Очистка подложек

Наиболее распространены следующие методы очистки подложек механическая обработка, отмочка и мойка в растворах, очистка растворителями, химическое травление нерастворимых загрязнений, очистка в тлеющем разряде, ионная очистка и др. Жидкостные методы часто сочетаются с циркуляцией растворов, их перемешиванием, а также с ультразвуковым воздействием [371]. [c.199]

Ультразвуковые колебания подложки от 20 кгц до 500 Мгц приводят к кавитации, т. е. к возникновению на ее поверхности огромного количества немедленно взрывающихся пузырьков, что приводит к отрыву и удалению частиц загрязнений. В специальной литературе подробно приводится рецептура различных растворителей и травителей для очистки подложек [374—376]. [c.199]

Как видно из таблицы, даже первичные пленки, полученные без специальной очистки, наложения электромагнитного поля и вторичного обжига, имеют достаточно хорошие свойства. Поскольку, как показал С. Нильсон [403], при проведении только одной дополнительной специальной очистки подложек коэрцитивную [c.220]

Пульт управления состоит из высоковольтного и низковольтного источников питания, с помощью которых нагревается испаряемое вещество и зажигается тлеющий разряд между электродами для ионизации откачиваемого газа. Высоковольтный источник необходим также, если испарение материалов и очистка подложек осуществляются путем электронной бомбардировки. На пульте управления устанавливаются контрольные приборы для ионизационного и термопарного манометров, для определения скорости напыления и толщины полученных пленок, температуры подложки и др. [c.8]

Поскольку скорости электронов в тлеющем разряде значительно больше скоростей положительно заряженных ионов, подложка заряжается отрицательно и подвергается интенсивной бомбардировке ионами, которые расщепляют углеводороды, входящие в состав загрязнений. При этом нелетучие компоненты реагируют с кислородом, содержащимся в среде остаточного газа, и в виде окиси углерода удаляются из рабочего объема установки. Таким образом, при очистке подложек тлеющим разрядом происходят химические реакции, что является достоинством этого метода. Степень ионизации может быть увеличена наложением на разряд высокочастотного поля. Очистка тлеющим разрядом позволяет удалять любые загрязнения, однако она требует длительного времени, и поэтому основную долю загрязнений целесообразно удалять предварительно путем обезжиривания, химического травления и очистки с помощью ультразвука. Наиболее эффективна очистка подложки с помощью комбинации нескольких способов. [c.38]

В напылительных установках часто требуется плавная регулировка давления путем напуска атмосферного воздуха или другого газа в систему, работающую в динамическом режиме, т.- е. при постоянной откачке. Это необходимо, например, для проведения эффективной и качественной очистки подложек [c.189]

В первой камере также осуществляется предварительная очистка подложек при помощи высокотемпературного прогрева. Нагрев осуществляется спиральными нагревателями, расположенными по боковым стенкам магазина. [c.299]

Во второй камере производится окончательная очистка подложек методом электронной бомбардировки. [c.299]

Очистка подложек значительно упрощается, поскольку перед осаждением пленок можно осуществлять очистку поверхности подложек ионной бомбардировкой. В случае предварительного распыления мишени для установления Б системе стационарных температуры и давления весьма полезной и даже необходимой оказывается установка заслонки между мишенью и подложкой. [c.362]

Очистка подложек нагреванием.........540 [c.492]

Очистка тлеющим разрядом. Это наиболее широко используемый метод очистки подложек непосредственно перед осаждением пленки. Он осуществляется при помещении подложек в плазму тлеющего разряда. [c.540]

Очистка растворителями. Реагентами, используемыми для очистки подложек, служат водные растворы кислот и щелочей, а также такие органические растворители, как спирты, кетоны и хлористые углеводороды. Эффект очистки кислотами обусловлен превращением некоторых окислов и жиров в растворимые в воде соединения. Щелочные агенты растворяют жиры омыливанием, что делает их смачиваемыми в воде. Однако использование кислот и щелочей имеет свои ограничения. Их способность реагировать со стеклами была обсуждена в разд. 4В. Для химически инертных и слабо травящихся подложек нужно принимать меры против образования осадков и адсорбции молекул растворителя. Неорганические соединения часто бывают нелетучими и, следовательно, последующим нагревом в вакууме не могут быть удалены. Примером может служить удержание адсорбированного хрома на поверхностях стекла, очищенного "в горячих смесях серной и хромовой кислот. В растворах плавиковой кислоты, часто используемых для удаления нерастворимых осадков путем растворения тонкого слоя нижележащего стекла, образуются загрязнения в виде сильно адсорбированного фтора [97]. Индикатором этого является фтор, наблюдаемый в масс-спектрометре даже после того, как обработанное стекло было прогрето в вакууме при 325° С в течение 36 ч [98]. Проблема выпадения осадка может возникнуть и при использовании органических растворителей. Патнер [99] наблюдал слабую адгезию пленки на стеклянных подложках, очищенных четыреххлористым углеродом и трихлорэти-леном. После очистки поверхность покрывалась беловатым осадком, который не мог быть удален нагревом. Именно поэтому установлено, что хлоридные пленки образуются реакцией стекла с растворителями. [c.538]

Очистка подложек нагреванием. Эффективным методом очистки неглазурованной керамики является отжиг при высокой температуре (1000°С), Стекла и глазурованная керамика также могут нагреваться, но до меньших температур. Если позволяет их геометрия, они могут быть также отожжены в газовоздушном пламени. В этом случае происходит удаление поверхностных загрязнений, если пламя сообщает достаточную анергию для десорбции поверхностных молекул. Загрязнения из органических материалов окисляются и удаляются в виде летучих составляющих. Поскольку пламя содержит ионизованные частицы, которые на поверхности рекомбинируют, то выделяющаяся энергия способствует удалению адсорбированных молекул. Подобный механизм действует и при очистке тлеющим разрядом [58]. Важно, однако, подобрать соответствующую газовую смесь и предупредить таким образом неполное сгорание, которое может привести к осаждению сажи на поверхиость подложки. Бели температура слишком высока, то это может вызвать коробление или расплавление подложки. Неоднородный нагрев также вреден, так как может вызывать напряжения и последующее растрескивание подложки. Нильсен на стеклянных образцах с пленками из пермаллоя исследовал чистоту поверхности, получаемую различными обработками [107]. Мерой чистоты, получаемой перед осаждением пленки, служил метод царапин. Усилие, прикладываемое к титановому зонду и требующееся для получения царапины на поверхности, служило качественным индикатором чистоты. Было найдено, что наиболее чистые поверхности имели стекла, расплавленные в платиновом тигле в вакууме. Нагрев в высоком вакууме может применяться также при очистке поверхности кремния. Механизм удаления включает образование летучей моноокиси кремния согласно S1O2 + 51 = 2SiO, Для получения атомарно-чистых кремниевых поверхностей требуется по меньшей мере температура 1280° С [108]. [c.540]

Исследования показали [174], что даже, пленки, полученные без применения специальной очистки подложки, без наложения магнитного поля и без вторичного тсрмоотжига, имеют величину коэрцитивной силы 3.7 — в,0. 9 и нрямоуголыюсть петли гистерезиса 0,95—1,00 при содержании никеля 74,1—73,7 и железа 25,8 — 20,2 вес."о. При этом параметры практически не меняются в интервале толщин пленок 000—1000 А. Следует при этом честь, что применение специальной очистки подложек может дополнительно снизить коэрцитивную силу более чем в 4 раза, т. е. приблизить ее к единице [177]. [c.468]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология