Структура линейные дефекты

Рентгеноструктурные и микроскопические исследования моно-и поликристаллов природного графита позволяют обнаружить в них ряд отклонений от идеальной упаковки атомов в гексагональной решетке графита (рис. 5-5) в виде линейных дефектов в основном дислокационной природы. Дислокационная структура графита определяется следующими сочетаниями направлений линейных дислокаций (ЛД) и векторов Бюргерса (ВБ) [1-3] [c.239]

Кроме точечных дефектов несовершенство кристалла в значительной степени определяется смещениями и перестановками элементов решетки (линейными дефектами), поворотом слоев в кристалле (плоскостные дефекты), образованием пор, пустот и включений (объемные, трехмерные дефекты). Наиболее заметные отклонения от идеальной структуры наблюдаются на поверх- [c.431]

Более сложным видом нарушений структуры кристалла являются линейные дефекты или дислокации. Их возникновение обусловлено нарушением местоположения целой группы частиц, размеш,енных вдоль какой-либо воображаемой линии в кристалле. Возникновение [c.90]

Влияние линейных и плоских дефектов на свойства твердых тел. Более сложным видом нарушений структуры кристалла являются линейные дефекты или дислокации. Их возникновение обусловлено нарушением местоположения целой группы частиц, размещенных вдоль какой-либо воображаемой линии в кристалле. Возникновение дислокаций требует большой энергии, поэтому их число мало зависит от температуры кристалла и в обычных кристаллических образцах имеет порядок 10 —10 в 1 см . Как правило, дислокации образуются в процессе выращивания кристалла или при его механической и термической обработке. [c.81]

Дефекты могут быть точечными, линейными и плоскостными. Точечные дефекты представляют нарушения структуры атомарных размеров по всем трем измерениям (размер дефекта в любом измерении не превышает нескольких межатомных расстояний). Линейные дефекты, называемые дислокациями, и [c.189]

Экспериментальные исследования процессов кристаллизации показывают, однако, что в реальных системах обычно не возникает существенных кинетических затруднений росту кристаллов при малых пересыщениях. Это связано с реальной дефектной структурой кристаллов и особенно с наличием в них специфических линейных дефектов, [c.133]

Химическое строение эпоксидных полимеров определяется строением олигомеров и отвердителей, использованных для получения полимера, и, как правило, его можно считать известным, если в ходе отверждения не протекает большое число побочных реакций. Однако топологическая структура сетчатых полимеров, которая значительно сложнее топологической структуры линейных полимеров, исследована еще очень мало. При количественном описании топологической структуры пространственных полимеров возникают большие трудности, связанные с огромным числом параметров, характеризующих пространственную сетку, стохастическим характером сетки, наличием физических узлов, зацеплений и межмолекулярного взаимодействия, образованием циклов, неодинаковой функциональностью узлов, различными длиной и химическим строением цепей между узлами, а также с протеканием побочных реакций, нарушающих соотношение между компонентами и приводящих к образованию дефектов сетки (свободных концов, разрывов и т. д.). [c.55]

Особенности томографических изображений локальных дефектов. При восстановлении структуры локальных дефектов в толще однородного контролируемого изделия томограф может рассматриваться как трехмерный линейный пространственный фильтр, на вход которого воздействует исходное распределение ЛКО контролируемого изделия с дефектом Цд (х, у, г). Поэтому реконструируемое распределение Цд (х, у, г) [c.144]

Дебая температура 50, 51 Дебая—Шерера метод 46 Дефекты кристаллической структуры линейные 54 [c.187]

Ряд особенностей поведения дефектов существенно зависит от атомной структуры их ядер. Под последними обычно понимают для линейных дефектов - дислокаций-область вблизи геометрического центра, в которой становится неприменима континуальная теория. В этой области выражения для полей напряжений и упругой энергии дислокации (соответственно а цЬ г и и fxb 1п (R/гц), где г — расстояние от центра дислокации, R и Го - внешний и внутренний радиусы обрезания), получаемые континуальной теорией, расходятся при г - О, г о 0. [c.36]

Вследствие мозаичности реальных кристаллов в них существуют дислокации, т. е. линейные дефекты структуры кристаллов, образу- [c.149]

ДИСЛОКАЦИИ в кристаллах — линейные дефекты структуры реальных кристаллов, образующиеся в процессе роста кристаллов или в процессе пластич. деформации. В простейшем случае пластич. деформация кристалла может быть макроскопически представлена как результат скольжения атомных плоскостей друг по другу, подобно сдвиганию колоды карт, причем сдвиг в каждой данной плоскости скольжения не охватывает одновременно всю эту плоскость напротив, сдвиг распространяется постепенно, от одного участка данной плоскости к другому. [c.571]

С тех пор как было установлено существование точечных дефектов в кристаллических веществах, стало известно, что эти дефекты способны взаимодействовать друг с другом. Первоначально внимание исследователей было обращено на наиболее заметные физические. эффекты, связанные с наличием изолированных точечных дефектов, например на особенности спектров и электронных свойств твердых тел, а природа взаимодействий между дефектами не обсуждалась. Однако ясно, что химические свойства кристаллических твердых веществ в значительной мере определяются взаимодействиями дефектов — одинаковых или различных — взаимодействиями, приводящими к образованию комплексов дефектов и далее в результате кооперативного взаимодействия к агрегатам или упорядоченным структурам из дефектов или их комплексов. Данную статью не следует рассматривать как обзор обычного типа, в ней лишь излагается определенная точка зрения по этому вопросу. Мы попытаемся разобрать физические модели и механизмы, на основе которых можно объяснить некоторые химические и физические свойства твердых веществ. Мы не будем рассматривать здесь линейные дефекты или дислокации, которые также могут взаимодействовать с точечными дефектами или между собой и играют важную роль в кинетике химических реакций твердых веществ. [c.371]

Точечный дефект определяется как любое локальное нарушение структуры кристалла в отличие от линейных дефектов, как, например, дислокации. Ниже перечислены некоторые важнейшие классы точечных дефектов [c.195]

В простейшем случае пластич. деформация кристалла может быть представлена как результат скольжения атомных плоскостей друг по другу, подобно сдвиганию колоды карт. При этом ранее предполагали, что происходит одновременное смещение всех атомов, расположенных в данной плоскости скольжения. Расчет показывает, что для такого смещения атомов требуется весьма высокое напряжение, в 100—1000 раз превосходящее наблюдаемое на опыте. В действительности пластич. деформация осуществляется не одновременным смещением всех атомов в плоскости скольжения, а является результатом перемещения линейных дефектов структуры — дислокаций (см. Дислокации). В настоящее время теория дислокаций должна рассматриваться как наиболее теоретически и экспериментально обоснованная теория пластичности твердых тел (более подробно о пластичности см. Механические свойства материалов). [c.34]

Линейный дефект — это нарушение правильности структуры вдоль линии (не обязательно прямой). Поперечные размеры линейного дефекта не превышают одного или нескольких междуатомных расстояний, а длина может достигать размера кристалла. [c.315]

Структуру границ зерен можно представить двояким образом. Одним из возможных типов границ являются малоугловые границы, показанные на рис. 2.3. Эти границы состоят из выстроенных в ряд краевых дислокаций и возникают при небольшой разориентировке растущих кристаллических плоскостей. Ширина таких границ приближается к атомным размерам, и они служат границами раздела блоков внутри зерна. Несмотря на то, что блок может и.меть сам по себе точечные и линейные дефекты, он является достаточно совершенным кристаллом и для рентгеновских лучей будет представлять область когерентного рассеяния. [c.40]

Рис. 35. Структуре линейных дефектов (пунктирная линия) в сметике а — тор из смектических слоев, б — простейшая конфигу. рация дефектных линий — окружность и прямая, проходящая через ее центр, в — конфигурация линий дефектов в общем случае.

Линейные дефекты структуры называются дислокациями. Простейший вид днслокации — краевая дислокация. Она представляет собой край одной из атомных плоскостей, обрывающейся внутри кристалла. Дислокации возникают как в процессе роста кристаллов, так и при местных механических, тепловых и других воздействиях на кристаллы (см., например, рис. 142, а, б на стр. 538). На рис. 02 изображена краевая дислокация (линия АВ), возникшая в результате сдвига части кристалла по плоскости АВСО в направлении, указанном стрелкой. [c.163]

Граница зерен однокомпонентного поликристаллнческого твердого тела является специфической поверхностью раздела двух объемов одинакового состава, находящихся в одинаковом (твердом) фазовом состоянии. Структура границ зерен и их удельная свободная поверхностная энергия Огз во многом определяются степенью разориен-тировки зерен относительно друг друга. При слабой взаимной разори-ентации соседних участков кристаллов (их обычно называют в этом случае блоками) величина Огз мала и приблизительно линейно возрастает с увеличением угла разориептировки. На рис. I—11, а изображен Простейший вид подобной малоугловой границы блоков края неполных атомных плоскостей могут рассматриваться как особые линейные дефекты структуры твердого тела, называемые краевыми дислокациями (см. также с. 339). [c.29]

Пластическое деформирование кристаллических твердьа тел связано с появлением и передвижением в их объеме особых линейных дефектов структуры, подзываемых дислокациями (см. гл. IV, 4). Дислокация отделяет в плоскости скольжения ту часть кристалла, в которой произошло смешение атомов на одно межатомное расстояние, от той части кристалла, где такого смещения еще ае происходило (рис. Х1-31). Перемещение дислокации через весь кристалл приводит к сдвигу в плоскости скольжения на одно межатомное расстояние. Движение дислокаций может тормозиться различными дефектами кристаллической решет -кн инородными атомами, включениями, другими дислокациями, границами блоков монокристаллов, двойниковыми гр 1вицами, границами зерен в полик- [c.404]

В твердых неорг. телах, где доля своб. объема и амплитуды колебаний атомов кристаллич. решетки незначительны, Д. обусловлена наличием нарушений в их структуре (см. Дефекты в кристаллах), возникающих при изготовлении, нагревании, деформациях и др. воздействиях. При этом м. б. реализованы неск. механизмов Д. обмен местами атомов и обмен местами двух соседних атомов, одновременное циклич. перемещение неск. атомов, передвижение их по междоузлиям и др. Первый механизм преобладает, напр., при образовании твердых р-ров замещения, последний - твердых р-ров внедрения. Диффузионные процессы происходят с заметной скоростью только при высоких т-рах. Напр., как следует из табл. 6, коэф. Д. Oj в СаО и fjOj при повьпиении т-ры с 20 до 300 °С возрастают соотв. в 2 10 ° и 3 10 раз. При массопереносе в области линейных дислокаций и по поверхностным (границы зерен) дефектам в поликристаллич. телах D увеличиваются на 4-5 порядков. [c.104]

Электронно-микросколические и рентгеноструктурные исследования ялектролитичвского железа показали, что линейные дефекты сосредоточены внутри границ, разделяющих отдельные фрагменты (субзерна),объем которых представляет собой участки металла с весьма совершенной структурой, о чем свидетельствовало наличие линий Кикучи на микро-дифракционных картинах [336].Угол разориентировки между субзернами, по данным микродифракции але1стронов, составил Причем уве- [c.99]

ТЕРМОПЛАСТИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА металлов — упрочняющая обработка металлов термическим воздействием и пластическим деформированием. Основывается на изменении дислокационной структуры металлов с целью улучшения комплекса мех. св-в (прочности, вязкости разрушения и т. д.). Эффект упрочнения вследствие Т. о. обусловлен созданием в металлической основе упорядоченных и стабилизированных дислокационных структур, характеризующихся резким торможением подвижности линейных дефектов. Термопластическими являются термомеханическая обработка (формирование упрочненного состояния в результате наследования дислокационно насыщенных структур при полиморфных и фазовых превращениях) и обработка механико-термическая (создание упорядоченных дислокационных структур при т-ре меньше т-ры рекристаллизации со стабилизацией упрочненного состояния). Для термомех. обработки характерно изменение фазового состояния и мех. св-в тела зерен (субзерен) в процессе перехода от непосредственно деформированного к конечному упрочненному состоянию. Механико-термическая обработка, обусловливая созда- [c.546]

И. Jl. Журавлев, В. И. Шимулис, А. В. Верное (Университет дружбы народов им. П. Лумумбы, Москва). Теоретическое описание и численное моделирование мономолекулярных адсорбционных слоев осуществляются, как правило, для модельных бесконечно больших систем. Однако поверхность реального адсорбента всегда содержит ступени роста, их изломы, ребра граней и другие дефекты. Наличие на поверхности указанных линейных структур должно приводить к изменению свойств адсорбированного монослоя, так как, во-первых, появляются дополнительные потенциальные поля вдоль ступеней, во-вторых, ослабляются корреляции между областями миграции адсорбированных молекул разделенными линейными дефектами. С этой точки зрения адсорбент можно представить в виде набора ограниченных площадок, а не бесконечной поверхности. Сами ступени роста тоже являются ограниченными по длине участками, разделенными изломами, поэтому моделью цепочки молекул, адсорбированных на ступени роста, может служить одномерная система конечных размеров. [c.29]

Вскоре после открытия дифракции рентгеновских лучей благодаря количественным измеретшям интенсивностей отраженных лучей стало ясно [6], что структура реальных кристаллов далека от идеальной. Иными словами, идеальные кристаллы, по первоначальному представлению кристаллографов, состоящие из соответствующим образом правильно упакованных элементарных ячеек, редко, если вообще когда-нибудь, существуют в природе. Результаты последних исследований механических свойств [7—И] кристаллов и их роста [И] привели к представлениям о существовании дислокаций (или, как их часто называют, линейных дефектов) двух главных типов, которые характеризуются нарухпеннем идеальной кристаллической решетки. [c.212]

Послойное травление. Протравленную поверхность кристалла с образовавшимися на ней фигурами травления фотографируют и после этого сполировывают с нее тонкий слой так, чтобы при этом не нарушалась дислокационная структура поверхности. Механическая полировка здесь непригодна, потому что при механической шлифовке или полировке создаются новые дислокации применять можно лишь химическую или ионную полировку. После полировки производят повторное травление той же поверхности тем же травителем и сравнивают полученную картину с предыдущей. Так как дислокация — линейный дефект, протяженный в глубь кристалла, то новые фигуры травления должны оказаться практически на тех же местах, где они были раньше, если они действительно отвечают выходам дислокаций. Если же фигуры травления соответствуют не дислокациям, а поверхностным или каким-либо другим дефектам, то новое расположение фигур травления не повторяет старое. [c.350]

С позиций структурного подхода кристалл рассматривается как совершено упорядоченная система неподвижных точек. Динамические аспекты поведения кристалла предполагают учет роли дефектов структуры. К ним относятся в первую очередь поверхностные дефекты наружные грани кристалла, ограничивающие периодичность решетки в пространстве (простые поверхности с низкими индексами, вицинальные поверхности, ориентированные совершенно иначе, чем предыдущие, поверхности произвольной ориентации и т. д.). Кроме того, важное значение имеют внутренние поверхности (трещины, поры, включения), границы блоков, линейные дефекты (краевые дислокации, границы неполных атомных плоскостей, ступени и сколы, винтовые дислокации и их выходы на поверхность) точечные дефекты (вакансии и межузель-ные атомы). Отсюда возникает необходимость знать природу, концентрацию, распределение всех типов дефектов и возможные способы их перемещения по кристаллу [71]. [c.71]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология