Интенсивность дифракционной картины

И очень быстро за несколько минут снова падало. После охлаждения до комнатной температуры при давлении порядка 10 мм рт. ст. наблюдалась очень интенсивная дифракционная картина никеля с целочисленными индексами . В распределениях интенсивностей дифракционных пиков сильно развиты составляющие, соответствующие низкому потенциалу, что указывает на высокую степень чистоты поверхности по сравнению с поверхностью, полученной простым нагреванием (рис. 7). Одпако при наивысшей чувствительности па азимуте (100) был обнаружен пик на половине расстояния между двумя нормальными рефлексами (пик половинного порядка), по распределению интенсивности которого была определена структура СО. Интенсивность этого пика СО была меньше 1 % интенсивности, наблюдаемой при монослойном покрытии СО. При нагревании кристалла до 800° С была отмечена десорбция аргона, которая происходит из слоев, лежащих под поверхностью. Нагревание при высоких температурах вызывает значительное уменьшение интенсивности дифракционных пиков, что указывает иа диффузию примесей, находящихся в объеме кристалла, к поверхности. Следовательно, условия предварительного прокаливания были выбраны наиболее удовлетворительно. Чистая поверхность никеля (001) была очень чувстви- [c.280]

В рассмотренных выше рентгенографических методах использовались узкие пучки рентгеновских лучей и маленькие кристаллы. Это обстоятельство значительно снижает интенсивность дифракционных картин. Применение же фокусирующих методов рентгеносъемки существенно увеличивает светосилу рентгеновских камер. В литературе описаны конструкции фокусирующих камер с различными принципами фокусировки дифрагированных лучей [3]. При фотографической регистрации дифракционной картины условия фокусировки должны соблюдаться по всей поверхности фотопленки одновременно, так как рассеянное образцом излучение фиксируется всей фотопленкой одновременно. При ионизационном способе регистрация дифракционного спектра производится разновременно в узких угловых интервалах. Это позволяет широко использовать в рентгеновской дифрактометрии фокусирующие методы, поскольку при ионизационном способе регистрации условие фокусировки должно выполняться только в той точке простран- [c.119]

Интенсивность дифракционной картины [c.13]

Интенсивность дифракционной картины кристалла [c.35]

Вопросы интенсивности дифракционной картины кристалла были рассмотрены в гл. I, п. 14, где было показано, что при дифракции рентгеновских лучей в кристалле интенсивность картины складывается из интенсивности селективных отражений и диффузного фона. [c.234]

Рентгеноструктурное изучение строения ротационных кристаллов затрудняется тем, что вращаются обычно группы атомов (молекулы), содержащие легкие атомы, например, водород, определение положения которых в структуре с использованием рентгеновских лучей до сих пор является нетривиальной задачей. Еще больщие проблемы возникают при попытке различить динамическую и статическую модели ротационных кристаллов по интенсивности дифракционной картины. [c.171]

Измерение скорости ультразвука производится следующим образом. Пьезоэлемент Q устанавливается так, чтобы излучаемый им пучок лучей (рис. 2-6,а) падал перпендикулярно плоскости мембраны G. Сосуд А относительно сосуда В устанавливается так, чтобы обеспечивалось перпендикулярное пересечение лучей света ультразвуковыми лучами. Эта регулировка осуществляется по максимуму интенсивности дифракционной картины, изображенной на экране оптической установки, принцип действия которой описан ниже в 2-1,в. [c.101]

Дальний координационный порядок, характерный для кристаллических образцов, можно изучать различными методами, например методом рассеяния электронов, упругих нейтронов или рентгеновских лучей. Основным условием применимости методов рассеяния для структурного анализа является использование излучения такой длины волны, которая не превышает размеров исследуемой структуры. Форма и интенсивность дифракционной картины дают информацию о кристаллической решетке и распределении молекул внутри элементарной ячейки. Интенсивность /(s), рассеиваемая периодической структурой, может быть представлена уравнением [c.20]

Для пленок, создаваемых присадкой ЦИАТИМ-339 на стали, меди и алюминиевом сплаве АК-4, наблюдается близкое совпадение вычисленных межплоскостных расстояний и интенсивности дифракционных картин. Это дает основание полагать, что все эти пленки близки по составу и структуре. [c.668]

Дифракция (обычно рентгеновских лучей, но также электронов и нейтронов) позволяет непосредственно установить размеры элементарной ячейки, межплоскостные расстояния и некоторые элементы внутренней симметрии кристалла. Подробный анализ интенсивностей дифракционной картины дает дополнительные данные о симметрии и, если удается решить фазовую проблему, о межатомных расстояниях. В благоприятных случаях эти средние расстояния можно вычислить с точностью 0,001 А и, кроме того, получить дополнительные ценные сведения о природе тепловых движений и поверхностях потенциальной энергии для колебаний. [c.47]

Возможность проводить непосредственные и точные измерения интенсивности дифракционной картины привела к широкому распространению количественных методов и к созданию ряда автоматических приборов для использования в научно-исследовательских лабораториях и в промышленности. [c.248]

Зз. Интенсивность дифракционных картин [c.45]

Одним из важных достоинств электронографии является то, что даже тончайшие пленки образуют интенсивную дифракционную картину, видимую непосредственно на флуоресцирующем экране. Поэтому при визуальном наблюдении можно изучать различные участки образцов и дифракции наиболее интересных мест фиксировать с помощью фотографирования. [c.27]

Результаты, полученные при исследовании трех кальциевых смазок, видны на рис. 6, где по оси ординат отложены величины интенсивности дифракционной картины, а по оси абсцисс — значения угла наклона кристаллических поверхностей к поверхности исследуемого образца. [c.47]

В результате анализа интенсивностей дифракционной картины проверяют и уточняют результаты определения структуры. В ряде случаев анализ электронограмм позволяет определить положение легких атомов в кристаллической решетке. [c.240]

Действительно, диагностика различных форм теплового движения атомов (молекул) осложнена тем, что при анализе только интенсивности дифракционной картины от совокупности больщого числа одинаковых частиц, испытывающих тепловое движение, среднее по времени значение для одной частицы оказывается экспериментально неотличимым от среднего по совокупности для всех частиц в заданный момент. По этой причине измеренные интенсивности дифракционных максимумов могут быть обусловлены в равной мере как вращением фрагментов структуры, так и прршятием этими фрагментами различных ориентаций в разных элементарных ячейках. [c.171]

При исследовании поверхности металлов принято считать, что структура чистой поверхности должна быть такой же, как структура объемной фазы, определенная по дифракции рентгеновских лучей. Если при этом окажется, что некоторые межпло-скостные расстояния отличаются от характерных (обычно представляющих целые кратные значения) для данного кристалла, то, следовательно, поверхность загрязнена. Структуры с такими нетипичными расстояниями дают дифракционные картины, имеющие дробный порядок отражений от поверхностной решетки. Примесь может также покрывать поверхность аморфным слоед , который уменьшает интенсивность дифракционной картины несущей поверхности и увеличивает плотность фона за счет рассеивания. Возможные источники таких загрязнений — остаточный окружающий газ и примеси объема кристалла. В первом случае обычно можно наблюдать изменение эффекта во времени. Часто бывает полезно впустить небольшое количество известного газа, чтобы посмотреть его действие на дифракционную картину. Во втором случае результат должен зависеть от температуры и времени прокаливания. Следует подчеркнуть, что получение воспроизводимой дифракционной картины не обязательно является свидетельством чистоты поверхности. [c.276]

При взаимодействии газов, в частности кислорода, с поверхностью твердого тела в зависимости от температуры, давления и времени контакта может иметь дгесто любой из названных выпн" процессов. Проводя наблюдения в широкой диапазоне экспозиций, от очень дгаленьких (10" мм рт. ст. — 1 мип или меньше) до достаточно больших величин, можно получить полный набор структур. Первоначальное уменьшение интенсивности дифракционной картины от чистой поверхпости без изменения распределения интенсивности и без появления дополнительных дифракционных отражений обычно интерпретируется как указание на Образование аморфного и, вероятно, молекулярного адсорб- [c.278]

Впуск кислорода иа поверхность, покрытую СО, вызвал удгеньшение интенсивности дифракционной картины и новые отражения не появлялись. Пики дробного порядка нри этом были еще видны. Экспозиция в кислороде при 10 мм рт. ст.— 1 лган вызвала затухание этой картины. После выдержки в Ог- которая полностью или почти полностью гасит картину от СО, нагревание в течение нескольких минут при 200—300° С вызвало сильную и быстро уменьшающуюся десорбцию СОг, превышающую десорбцию СО. Десорбции О или Ог не наблюдалось. После нагревания появилась дифракционная картина от структуры с2 X 2-0. Эти наблюдения показали, что СОг образуется по реакции СО -г Ог СОг -Ь О и на поверхности остается О. [c.283]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология