Подложки методы очистки

Для дальнейшего развития представлений о строении границы раздела электрод — ионная система и о кинетике процессов на этой границе необходимо усовершенствование существующих и разработка новых экспериментальных методов, более широкое применение современной электронно-вычислительной техники. Уже достигнут существенный прогресс в автоматизации электрохимических измерений и развитии разнообразных импульсных методов, позволяющих, в частности, изучать явления, которые протекают за времена порядка 10 с и менее (импульсные гальваностатические методы, метод высокочастотной рефлектометрии и др.). Далеко не исчерпаны возможности метода фотоэмиссии электронов из металла в раствор. Большой интерес представляют оптические методы изучения состояния поверхности электродов, а также воздействие на границу электрод — раствор лазерными импульсами различной длительности и частоты. Ценным дополнением к существующим методам электрохимической кинетики может служить метод изучения фарадеевских шумов — чрезвычайно слабых флуктуаций потенциала или тока, сопровождающих протекание всех электродных процессов и вызванных дискретным характером переноса электронов через границу фаз, дискретностью диффузионного потока и т. д. Использование электродов в виде очень тонких проволок или пленок, напыленных в вакууме на инертные подложки, позволяет делать выводы об адсорбционных явлениях по изменению сопротивления этих электродов. Для изучения состояния поверхности электродов и кинетики электродных процессов еще недостаточно используются такие мощные современные методы, как ЯМР, ЭПР, дифракция медленных электронов и т. п. Новые методы предварительно проверяются на ртутном электроде, на котором строение двойного слоя и кинетика многих электродных процессов исследованы с количественной стороны. По-прежнему актуальна проблема разработки методов очистки исследуемых растворов от посторонних примесей и приготовления чистых электродных поверхностей. [c.391]

Если тщательно контролировать условия роста, то можно получить монокристаллические слои весьма высокого качества. В этом отношении методы выращивания кристаллов из пара имеют ряд преимуществ перед методами выращивания из расплава. Здесь нет необходимости соблюдать столь строгий температурный режим. Механическое движение частей аппаратуры, вследствие чего часто получаются монокристаллы с искаженной решеткой, при выращивании из пара вообще ненужно. Уменьшить же количество дефектов, наследуемых из подложки, можно тщательной обработкой ее поверхности. В связи с этим особое значение приобретают методы очистки, шлифовки и полирования поверхности подложки. [c.140]

Главное внимание исследователей было сосредоточено на попытках локализовать методом иммунной электронной микроскопии белки 30S субчастицы Е. соИ. Однако, несмотря на возможность получения специфических антител ко всем 21 индивидуальным белкам, эта задача оказалась не простой, и метод дал много ложных локализаций. Дело в том, что этот метод, кажущийся столь прямым и демонстративным, таит опасности различных артефактов, обусловленных недостаточной очисткой антител, неспецифическим присоединением антител к некоторым участкам поверхности частиц, искажением специфического положения антитела на частице вследствие ее ориентации на подложке и т. д. Тем не менее, в настоящее время можно выделить наиболее надежные результаты в отнощении 30S субчастицы. Первой такой надежной локализацией было, по-видимому, определение положения белка S14 на головке частицы (рис. 65) антигенный детерминант белка был найден на поверхности головки со стороны, противоположной боковому выступу ( платформе ) 30S субчастицы (рис. 68). Недалеко от него были локализованы также антигенные детерминанты белков S10 и S19. Ниже этой группы белков, в районе борозды, разделяющей головку и тело, был локализован белок S3, а еще ниже, близко к борозде, но уже на теле субчастицы, белок S5 (рис. 68). Белки S6 и S11 были локализованы по другую сторону 30S субчастицы, а именно на ее боковом выступе ( платформе ). Белок S8, согласно иммунной электронной микроскопии, располагается также у бокового выступа, где-то между ним и телом, на внешней (обращенной от 50S субчастицы) стороне 30S субчастицы. [c.112]

Чистота поверхности подложки является решающим фактором для выращивания и адгезии пленок. Хорошо очищенная подложка является необходимым предварительным условием для получения пленок с воспроизводимыми свойствами. Выбор метода очистки зависит от природы подложки. типа загрязнений и степени требуемой чистоты обработки. Остающиеся после изготовления и упаковки волокна, отпечатки пальцев, масло и частицы, осажденные из воздуха, являются примерами часто встречающихся загрязнений. Следовательно, изготовители тонких пленок должны обращать внимание на необходимость распознавания загрязнений и эффективного их удаления. Эти вопросы, как правило, находят решение с обычными эмпирическими приближениями. [c.535]

Методы контроля, в которых в той или иной форме измеряется адгезия, являю гея неизменно разрушающими, поскольку никто не может предположить, что начальные условия на поверхности должны сохраниться в течение всех испытаний. Поэтому для данного метода используются контрольные образцы, очищенные тем же способом, что и подложки. Итак, методы контроля, использующие адгезию, являются строго функциональными, показывающими только, дает ли данный метод очистки желаемый результат или нет. Это соображение более илн менее применимо ко всем другим методам контроля, поскольку численные величины чистоты поверхности (например, количество молекул загрязнений на единицу площади) получить чрезвычайно трудно и это редко бывает необходимым. Следовательно, практически обычным является эмпирический выбор метода контроля, выявляющего состояние поверхности, обусловливающее заданные характеристики пленки. [c.537]

Процесс очистки подложки требует, чтобы были разорваны связи как между молекулами самой примеси, так и между молекулами этой примеси и подложки. Это может быть достигнуто как химическими средствами, например, очисткой в растворителе, так и приложением достаточной энергии для испарения примеси, например, нагревом или ионной бомбардировкой. Как правило, желательно ограничить процесс очистки удалением только слоя загрязнения, однако часто оказывается приемлемым также и слабое подтравливание материала самой подложки, что обеспечивает лучшее качество процесса очистки. Некоторые методы очистки требуют обработки подложки или использования растворителей и поэтому должны применяться вне вакуумной системы. Осуществление методов физической очистки обычно сопровождается установкой оборудования для нагрева подложки или бомбардировки ионами в напылительной системе. [c.538]

В технологии вакуумного испарения пленок (см. 5 гл. I) метод обработки подложки тлеющим разрядом является одним из эффективных заключительных методов очистки поверхности. [c.19]

Основное достоинство метода с применением подложки состоит в том, что полимер (вместе со всеми присоединенными веществами) легко отделить от остальных реагентов, так как он нерастворим в применяемых растворителях. Избыток реагентов, другие продукты реакции (например, дициклогексил-мочевина), побочные продукты и сами растворители можно легко отмыть. Очистка полимерных веществ (таких, как 100, 101 и 102) происходит быстро и полностью. В некоторых слу- [c.156]

Еще одним эффективным способом применения катодной защиты, например в резервуарах для разделения нефти и воды (где присутствуют фазы вода, нефть, воздух) является нанесение протекторного сплава металлизацией на поверхность стали, подвергнутую дробеструйной очистке. Такие металлические покрытия пз алюминия или цинка, нанесенные методом газовой металлизации, являются также хорощей подложкой (грунтовкой) для пассивных защитных покрытий [5]. [c.381]

Для удаления всех этих загрязнений можно использовать жидкостную очистку, высокотемпературное окисление, плазменные методы и шлифование. При жидкостной очистке применяют растворы кислот, оснований и органические растворители (спирты, кетоны, хлорированные углеводороды, фреоны и др.). Воду и незначительные количества диоксида кремния можно удалить при 1000°С в кислороде, вакууме или восстановительной атмосфере. Метод нельзя использовать в случае, когда высокая температура изменяет свойства подложки, например, диффузионных слоев. Диоксид кремния, кроме того, удаляют плавиковой кислотой с добавками или травлением плазмой. Для других неорганических загрязнений используют сильные неорганические кислоты или окислительные смеси типа хромовой. Жидкостная очистка производится погружением, обработкой парами растворителя, ультразвуком и пульверизацией. Очистка парами растворителя очень распространена и эффективна, особенно если сочетается с пульверизацией. Рекомендуется использовать негорючие растворители (фреоны, хлорированные углеводороды), [c.16]

Очистка ультразвуком в растворителе является одним из самых эффективных методов удаления загрязняющих частиц. Обычно используются акустические колебания с частотой 20000—50000 Гц, которые вызывают образование в жидкости огромного количества микроскопических пузырьков воздуха, механически удаляющих адсорбированные пленки и частицы загрязнений. Преимуществом метода является возможность автоматизации и высокая скорость очистки (порядка минут), недостатком — переход частиц в растворитель и необходимость частого фильтрования, а также возможность механического нарущения нанесенных на подложку слоев. [c.17]

Синтез алмаза осуществлялся из метана при температуре 1000— 1050° С п давлении метана 0,2—0,5 мм рт. ст. Перед опытом метан очищался ректификацией при температуре жидкого азота. В качестве подложки исследовались синтетические и природные алмазные порошки марок АСМ 1/0 и AM 1/0 с размером частиц до 1 мкм. Удельная поверхность алмазных порошков составляла около 10 м г. Алмаз наращивался циклическим способом, после этого в течение определенного времени синтез прекращался и удалялся образовавшийся графит. После очистки цикл наращивания повторялся. Процесс синтеза и очистки контролировался либо весовым методом, либо по изменению проводимости наращиваемого порошка. [c.87]

Бомбардировку ионами инертного газа осуществляют двумя довольно различающимися способами. По одному из них ионы инертного газа, образующиеся под действием электронного пучка, направляют к образцу с помощью напряжения, приложенного к самому образцу, или посредством отдельного ускоряющего электрода. Последний вариант ускорения предпочтителен, так как он позволяет применить такой источник ионов, который обеспечивает высокую степень коллимации ионного пучка, что позволяет свести к минимуму бомбардировку подложки. Такого типа стандартные источники ионов обычно используются в системах ДМЭ и возбуждаемой электронами ОЭС. Разные конструкции источника ионов подробно описаны в научной литературе или каталогах фирм [17, 18]. Чтобы предотвратить загрязнение образца, эмиттер электронов и очищаемую поверхность не следует располагать на одной линии. Во втором способе ионы инертного газа образуются под действием тлеющего разряда (чтобы избежать применения электронного пучка). Однако использовать этот метод нецелесообразно, так как при энергии ионов ниже 1 кэВ устойчивый режим работы, по существу, получить невозможно, а нри более высокой энергии ионов наблюдается сильное нарушение структуры поверхности. Кроме того, эффективность очистки при помещении образца в тлеющий разряд сомнительна из-за возможного образования примесей в результате побочного процесса — распыления. [c.125]

При испарении методом электронной бомбардировки имеет место одно очень полезное побочное явление, а именно ионизация пара испаряемого вещества. Образующиеся при этом ионы могут быть использованы как для контроля скорости испарения путем измерения ионного тока в цепи коллектора, так и для очистки поверхности подложки (для этого к испаряемому материалу прикладывают положительный относительно подложки потенциал от 3 до 5 кв). [c.218]

Объектом исследования была гуттаперча — легко кристаллизующийся полимер. Очистку полимера производили по методу, описанному в работе [10]. Пленки для испытания готовили из расплава (температура прессования 150 и 80°, давление 40,6 кГ/см ) и из раствора (температура испарения 70 и 20°). В качестве растворителей были использованы бензол, СС и тетрахлорэтан. Плепки из раствора получали в стеклянном цилиндре (диаметром 73 мм) на подложке из целлофана. В верхней крышке цилиндра имелись отверстия. Чем больше был диаметр отверстий, тем скорее улетучивался растворитель. В результате испарения растворителя получали однородные пленки. [c.395]

С помощью ионной имплантации можно не только легировать вещества, но и синтезировать химические соединения, причем даже такие, которые трудно или невозможно синтезировать другими способами. Этот метод по сравнению с другими (диффузия, эпитаксия), с одной стороны, снижает требование к чистоте исходных материалов, служащих источником примеси, благодаря применению электромагнитного анализа ионов с другой стороны, благодаря возможности внедрения примеси при комнатной (и даже более низкой) температуре подложки снижается вероятность внесения нежелательных загрязнений. Однако ионная имплантация не снимает полностью проблемы чистоты. Во-первых, материал подложки по-прежнему должен быть максимально чистым (в смысле отсутствия неконтролируемых примесей). Во-вторых, за счет распыления ионным пучком деталей системы (диафрагмы, масок и т. д.) и вбивания атомов с поверхности внутрь образца все же возможно внесение загрязнений, поэтому требуется достаточно тщательная очистка поверхности и контроль состава материалов, с которых атомы могут попадать на мишень. [c.158]

Наиболее простым способом очистки подложки после помещения ее в вакуумную камеру является высокотемпературный отжиг. Однако этот способ недостаточно эффективен. Часто для очистки подложки применяется электронная бомбардировка ее поверхности. При использовании этого метода труднее, чем при ионной бомбардировке, предотвратить загрязнение стекла продуктами разложения углеводородов, которые присутствуют в среде остаточных газов при откачке рабочего объема установки. Кроме того, при электронной бомбардировке [c.37]

Поскольку скорости электронов в тлеющем разряде значительно больше скоростей положительно заряженных ионов, подложка заряжается отрицательно и подвергается интенсивной бомбардировке ионами, которые расщепляют углеводороды, входящие в состав загрязнений. При этом нелетучие компоненты реагируют с кислородом, содержащимся в среде остаточного газа, и в виде окиси углерода удаляются из рабочего объема установки. Таким образом, при очистке подложек тлеющим разрядом происходят химические реакции, что является достоинством этого метода. Степень ионизации может быть увеличена наложением на разряд высокочастотного поля. Очистка тлеющим разрядом позволяет удалять любые загрязнения, однако она требует длительного времени, и поэтому основную долю загрязнений целесообразно удалять предварительно путем обезжиривания, химического травления и очистки с помощью ультразвука. Наиболее эффективна очистка подложки с помощью комбинации нескольких способов. [c.38]

Такие катализаторы были первыми, применявшимися для очистки воздуха еще в 1927 г., хотя метод очистки не был в то время еще широко распространен. К этой категории относятся также катализаторы, целиком состоящие из активного материала, включая и подложку такие катализаторы называются иногда бесподложечными . К их числу относится смесь оксидов меди и марганца ( Хопкалит ), обеспечивающая полное сгорание углеводородов при 300—400°С, за исключением метана (30% при 400°С) [890]. [c.189]

Наряду с гомогенно-каталитическими методами гетерогеннокаталитические методы очистки сточных вод с использованием Н2О2 как окислителя скрывают в себе широкие возможности. Особого внимания заслуживает гетерогенно-каталитический вариант, в котором в качестве катализатора используются платиновые металлы. Гетерогенно-каталитический распад Н2О2 на платине, палладии и родии в растворах, содержащих органическое вещество, часто сопровождается интенсивным окислением органических веществ с выделением диоксида углерода как конечного продукта окисления. При этом соотношение между промежуточными и конечным продуктом окисления зависит от ряда факторов, в частности от соотношения концентрации пероксида водорода и органического компонента, природы активной фазы, ха--рактер подложки, pH раствора, температуры и др В этой связи заслуживает внимания гетерогенно-каталитическая система катализатор (кат) — Н2О2 — органический компонент (К). [c.620]

Перспективно применение Д для нанесения металлич. и оксидных покрытий на разл. подложки для разделения, очистки и анализа смесей разл. металлов (в виде их Д.) методами экстракции, газовой и жидкостной хроматографии, фракционной сублимации, зонной плавки н кристаллизации для легирования разл. материалов методом осаждения из газовой фазы в качестве катализаторов полимеризации и окисления, сдвигающих реагентов в спектроскопии ЯМР. Соед. дипивалоилметана и Се(1У) предложено использовать в качестве антидетонаторов моторного топлива. Наиб, доступные и дешевые-ацетилацетонаты металлов. [c.59]

Очистка подложек нагреванием. Эффективным методом очистки неглазурованной керамики является отжиг при высокой температуре (1000°С), Стекла и глазурованная керамика также могут нагреваться, но до меньших температур. Если позволяет их геометрия, они могут быть также отожжены в газовоздушном пламени. В этом случае происходит удаление поверхностных загрязнений, если пламя сообщает достаточную анергию для десорбции поверхностных молекул. Загрязнения из органических материалов окисляются и удаляются в виде летучих составляющих. Поскольку пламя содержит ионизованные частицы, которые на поверхности рекомбинируют, то выделяющаяся энергия способствует удалению адсорбированных молекул. Подобный механизм действует и при очистке тлеющим разрядом [58]. Важно, однако, подобрать соответствующую газовую смесь и предупредить таким образом неполное сгорание, которое может привести к осаждению сажи на поверхиость подложки. Бели температура слишком высока, то это может вызвать коробление или расплавление подложки. Неоднородный нагрев также вреден, так как может вызывать напряжения и последующее растрескивание подложки. Нильсен на стеклянных образцах с пленками из пермаллоя исследовал чистоту поверхности, получаемую различными обработками [107]. Мерой чистоты, получаемой перед осаждением пленки, служил метод царапин. Усилие, прикладываемое к титановому зонду и требующееся для получения царапины на поверхности, служило качественным индикатором чистоты. Было найдено, что наиболее чистые поверхности имели стекла, расплавленные в платиновом тигле в вакууме. Нагрев в высоком вакууме может применяться также при очистке поверхности кремния. Механизм удаления включает образование летучей моноокиси кремния согласно S1O2 + 51 = 2SiO, Для получения атомарно-чистых кремниевых поверхностей требуется по меньшей мере температура 1280° С [108]. [c.540]

Специальный метод очистки включает покрытие поверхности подложки клейкой массой или лаком, которые затем отрываются с надежно захваченной пылью. Результаты очистки этим методом были опубликованы Йоргенсоном и Венером [115], которые считали пыль главной причиной возникновения пор в их пленках. Они сообщили, что раствор нитроцеллюлозы в амилацетате должен быть эффективным для удаления пыли без выпадения осадка. Попытки снимать лак в вакууме были успешны.чи только частично, поскольку в результате разложения продуктов нагретого лака получалась плохая адгезия осаждаемых затем пленок. [c.542]

Наиболее эффективным методом очистки поверхности подложки является газовое травление непосредственно в реакционной камере до начала процесса нанесения пленки. Для этого в начале эксперимента температура зоны осаждения должна превышать температуру первой зоны. Через аппарат пропускают паро-газовую смесь в течение несколькпх минут после чего температуру зоны понижают до ее нормального значения и проводят процесс. [c.478]

МИКРОФИЛЬТРАЦИЯ, метод разделения коллоидных систем при помощи полупроницаемых мембран. Последние представляют собой гл. обр. полимерные высокопористые пленки, часто нанесенные на подложки (напр., на пористые пластины или цилиндры, сетки, бумажные листы) тол щина 10—350 мкм, ра,змер пор 0,01—14,0 мкм. Двилсущая сила процесса — градиент давления по обе стороны мембраны (обычно 0,01—0,1 МПа). Пов-сть мембран F ири заданной прои.звод1тгельности G и постоянном градиенте давления рассчитывают i o ф-ле G = V/Ft, где т — время фи. штра-ции, V — кол-во фильтрата, определяемое ио ур п ю п 2V = Кт, где К и С — константы, определяемые эмпирически. М. осущестиляют в плоскокамерных и трубчатых мембранных аппаратах, гл. обр. с полимерными мемб ранами (см. Разделительные мембраны). М. примен. для очистки технол. р-ров и воды от тонко диспергированных в-в. Осн. достоинства метода — простота конструктивного оформления, быстрота процесса, низкие эксплуатационные затраты. [c.342]

Наиб, распространенными методами газофазной эпитаксии являются хлоридная, хлоридно-гидридная и с применением металлоорг. соединений. При хлоридной эпитаксии в качестве исходных материалов используют летучие хлориды элементов, входящих в состав П.м. Исходными материалами при хлоридно-гидридной эпитаксии являются летучие хлориды и гидриды соответствующих элементов, а при эпитаксии с применением летучих металлоорг. соед. используют также летучие гидриды. Процессы осуществляют в реакторах проточного типа, транспортирующим газом является Н . Все исходные материалы и Н подвергают предварит, глубокой очистке. Преимущества эпитаксиального наращивания пленок с применением металлоорг. соед. отсутствие в газовой фазе мюрсодержащих компонентов, химически взаимодействующих с подложкой, низкие рабочие т-ры, простота аппаратурного оформления, легкость регулирования толщины и состава эпитаксиальных слоев. Метод обеспечивает создание многослойных структур с тонкими, однородными по толщине слоями и резкими границами раздела и позволяет воспроизводимо получать слои толщиной менее 10 нм при ширине переходной области менее 1-5 нм. Его широко используют для вьфащивания эпитаксиальных структур соед. типа А В , А В , А В и твердых р-ров на их основе. Получение эпитаксиальных структур 8 и Ое осуществляется в процессе водородного восстановления соотв. хлоридов или термич. разложением гидридов. [c.61]

Прочность сцепления с подложкой (адгезия) пленки, полученной ионно-плазменным методом, очень высока, что объясняется высокой энергией попадающих на подложку распыленных атомов. Эта энергия примерно в 20 раз больше энергии атомов, попадающих на подложку при термическом испарении в вакууме. Высокая адгезия пленки объясняется еще и тем, что при ионноплазменном методе удается предварительно хорошо очистить поверхность подложки тлеющим разрядом до напыления на нее материала мишени. При катодном распылении, где распыление начинается сразу же после возбуждения разряда, такую очистку осуществить трудно. [c.27]

Катализаторы вводят в зо 1у реакции в виде порошка, раствора в органическом растворителе, расплава или нанесенном на минеральные подложки. Они отличаются высокой термической стабильностью (до 770-875 К), пониженной чувствр1тельностью к примесям, низкой кислотностью, что определяет отсутствие корродирующего действия. По этому способу легко перерабатываются любые по составу фракции ПИБ без специальной предварительной очистки (570-675 К) и достигается высокая (80-95%) конверсия при среднем содержании изобутилена в продуктах 75-95% и а, Р-бутиленов не выше 2,2%. Содержание кокса незначительно и в худшем случае составляет не более 0,02-0,03% (масс) от общего количества переработашюго сырья. Некоторые данные, характеризующие активность и селективность солевых комплексных катализаторов в форме кислоты Бренстеда при термокаталитической деструкции полиизобутилена и бутилкаучука, суммированы в табл. 7.15. Метод термокаталитической деструкции нестандартных ПИБ позволяет повысить эффективность производства олигомеров изо- [c.352]

Химический синтез полимеров с заданной последовательностью мономерных звеньев может быть очень сильно облегчен присоединением одного конца растущей полимерной цепи к нерастворимой подложке. При этом очистка полимера после каждой стадии химической реакции может легко достигаться фильтрованием. Этот метод был очень популярен в области пептидов, при этом повторяющиеся стадии могут быть автоматизированы [88]. Твердофазный синтез полинуклеотидов не был столь успещен, как твердофазный синтез полипептидов, в основном из-за трудностей в достижении количественных выходов на последовательных стадиях синтеза. Наиболее полезными реагентами для создания межнуклеотидной связи являются аренсульфонилхлориды, хотя для достижения максимальных выходов необходимо обеспечение безводных условий. Полистирол и сщитые стирол-дивинилбензольные сополимеры, содержащие остатки 4-метокситритилхлорида, были использованы для присоединения первого нуклеозида, через его 5 -гидроксильную группу к твердой подложке схема (55) . [c.170]

КРАСКИ, однородные суспензии пигментов в пленкообразующих в-вах. Могут содержать наполнители, р-рители, пластификаторы, сиккативы, отвердители и др. Образуют непрозрачные покрытия. Основой масляных красок служат олифы, эмалевых (см. Эмали) — лаки, клеевых красок — водные р-ры нек-рых полимеров, силикатных красок — жидкое стекло, эмульсионных красок — латексы синт. поли--черов (иногда эти К. наз. латексными), водные эмульсии алкидных смол и др. Особый вид К.— порошковые краски. Получ. смешение пигмента с пленкообразующим в смесителе, дезагрегация ( перетир ) смеси на валковой машине и разбавление густотертой К. в гомогенизаторе до рабочей вязкости или одностадийное диспергирование пигмента в пленкообразующем в шаровой или бисерной мельнице очистка готовой К. центрифугированием. Наиб, важные показатели К. степень перетира, цвет, укрывистость (способность перекрывать цвет подложки), содержание сухого остатка, скорость высыхания (отверждения). Примен. для отделки металла, дерева, пластмасс, бетона, в полиграфии и др. О методах нанесения см. Лакокрасочные покрытия. КРАСУСКОГО ПРАВИЛО эпоксидный цикл разрывается преим. по связи между атомом кислорода и менее замещенным углеродньич атомом [c.281]

Можно ожидать, что поверхностный атом, имея меньшее число соседей, чем объемный, должен связываться менее прочно, и это подтверждают данные температурной зависимости рефлексов ДМЭ и мёссбауэровские спектры высокодисперсных металлов. Для граней (100), (110) и (111) металлов с г. ц. к. и о. ц. к. структурами (N1, Р(1, Pt, Ag, Си, 1г, РЬ, ДУ, Мо, Сг, ЫЬ) отношение дебаевских температур поверхностных и объемных атомов составляет 0,4—0,85 [1, 2], а среднеквадратичные амплитуды колебаний, перпендикулярных поверхности, в 1,2—2,5 раза больше амплитуд колебаний объемных атомов. Из-за ангармоничности атомных колебаний увеличение их амплитуды приводит к растяжению поверхностных слоев в направлении, перпендикулярном поверхности. Степень растяжения, однако, относительно мала не превышает 5% [3], а более вероятно 1—2% [4]. В то же время для грани (110) алюминия (непереходного металла), по-видимому, наблюдается сжатие поверхностных слоев, достигающее 10—15% [5]. Причина такого поведения алюминия неизвестна. Для трех металлов — золота, платины и иридия — методом ДМЭ обнаружена перестройка поверхностных слоев, стабильная нри комнатной температуре и соответствующая, по-видимому, отсутствию на поверхности примесей [6, 7]. После очистки ионной бомбардировкой и отжига грани (100) этих металлов дают картины ДМЭ, которые можно объяснить перестройкой самого внешнего слоя металлических атомов. На грани (100) Р1 наблюдаются дифракционные картины от двух структур внешнего слоя—(1X2) и (1x5), а на гранях (100) Ли и 1г — от одной структуры (1x5). Структура (1X5), несомненно, возникает от совмещения решетки грани (100) подложки и решетки внешнего слоя, представляющей собой несколько сжатую структуру С (1x2). Обе структуры наблю- [c.110]

Выплавленный обычным способом сырой свинец загрязнен медью, сурьмой, мышьяком и серой. Большей частью он содержит также заметные количества серебра. Так как очистка свинца от серебра имеет большое значение для добычи серебра, используемые в этом случае методы будут рассмотрены в разделе серебро . Для удаления остальных примесей проводят переплавку. Поскольку при переплавке имеется доступ воздуха, мышьяк и сурьма окисляются с образованием арсената и антимоната свинца, которые всплывают на поверхность расплава. Медь образует сравнительно тугоплавкий сплав, содержащий небольшое количество свинца. Этот сплав также отделяется и одновременно захватывает из свинца всю серу. При переплавке ча сто нагрев ведут на наклонной подложке так, что свинец медленно стекает. Этот способ называется зейгерованием . Тугоплавкие примеси остаются при этом в виде зейгер-шипов . [c.586]

Кристаллы а-моднфикацни получают кристаллизацией нз эвтектического расплава Р1—В. -модификацию — главным образом зонной плавкой и вытягиванием по методу Чохральского, хотя в некоторых случаях рафинирование производят вакуумным переплавом в тиглях из нитрида бора. Повышение чистоты бора может быть достигнуто горизонтальной зонной очисткой в инертной атмосфере на подложках из нитрида бора, бестнгельной зонной плавкой т. в. ч, и электронным [c.148]

Описанные в книге методы решения задач теории теплопроводности для областей с перемещающимися границами могут найти применение для решения ряда технических задач. Они также позволяют решать математически эквивалентные задачи теории диффузии. К последним относится, например, рассмотрение вопроса о перераспределении примеси при зонной очистке материалов [161], образовании р — ге-переходов в слоях, напыляемых на подложку [155, 156], анализ диффузионных процессов при фазовых превращениях [159] и т. п. Обычные классические способы здесь оказываются недостаточными и требуют модификации. Особенно эффективными предлагаемые методы являются в комбинации с применением счепао-решающих устройств. При использовании описанных выше методов отпадает необходимость в графическом дифференцировании и делается возможным анализ решения задачи при наличии нескольких параметров в ее постановке. Кроме того, решение может быть получено с любой желательной точностью. Разумеется, задача усложняется, если закон перемещения границы раздела фаз должен быть найден из дополнительного условия, как в рассмотренных нами ситуациях. [c.251]

Очистка исходного газа от кислороду при получении кидкого водорода занимает особое место. Принятый для очистки метод должен обеспечивать надежную степень очистки. Та-кс у требованию отвечает процесс, основанный на каталитическом восстановлении водородом. Надежными катализаторами являются металлы - никель, платина, палладий, нанесенные на подложку с сильно развитой поверхностью (например, оксвд алюминия). Палладий считается очень эффективным катализатором для работы даже при нормальной температуре. Однако при наличии в газе примесей некоторых углеводородов шш оксида углерода может произойти его отравление. Никелевый катализатор, хорошо работающий при температуре 570 К, менее подвержен отравлению [8, 17, 21]. [c.70]

Исследуемый образец помещался в установку на подложку из поликристаллической окиси алюминия. После достижения максимальной разряженности (Ю —10 мм рт. ст.), включался нагреватель и температура поднималась до величины, позволяющей проводить вакуумную очистку жидкой капли от окислов и легколетучих металлических примесей. При максимальной температуре образец выдерживался, как правило, в течение 2—3 часов, после чего проводились измерения а при охлаждении и нагревании. Образец фотографировался фотокамерой ФК 18X24 с объективом И-37. Коэффициент увеличения в экспериментах составлял величину 4,5378. Для получения плоскопараллельного пучка света использовались конденсор, смотровые окна были изготовлены из оптического кварца, осветитель представлял собою фотовспышку ФИЛ-11. Обмер снимка капли проводился на универсальном микроскопе УИМ-21 методом, предложенным в работах [27, 29] с использованием таблиц Башфорта и Адамса. Если исходить из суммарной ошибки измерения плотности и поверхностного натяжения, получаемой только из измерений снимка капли, то она не превышает 0,4% по и 0,6% по а. Однако из-за неучтенных погрешностей (нечеткость при обмере и др.) общая ошибка увеличивается до 1,5% при определении й и 2,5% —для сг. Косвенно этот вывод подтверждается сравнением данных по (1, определенных методом большой капли и, например, пикнометрически или методом проникающего излучения [5, 12, 13]. [c.35]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология