобразующими непосредственно лучистую энергию в электрическую. При освещении вентильных фотоэлементов происходит не только изменение проводимости за счет возникновения пар электрон — дырка, что имеет место и у фотосопротивлений, но и пространственное разделение носителей зарядов, следствием чего является возникновение фото-э. д. с. [c.177]

Другим путем является измерение электропроводности поли-кристаллическнх образцов на переменном токе высокой частоты, когда влияние межкристаллических барьеров между отдельными зернами исключается шунтированием их межкристаллическими емкостями. Действительно, для порошков фталоцианина было найдено увеличение проводимости с частотой внешнего ноля вплоть до частот 10 гц [4]. Ранее были показаны широкие возможности применения методики СВЧ для изучения фотоэффекта в таких гетерогенных системах, как сернистосвинцовые фотосопротивления [5] и фотографические слои [6]. Однако электропроводность и фотопроводимость органических веш еств на СВЧ никем до сих нор не изучалась. В настояш ей работе обнаружена и исследована фотопроводимость на СВЧ (Да ) органических красителей различных классов. [c.303]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология