Интенсивность дифракционной картины кристалла

И очень быстро за несколько минут снова падало. После охлаждения до комнатной температуры при давлении порядка 10 мм рт. ст. наблюдалась очень интенсивная дифракционная картина никеля с целочисленными индексами . В распределениях интенсивностей дифракционных пиков сильно развиты составляющие, соответствующие низкому потенциалу, что указывает на высокую степень чистоты поверхности по сравнению с поверхностью, полученной простым нагреванием (рис. 7). Одпако при наивысшей чувствительности па азимуте (100) был обнаружен пик на половине расстояния между двумя нормальными рефлексами (пик половинного порядка), по распределению интенсивности которого была определена структура СО. Интенсивность этого пика СО была меньше 1 % интенсивности, наблюдаемой при монослойном покрытии СО. При нагревании кристалла до 800° С была отмечена десорбция аргона, которая происходит из слоев, лежащих под поверхностью. Нагревание при высоких температурах вызывает значительное уменьшение интенсивности дифракционных пиков, что указывает иа диффузию примесей, находящихся в объеме кристалла, к поверхности. Следовательно, условия предварительного прокаливания были выбраны наиболее удовлетворительно. Чистая поверхность никеля (001) была очень чувстви- [c.280]

За рассеяние рентгеновских лучей, попадающих в кристалл, ответственны электроны атомов кристалла. Интенсивность дифракционных максимумов рассеяния определяется плотностью электронов в атомах тех кристаллических плоскостей, от которых происходит рассеяние. Расшифровывая картину дифракционных максимумов, кристаллографы устанавливают расстояние между плоскостями кристалла, степень их заполнения атомами, размеры элементарной ячейки и получают полное представление о структуре кристалла. Дифракция рентгеновских лучей позволяет исследовать не только такие кристаллические вещества, как различные соли, но также широко используется для установления областей кристалличности в полимерах, например в резине (растянутая резина более кристаллична, чем нерастянутая). Исследование с помощью дифракции рентгеновских лучей белков и других биохимически важных веществ принесло огромную пользу при установлении их строения. Классическим примером возможностей рентгеноструктурного метода является расшифровка с его помощью строения столь сложного вещества, как дезоксирибонуклеиновая кислота (см. гл. 28). [c.176]

Рентгенофазовый анализ представляет собой метод качественного или количественного определения числа и соотношений кристаллических фаз в системах различной сложности. Он основан на том, что каждая кристаллическая фаза дает индивидуальную, неповторимую картину расположения дифракционных колец и их интенсивностей. Поэтому при изучении смеси кристаллов ра зличных веществ дифракционная картина будет представлять сумму их ди-фрактограмм, интенсивность которых пропорциональна количест- [c.122]

В истории технического развития рентгеноструктурного анализа можно наметить несколько периодов. Первый из них — до 1935 г. —эпоха метода проб и ошибок . Это яркое название подразумевает, что модель размещения атомов по ячейке кристалла приходилось придумывать , т. е. устанавливать предположительно на основе косвенных физико-химических данных и качественного анализа общей картины дифракции. Проверкой модели служило соответствие между интенсивностью дифракционных лучей, отвечающих модели, и интенсивностью лучей, полученных экспериментально. [c.65]

В рассмотренных выше рентгенографических методах использовались узкие пучки рентгеновских лучей и маленькие кристаллы. Это обстоятельство значительно снижает интенсивность дифракционных картин. Применение же фокусирующих методов рентгеносъемки существенно увеличивает светосилу рентгеновских камер. В литературе описаны конструкции фокусирующих камер с различными принципами фокусировки дифрагированных лучей [3]. При фотографической регистрации дифракционной картины условия фокусировки должны соблюдаться по всей поверхности фотопленки одновременно, так как рассеянное образцом излучение фиксируется всей фотопленкой одновременно. При ионизационном способе регистрация дифракционного спектра производится разновременно в узких угловых интервалах. Это позволяет широко использовать в рентгеновской дифрактометрии фокусирующие методы, поскольку при ионизационном способе регистрации условие фокусировки должно выполняться только в той точке простран- [c.119]

Интенсивность дифракционной картины кристалла [c.35]

В основе всех экспериментальных исследований структуры кристаллов дифракционными методами лен>ит получение функциональной зависимости интенсивности рассеянного излучения С/ (Н), описывающей дифракционную картину. Дифракционная картина представляет собой пространственное распределение рассеянного образцом рентгеновского излучения и может быть описана путем указания интенсивности рассеянного излучения в каждой точке пространства, окружающего кристалл. [c.112]

Прежде всего необходимо выяснить, на что похожа в этом случае дифракционная картина и как она возникает Представим себе, что порошок— это набор многих небольших кристаллов. Каждый кристалл даст отраженные пучки, если только точки о.р. касаются сферы отражения. В принципе, для данной точки о.р. это может случиться для многих различных ориентаций кристалла при одном главном условии угол между отраженным и падающим пучками должен быть всегда одинаковым, т. е. любое отражение может возникнуть только при одной величине 0 (см. рис. 17.15). Как показано на рис. 17.20, для этого необходимо, чтобы любое отражение было усреднено по всем ориентациям кристалла в конусе рассеянного рентгеновского излучения, т.е. в принципе может быть зарегистрирован один такой конус для каждого воз-М051СН0Г0 отражения, хотя обычно отражением является наиболее интенсивное 100 или подобное ему. Как только счетчик сдвинется на некоторый небольшой угол, скажем на 3°, от падающего пучка по направлению к 90°, щель пересечет каждый конус и зарегистрирует его как пик в дифракционной картине порошкообразного образца. [c.386]

Вопросы интенсивности дифракционной картины кристалла были рассмотрены в гл. I, п. 14, где было показано, что при дифракции рентгеновских лучей в кристалле интенсивность картины складывается из интенсивности селективных отражений и диффузного фона. [c.234]

Рентгенографический метод является общепринятым для определения фазового состава катализаторов. Практически наиболее широко применяется метод дебаеграмм, основанный на дифракции характеристического рентгеновского излучения на поликристаллических образцах [1—4]. Каждая фаза имеет свою кристаллическую решетку, следовательно, дает вполне определенную дифракционную картину. На дебаеграмме каждой фазе соответствует определенная серия линий. Расположение линий на дебаеграмме определяется межплоскостными расстояниями йш кристалла, а следовательно, и его элементарной ячейкой, а их относительная интенсивность зависит от расположения атомов в ячейке. Межплоскостные расстояния й вычисляются по формуле [c.387]

Рентгеноструктурное изучение строения ротационных кристаллов затрудняется тем, что вращаются обычно группы атомов (молекулы), содержащие легкие атомы, например, водород, определение положения которых в структуре с использованием рентгеновских лучей до сих пор является нетривиальной задачей. Еще больщие проблемы возникают при попытке различить динамическую и статическую модели ротационных кристаллов по интенсивности дифракционной картины. [c.171]

Дифракция (обычно рентгеновских лучей, но также электронов и нейтронов) позволяет непосредственно установить размеры элементарной ячейки, межплоскостные расстояния и некоторые элементы внутренней симметрии кристалла. Подробный анализ интенсивностей дифракционной картины дает дополнительные данные о симметрии и, если удается решить фазовую проблему, о межатомных расстояниях. В благоприятных случаях эти средние расстояния можно вычислить с точностью 0,001 А и, кроме того, получить дополнительные ценные сведения о природе тепловых движений и поверхностях потенциальной энергии для колебаний. [c.47]

Если внутрь камеры вставить экранирующий металлический цилиндр с прорезью для пропускания лучей одной (заданной) слоевой линии, а кассету с пленкой перемещать вдоль оси х синхронно с вращением кристалла, то пятна этой слоевой линии окажутся развернутыми по всей плоскости пленки. Геометрия дифракционной картины используется для определения периодичности решетки и пространственной группы симметрии, интенсивность дифракционных лучей — для расчета координат атомов. [c.204]

Жидкости и аморфные тела в отличие от кристаллов не дают дискретных дифракционных максимумов. Поэтому для исследования их структуры важно знать общий ход интенсивности в зависимости от угла рассеяния. Поскольку характеристический спектр рентгеновского излучения состоит из дискретных длин волн, каждая из которых дает свою дифракционную картину, то используемое излучение должно быть монохроматическим. Наиболее интенсивной в рентгеновском спектре является / ol-линия, поэтому кажется естественным, что в структурном анализе жидкостей используется именно /Са-излучение. Сопровождающее его /Ср-излучение рассеивается веществом независимо от / i-излучения. В результате возникают две дифракционные картины одна от Кш -, а другая от -излучения, что затрудняет их расшифровку. Поэтому ATp-излучение отфильтровывается. [c.91]

Разработаны наружные управляющие устройства и записывающие системы, которые допускают быстрое полуавтоматическое выполнение различных операций. Маленький, хорошо экранированный подковообразный постоянный магнит через боковой отросток на внешней оболочке установки приводит в движение никелевый рычаг. Последний с помощью небольшого вертикального молибденового стержня связан непосредственно с фарадеевским коллектором, так что коллектор можно поворачивать вокруг вертикальной оси, проходящей через плоскость кристалла и падающий пучок электронов. Магнит окружают магнитным экраном, чтобы воспрепятствовать взаимодействию его поля с падающими или дифрагированными электронами, а поле Земли компенсируют посредством катушки Гельмгольца. Магнит устанавливают таким образом, чтобы его можно было вращать электромотором через особое приводное устройство со шкивом. Подобное устройство используют для передвижения пера самописца Вариана. Механизм этого мотора синхронизован с механизмом быстродействующего самопишущего потенциометра Брауна, так что горизонтальное смещение пера самописца сопряжено с угловым смещением фарадеевского коллектора. Сигнал с фарадеевского коллектора подают на вход вибрационного электрометра, показания которого записывают на диаграммной ленте самописца. Таким образом, самопишущий потенциометр позволяет записывать интенсивность дифракционного потока как функцию углового смещения. На рис. 2 приведены типичные диаграммы. Малая инерционность самописца делает возможным получение кривой, отвечающей полному повороту, за 30 сек. По окончании записи каждой кривой коллектор автоматически быстро возвращается в исходное положение. Начальное напряжение можно подобрать вручную в промежутке между записями кривых. Таким способом полную дифракционную картину по [c.323]

Рентгенографические методы позволяют количественно измерить ориентацию кристаллов. Если кристаллы исследуемого образца ориентированы произвольно, то проявляющаяся на плоской пленке дифракционная картина состоит из непрерывных концентрических кругов если же кристаллы имеют предпочтительную ориентацию, то круги вырождаются в дуги, которые укорачиваются по мере увеличения степени ориентации. Фотомет-рируя круги или дуги, можно снять зависимость интенсивности рентгеновского излучения от угла, который отсчитывается от оси, проведенной перпендикулярно изображению через его центр (ось волокна). График этой зависимости представляет статистическое распределение кристаллографических плоскостей относительно оси волокна. [c.89]

При исследовании поверхности металлов принято считать, что структура чистой поверхности должна быть такой же, как структура объемной фазы, определенная по дифракции рентгеновских лучей. Если при этом окажется, что некоторые межпло-скостные расстояния отличаются от характерных (обычно представляющих целые кратные значения) для данного кристалла, то, следовательно, поверхность загрязнена. Структуры с такими нетипичными расстояниями дают дифракционные картины, имеющие дробный порядок отражений от поверхностной решетки. Примесь может также покрывать поверхность аморфным слоед , который уменьшает интенсивность дифракционной картины несущей поверхности и увеличивает плотность фона за счет рассеивания. Возможные источники таких загрязнений — остаточный окружающий газ и примеси объема кристалла. В первом случае обычно можно наблюдать изменение эффекта во времени. Часто бывает полезно впустить небольшое количество известного газа, чтобы посмотреть его действие на дифракционную картину. Во втором случае результат должен зависеть от температуры и времени прокаливания. Следует подчеркнуть, что получение воспроизводимой дифракционной картины не обязательно является свидетельством чистоты поверхности. [c.276]

Фазовый состав катализаторов. Для общего фазового анализа катализаторов используются в основном два метода — рентгенография и дифракция электронов (электронография), хотя для некоторых специальных задач могут применяться и другие физические методы — магнитной восприимчивости, термография, ЭПР, различные виды спектроскопии. Практически наиболее широко применяется рентгенография, основанная иа дифракции характеристического рентгеновского излучения на поликристаллических образцах. Каждая фаза имеет свою кристаллическую решетку и, следовательно, дает вполне определенную дифракционную картину. На дебаеграмме каждой фазе соответствует определенная серия линий. Расположение линий на дебаеграмме определяется межплоскостными расстояниями кристалла, а их относительная интенсивность эависит от расположения атомов в элементарной ячейке. Межплоскостные расстояния d вычисляются по уравнению Брэгга—Вульфа [c.379]

С помощью электронографического анализа можно в принципе решать те же задачи, что и рентгенографическим анализом исследование кристаллической структуры, проведение фазового анализа, определение межплоскостных расстояний и периодов решетки, определение текстуры и ориентировки кристаллов и т. д. Однако особенности волновых свойств пучка электронов обусловливают и определенную специфику их использования, а также преимущества и недостатки по сравнению с рентгенографическим методом исследования кристаллов. Преимущество электронограмм заключается прежде всего в том, что в связи с малой длиной волны и сильным взаимодействием электронов с веществом этим методом можно получить резкие и интенсивные рефлексы при меньших размерах кристаллов и-меньшем количестве вещества, чем при рентгенографическом анализе, В рентгенографии, например, расширение линий начинается при р.эзмере частиц 500—900 А, а в электронографии оно становится заметным лишь при размерах 20—30 А. Интенсивность электронного луча гораздо больше, а необходимая экспозиция гораздо меньше, чем рентгеновских лучей, что дает существенные методические преимущества. Интенсивность отражений при дифракции электронов обычно настолько велика, что позволяет визуально на флюоресцирующем экране наблюдать дифракционную картину. Указанные особенности электронографии делают ее особенно ценной, например, при исследовании зародышей новых фаз. Электронография может использоваться также при изучении положений легких атомов в кристаллической решетке, хотя для этого более пригодна нейтронография, [c.105]

На явлении рассеяния основаны экспериментальные методы получения спектров плотности в структурном анализе. Эти методы применимы к определению функций распределения плотности независимо от агрегатного состояния вещества. В газе нет корреляции в расположении частиц, поэтому складываются интенсивности волн, рассеянных отдельными частицами. Из картины рассеяния, в случае одноатомного газа, путем фурье-преобразова-ния находят распределение электронной плотности в атомах. Для многоатомного газа с помощью модельных расчетов определяют строение газовых молекул, в растворах изучают форму и размеры макромолекул, частиц вирусов и т. д. В жидкостях и аморфных телах существует корреляция в расположении ближайших соседей. Анализ картин рассеяния в этом случае позволяет определить ближний порядок. В кристаллах, как следствие периодичности структуры, имеется как ближний, так и дальний порядок. Дифракционная картина, получаемая от кристалла, является по содержащейся в ней информации наиболее богатой. Из этой картины, даже для таких сложных объектов, как биополимеры, можно определить координаты всех атомов кристалла [8]. [c.14]

Дифрактометры обладают рядом преимуществ перед камерами с фотографической регистрацией, хотя у них есть и недостатки. К числу достоинств следует отнести большую точность определения интенсивностей, возможность регистрации профиля линий, регистрацию части дифракционной картины, и Т.Д. Однако для практической реализации этих потенциальных преимуществ необходима тщательная подготовка образцов к исследованию. При фотографической регистрации исследователь имеет возможность наблюдать распределение интенсивности по дифракционной линии и их отклонения от идеальной картины, обусловленные большой зернистостью образца, преимущественной ориентацией кристаллитов (текстурой). Поэтому такие факторы не могут быть источником грубых экспериментальных ошибок. В дифрактометре регистрируется распределение интенсивностей лишь вдоль середины дифракционных линий. Предусмотренное во многих случаях вращение образца не может в полной мере устранить источники возможных ошибок. Для уменьшения влияния текстуры приходится иногда добавлять в исследуемый образец аморфный наполнитель, который препятствует преимущественной ориентации кристаллов. Образец для съемки готовится в виде плоского шлифа, суспензии с клеем, нанесенной на плоскую поверхность, либо путем заполнения специальной кюветы. Во всех случаях образец имеет плоскую поверхность и при съемке происходит фокусировка дифракционных линий, так как вследствие одновременного вращения образца и счетчика для регистрируемой линии сохраняется необходимое равенство углов между первичным и отраженным лучами и поверхностью образца (рис. 9). Запись дифракционных линий производится на диаграммную ленту или выводится в виде таблицы. Образцы, чувствительные к воздействию воздуха или паров воды, могут быпз изолированы от [c.25]

Использованные в предыдущих разделах формулы для дифракции рентгеновского излучения, в частности формулы расчета интенсивностей линий, выведены для идеальномозаичных кристаллов, когда для реального кристалла предполагается модель, по которой они содержат области с совершенной структурой (области когерентного рассеяния, ОКР), несколько разориентированные друг относительно друга. При размерах ОКР около 1000 А доля граничных областей с несколько искаженной структурой мала и практически не отражается на дифракционной картине. Размер ОКР обычно меньше размеров частиц, т.к. каждая частица может содержать не одну ОКР, а несколько, поэтому отождествление размеров ОКР и частиц неправомерно. Иногда ОКР называются кристаллитами, что и может создать подобную иллюзию. Лишь при малых размерах ОКР (меньше 100 А) это различие становится малосущественным. [c.228]

Таким образом, они практически эквивалентны при расчете отражения х-лучей. Кристалл RbBr образует простой куб, если два рода ионов считать идентичными. В других трех кристаллах два вида ионов имеют различное число электронов. Каждый вид ионов занимает гранецентрированную кубическую решетку. х-Лучи видят каждый из этих двух видов решеток (которые имеют идентичные размеры), и в результате получается дифракционная картина, характеризующая гранецентрированную решетку, с различной интенсивностью, которая является результатом интерференции между отражениями двух решеток. (Для RbBr эффект такой интерференции дает картину, тождественную интерференции в случае простой кубической - решетки.) [c.262]

Таким образом, метод муара позволяет разрешить кристаллические решетки с межплоскостными расстояниями в 1—2 А и обнаружить в них дефекты структуры. Есть основания полагать, что метод будет эффективен для изучения тонкого механизма пластической деформации кристаллов, осуш ествляемой в микроскопе, образования сплавов, явлений упорядочивания и разупорядочивания, роста ориентированных слоев, в частности окисных пленок на металлах. Вместе с тем следует подчеркнуть, что интерпретация различных деталей в муаровых картинах — задача очень сложная, которая еш е далека от сколько-нибудь полного решения. Здесь необходима осторожность в еш,е большей степени, чем при непосредственном наблюдении кристаллических решеток. Теоретическое рассмотрение показывает [45—47], что в обоих случаях изображение возникает благодаря интерференции между лучами, дифрагированными в кристаллической решетке. Большинство деталей изображения может быть интерпретировано при помощи кинематической теории, которая дает только геометрическое описание дифракционной Картины. Но для полного понимания проблемы необходимо привлекать динамическую теорию и рассматривать взаимодействие между дифрагированными волнами внутри кристалла, что приводит к изменению распределения электронной интенсивности в плоскости изображения. Кроме того, формирование конечной картины зависит от степени совершенства осветительной системы, аберраций объективной линзы и характера объекта. [c.199]

Начало рентгенографии жидкостей было положено в 1916 г. П. Дебаем и П. Шер-рером. Они исследовали жидкий бензол с целью определения расстояний между атомами в молекуле. Предполагалось, что в жидкости молекулы, подобно мелким кристалликам порошка, расположены относительно друг друга совершенно хаотически. Поэтому дифракционная картина от жидкого бензола должна обусловливаться рассеянием рентгеновских лучей каждой молекулой в отдельности. По относительному расположению максимумов интенсивности на его рентгенограмме можно судить о строении молекул подобно тому, как по дифракционной картине кристаллического порошка судят о строении кристалла. Опыт показал, что дифракционные максимумы от жидкого бензола появляются в результате наложения внутри- и межмолекулярного рассеяний. Это указывало на то, что взаимное расположение молекул в жидкости не является хаотическим. Дальнейшие исследования рассеяния рентгеновского излучения в спиртах, парафинах, жирных кислотах, проведенные Г. Стюартом и Р. Морроу, В. Кеезомом, Дж. Смедтом, П. Эренфестом и др., привели к заключению, что в жидкости каждая молекула создает вокруг себя определенный порядок в расположении соседних. [c.4]

Радиальные функции распределения. Для количественного описания координационного ближнего порядка в жидких кристаллах Б. К. Ванштейном и И. Г. Чистяковым был применен метод Фурье-анализа кривых интенсивности рассеяния рентгеновского излучения. Они показали, что в зависимости от степени упорядоченности молекул, а следовательно вида дифракционных картин, для анализа структуры жидких кристаллов следует применять различные функции распределения. [c.258]

Дифракционные методы. В дифракционных методах исследования рентгеновское излучение, поток электронов или нейтронов взаимодействуют с атомами в молекулах, жидкостях или кристаллах. При этом исследуемое вешество играет роль дифракционной решетки. А длина волны рентгеновских квантов, электронов и нейтронов должна быть соизмерима с межатомными расстояниями в молекулах или между частицами в жидкостях и твердых телах. Сама же дифракция (закономерное чередование максимумов и минимумов) представляет собой результат интерференции волн. Она зависит от химического и кристаллохимического строения, следовательно, соответствует структуре исследуемого вещества. Поэтому есть принципиальная возможность для решения обратной задачи дифракции, т. е. установление структуры вещества по его дифракционной картине. Обратная задача дифракции для рентгеновского излучения, дифрагирующего в конденсированных средах, называется рентгеноструктурным анализом. Методы применения электронных и нейтронных пучков вместо рентгеновского излучения называются электронографией и нейтронографией соответственно. Общим для этих методов является анализ углового распределения интенсивности рассеянного рентгеновского излучения, нейтронов и электронов в результате взаимодействия с веществом. Но природа рассеяния рентгеновских квантов, нейтронов и электронов не одинакова. Рентгеновское излучение рассеивается электронами атомов, входящими в состав вещества. Нейтроны же рассеиваются атомными ядрами а электроны — электрическим полем ядер и электронных оболочек атомов. Интенсивность рассеяния электронов пропорциональна электростатическому потенциалу атомов. [c.195]

Другой важный и широко распространенный метод изучения сплавов основан на приготовлении образцов разного состава и снятии рентгенограмм (особенно порошковых, которые. представляют собой дифракционные картины, создаваемые большим числом кристалликов, имеющих беспорядочную ориентацию). На основании рентгеноструктурного анализа можно определить число фаз в сплаве. Так, образцы сплавов серебра со стронцием, фазовая диаграмма которых приведена на рис. 17.8, дают характерные дифракционные картины для шести соСта-вов - чистое серебро-, чистый стронций и-четыре состава, указанные стрелками. Для сплава с промежуточным составом дифракционная картина показывает линии, характерные для двух фаз, при этом относительные интенсивности этих линий пропорциональны относительным количествам обеих фаз. Кроме того, часто на основании рентгеноструктурного анализа удается определить структуру данного кристалла и таким образом подтвердить его состав. Именно так было идентифицировано соединение Ag5Sг. [c.506]

РИС. 4-19. Б. Рентгенограмма, используемая при определении структуры гемоглобина. Дифракционная картина получена от кристалла дезоксигемоглобина человека кристалл вращали определенным образом вокруг двух разных осей, пропуская через него пучок рентгеновских лучей. Прп этом синхронно перемещалась и рентгеновская пленка. Наблюдаемая на рентгенограмме периодичность является следствием дифракции рентгеновских лучей на периодически расположенных атомах в кристалле. Расстояния рефлексов от начала координат (центра) обратно пропорциональны расстояниям между плоскостями атомов в кристалле. На этой фотографии (которая показывает только два измерения трехмерной дифракционной картины) рефлексы, расположенные на периферии, соответствуют расстоянию 0,28 нм. Измерив интенсивности рефлексов и определив фазы гармонических функций, необходимых для проведения обратного Фурье-преобразования, из полного набора аналогичных дифракционных картин можно установить структуру с разоещением 0,28 нм. Для дезоксигемоглобина человека полный набор должен включать примерно 27 ООО рефлексов (С любеаиого разрешения [c.309]

Одномерные периодические системы представляют частный случай упорядоченных трехмерных систем — кристаллов. Уста новление распределения электронной плотности по распределе нию интенсивностей в дифракционной картине по-прежнему про изводится путем синтеза Фурье. Подробное изложение теори содержится в монографии Вайнштейна [9]. Здесь мы ограничиваемся лишь краткими сведениями. [c.277]

Синтетические аморфные полимеры (прежде всего каучуки) дают дифракционные картины в виде совокупности концентрических колец (диаграммы Дебая — Шерера, рис. 5.10). Для такой картины, несравненно более бедной, чем лауэграмма кристалла, характерно наличие размытого кольца — аморфного гало, диаметр которого определяется преимущественными расстояниями между рассеивающими центрами объекта. При растяжении аморфного полимера возникает текстура и вместо равномерных по интенсивности колец наблюдаются более или менее протяженные дуги вблизи меридиана или экватора кольца. Сходные картины дают такие фибриллярные белки, как кератин, миозин, фибриноген и другие белки, изученные Астбюри [36] (см. стр. 258). [c.280]

Хотя газы имеют более низкие атомные номера, чем серебро, а следовательно, и более низкую рассеивающую способность, тем не менее можно легко получить дифракционную характеристику отдельного монослоя газа (кроме водорода) на поверхности твердого тела, если только, как это обычно и бывает [5], атомы газа образуют решетку, несколько отличную от решетки твердого тела. Если атомы газа в поверхностном монослое образуют ту же самую решетку, что и кристалл-носитель, то присутствие атомов газа можно обнаружить, когда расстояние между поверхностным монослоем и атомной плоскостью кристалла отличается от расстояния между двумя соседними атомными плоскостями (в твердом теле-носителе) с такими же мнллеровскими индексами. Примером может служить хемосорбция кислорода и азота на гранях (0001) поверхности титана [6]. Присутствие газа на поверхности может быть обнаружено в столь малых количествах, как несколько процентов от одного монослоя. Если адсорбированы два или более монослоев газа, то внешний слой является аморфным, и он может сделать совершенно невозможным наблюдение дифракционного рассеяния от расположенного под ним кристалла. Поэтому обычно для того, чтобы наблюдать дифракцию, необходимо тщательно очистить твердую поверхность в высоком вакууме путем нагревания или другим способом. Например, на медном кристалле нельзя получить какой-либо дифракционной картины после простого нагревания всей трубки при 300—400°. На некоторых кристаллах даже первый монослой газа имеет аморфную структуру. В этом случае единственным доказательством наличия адсорбированного газа является уменьшение интенсивности дифракционного потока от кристалла -носи-теля. [c.321]

Рентгенограммы волокна аналогичны рентгенограммам вращения с определенной вероятностью перекрывания рефлексов на данной слоевой линии. Некристаллические области по- лимера и нарушения внутри самих кристалликов ответственны за появление диффузного фона, затрудняющего измерения интенсивности рефлексов. Кристаллики не строго параллельны и потому дифракционные интенсивности пе сосредоточены в пятнах, а размазаны вдоль дуг, причем их протяженность увеличивается с расстоянием от центра дифракционной картины. Таким образом, почти все рефлексы, кроме самых сильных, сливаются с фоном, и именно в этом смысле говорят о бедности рентгенограмм полимеров. Недостаточность дифракционных данных затрудняет уверенное определение структуры полимеров (конформации макромолекул и их упаковки в кристаллах). [c.61]

В том же 1927 г. Томсон пропустил поток электронов С большой скоростью Чбрвз тонкую мвтэлличсскую фольгу на фотографическую пластинку. И в этом случае на пластинке вместо одного пятна была обнаружена типичная дифракционная картина из колец различной интенсивности, весьма сходная с картинами, получающимися при дифракции рентгеновских лучей на кристаллах (см. стр. 301). Вместе с тем эта картина не была обусловлена рентгеновскими лучами, которые могли бы возникнуть при соударениях электронов с металлом. Это было показано путем наложения магнитного поля, вызвавшего смещение дифракционной картины. Энергия электронов в опыте Томсона точно определялась по ускоряющему потенциалу, так что в соответствии с принципом неопределенности их положения оставались совершенно неопределенными. Это и имело место в действительности любой [c.20]

Кроме того, дифракционная ка-ртииа должна отражать все виды точечной симметрии, имеющиеся в кристалле. Еслп данный элемент симметрии оставляет кристалл неизменным, то он должен оставлять неизменной н дифракционную картину т. е. условие Брэгга должно выполняться при тех же значениях 2 6 и темн же должпы оставаться интенсивности полученных отражений. [c.23]

Структура кристаллов. Первые определения структуры кристаллов были проведены в 1913 г. В. Л. Брэггом, в то время студентом Кембриджского университета, исследовавшим по методу Лауэ строение каменной соли (Na l), сильвина (КС1) и бромистого калия (КВг). Из распределения интенсивностей Брэгг одновременно устанавливал структуру этих кристаллов и находил длины волн рентгеновских лучей, соответствующих каждой дифракционной картине. В настоящее время стробние таких кристаллов определяется гораздо проще, а именно путем облучения кристаллов рентгеновскими лучами известной длины волны, так как теперь измерение длин волн рентгеновских лучей производится очень просто, с использованием для этой цели кристаллических дифракционных решеток с известными межплоскостными расстояниями. Брэгг установил, что решетки кристаллов каменной соли, сильвина и бромистого калия имеют [c.236]