Пирамида гексагональная

Простые формы кристаллов. Низшая категория сингоний 1 — моноэдр 2 — пинакоид 3 — диэдр 4 — ромбическая призма 5 — ромбическая пирамида в — ромбическая дипирамида 7 — ромбический тетраэдр. Средняя категория сингоний, призмы 8 — тригональная 9 — тетрагональная 70 —гексагональная и—ди-тригональная 12 — дитетрагональная 13 — дигексагональная пирамиды 14 — тригональная 15 — тетрагональная 16 — гексагональная 17 — дитригональная [c.656]

Пирамида — собирательное название для простых форм, в которых все равные грани пересекаются в одной точке. Эти открытые формы имеют одну вершину. Если эта вершина обращена вверх — пирамида положительная, а если вниз — отрицательная. Пирамиды также называются по форме сечений, перпендикулярных их высоте. Это соответственно будут пирамиды тригональная (19), тетрагональная (20), гексагональная (21), дитригональная (22), дитетрагональная (23), дигексагональная (24), ромбическая (25). В моделях пирамиды всегда комбинируются с моноэдром. [c.145]

Геометрическая фор ма кристаллов горного хрусталя. Призма и пирамида гексагональной системы. [c.374]

Важнейшей особенностью парафинов, наиболее сильно отличающей их друг от друга и имеющей в практике большое значение, является кристаллическая форма модификаций и внешний вид (габитус) кристаллов. Кристаллы гексагональной сингонии (а-модификация) являются довольно длинными и относительно крупными. По внешнему виду они напоминают волокна, возможно, шестигранного сечения, заканчивающиеся пирамидами (рис. 25). Кристаллы ромбической сингонии (р-модификация) имеют форму протяженных тонких пластинок с контуром (в неискаженном виде). [c.87]

Для пирамидальных нг/до-полиэдров лишь с одной внутренней вершиной необходимо несколько иное рассмотрение, так как собственное значение одновершинного безреберного полного графа равно нулю, что приводит к неопределенным результатам при описанном выше взаимодействии типа б . Эту трудность можно обойти, учитывая, что единственными типами пирамид в химии кластеров с делокализованным связыванием являются квадратные, пентагональные и гексагональные пирамиды для этих типов пирамид могут быть построены схемы связывания, полностью аналогичные общеизвестным схемам для комплексов переходных металлов с циклобутадиеном, с бензолом и для циклопентадиенильных комплексов (см., например, [30]) . При такой аналогии атом внутренней вершины играет роль атома переходного металла и плоский многоугольник из атомов граничных вершин (т. е. основания пирамиды) выполняет роль плоского многоугольного цикла в комплексах металлов. Кроме того, п — 1 радиальных внутренних орбита-лей атомов граничных вершин в результате циклического взаимодействия образуют три орбитали, которые могут быть использованы для связывания с единственным атомом внутренней вершины, что представляется тремя неотрицательными собственными значениями соответствующего графа С , (л = 5, 6 и 7). Из этих трех полигональных орбиталей одна орбиталь — орбиталь Л, — не имеет узловых поверхностей, перпендикулярных плоскости многоугольника, тогда как две остальные орбитали — вырожденные орбитали Е — имеют каждая по одной узловой поверхности, перпендикулярной плоскости многоугольника. Эти две узловые поверхности вырожденных -орбиталей взаимно перпендикулярны, как схематично показано ниже [c.131]

ВИИ на пластину сжимающей или растягивающей силы в направлениях X или у, перпендикулярных оптической оси г (например, на поверхностях АА к ВВ, рис. до, при действии силы вдоль или /1), оптическая ось 2 проходит перпендикулярно плоскости рисунка (рис. 90) и параллельно ребрам гексагональной призмы кристаллов горного хрусталя, обычно увенчанных шестигранными пирамидами. Это явление было открыто братьями Кюри в 1880 г. При обратном пьезоэлектрическом эффекте изменяются размеры диэлектрика в зависимости от величины и направления приложенного электрического [c.294]

Трудно себе представить, что алмаз, обладающий столь высокой твердостью, является одной из форм углерода, другая форма которого-—графит. Все-таки удивительно, что графит и алмаз имеют один и Тот же химический состав, хотя алмаз наиболее твердый из всех Природных материалов, а графит используется для изготовления карандашей. Еще более поразительно сопоставление алмаза и аморфных (некристаллических) форм углерода древесного угля, кокса сажи. Громадная разница в свойствах графита и алмаза обусловлена Различным пространственным расположением атомов углерода в этих Двух минералах. В алмазе, имеющем кубическую кристаллическую уктуру, каждый атом углерода окружен четырьмя такими же Томами, образующими правильную четырехгранную пирамиду. Очень "Рочные химические связи между симметрично расположенными Томами объясняют высокую твердость алмаза. Графит же имеет Слоистую структуру, где наиболее прочные связи между атомами Углерода существуют внутри слоя, в котором атомы образуют Гексагональную сетку. Связь же между отдельными слоями очень Слабая, поэтому соседние слои могут легко скользить относительно [c.61]

Кварц — пьезоэлектрик (от греч. piezo — давление), в котором очень ярко проявляется пьезоэлектрический эффект. Прямым пьезоэлектрическим эффектом называется появление противоположных электрических зарядов на поверхности пластин, вырезанных нз кристаллов иер-пендикулярно электрическим осям х (рнс. 90), при действии на пластину сжимающей или растягивающей силы в направлениях х или у, перпендикулярных оптической оси 2 (например, на поверхностях АА и ВВ при действии силы вдоль х 2 или yi). Оптическая ось 2 проходит перпендикулярно плоскости рисунка и параллельно ребрам гексагональной призмы кристаллов горного хрусталя, обычно увенчанных шестигранными пирамидами. Это явление было открыто братьями Кюри в 1880 г. При об- [c.365]

В заключении этого раздела приведем топограмму краевой части кристалла, на которой можно видеть формирование узкой, но вполне реальной пирамиды <т>. Оценка скорости роста грани т по толщине наросшего слоя составляет 0,002 мм/сут. Виден также поворот ростовых дислокаций из пирамиды <Я> в пирамиду <т>. Обращает на себя внимание высокая степень дефектности материала пирамиды роста гексагональной призмы (рис. 54). [c.163]

Секториальное распределение аметистовой окраски в синтетических кристаллах аналогично тому, которое наблюдается для природных интенсивность окраски в пирамиде , как правило, превосходит таковую для пирамиды <г>. Скорость роста граней гексагональной призмы в калиевой системе, так же как и в натриевой, чрезвычайно мала (на два —три порядка меньше скорости роста граней / ). Однако в некоторых длительных циклах удалось все же получить нарастания по граням т до 0,2 мм. Соответствующие пирамиды роста <т> практически не содержат центров аметистовой окраски и остаются бесцветными после облучения. Таким образом, и для грани т наблюдается аналогия с природными кристаллами. По предварительным данным, коэффициент распределения центров аметистовой окраски для граней и <г> возрастает с увеличением скорости роста. [c.195]

Бесцветные гексагональные пирамиды. Довольно стабильны, не гигроскопичны Стабильные бесцветные кристаллы. Не расплываются на воздухе [c.52]

Как известно, грани положительной тригональной призмы на полярной диаграмме скоростей роста кристалла кварца соответствует седловая точка в сечении хг ей соответствует минимум, тогда как в сечении, перпендикулярном к оси г,— резкий максимум. Это обстоятельство приводит к неустойчивости этой грани. При малейшем отклонении от точной ориентировки, соответствующей кристаллографической плоскости (1120), на ней появляются ступеньки граней других индексов. Обычно образуются ступеньки сингулярных граней гексагональной призмы и граней положительной тригональной дипирамиды < + 5>. По мере нарастания кристалла такие грани образуют паразитные пирамиды На рис. 21 видно образование паразитных пирамид <+5> при наращивании кристаллов по плоскости (1 Г20) в щелочной и фторидной системах соответственно. Хорошо прослеживается укрупнение рельефа по мере роста вследствие слияния более мелких ступенек граней в более крупные. Видно также, что по мере нарастания основной грани <- -л > ступеньки < + 5> во фторидной системе испытывают значительное тангенциальное смещение, тогда как в щелочной системе такого смещения почти не наблюдается, что объясняется различием соотношений скоростей роста граней +х и +5 в указанных двух системах. [c.98]

В результате экспериментальных работ были определены условия выращивания кристаллов сапфира, близких к природным по окраске. Первые опыты были поставлены с целью выращивания спонтанных, кристаллов синего сапфира. Позднее использовались ориентированные затравки, изготовленные главным образом из лейкосапфира, выращенного методом ГНК или из лейкосапфира, полученного методом Вернейля. Применение в качестве затравок лейкосапфира, выращенного различными методами, не оказало существенного влияния на последующий рост кристаллов на этих затравках. Вначале использовались шлифованные неориентированные бруски. Затем, когда была замечена неодинаковая способность окрашиваться в синий цвет разных пирамид роста кристаллов корунда, стали готовиться ориентированные затравки I) круглые плоскоиараллельные пластины, вырезанные перпендикулярно к 1з 2) шаровидные шлифованные 3) пластинчатые, вырезание параллельно грани гексагональной дипирамиды с символом 2243 . Иногда в опытах в качестве затравки использовались искусственные кристаллы сапфира, выращенные на шаровидной затравке в предыдущих опытах. Такие кристаллы бывают огранены либо гранями гексагональной дипирамиды 2243 , либо гранями той же дипнрамиды в комбинации с гранями призмы 1120 , основного ромбоэдра 10Г1 и пинакоида 0001 . [c.233]

Кадмий кристаллизуется в виде пирамид гексагональной син-гонии в токе водорода могут быть получены кристаллы величиной 6—8 мм. Его решетка отличается от идеальной тем, что ось с несколько более вытянута по отношению к оси а с/а = 1,8856 вместо 1,6333). Кадмий существует в трех различных модификациях, неразличимых структурно при рентгенометрическом исследовании, но различающихся коэффициенталш расширения и величиной электролитического потенциала растворения (но лишь на тысячные доли вольта). Данные об его аллотропных превращениях не вполне достоверны. Одно из них происходит при 65° С (а Р), второе около 95 °С (Р "у). Хорошо изучена только низкотемпературная а-модификация, образующая гексагональные кристал- [c.15]

SiOa—кварц точка превращения 870° Кристаллы в форме двойных пирамид гексагональной системы. Оптически положительные. = 1,553 Нр = 1,544 [c.330]

Промышленному освоению методики гидротермальной перекристаллизации кварца в значительной мере способствовали геологические службы, обеспечивающие новое производство уникальными по размеру и однородности кристаллами, из которых были изготовлены первые партии крупноразмерных затравочных пластин различной, преимущественно базисной ориентации. В дальнейшем для выращивания пьезооптических кристаллов в массовом количестве стали применяться затравки из синтетических кристаллов, производство которых осуществлялось параллельно с выпуском товарной продукции для радиоэлектронной и оптической промышленности. Поскольку в процессе перекристаллизации нарастание кристаллов по граням гексагональной призмы практически не происходило и основная деловая пирамида роста плоскости базиса интенсивно выклинивалась положительным и отрицательным ромбоэдрами, для обеспечения технически приемлемых размеров синтетических кристаллов пьезокварца эпизодически требовалось пополнять затравочный фонд за счет природного кристаллосырья. Наряду с этим во ВНИИСИМС была разработана и внедрена рациональная каскадная система воспроизводства синтетического затравочного кварца, что позволило стандартизировать размеры и форму товарных затравок базисной ориентации. Принятая для серийного производства пьезокварца конфигурация затравок в виде прямоугольных пластин, значительно удлиненных в зоне оси г/, обеспечила максимальный выход делового кристаллосырья из базисной 50 [c.50]

Прустит и пираргирит. Ьз ЗР формы гексагональна призма а 1120 , гексагональные тирамиды г 10Т1 и е 0112 , ди-тригональные пирамиды г) 2131 и п 4153 — как положительные, так и отрицательные. Кристаллы прустита часто напоминают индивиды кальцита (7) скаленоэдрического и призматического облика (8). [c.165]

Турмалин. 3 ЗР формы призмы — гексагональная а 1120 , тригональна т 10Т0 и многочисленные дитригональные, например 4150 пирамиды— гексагональная 1232 (очень редк ), дитригональные / 2131 и <7 3142 , тригональные /- 1011 , о 0221 и е 0П2 моноэдр с 0001 . Положительные [c.170]

Вюртцит и гринокит. 6 6Р формы моноэдры — положительный с 0001 и отрицательный с 0001 , гексагональная призма ЮГО , гексагональные пирамиды — положитель№1е и отрицательные / 5052), о 5156 , г 1011 , с 10Т2 , р 1013 , 5 1122 . Облик пирамидальный (/—<3) для гринокита характерны двойники по 1014 4). [c.173]

Лед — снег. Сингония точно не установлена, возможно, гексагональная— Le P формы моноэдры положительный с 0001 и отрицательный с 0001 , гексагональная призма а 1120 , гексагональная пирамида р 1121 . Индивидуализированные призматического облика кристаллы образуются при очень низких температурах (/). При более высоких температурах возникают индивиды таблитчатые (2). Скелетные кристаллы чашеобразной формы (3) наблюдаются во влажных пещерах. При температурах, близких к 0°С, в атмосфере кристаллизуются ске- [c.174]

Тригональная, тетрагональная и гексагональная. Для кристаллов этих сингоний характерно преимущественное развитие граней призм и пинакоидов, дйпирамиды и пирамиды менее развиты для тригональ-ных кристаллов довольно обычны также ромбоэдры (см. рис. 15). [c.28]

При медленном испарении Р1С 2-4ы выделяется в виде желтых шестистороиних призм, имеющих псевдогексагональную симметрию. Кристаллы обыкновенно образованы с одного конца и представляют по своей внешности комбинации шестиугольной призмы первого рода и ясно развитого пинакоида. На некоторых экземплярах заметно также присутствие пирамиды первого рода в виде узких полосок. Но так как кристаллы действуют на поляризованный свет в направлении, перпендикулярном плоскости пинакоида, то они и должны быть отнесены к одной из систем с симметрией низшей, чем гексагональная. Плоскости призм имеют весьма резко выраженную штриховатость параллельно вертикальным ребрам. [c.51]

Смотреть страницы где упоминается термин Пирамида гексагональная: [c.22] [c.132] [c.243] [c.34] [c.66] [c.37] [c.147] [c.147] [c.287] [c.157] [c.187] [c.66] [c.157] [c.187] [c.410] [c.557] [c.759] [c.595] [c.106] [c.122] [c.327]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология