Метод частичной откачки

Для автоматического регулирования остаточного давления в интервале 760—1 мм рт. ст. основным условием является разность давлений между заданным давлением в системе и давлением, создаваемым вакуум-насосом, не менее нескольких мм рт. ст. При этом различают метод подсоса воздуха и метод частичной откачки. [c.493]

Метод частичной откачки [c.494]

Одним из методов исследования адсорбционных явлений на гетерогенном катализаторе является снятие кривых термодесорбции. Их получают, нагревая катализатор с адсорбированным на нем реагентом в токе газа-носителя при линейном повышении температуры. Кривые термодесорбции изображают в координатах степень десорбции — температура на кривых часто появляются пики, соответствующие разным формам взаимодействия реагента с катализатором. Последние легче обнаруживаются при опытах с частичной откачкой реагента при определенных температурах (рис. 63). [c.276]

На примере систем Нг — W и N2 — W ясно видны достоинства и недостатки обоих подходов к флеш-десорбционной спектроскопии. Для точного анализа десорбционных спектров, содержащих хорошо разрешенные пики, в большей степени пригоден тот метод, в котором используются большие скорости нагревания и нулевая скорость откачки. В то же время сочетание малой скорости нагревания с высокой скоростью откачки лучше подходит для разрешения и анализа десорбционных спектров с частично разрешенными пиками. [c.249]

Разделение газов, имеющих сходное адсорбционное поведение, целесообразно проводить методами фракционной адсорбции, фракционной десорбции или сочетанием обоих этих методов. При фракционной адсорбции обезгаженный адсорбент, помещенный в цилиндрический сосуд, охлаждают в холодной бане, а затем медленно пропускают через него соответствующую смесь. Наиболее легко адсорбирующиеся компоненты поглощаются у входа в сосуд, частично вытесняя при этом газы с более низкой адсорбционной способностью. Труднее адсорбирующиеся компоненты осаждаются в основном на другом конце трубки. Эти газы обладают относительно высоким давлением пара над адсорбентом, и поэтому они первыми десорбируются при откачке. [c.163]

Потери гелия при адсорбционном методе очистки могут быть доведены почти до нуля. Если производить откачку газа из угля при низкой температуре, то можно выделить весь остаточный, частично адсорбированный гелий без заметного загрязнения его азотом соответствующий процесс откачки гелия отчетливо представлен на рис. 72. Отметим, что подобные адсорбционные установки размещаются на платформе грузового вагона и направляются к месту очистки гелия. [c.132]

Метод анализа, предложенный Редхедом [47], основывается на том факте, что в системе с высокор скоростью откачки и малой скоростью нагревания (20°/с) возрастание давления при нагревании является мерой производной времени по заполнению поверхности и, следовательно, максимум пика соответствует максимальной скорости десорбции, по которой можно вычислить энергию активации десорбции. Кинетический порядок десорбции определяют по изменению максимальной скорости десорбции с заполнением поверхности. Этот метод лучше всего подходит для анализа десорбционных спектров с несколькими частично разрешенными пиками, нанример спектров десорбции СО с вольфрама [45] он, кроме того, пригоден и для анализа десорбции газов из ионной ловушки [25]. Одно из преимуществ анализа по Редхеду состоит в возможности использования этого метода либо при линейной зависимости температура — время, т. е. Т = а Ы, либо при зависимости обратная температура — время, т. е. ИТ = й — Ъ 1. [c.228]

Наиболее простым методом активации поверхности кремнеземов является ее дегидроксилирование. Из имеющихся многочисленных литературных данных [60] можно уверенно заключить, что молекулярно адсорбированная вода удаляется почти полностью с развитой поверхности кремнеземов после длительной откачки при температурах до 473 К. При термовакуумной обработке выше 500 К поверхность кремнеземов частично дегидроксилируется. В температурном интервале 570-1000 К происходит удаление с их поверхности ОН-групп, связанных Н-связью, а после 1000 К на поверхности остаются только свободные ОН-группы. Максимальное (но не полное) дегидроксилирование поверхности кремнезема достигается лишь после длительной термовакуумной термообработки при 1300-1400 К, что приводит к образованию на поверхности напряженных мостичных силоксановых структур [60]. [c.80]

Цепным дополнением к изотопным методам изучения неоднородности поверхности могут служить измерения изменений работы выхода ф, вызываемых адсорбцией. Они позволяют оценить величину А/Г, вызванную заряжением. В этих измерениях серьезной трудностью является приведение поверхности твердого тела к воспроизводимому начальному состоянию. В частности, не существует безупречных методов освобождения поверхности полупроводников от адсорбированных веществ и веществ, растворенных в приповерхностном слое. В бинарных соединениях при попытках достижения этого нагреванием в высоком вакууме происходят обпще или локальные изменения химического состава. Например, частичное разложение 2пО на 2п, остающийся в решетке, и на О2, удаляемый откачкой. В тех случаях, когда у элементарных полупроводников или химически очень стойких соединений удаление адсорбированных веществ с поверхности нагреванием в ультравакууме достижимо, оно неизбежно приводит к увеличению числа структурных дефектов, а бомбардировка ионами благородных газов — дополнительно к образованию нестойких твердых растворов. Поэтому за редкими исключениями все получаемые на опыте 0 имеют относительный, а не абсолютный характер. В большинстве методов определения к этому добавляются типичные для изучения обратимой адсорбции и никем не преодо ленные до конца осложнения, вызванные изменениями потенциала второго электрода. При нахождении полупроводника в газовой атмосфере все методы определения абсолютной величины ф ненадежны. Надежно определяются только Дф и притом для необратимой части адсорбции. Диапазон 0 при этом можно увеличивать, понижая Т. [c.18]

В свежетянутом кварцевом капилляре длиною 3—4 см путем частичного испарения заполняющей его жидкости (бидистиллята) формируется пузы-j)eK воздуха длиной в несколько миллиметров и давлением перемещается в середину капилляра. При этом стеньи капилляра па участке пузырька оказываются покрытыми смачивающей пленкой. Подготовленный капилляр I (рис. За) помещается в ту и е я.идкость, заполняющую часть стеклянной трубки 2 диаметром 2 мм. Давлеиие воздуха в трубке Р измерялось ртутным манометром через патрубок 3. Его можно было менять путем откачки воздуха форвакуумным насосом через патрубок 4. Для медленного и плавного изменепия давления Р откачка велась через капилляр диаметром 0,1. им, подключенный к насосу через стеклянный шаровой сосуд. Вся установка размещается на столике компаратора 3, с помощью которого методом темного поля измеряют длину пузырька в капилляре с точностью + 1 мк. Осветитель снабжен тепловым фильтром и включается только при проведении измерений. [c.157]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология