Поверхности очистка подложек

Ионная очистка поверхности проводится в тех же установках и при тех же условиях, что и нанесение покрытия. К обрабатываемой детали подводится отрицательный потенциал порядка нескольких киловольт. По окончании ионной очистки подложки ток разряда уменьшается до некоторого постоянного значения. Процесс ионного осаждения можно проводить после стабилизации тока разряда. [c.126]

Очистку и ионное осаждение обычно проводят в среде сильно разреженного инертного газа, обычно аргона. Гелий требует более высокого давления для поддержания разряда и дает более низкое качество очистки подложки. Криптон, более тяжелый газ, обеспечивает хорошую очистку поверхности и при более низких давлениях, но его применение ограничено высокой стоимостью. [c.126]

Насадке в колонке предназначается роль инертного материала с достаточно развитой площадью поверхности, служащего подложкой для полимера в виде тонкой набухшей в растворителе пленки. Чаще всего в качестве насадки применяют маленькие стеклянные шарики [1—3, 7]. Обычно размеры таких шариков лежат в области 40—70 мк, хотя можно проводить фракционирование и на шариках других размеров. Перед загрузкой в колонку шарики необходимо очистить. Загрязнения могут представлять собой как органические вещества, так и металлы. Весьма эффективный способ очистки заключается в многократном промывании шариков горячей концентрированной соляной кислотой до тех пор, пока надосадочная жидкость не перестанет иметь желтоватый оттенок. После этого шарики отмывают горячей азотной кислотой, водой и летучим растворителем типа ацетона. В качестве носителя при фракционировании также применяют крупнозернистый песок [6]. Медный порошок крайне заманчиво использовать в качестве носителя с точки зрения высокой теплопроводности меди, но нри этом возникает опасность каталитических реакций с полимером [8]. [c.88]

Наиболее простым способом очистки подложки после помещения ее в вакуумную камеру является высокотемпературный отжиг. Однако этот способ недостаточно эффективен. Часто для очистки подложки применяется электронная бомбардировка ее поверхности. При использовании этого метода труднее, чем при ионной бомбардировке, предотвратить загрязнение стекла продуктами разложения углеводородов, которые присутствуют в среде остаточных газов при откачке рабочего объема установки. Кроме того, при электронной бомбардировке [c.37]

Эффективным способом улучшения поверхностных свойств подложек является нанесение на них толстого слоя моноокиси кремния непосредственно перед напылением тонкопленочных слоев. Показателем степени очистки подложки является коэффициент сухого трения на поверхности подложки чем он больше, тем лучше очищена подложка. Значения коэффициентов сухого трения стеклянной поверхности при различных способах очистки приведены ниже. [c.38]

Однако предварительная очистка подложки перед помещением ее в вакуумную камеру не дает полного удаления пленки влаги с поверхности. Отложение и прочное удержание молекул воды на [c.50]

Для повышения эффективности диффузионного переноса компонентов было предлол<ено располагать источник и подложку (в виде пластин) на очень близком расстоянии друг от друга. Зазор между пластинами не должен превышать 0,1 диаметра источника. Необходимый для процесса градиент температуры можно регулировать в широких пределах, используя радиационный нагрев. При малых зазорах эффективность переноса близка к 100%, причем состав растущего кристалла довольно точно соответствует составу источника, а его конфигурация подобна форме источника. Этот метод, получивший название сэндвич метода , весьма удобен для изучения кинетики процессов переноса в зависимости от температуры и давления паров переносчика. С технологической точки зрения его главным недостатком является трудность очистки поверхности кристалла-подложки и источника непосредственно перед проведением процесса. Сэндвич метод применяют главным образом для выращивания эпитаксиальных пленок. [c.353]

Для исследования характеристик полупроницаемых мембран может быть использована установка (рис. 111-1) с циркуляцией раствора в системе с помощью плунжерного насоса 1. Раствор из расходной емкости 3 проходит через фильтр предварительной очистки 2 в гидроаккумулятор 5 для сглаживания колебаний давления, предварительно заполненный инертным газом (азотом) до давления, составляющего 30—40% от рабочего. Рабочее давление регулируется с помощью дроссельного вентиля 8 и контролируется по показаниям манометра 6. Далее раствор поступает в разделительную ячейку 9, пройдя которую возвращается в расходную емкость 3. Фильтрат собирается в сборник 10. Байпасная линия 4 предусматривается для удобства обслуживания установки промывки насоса и системы, смены раствора и т. п. Для проведения опытов по изучению влияния температуры раствора на характеристики процесса поверхность гидроаккумулятора 5 покрывают нагревательной электрической спиралью, а регистрирующий термометр помещают на выходной линии после дроссельного вентиля 8. Разделительная ячейка может быть различной конструкции, но обязательным ее элементом является пористая подложка под мембрану, которая воспринимает рабочее давление, но должна свободно пропускать к сливному отверстию проникающую через мембрану жидкость. [c.110]

В первые часы фильтрования раствора, содержащего дисперсные частицы, на активных центрах поверхности подложки и в ее порах происходит сорбция частиц. Сорбированный слой прочно связан с материалом подложки электрическими силами и силами Ван-дер-Ваальса, практически не разрушается при механической очистке поверхности и не удаляется при промывании водой. Этот слой не обладает селективностью по отношению к ионами. Однако он перекрывает поры подложки, и она начинает задерживать дисперсные частицы. Это приводит к [c.215]

Применение защитных покрытий является надежным и универсальным средством борьбы с отложениями парафина. При этом важно, чтобы защитное покрытие удерживалось на поверхности подложки в течение длительного времени, в пределе, определяемом сроком службы оборудования. Следовательно, материал защитного покрытия должен, с одной стороны, показывать низкую сцепляемость с парафином и,с другой-обладать высокой сцепляемостью с материалом подложки. При подборе материала защитного покрытия основным требованием, определяющим критерий подбора, является первое из указанных, поэтому второе требование обеспечивается, как правило, различными техническими приемами, основным из которых является тщательная подготовка защищаемой поверхности. Сцепляемость между контактирующими телами определяется не только межмолекулярными силами взаимодействия между ними, но также и плотностью соприкосновения поверхностей контактов, поэтому подготовка защищаемой поверхности сводится прежде всего к удалению любых загрязнений. Способы удаления загрязнений с поверхности, предназначенной под покрытие, определяются особенностями загрязнения и располагаемыми приспособлениями и различны загрязнения смывают, растворяют, химически модифицируют, удаляют механически. В общем случае поверхность очищают комбинированными приемами. Техника и технология очистки поверхностей и нанесения защитных покрытий на них подробно рассмотрена в работе /43/. [c.138]

Для дальнейшего развития представлений о строении границы раздела электрод — ионная система и о кинетике процессов на этой границе необходимо усовершенствование существующих и разработка новых экспериментальных методов, более широкое применение современной электронно-вычислительной техники. Уже достигнут существенный прогресс в автоматизации электрохимических измерений и развитии разнообразных импульсных методов, позволяющих, в частности, изучать явления, которые протекают за времена порядка 10 с и менее (импульсные гальваностатические методы, метод высокочастотной рефлектометрии и др.). Далеко не исчерпаны возможности метода фотоэмиссии электронов из металла в раствор. Большой интерес представляют оптические методы изучения состояния поверхности электродов, а также воздействие на границу электрод — раствор лазерными импульсами различной длительности и частоты. Ценным дополнением к существующим методам электрохимической кинетики может служить метод изучения фарадеевских шумов — чрезвычайно слабых флуктуаций потенциала или тока, сопровождающих протекание всех электродных процессов и вызванных дискретным характером переноса электронов через границу фаз, дискретностью диффузионного потока и т. д. Использование электродов в виде очень тонких проволок или пленок, напыленных в вакууме на инертные подложки, позволяет делать выводы об адсорбционных явлениях по изменению сопротивления этих электродов. Для изучения состояния поверхности электродов и кинетики электродных процессов еще недостаточно используются такие мощные современные методы, как ЯМР, ЭПР, дифракция медленных электронов и т. п. Новые методы предварительно проверяются на ртутном электроде, на котором строение двойного слоя и кинетика многих электродных процессов исследованы с количественной стороны. По-прежнему актуальна проблема разработки методов очистки исследуемых растворов от посторонних примесей и приготовления чистых электродных поверхностей. [c.391]

Если тщательно контролировать условия роста, то можно получить монокристаллические слои весьма высокого качества. В этом отношении методы выращивания кристаллов из пара имеют ряд преимуществ перед методами выращивания из расплава. Здесь нет необходимости соблюдать столь строгий температурный режим. Механическое движение частей аппаратуры, вследствие чего часто получаются монокристаллы с искаженной решеткой, при выращивании из пара вообще ненужно. Уменьшить же количество дефектов, наследуемых из подложки, можно тщательной обработкой ее поверхности. В связи с этим особое значение приобретают методы очистки, шлифовки и полирования поверхности подложки. [c.140]

Еще одним эффективным способом применения катодной защиты, например в резервуарах для разделения нефти и воды (где присутствуют фазы вода, нефть, воздух) является нанесение протекторного сплава металлизацией на поверхность стали, подвергнутую дробеструйной очистке. Такие металлические покрытия пз алюминия или цинка, нанесенные методом газовой металлизации, являются также хорощей подложкой (грунтовкой) для пассивных защитных покрытий [5]. [c.381]

На конце горизонтально расположенного штока, управление которым осуществляется извне вакуумной камеры, укрепляли своеобразную ложку , на которую и помещали навеску жидкой фазы. Путем продольного перемещения штока ложку со сплавом вводили в печь. В печи также находилась подложка твердой фазы. После дегазации и очистки поверхностей (выше температуры опыта) путем поворота штока капли расплава помещали (выливали) на ис- [c.8]

Главное внимание исследователей было сосредоточено на попытках локализовать методом иммунной электронной микроскопии белки 30S субчастицы Е. соИ. Однако, несмотря на возможность получения специфических антител ко всем 21 индивидуальным белкам, эта задача оказалась не простой, и метод дал много ложных локализаций. Дело в том, что этот метод, кажущийся столь прямым и демонстративным, таит опасности различных артефактов, обусловленных недостаточной очисткой антител, неспецифическим присоединением антител к некоторым участкам поверхности частиц, искажением специфического положения антитела на частице вследствие ее ориентации на подложке и т. д. Тем не менее, в настоящее время можно выделить наиболее надежные результаты в отнощении 30S субчастицы. Первой такой надежной локализацией было, по-видимому, определение положения белка S14 на головке частицы (рис. 65) антигенный детерминант белка был найден на поверхности головки со стороны, противоположной боковому выступу ( платформе ) 30S субчастицы (рис. 68). Недалеко от него были локализованы также антигенные детерминанты белков S10 и S19. Ниже этой группы белков, в районе борозды, разделяющей головку и тело, был локализован белок S3, а еще ниже, близко к борозде, но уже на теле субчастицы, белок S5 (рис. 68). Белки S6 и S11 были локализованы по другую сторону 30S субчастицы, а именно на ее боковом выступе ( платформе ). Белок S8, согласно иммунной электронной микроскопии, располагается также у бокового выступа, где-то между ним и телом, на внешней (обращенной от 50S субчастицы) стороне 30S субчастицы. [c.112]

Синтез алмаза осуществлялся из метана при температуре 1000— 1050° С п давлении метана 0,2—0,5 мм рт. ст. Перед опытом метан очищался ректификацией при температуре жидкого азота. В качестве подложки исследовались синтетические и природные алмазные порошки марок АСМ 1/0 и AM 1/0 с размером частиц до 1 мкм. Удельная поверхность алмазных порошков составляла около 10 м г. Алмаз наращивался циклическим способом, после этого в течение определенного времени синтез прекращался и удалялся образовавшийся графит. После очистки цикл наращивания повторялся. Процесс синтеза и очистки контролировался либо весовым методом, либо по изменению проводимости наращиваемого порошка. [c.87]

Удаление жировой пленки органическими растворителями ос новано на способности послед них растворять жировые загрязнения благодаря сродству химической структуры их молекул. Минеральные масла растворяются в углеводородах, растительные масла — в спиртах. После промывки и испарения растворителя на поверхности подложки вновь образуется пленка загрязнений, ранее растворенных в испаренном слое. Поэтому для финишного обезжиривания особое значение имеет удаление с поверхности подложки остатков моющего состава со следами удаляемой жировой пленки (финишная очистка). [c.128]

Завершающую очистку поверхности подложки перед осаждением пленок производят в вакуумной камере с помощью ионной бомбардировки. Процесс протекает в тлеющем разряде, если очищаемую подложку поместить в зоне ионов больших энергий. Ионная бомбардировка за несколько минут удаляет молекулярные слои воды, газа, окислов и других соединений. Разрядные электроды изготовляют из алюминия. Незначительное сопутствующее осаждение алюминия полезно. Островки из атомов алюминия служат центрами кристаллизации при последующем осаждении. [c.132]

Такое поведение гранул не может быть объяснено высокой кинетической энергией атомов и сопутствующим эффектом очистки поверхности подложки, так как оба эти фактора повышают агломерацию (скопление атомов в отдельные группы) благодаря хорошим условиям для перемещения атомов по подложке. Здесь решающее значение имеет заряженность частиц вещества. Увеличение поверх- [c.148]

Если требуется особенно хорошее сцепление металлического покрытия с подложкой, например стеклом или фарфором, сухая очистка достигается путем обработки поверхности пламенем горелки. Было установлено [8], что пленки из алюминия, полученные испарением его в вакууме, настолько плотно пристают к участкам, очищенным пламенем, что их нельзя удалить, даже стирая кожаным тампоном, в то время как тампон легко- удаляет алюминий с участков, на которые пламя не попало. [c.31]

При разработке большинства моющих средств, а также ряда составов, применяемых в текстильной промышленности, для проверки их эффективности проводят тест загрязнение — стирка . При этом, как правило, в качестве меры чистоты принимают показатель белизны — отношение ремиссии света при какой-либо степени очистки к стандартной ремиссии света. Многие полученные таким образом эмпирические данные, очень важные для практики, приобретают еще большую ценность, когда раскрывается механизм явлений, сопровождающих стирку. Например, из-вестный факт, что стирать грязное белье после долгого хранения труднее, чем белье, не подверженное длительной выдержке, объясняется молекулярным притяжением частиц загрязнений и волокна (см. главу 2, стр. 87). Как показали результаты измерения сил отрыва мелких частиц от плоской твердой поверхности (261, 262], прочность связи микрообъектов с подложкой существенно возрастает во времени. Такое изменение наступает вследствие деформации подложки в зоне соприкосновения и вытеснения воздуха, воды или жира из зазора между взаимодействующими поверхностями. Кроме того, в работах [261, 262] обнаружено, что пигментная защита, образующаяся в ванне, [c.131]

При очистке материалов, характеризующихся низкой величиной поверхностной энергии, коэффициент растекания не имеет решающего значения, поскольку в процессе стирки не наступает самопроизвольного смачивания, как это наблюдается для некоторых гидрофильных волокон. Иначе говоря, для гидрофобных поверхностей специфическое влияние ПАВ сказывается, главным образом, на коалесценции, потому что отрыв частиц загрязнений происходит благодаря механическим воздействиям. Такое отделение капелек масла от подложки требует сравнительно малых затрат энергии, равных приблизительно работе образования новой поверхности жидкости ( ЪО эрг см ). [c.132]

Подготовка поверхности. Достаточно прочное сцепление герметика с подложкой (субстратом) обеспечивается только при правильной подготовке поверхности, подлежащей герметизации. Предварительная обработка поверхности заключается в ее тщательной очистке от различного рода загрязнений и следов коррозии. Поверхность очишают от металлической стружки, пыли, [c.172]

Бомбардировку ионами инертного газа осуществляют двумя довольно различающимися способами. По одному из них ионы инертного газа, образующиеся под действием электронного пучка, направляют к образцу с помощью напряжения, приложенного к самому образцу, или посредством отдельного ускоряющего электрода. Последний вариант ускорения предпочтителен, так как он позволяет применить такой источник ионов, который обеспечивает высокую степень коллимации ионного пучка, что позволяет свести к минимуму бомбардировку подложки. Такого типа стандартные источники ионов обычно используются в системах ДМЭ и возбуждаемой электронами ОЭС. Разные конструкции источника ионов подробно описаны в научной литературе или каталогах фирм [17, 18]. Чтобы предотвратить загрязнение образца, эмиттер электронов и очищаемую поверхность не следует располагать на одной линии. Во втором способе ионы инертного газа образуются под действием тлеющего разряда (чтобы избежать применения электронного пучка). Однако использовать этот метод нецелесообразно, так как при энергии ионов ниже 1 кэВ устойчивый режим работы, по существу, получить невозможно, а нри более высокой энергии ионов наблюдается сильное нарушение структуры поверхности. Кроме того, эффективность очистки при помещении образца в тлеющий разряд сомнительна из-за возможного образования примесей в результате побочного процесса — распыления. [c.125]

Процесс глубокой очистки поверхности металлического образца термообработкой и (или) ионной бомбардировкой неизбежно сопровождается удалением некоторого количества металла, который осаждается в вакуумной камере. Даже если его количество мало, это может заметно влиять на исследование адсорбции (и катализа). Например, очень тонкая металлическая пленка (10- г/м ) состоит из отдельных и редко расположенных весьма мелких кристаллитов, однако в пределах заданной удельной поверхности подложки общая поверхность металлической пленки вполне может быть равна поверхности, на которой осаждены кристаллиты. Чтобы воспрепятствовать адсорбции (или каталитической реакции), можно поддерживать достаточно низкую температуру металла. Поскольку адсорбция многих газов, таких, как кислород, водород или окись углерода, на переходных металлах идет с высокой скоростью даже при 77 К, использование указанного способа для подавления нежелательной адсорбционной активности весьма ограниченно чаще его применяют при каталитических исследованиях, так как не многие каталитические реакции быстро протекают при 77 К. Если подавить нежелательную активность за счет разной температуры невозможно, очищенный образец металла необходимо изолировать от металла, осажденного в процессе очистки. С этой целью необходимо перенести через запираемое отверстие в другую часть вакуумной установки или очищенный образец, или осажденный металл. Выбор определяется характером исследуемой реакции и типом металлического образца. Поэтому, [c.344]

Для обеспечения прочной адгезии Л. п. к подложке необходима очистка окрашиваемой поверхности, а также придание ей шероховатости глубиной 1 —10 мкм. Очистку осуществляют мехапич. и химич. способами. Первые в большинстве случаев менее производительны, однако, в отличие от химических, не связаны с последующей промывкой водой и горячей сушкой поверхности. [c.5]

Большинство металлических поверхностей (золото, алюминий и др.) и изоляционных слоев (8102, SiзN4) в отличие от поверхности самой подложки наносятся вакуумным испарением или окислением при повышенной температуре, поэтому эти поверхности чисты и не требуют перед нанесением резиста дополнительной очистки. Недостаточно чистая поверхность подложки 8102/81 снижает адгезию резиста и ведет к образованию непрозрачных пятен и пористости. Снижение адгезии проявляется в нарушении размера элементов при проявлении, а также в подтравливании. При разработке мероприятий, обеспечивающих высокую чистоту поверхностей для нанесения резиста, учитывают природу этих поверхностей [5—7] и тщательно анализируют последующие операции. Действует принцип легче избегать загрязнений, чем их потом удалять [8]. [c.16]

Сушка отмытых подложек является также критичной, поскольку при отсутствии тщательных предосторожностей может произойти повторное загрязнение. Сушка может происходить в паровом очистителе, чистой печи, с помощью горячего фильтрованного воздуха или азота. Посуда и кассеты, используемые при очистке, должны быть безупречно чистыми, а окружающая атмосфера должна быть свободна от загрязнений, присутствующих в воздухе. Поэтому рекомендуется применять боксы с избыточным давлением отфильтрованного воздуха. Обычно при очистке подложки последней ступенью является промывка в деионизованной воде. Поскольку последняя может содержать следы солей или органических материалов, извлечение подложки должно пройодиться так, чтобы на поверхности оставался минимум жидкости. Если остающиеся капли испарить, то на поверхности остаются видимые пятна. Поэтому оставшиеся капли воды следует сдувать струей воздуха, либо удалять центрифугированием. Кроме того, существует хорошая практика, когда подложки очищаются непосредственно перед помещением в вакуумную систему. Для хранения могут быть использованы обеспыленные контейнеры с крышкой или экси1 аторы. [c.540]

При исследовании пленок толщиной более 30 мкм можно было проследить изменение концентрации примесных атомов по глубине, правда, с низким разрешением. Послойный анализ пленки арсенида галлия толщиной около 300 мкм, выращенной с помощью транспортной реакции в парах воды, позволил установить, что по всей толщине пленки до переходного слоя пленка — подложка содержалась примесь молибдена, внесенная из арматуры установки. Появление меди на участке пленки, прилегающем к поверхности подложки, а также увеличение содержания калия к кальция в этой области свидетельствовали о недостаточно тщательной очистке подложки перед выращ 1ванием пленки. Анализ пленки арсенида галлия толщиной 50 мкм, выращенной с использованием транспортной реакции в парах воды на поверхности германиевой подложки, показал, что германий проникает в толщу пленки во время ее выращивания. По толщине пленки концентрация германия изменялась в пределах (1,24-6) 10- ат.%. [c.166]

В большинстве случаев в электропике используются пленки толщиной несколько тысяч ангстрем, поэтому каждая посторонняя частица, будь то пылинка или молекулярный слой газа, может ухудшить адгезию. При очистке поверхности должны быть удалены жиры, адсорбированная вода и другие загрязнения, которые могут препятствовать образованию сплошного слоя на покрываемой подложке. Способ очистки подложки выбирается в зависимости от ее материала. Для очистки поверхности стекла могут быть применены такие способы, как химическая очистка, обработка подложки тлеющим разрядом, электронная бомбардировка поверхности, ультразвуковая очистка. Эти приемы применимы также для очистки керамики, полупроводниковых пластин и некоторых других видов используемых подложек. [c.194]

Реактор очистки состоял из двух коаксиальных цилиндров. Внешний цилиндр являлся электронагревателем с регулируемым тепловыделением, а внутренний служил собственно реактором, в котором можно было размещать насыпной слой гранулированного катализатора или пластинчатые модули с катализатор-ным покрытием. Модуль представлял собой квадратную призму из листовой стали с шириной грани 36 и высотой 200 мм. В реактор последовательно устанавливали два модуля, общая поверхность катализаторного покрытия двух модулей составляла 570 см . Катализаторное покрытие состояло из смеси мелко-измельченного катализатора, технического алюмината кальция и раствора полиметилфенилсилоксановой смолы в толуоле (соответственно 1, 1 и 2 масс. ч). Технология нанесения к атализаторного покрытия на металлическую подложку описана ранее [47, 48]. [c.116]

При предпусковых очистках приходится иметь дело с высокотемпературной производственной окалиной и продуктами атмосферной коррозии, основой которых являются оксиды железа в той или иной форме. Учитывая, что в подложке окалины расположен оксид железа II, основу ее составляет магнетит и только в наружном слое имеется в небольших количествах оксид железа III, для поверхностей, покрытых окалиной, следует использовать реагенты, эффективно растворяющие, FeO и Рез04. При преобладании на поверхности труб продуктов атмосферной коррозии, состоящих [c.6]

Рекомендуемый состав эфирно-гидридного электролита следующий А1С1з б/в — 270—400 г/л Ь1П — 5—8 г/л диэтиловый эфир — 1 л. При плотности тока 0,8—5 А/дм и комнатной температуре толщина покрытий достигает 50— 60 мкм. По своим физико-химическим свойствам полученные покрытия близки к электрометаллургическим маркам алюминия высокой чистоты. С увеличением плотности тока и уменьшением толщины слоя происходит измельчение структуры покрытий и увеличение микротвердости. Глубокой очисткой исходных компонентов можно добиться снижения микротвердости и отсутствия пористости. Прочность сцепления с основой зависит от предварительной подготовки поверхности подложки и увеличивается при обработке поверхности в растворах жирных кислот, например олеиновой. Кратковременное анодирование в щелочном растворе приводит к более прочному сцеплению с основой. Покрытия на [c.23]

При точной работе поверхностные весы помещают в воздушный термостат и все контрольные операции осуществляют снаружи. Обычно измерения проводят по следующей методике. Ванну заполняют жидкостью, служащей подложкой, и всю систему приводят в термодинамическое равновесие. По обеим концам ванны укладывают ряд длинных стержней, служащих подвижными барьерами (обычно используют латунные или стеклянные стержни квадратного сечения, покрытые парафином или другим гидро-фобизатором). Затем с помощью этих барьеров очищают поверхность жидкости перед и за поплавком. Для этого барьер подводят к стойке весов, опускают его таким образом, чтобы он касался краев ванны. Барьер толкает перед собой пыль и другие загрязнения, которые могут находиться на поверхности. Эту процедуру повторяют многократно, используя каждый раз новый барьер. После очистки поверхности проверяют нулевую точку поплавка, после чего наносят вещество, образующее пленку. [c.97]

Проведенное выще обсуждение показывает, что в идеальных системах адгезия между двумя поверхностями раздела довольно велика. На практике работа адгезии между двумя разнородными материалами должна превышать работу когезии менее прочного материала. Подобное положение имеет место и в опытах по трению, когда сдвиг, по-видимому, происходит по менее прочному материалу, а не по самому месту контакта. По мнению Бикермана [47], даже если вероятен разрыв по поверхности раздела, основную роль в этом процессе играет ослабленный граничный слой, представляющий собой тонкий (но полимолекулярный) слой измененного материала, механически менее прочный, чем любая из контактирующих объемных фаз. Ослабленный граничный слой может состоять из окислов, загрязнений и т. д., и, кроме того, он может образовываться и на поверхности структурно измененного, но вполне чистого материала. С этой точки зрения большой интерес представляет сообщение Шорнхорна и Райэна 48] о том, что тщательная очистка пластика значительно ухудшает его сцепление с металлическими подложками. Гуд [49] считает, что ослабленный слой образуется мономолекулярной поверхностью раздела, а если это так, то разрыв клеевых соединений должен действительно проходить по поверхности раздела, а не смежным с ним областям. [c.361]

Можно ожидать, что поверхностный атом, имея меньшее число соседей, чем объемный, должен связываться менее прочно, и это подтверждают данные температурной зависимости рефлексов ДМЭ и мёссбауэровские спектры высокодисперсных металлов. Для граней (100), (110) и (111) металлов с г. ц. к. и о. ц. к. структурами (N1, Р(1, Pt, Ag, Си, 1г, РЬ, ДУ, Мо, Сг, ЫЬ) отношение дебаевских температур поверхностных и объемных атомов составляет 0,4—0,85 [1, 2], а среднеквадратичные амплитуды колебаний, перпендикулярных поверхности, в 1,2—2,5 раза больше амплитуд колебаний объемных атомов. Из-за ангармоничности атомных колебаний увеличение их амплитуды приводит к растяжению поверхностных слоев в направлении, перпендикулярном поверхности. Степень растяжения, однако, относительно мала не превышает 5% [3], а более вероятно 1—2% [4]. В то же время для грани (110) алюминия (непереходного металла), по-видимому, наблюдается сжатие поверхностных слоев, достигающее 10—15% [5]. Причина такого поведения алюминия неизвестна. Для трех металлов — золота, платины и иридия — методом ДМЭ обнаружена перестройка поверхностных слоев, стабильная нри комнатной температуре и соответствующая, по-видимому, отсутствию на поверхности примесей [6, 7]. После очистки ионной бомбардировкой и отжига грани (100) этих металлов дают картины ДМЭ, которые можно объяснить перестройкой самого внешнего слоя металлических атомов. На грани (100) Р1 наблюдаются дифракционные картины от двух структур внешнего слоя—(1X2) и (1x5), а на гранях (100) Ли и 1г — от одной структуры (1x5). Структура (1X5), несомненно, возникает от совмещения решетки грани (100) подложки и решетки внешнего слоя, представляющей собой несколько сжатую структуру С (1x2). Обе структуры наблю- [c.110]

Выплавленный обычным способом сырой свинец загрязнен медью, сурьмой, мышьяком и серой. Большей частью он содержит также заметные количества серебра. Так как очистка свинца от серебра имеет большое значение для добычи серебра, используемые в этом случае методы будут рассмотрены в разделе серебро . Для удаления остальных примесей проводят переплавку. Поскольку при переплавке имеется доступ воздуха, мышьяк и сурьма окисляются с образованием арсената и антимоната свинца, которые всплывают на поверхность расплава. Медь образует сравнительно тугоплавкий сплав, содержащий небольшое количество свинца. Этот сплав также отделяется и одновременно захватывает из свинца всю серу. При переплавке ча сто нагрев ведут на наклонной подложке так, что свинец медленно стекает. Этот способ называется зейгерованием . Тугоплавкие примеси остаются при этом в виде зейгер-шипов . [c.586]

Весьма эффективными являются также промежуточные адгезионные слон, получаемые на металле из раствора полимеров [67, 68]. Процесс получения изделий литьем под давлением при использовании подслоев из полимерных растворов включает операции очистки арматуры от загрязнений (предпочтительна механическая очистка), нанесения на нее раство.ра полимера, нспаренпя растворителя, нагрева арматуры до температуры, превышающей температуру плавления материалов подслоя и адгезива, установки арматуры в форму и заливки ее расплавом. Промежуточный слой при этом наносят на поверхность арматуры в виде иленкп толщиной 0,1 —1,5 мкм из 0,5—2%-ного раствора полимера, содержащего в составе макромолекул амидные группы. При формированип подслоя природа применяемого растворителя и концентрация раствора не оказывают существенного влияния на адгезионную прочность. Растворитель должен быть химически инертным по отношению к подложке, легко удаляться из подслоя при нагревании, а раствор полимера в нем с целью увеличения площади фактического контакта должен иметь минимальную вязкость. Этим объясняется необходимость использования разбавленных до ,1—2% (масс.) растворов. [c.124]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология