Кристаллы решетки

К плоскостным и поверхностным дефектам кристаллической решетки (рис. 2.2 и 2.3) относятся границы, разделяющие различно ориентированные области — границы зерен (рис. 2.2, а, в, г), блоков (разориентированных под малыми углами областей одного зерна, рис. 2.3, б), двойников (кристаллов, решетки которых являются зеркальным отражением друг друга, рис. 2.2, б), а также границы, разделяющие участки решетки с различной упаковкой атомных слоев. Типы границ различаются углом разориентировки О. (рис. 2.3, а). Величина О для блоков обычно составляет 0,01 рад ( 1°), для зерен эта величина может достигать десятков градусов. В этом случае границы представляют собой широкие полосы нарушения кристаллической [c.26]

Рис. 12. Секстетная адсорбция циклогексана на плотно упакованных. гранях металлических кристаллов (решетки типа А-1 и А-3) по Баландину [1]

Гидрохинон имеет очень рыхлую решетку, в которой молекулы удерживаются водородными связями и существуют большие пустоты. Если гидрохинон кристаллизуется из раствора в присутствии растворенной двуокиси серы или в атмосфере аргона под давлением в несколько атмосфер, молекулы газа включаются в кристалл. Они никак не связаны с гидрохиноном, а только расположены в пустотах его структуры. При плавлении или растворении кристалла решетка разрушается и выделяется газ. Такие соединения называются клатратами (клеткообразными) и образуются также при взаимодействии гидрохинона с некоторыми другими газами. Можно получить клатратное соединение с асимметрическим соединением вместо гидрохинона (см. стр. 376). При этом пустоты в решетке также будут асимметричными и могут включать только один из зеркальных изомеров второго асимметрического вещества (с молекулами небольшого размера). Таким путем можно производить разделение оптических изомеров, например три-орто-тимотида [c.267]

ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ И СТРУКТУРА ЭПМ ГЕТИЧЕСКИХ ЗОН В КОВАЛЕНТНЫХ КРИСТАЛЛАХ ( РЕШЕТКОЙ АЛМАЗА. МЕТОД ЭКВИВАЛЕНТНЫХ ОРБИТАЛЕЙ И ВАЛЕНТНАЯ ЗОНА [c.84]

Так как теория роста несовершенных кристаллов подразумевает дислокационный механизм, полезно кратко ознакомиться с природой дислокаций в кристаллической решетке. Дислокации относятся к линейным нарушениям в кристаллах, решетка которых имеет дефекты ориентации. Дислокации важны при росте кристаллов потому, что они возникают на растущей поверхности кристаллов. [c.196]

Подавляющее большинство кристаллофосфоров, имеющих наибольший практический интерес, представляет собой синтезированные порошки с весьма сложной и сильно нарушенной кристаллической структурой. Как указывает В. Л. Левшин в упомянутой монографии, они представляют собой в структурном отношении кристаллы, решетка которых в одних местах деформирована, а в других разрушена разнородными примесями, к которым, помимо собственно активирующей примеси, относятся анионы соли активатора, ионы, возникающие при разложении плавня, и разнообразные окислы веществ, хотя и родственных основному веществу решетки, но не тождественных с ним. Сложность структуры указанных [c.98]

При растворении ионного кристалла решетка его разрушается, связи, удерживающие ионы в решетке, разрываются и ионы переходят в раствор. Реальный процесс растворения можно рассматривать, разделив его мысленно на две стадии испарение кристалла в вакуум с образованием пара, состоящего из отдельных ионов, а затем переход ионов из пара в растворитель. Максимальная работа реального процесса растворения должна быть равна сумме работ двух стадий рассмотренного выше процесса, так как в обоих случаях и начальное и конечное состояние одинаковы. [c.36]

Совокупность всех преобразований пространства, занимаемого кристаллом, не изменяющих равновесную конфигурацию (сводящихся к обмену местами тождественных атомов), называется группой симметрии кристалла. Решетка всегда обладает определенной трансляционной симметрией и, кроме того, может обладать осями и плоскостями симметрии ). Совокупность всех этих элементов симметрии кристаллической решетки и называется ее пространственной группой. Различные пространственные группы распределяются по кристаллическим классам. Всего возможны 230 различных пространственных групп. [c.370]

Для кристаллов, решетка которых обладает некоторыми дефектами, вызванными внедрением посторонних примесей — ионов тяжелых металлов,—в возникновении флуоресценции принимает участие весь кристалл в целом, и при этом мы имеем дело с рекомбинационным свечением. Такой вид свечения называют также свечением кристаллофосфоров. [c.8]

Необходимо, однако, отметить одно существенное различие между твердыми кристаллами и жидкостями. В кристаллах мы имели дело с дырками в виде пустых, незанятых узлов решетки. Поскольку при плавлении кристалла решетка его как бы размывается, понятие дырок как пустых узлов решетки в значительной мере утрачивает смысл. В случае жидкости в понятие дырки вкладывается представление о более или менее расширенных промежутках между частицами — промежутков, не имеющих ни определенной формы, ни размеров, которые могут возникать, расширяться, сжиматься и вновь исчезать, а также перемещаться, закрываясь в одном месте и возникая в соседнем (подобно тому, как это имеет место при подвижных дырках в кристаллах). [c.32]

Основная роль спектрального анализатора заключается в выделении из. всего потока рентгеновских лучей лишь излучения определенной длины волны. Анализаторами служат пластинки кристаллов или решетки. Длина волны Я, отраженной кристаллом (решеткой), однозначно связана с углом отражения ф законом Вульфа — Брэгга [c.34]

Под кристаллическим комплексом понимают совокупность плоскостей и направлений, параллельных плоскостям и направлениям кристалла (решетки) и проходящих через одну точку — центр комплекса. [c.329]

Различные вещества могут образовывать кристаллы, решетки которых имеют одинаковые параметры, если частицы, из которых они состоят, близки по размерам, и между ними существуют сходные СВЯЗИ- Такое явление называют изоморфизмом ( равно-форменностью ), а вещества — изоморфны м и. Изоморфизм проявляется при образовании смешанных кристаллов. [c.97]

Дигидроарсенат(У) калия KH2ASO4-бесцв. кристаллы, решетка тетрагональная (а = 0J6290 нм, с = = 0,71612 нм, 2 = 4, пространств, группы Mid) не раств. в спирте, раств. в воде и глицерине. Это соединение, как и А. аммония, Rb, s,-материал нелинейной оптики. [c.203]

При взаимод. Оа илн его соединеиий с N14, при 1050-1200°С получают нитрид ОаК-кристаллы, решетка типа вюрцита (а = 0,3186 нм, Ь = 0,5178 нм) т. пл. 1700°С (под давлением N2 более 20 МПа) плотн. [c.480]

В зависимости от взаимной ориентации реагирующих частиц и остальных частиц решетки возможны разл. конфигурации ПС (разл. пути р-ции) и соотв. разная структура образующегося продукта. В плотноупакованном бездефектном кристалле решетка, окружающая хим. подсистему, может считаться абсолютно жесткой и ДЯ представляет собой изменение энтальпии лишь вследствие деформации связей реагирующих частиц с фиксир. решеткой. Эта величина определяется в осн. силами отталкивания, к-рые экспоненциально увеличиваются по мере усиления деформации связей. Поэтому, если ПС по своей конфигурации сильно отличается от исходного состояния хим. подсистемы, на пути р-ции возникает чрезвычайно высокий барьер. Оценки на основе метода атом-атомных потенциалов (см. Молекулярная механика) показывают, что Р. в т. т. протекают лишь в тех случаях, если при переходе к ПС межатомные расстояния спрессовываются не более чем на 30-40%. В большинстве кристаллов возможный путь р-ции и соотв. структура продукта однозначно определяются условием минимума ДЯ . Такие Р. в т. т. относятся к топохимическим реакциям. Др. тип Р. в т. т. характерен для пластичных кристаллов, образованных квазисферич. или квазицилинд-рич. молекулами, в к-рых барьеры переориентации частиц решетки при образовании ПС невысоки и поэтому возможны разные пути р-ции и соотв. различные по структуре продукты. [c.210]

Проекции, принятые в кристаллографии, должны позволять не только наглядно изображать кристалл, но и производить измерения двугранных его углов, поскольку величина двугранных углов между соответственными гранями кристалла постоянна и однозначно характеризует кристалл. Постоянству передачи угловых соотношений удовлетворяют сферические проекции, если онй децтральные. Для создания образа, равнозначного кристаллу в угловых соотношениях, пользуются кристаллическими центральными комплексами. Под последним по- имают совокупность плоскостей и направлений, параллельных плоскостям и направлениям кристалла (решетки) и проходящих через одну точку (центр комплекса). Если вместо плоскостей кристалла воспользоваться нормалями к ним, а вместо направлений — перпендикулярными к ним плоскостями, то полученный комплекс будет обратным (рис. 1.17). Поместив подобный комплекс в центр сферы произвольного радиуса (сферы проекций) и найдя следы пересечения элементов комплекса со сферой, получают объемные сферическую или гномосферическую проекции кристалла первые при проектировании кристаллического комплекса, а вторые ири проектировании обратного или полярного комплекса <рис. 1.18). Для преобразования объемных сферических проекций в плоские сферу проекций рассекают проходя-. ей через центр проекций О плоскостью проекций [плоскость Q (рис. 1.19,а)]. Большой круг, по которому рассекается при этом сфера проекций называется кругом проекций. На нем строится стереографическая проекция. Вертикальный диаметр сферы проекций NS, перпендикулярный к плоскости проекций Q выбирают за ось протекций, пересекающую сферу проекций в точках N п S, называемых точками зрения. [c.32]

Теоретически выражение (15) справедливо только для субмикро-сконических кристаллов. Для обычных макроскопических кристаллов, если они имеют совершенную решетку, отражение должно быть сплошным в очень узком интервале телесных углов и полное отражение должно быть пропорционально первой степени структурного фактора. На практике же уравнение (15) справедливо (с учетом поглощения) для многих относительно больших монокристаллов. Отсюда следует (как это впервые показал Дарвин [9]), что у большинства реальных кристаллов решетка не является совершенной и непрерывной во всем объеме. Реальный кристалл должен представлять собой конгломерат, состоящий из набора (мозаики) небольших совершенных кристаллов, не совсем точно прилегаюпщх друг к другу. Современное представление о росте кристаллов и прямые исследования с помощью электронного микроскопа подтверждают справедливость этих теоретических выводов [10, 18]. - [c.46]

Рениевый ангидрид, RejO, — светло-желтые кристаллы, решетка гексагональная, а = = 15,25A, с = 5,48 А, плотн. 8,2 т. пл. 300,3° т. кин. 362,4°. Тенлота образования = [c.324]

Различные вещества могут образовывать кристаллы, решетки которых имеют одинаковые параметры, если частицы, из которых они состоят, близки по размерам, и между ними существуют сходные связи. Такое явление получило название изоморфизма ( равноформенности ), а вещества называют изоморфными. Изоморфизм проявляется при образовании смешанных кристаллов, в которых места атомов, ионов или молекул одного вещества заняты однотипными частицами другого. [c.135]

BaS кристаллизуется в виде бесцветных кубических кристаллов решеткой типа Na l, плотностью 4,25 г1см . Они фосфоресцируют в вакууме и светятся в темноте после облучения солнечным светом. Из других соединений известны бесцветные пластинки гексагидрата сульфида бария BaS -бНгО. [c.251]

Вследствие этого водные растворы кюрия разлагаются с образованием таких продуктов, как перекись водорода, что суш,ественно осложняет химические исследования. При прохождении а-частиц через кристалл решетка твердых кристаллических соединений искажается и разрушается. Энергия, выделяюпцаяся при радиоактивном распаде, составляет 122 в/ г на 1 г Оказалось, что для калориметрического определения периода полураспада Сш достаточно образца весом в 2 мкг. Поэтому тепловой контроль в точных физических измерениях столь же сложен, как и для радия. Компактный кусок металлического будет paiso-греваться до каления, если только его удастся получить. Кроме того, работа с кюрием, так же как и работа с очень похожим в этом отношении короткоживуш,им а-излучающим полонием (138,3 дня), связана с серьезной физиологической опасностью. [c.419]

Процесс молекулярной хроматографической адсорбции представляет собой адсорбцию молекул на поверхности гетерополяр-ных или гомеополярных кристаллов. В настоящее время наиболее полно разработана электростатическая теория адсорбции на поверхности гетерополярных кристаллов, где в ряде случаев мол<ио вычислить потенциал электрического поля вблизи поверхности кристалла. В этом отношении для гомеополярных кристаллов, решетка которых построена из атомов, возникают значительные трудности. [c.23]

Под РЭЯ мы подразумеваем всякую область решетки Браве, объем которой в целое число раз (L, например) больше объема минимальной ячейки. Кристаллографическая ячейка является лишь частным случаем РЭЯ, так как для каждой РБ можно построить бесчисленное множество РЭЯ. Это связано как с неоднозначностью выбора минимальной элементарной ячейки, обсуждавшейся выше, так и с возможностью различного расширения исходной ячейки. В отличие от примитивной ячейки к РЭЯ относится не один, а L узлов решетки, так что каждая точка объе.ма, заключенного внутри РЭЯ, входит в нее вместе с (L— 1) эквивалентными ей относительно трансляций точками решетки. Для каждой выбранной РЭЯ можно указать такие векторы решетки, трансляцией на целочисленные комбинации которых из РЭЯ можно получить весь кристалл. Решетка, построенная из РЭЯ, реже исходной, а симметрия ее определяется тем, как выбрана РЭЯ. Так, если в качестве РЭЯ взята кристаллографическая ячейка, то точечная группа симметрии более редкой решетки та же, что и у исходной. [c.25]

Смотреть страницы где упоминается термин Кристаллы решетки: [c.86] [c.153] [c.265] [c.305] [c.381] [c.481] [c.507] [c.591] [c.591] [c.83] [c.107] [c.490] [c.115] [c.122] [c.156] [c.189] [c.214] [c.297] [c.310] [c.122] [c.120] [c.120] [c.131]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология