Напряжение Пайерлса

Напряжения Пайерлса, полученные для двойникующей дислокации в ОЦК вольфраме, могут показаться чрезмерно высокими. Однако экспериментальные исследования двойникования ниобия и ванадия показывают [158], что в области низких температур предел текучести на двойникование в тугоплавких ОЦК металлах составляет около Математическое моделирование атомной структуры ядер двойникующих дислокаций в ГПУ металлах показало, что они имеют широкие ядра (порядка 10а), что согласуется с данными физического эксперимента (подробнее см. обзор [159]). [c.50]

Механизмы движения дислокаций в карбидах и факторы, определяющие скорость этого движения, плохо изучены. Например, механизм деформации в Ti описывается по крайней мере тремя значениями энергии активации в зависимости от области температур. Факторы, контролирующие подвижность дислокаций в карбидах, включают напряжение Пайерлса, скорости диффузии атомов углерода и металла. При низких температурах (<1200 °С) в Ti определяющим, вероятно, является напряжение Пайерлса, в области температур 1200—1500°С — скорость диффузии углерода, при высоких температурах (> 1500°С)—скорость диффузии титана. [c.157]

Хотя мы и располагаем свидетельством того, что при низких температурах подвижность дислокаций в карбидах лимитируется высоким напряжением Пайерлса, действительный механизм движения дислокации выяснен недостаточно. Это, по-видимому, одна из наиболее важных проблем будущих исследований, поскольку с малой подвижностью дислокаций в первую очередь связана хрупкость карбидов при низких температурах. Выяснение механиз- [c.158]

Без учета вязкости динамическая сила Пайерлса сводится к радиационному торможению и характеризуется убывающей функцией скорости, что соответствует неустойчивости стационарного движения. Вязкая диссипация стабилизирует движение дислокации. При достаточно высоком уровне вязкости, когда эффект стартовой скорости исчезает, суммарное динамическое напряжение Пайерлса в широком интервале скоростей приближается к статическому стартовому напряжению т и не обращается в пуль при стремлении скорости к нулю (эффект типа сухого трения ). [c.226]

Предполагается (см. выше), что вся работа этой силы пошла на повышение энергии твердого тела (по крайней мере, при малых деформациях в мелкозернистых структурах это близко к истине [32], хотя для существа выводов достаточно предположения о постоянстве сил внутреннего трения, обусловленных напряжением Пайерлса—Набарро, лесом дислокаций, хаотически расположенными растворенными атомами примесей и другими причинами). [c.51]

В ковалентных кристаллах подвижность дислокаций при низких температурах ограничена большими значениями напряжений Пайерлса. Так, для Ое и 51 было установлено, что существенная пластическая деформация и заметная подвижность дислокаций обнаруживаются при Т > 0,4 Тпл [1,2]. Теория термоактивационного движения дислокаций в поле напряжений разработана недостаточно, и, как показано в [3, 4], имеются существенные различия между ее выводами и экспериментами. Поэтому необходимы дальнейшие исследования закономерностей деформации ковалентных кристаллов, в том числе и алмаза. Несмотря на широкое применение алмаза в технике в качестве сверхтвердого высокопрочного материала, такие его исследования до настоящего времени не были проведены. Актуальность исследования алмаза в широком температурном интервале связана также с тем, что при нулевых давлениях алмаз является метастабильной модификацией углерода, и поэтому особый интерес представляет изучение влияния графитизации на механические свойства алмаза. [c.150]

В конце 30-х годов были разработаны одномерные модели ядра дислокации Френкеля - Конторовой [108] и Пайерлса [104], целью которых было рассмотрение ядра дислокации. Эти модели, несмотря на свой кажущийся схематизм, отражали существенные свойства дислокаций в их рамках удалось качественно описать ряд основных свойств дислокаций. В частности, в [109] в рамках модели Пайерлса определены напряжения, необходимые для смещения дислокации в плоскости скольжения (напряжения Пайерлса - Набарро). Эти напряжения определены также и в модели Френкеля - Конторовой [110]. [c.36]

Система скольжения 111 (ПО) в карбидах представлена на рис. 63. На рис. 64 и 65 приведены другие системы 110 (ПО) и 001 (lio), по которым также может происходить деформация в карбидах. В основном материалы испытывают скольжение по плот-ноупакованным плоскостям и вдоль плотноупакованных направлений. В случае карбидов наиболее плотноупакованной является плоскость 111 , а перемещения в направлениях (ПО) отвечают самым коротким векторам Бюргерса. Почему перемещение происходит в плотиоупакованном направлении (наикратчайщий вектор Бюргерса), объясняется по крайней мере двумя причинами энергия дислокации пропорциональна квадрату вектора Бюргерса, а напряжение Пайерлса движения дислокаций экспоненциально зависит от него. Система скольжения 111 (ПО) обычно наблюдается и Б гцк-металлах. Возможно, причина этого в том, что, поскольку атом углерода мал, он занимает октаэдрическое междоузлие, вызывая очень небольшое расширение металлической подрешетки поэтому деформация в монокарбидах со структурой l происходит по тем же самым системам скольжения, что и в гцк-металлах. [c.150]

Некоторые исследователи [17, 19, 32, 34] полагали, что малая дислокационная подвижность в карбидах при низких температурах связана с высоким напряжением Пайерлса (собственным сопротивлением решетки движению дислокаций). Это предположение подтверждает тот факт, что предел текучести увеличивается пропорционально росту отношения /Ti, хотя и другие механизмы могут приводить к аналогичным реультатам. На рис. 72 представлены данные, иллюстрирующие возрастание КСН с увеличением концентрации углерода в Ti i-. при 927 ° С. Обычно отклонение от стехиометрического состава и появление точечных дефектов приводят к увеличению предела текучести, поскольку точечные [c.157]

Напряжение, достаточное для перемещения дислокации, называется напряжением Пайерлса. Это явление вызывает большо11 интерес ввиду того, что плотность (концентрация) дислокацип в кристаллах очень велика. На 1 см произвольного сечения внутри кристалла в метал л а х содержится до 10 дислокаций [57], в полупроводниках — до 10 —10 дислокаций, п лишь в специально синтезированных бедных дислокациями кристаллах — до 10" —10 дислокаций. [c.403]

Рис. VIII.33. Напряжение Пайерлса а — напряжение Пайерлса в области краевой дислокации Ь — перепоазаиие дислокации, вызванное присоединением атомов к краю лишней полуплоскости

Доля вклада отдельных факторов упрочнения в общий дел текучести неодинакова. Рассмотрим влияние леги-ания стали на указанные компоненты упрочнения. Напряжение трения решетки а-железа (ао) определяет напряжением Пайерлса — Набарро. Как указывалось, =20-10- [уравнение (3)] и его значение для железа эетически равно 17 МПа. Экспериментально полученные железа значения ао=30—40 МПа. [c.131]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология