Скольжение сдвиг линии

На стадии легкого скольжения основной вклад в деформацию дают дислокации, вышедшие на поверхность кристалла, что подтверждается экспериментально [10]. На этой стадии (площадка текучести на кривой напряжение — деформация) пластическая деформация растяжения отожженного технического железа [33] происходит путем лавинообразного течения, как это установлено наблюдениями линий скольжения на поверхности и методом дифракционной электронной микроскопии. По данным работы [34 ], в ходе легкого скольжения сдвиг не продолжается по тем плоскостям, где он уже происходил, так как легче активировать источники дислокаций в новых (неупрочненных) плоскостях скольжения. [c.46]

Пусть под действием скалывающего напряжения т кристалл претерпел в пределах данной линии скольжения сдвиг на величину А, который не распространился, однако, на все сечение [c.173]

Условным или техническим пределом текучести — Сп 2 —называется напряжение, при котором образец получает остаточное удлинение в 0,2% от первоначальной расчетной длины. На полированной поверхности образца при этом появляются линии скольжения (сдвига), направленные под углом 45° к направлению усилия. [c.46]

На рис. 61 приведена схема, иллюстрирующая рассмотренное положение. В зерне А произошли сдвиги в ограниченной системе плоскостей скольжения, что привело к значительному уменьшению стандартного электродного потенциала в области выхода на поверхность группы линий скольжения. В зерне В сдвиги произошли в наиболее слабых местах, и локальный потенциал их также изменился в сторону отрицательных значений. Зерно Б неблагоприятно ориентировано относительно оси образца (и направления а), поэтому фактор ориентации os 0 os ф слишком [c.173]

Более реальным следует считать представление о преимущественном развитии механохимического эффекта в областях выхода линий скольжения, которые в обоих случаях находятся в возбужденном состоянии и вносят подавляющий вклад в величину прироста тока по сравнению со всей остальной поверхностью (активной или пассивной). Этот вклад, равный деформационному приросту тока реакции ионизации металла, определяется деформационным сдвигом химического потенциала атомов металлического электрода, одинаково влияющим на первичный акт перехода для активного и пассивного состояний, различающихся последующими промежуточными стадиями. Как в пленочной, так и в адсорбционной теориях пассивности считается установленным образование поверхностных хемосорбционных (промежуточных) соединений. На первичный акт перехода ион-атома металла при образовании такого промежуточного соединения оказывает влияние механическое воздействие на металлический электрод. [c.86]

На рис. 68 приведена схема, иллюстрирующая рассмотренное положение. В зерне А произошли сдвиги в ограниченной системе плоскостей скольжения, что привело к значительному уменьшению стандартного электродного потенциала в области выхода на поверхность группы линий скольжения. В зерне В сдвиги произошли в наиболее слабых местах, и локальный потенциал их также изменился в сторону отрицательных значений. Зерно Б неблагоприятно ориентировано относительно оси образца (и направления с), поэтому фактор ориентации os 0 os ф слишком мал и в зерне сдвигов не было совсем. Скачки потенциала при переходе от зерна к зерну обусловлены различной кристаллографической ориентацией поверхностей этих зерен. Таким образом, вследствие неравенства [c.175]

Таким образом, линия краевой дислокации неограниченно простирается в плоскости скольжения вдоль края лишней атомной плоскости в направлении, перпендикулярном к направлению скольжения (направлению положения силы), т. е. линия дислокации проходит через точку Р перпендикулярно плоскости рисунка. Другими словами, для чисто краевой дислокации линия дислокации перпендикулярна направлению приложения силы сдвига и направлению скольжения. [c.89]

Г лаз, идеальная острота зрения 7,5. ..0,5 Единичная линия сдвига (скольжения) 200 А [c.692]

По мере роста нагрузки (параметра с) в мягкой прослойке растут как нормальные, так и касательные напряжения. Если при этом касательные напряжения достигнут уровня предела текучести на сдвиг по всей контактной поверхности (для тонких прослоек) или по поверхностям, отвечающим огибающим линии скольжения (для толстых прослоек), и к этому моменту максимальные нормальные напряжения не достигнут величины сопротивления отрыву к , то будет реализовано предельно-вязкое состояние. Прослойка начнет проскальзывать по контактным поверхностям или по поверхностям скольжений, ее сечение будет уменьшаться, что приведет к снижению усилия и к вязкому разрушению. [c.372]

На рис. 2.7.2.3 дано совместное рассмотрение кругов Мора с линией предельных напряжений. Круг 1 соответствует исходному положению материала в сдвиговом приборе (рис. 2.7.1.5, а), круг 2 — росту сдвигового усилия без нарушения прочности зернистой среды, круг 3 — условиям сдвига, а точка касания определяет напряжение на площадке скольжения. [c.141]

Итак, критерий Кулона позволяет найти не только критическое условие, налагаемое на напряжение, но и направление, но которому будет осуществляться сдвиг при достижении состояния текучести. Когда при деформировании образуются полосы скольжения ( деформационные полосы ), их направление отвечает отсутствию вращения или искажения формы при пластических деформациях в образце. Это обусловлено тем, что направление полос соответствует линиям, в которых происходит непрерывный переход от недеформированного к деформированному материалу из-за достижения критических условий, отвечающих достижению состояния текучести. Если при этом сохраняется неизменным объем материала, то полосы соответствуют направлениям сдвиговых деформаций, как это предсказывается формулой (11.5). В то же время использование критерия Мизеса не позволяет оценить направление развития пластических деформаций и ориентацию деформационных полос без введения предположений, дополнительных к сформулированному соотношению между критическими значениями напряжений. [c.262]

На рис. -10, а [74] и У-Ю, б показан другой тип дислокации, а именно винтовая дислокация. Каждый кубик на верхнем рисунке — это атом или узел решетки. Дислокацию этого типа хорошо имитирует надрезанный ластик, одна часть которого смещена относительно другой. Если в некоторой плоскости кристалла возникает сдвиг, спиральная дислокация может быть следствием скольжения по любой плоскости, содержащей линию сдвига АВ (рис. У-10, б). По своей природе [c.216]

Скольжение в направлении [001] обнаружено при чисто сдвиговой деформации вдоль нормали к плоскости монокристаллов ПЭ [21]. Сдвиговые усилия при этом создавали весьма оригинальным образом — монокристаллы вылавливали с поверхности воды на ступенчатую угольную реплику, предварительно полученную с поверхности пластически деформированного монокристалла меди. Высота ступенек на реплике параллельна направлению молекулярных цепей в монокристалле ПЭ. Поскольку ПЭ имеет хорошую адгезию к углю, полагали, что при прилипании кристалла к реплике он ступенчато деформируется путем сдвига в направлении [001]. При исследовании этих кристаллов в темном поле на их поверхности обнаружили линии, которые и были интерпретированы авторами как линии скольжения. [c.168]

У монокристаллов, высаженных на подложку, должно быть вообще, по-видимому, много дефектов, поскольку при высыхании и охлаждении кристаллов на подложке на их поверхности образуются ступеньки сдвига. При растяжении они могут играть роль концентраторов напряжений, и в этих местах происходит размножение дислокаций. В кристалле, не лежащем на подложке, возможностей для размножения дислокаций меньше. Подтверждением этому предположению могут быть опыты по деформированию монокристаллов ПЭ без подложки [3]. При попытке растянуть кристаллы, высаженные на угольную подложку с трещинами, у части кристалла, висящей над трещинами, удавалось вызвать пластическую деформацию всего лишь 1—2% затем появлялись разрывы, пересекаемые фибриллами . Причем никаких следов скольжения в части кристаллов без подложки не было обнаружено. В частях же кристалла, соприкасавшихся с подложкой, в темном поле наблюдали линии скольжения. Кроме того что при высаживании на подложку в кристалле возникают дефекты, большое влияние на характер деформации может оказать и адгезия кристаллов к подложке. [c.170]

При наличии большого количества источников дислокаций сдвиги не сосредоточиваются в небольших локальных объемах, а распространяются на относительно большие по размерам плоскости. Такие сдвиги можно наблюдать в виде полос (линий) скольжения. Образовавшиеся в процессе микроударного воздействия полосы скольжения (рис. 76, а) играют в отношении образования трещин и очагов разрушения (рис. 76, б) ту же роль, что и границы зерен. [c.118]

Системы скольжения в МогС и W были изучены методом визуального наблюдения скольжения вокруг отпечатков Кнупа и Виккерса при комнатной температуре [26—31]. В МогС основной является система 0001 (2110), т. е. скольжение происходит вдоль базисной плоскости. Вторичная система — 1010 (2110) двойниковая система — 1012 (0001) (рис. 69) [26]. В W плоскости скольжения 1100 и возможные направления (0001) и (1120) (рис. 70) [27, 28]. Поскольку отношение с/а в W приблизительно равно 0,976, наиболее плотно упакована атомами вольфрама плоскость ПОО . Интересно отметить, что, как показывают рис. 69 и 70, скольжение происходит вокруг отпечатков индентора микротвердомера, полученных при комнатной температуре [26—31]. Вильямс [25] выполнил аналогичное исследование на Ti . Поскольку движение дислокации— анизотропный процесс, то размер отпечатка, который наблюдал Вильямс, в связи с возникновением линии скольжения обнаруживает некоторую ориентационную зависимость. Применив индентор Тукона (клинообразный), он обнаружил, что в плоскости отрыва 100 микротвердость изменяется по почти синусоидальному закону в зависимости от угла между индентором и направлением [100] в кристалле. Амплитуда ее изменения составляла примерно 8%, и, когда напряжение сдвига по плоскости 111 было минимальным, наблюдался минимум. Таким образом, даже при комнатной температуре возможно некоторое движение дислокаций. [c.154]

Кулона предельное сопротивление сыпучего- материала сдвигу пропорционально нормальному давлению на плоскость скольжения. Нормальное давление определяется внешней нагрузкой или массой частиц. Графически закон трения Кулона выражается прямой линией, наклоненной к оси абсцисс под определенным углом. Данную прямую 3 называют также реологическим уравнением сыпучего тела (рис. 2.1) [c.33]

Многие кристаллы можно частично деформировать путем трансляционного сдвига, или смещения части кристалла как единого целого по отношению к соседней части. Линия пересечения поверхности скольжения с внешней поверхностью кристалла носит название полосы скольжения. Детальное изучение скольжения обычно показывает, что полоса скольжения представляет собой пачку атомных плоскостей, каждая из которых сдвинута по отношению к соседней. В своей совокупности такие смещения создают картину макроскопически наблюдаемого сдвига. Это макроскопическое смещение отдельных плоскостей идентично уже упоминавшемуся скольжению. [c.44]

При рассмотрении плоскости атомов, скользящей в определенном кристаллографическом направлении по соседней плоскости, можно заметить, что разные части этой плоскости сдвигаются по соседней на разные расстояния. Это происходит потому, что атомы в кристалле связаны друг с другом не жестко, а упруго, так что местные нарушения и тепловые колебания приводят к неравномерному распределению сил по плоскостям скольжения. Линия раздела, отмечающая область, по каждую сторону от которой сдвиг плоскости относительно соседней произошел на разные расстояния, и будет называться дислокацией. Существует два вида дислокаций (не считая промежуточных) краевая и винтовая (рис. 1). Когда дислокации имеют винтовую компоненту при выходе на поверхность, они приводят к возникновению на поверхности ступеней, не исчезающих в процессе роста. Каждая дислокация представляет собой начало ступени. Необходимость в двухмерном зародыше отпадает. [c.16]

ЛЙНИИ СДВИГА — линии (следы скольжения), возникающие на поверхности кристалла вследствие сдвиговой пластической деформации. Под действием внешних сил кристалл разделяется на слои, смещающиеся относительно друг друга, а иа по- [c.702]

Особое значение учет фактора формы приобретает при постановке теоретических исследований для объяснения аномалии течения наполненных нефтяных дисперсных систем. Так, например, при высоких скорэостях сдвига вследствие преимущественной ориентации макромолекул вдоль линии тока, эффекта молекулярного скольжения, вязкость нефтяной дисперсной системы может оказаться существенно заниженной, чем при более низких скоростях сдвига, когда такая ориентация отсутствует. [c.89]

Максимальные скручивающие и сдвиговые искажения в решетке (ядро дислокации) будут концентрироваться в кристалле в области (ограниченной пунктирной линией на рис. 16), расположенной у основания ступеньки, а линией дислокации будет линия ВС. Таким образом, для чисто винтовой дислокации ее линия параллельна направлению приложения силы Р сдвига и направлению скольжения. Если мысленно поместить себя в узле решетки Е (рис. 16) и обойти вокруг линии дислокации БС по контуру EKLMNA, то попадем в точку А, сместившись вниз на одно межатомное расстояние (в идеальном кристалле без винтовой дислокации попали бы снова в точку Е), сделав еще один такой же оборот, сместимся вниз еще на одно межатомное расстояние и т. д. Другими словами, при наличии винтовой дислокации атомные плоскости решетки, как уже отмечалось, превращаются в подобие спиралевидной винтовой [c.90]

ДИСЛОКАЦИИ (от лат. dis... — приставка, означающая разделение, разъединение, и lo us — место)— линейные дефекты кристаллической решетки, вдоль и вблизи к-рых нарушено правильное расположение атомных плоскостей. Д. в непрерывной упругой среде теоретически исследовал итал. ученый В. Вольтерра в 1907. Различают два осн. вида Д.— краевые и винтовые. Если правильное расположение атомных плоскостей в кристалле нарушено тем, что одна из них обрывается вдоль некоторой прямой, эта линия наз. краевой Д. Она образуется, если разрезать кристалл по части AB D плоскости РР, ограниченной прямой АВ (рис., а на с. 366), сдвинуть верхнюю часть относительно нижней на одно межатомное расстояние Ъ в направлении нормали к АВ и воссоединить на противоположных краях разреза атомы, ставшие после сдвига ближайшими соседями. Оставшаяся лишней полуплоскость обрывается вдоль краевой Д., а на боковой поверхности кристалла возникает ступенька D шириной Ь. Вектор сдвига Ь, равный вектору трансляции решетки, наз. вектором Бюргерса. Если вектор Бюргерса параллелен краю надреза АВ, получается винтовая дислокация (в плоскости PiPj разрез и сдвиг на величину вектора Бюргерса осуществлены лишь на участке, ограниченном кривой EFG). Угол <р между вектором Бюргерса и вектором касательной к границе сдвига it) непрерывно изменяется от характерного для краевой Д. значения 90° в точке Е до значения 0° в точке G, где Д. имеет винтовую ориентацию. На промежуточных участках граница сдвига представляет собой смешанную дислокацию. Плоскость, проходящая через вектор Бюргерса и вектор касательной к линии дислокации, наз. плоскостью скольжения дислокации. Область вблизи края незавершенного сдвига, где межатомные расстояния значи- [c.365]

ПЛОТНОСТЬ энергии деформации у Gy , где G — модуль сдвига, изменяется обратно пропорционально г . Если эту энергию суммировать между внутренним и внешним радиусами и на длине L. то получается (LGb J4n)]n R /R ). В случае краевой дислокации напряжения и деформации зависят более сложным путем от угловых координат вокруг дислокационной линии. Преобладающими деформациями являются деформации сдвига по плоскости скольжения, противоположного знака с каждой стороны дислокации, а также сжатие и расширение выше и ниже дислокации (если рассматривать плоскость скольжения горизонтальной). В любом направлении они изменяются обратно пропорционально г, расстоянию от дислокации. Суммарная энергия деформации дается тем же выражением, как для винтовой дислокации, деленным на (1—v), где V — коэффициент Пуассона. Она, таким образом, несколько больше, чем для винтовой дислокации. Для дислокации промежуточного типа поля деформаций или напряжений винтовой и краевой дислокаций перекрываются пропорционально компонентам вектора Бургерса, разложенного параллельно и перпендикулярно к линиям дислокаций. Энергия имеет промежуточное значение между этими двумя крайними. [c.21]

В поле напряжений, возникающем от иных, несобственных источников (т. е. от приложенных извне нагрузок на кристалл или от других дислокаций), дислокация испытывает силы, которые стремятся заставить ее двигаться. Сила, стремящаяся вызвать скольжение дислокации, пропорциональна составляющей приложенного напряжения сдвига на ее плоскость скольжения, взятой в направлении ее вектора Бургерса. Сила на единицу длины равна этой составляющей напряжения, умноженной надлину вектора Бургерса. Она действует в плоскости скольжения в направлении, перпендикулярном линии дислокации. Таким образом, в случае замкнутой петли дислокации, лежащей в ее плоскости скольжения, приложенное напряжение сдвига обладает эффектом двухмерного давления, стремящегося растянуть или сжать равномерно петлю. Эта сила одинакова независимо от того, является ли дислокация краевого, винтового или промежуточного типа. Сила, стремящаяся вызвать переползание, зависит только от краевой компоненты дислокации и, взятая на единицу длины, равна этой компоненте, умноженной на осевое давление, параллельное ей. Ее можно представлять как силу, стремящуюся выжать экстраполуплоскость краевой дислокации. [c.22]

Элементарный приближенный способ решения трудных упругих задач, связанных с криволинейньши дислокациями, был предложен Моттом и Набарро [14]. Он состоит в том, что берут подходящее среднее значение для и затем трактуют логарифмический множитель как константу. Дислокационную линию можно рассматривать теперь как линию с постоянным натяжением, аналогичным поверхностному натяжению мыльной пленки, которое равно ее энергии на единицу длины. Таким образом, проблема дислокационной петли в ее плоскости скольжения под напряжением сдвига становится аналогичной (в двух измерениях вместо трех) задаче с мыльным пузырем, в котором поддерживается постоянное внутреннее давление. В гомогенном напряжении сдвига равновесие является неустойчивым малая петля сжимается, а большая растягивается неопределенно. Та же аналогия указывает нам, что в отсутствие других напряжений дислокационные линии будут стремиться выпрямляться и оканчиваться на свободных поверхностях кристалла нормально к ним и что три дислокационные линии равной мощности, встречающиеся в узле дислокационной сетки, будут стремиться [c.22]

Однако из (15.36) следует, что в кристалле всегда существует выделенная поверхность 5ск, в каждой точке которой пЬ = О и описанное смещение имеет характер сдвига, не нарушающего сплошность кристалла. Ясно, что это цилиндрическая поверхность с образующими параллельными вектору Ь, а направляющей для которой служит дислокационная петля (рис. 85). Она называется поверхностью скольжения рассматриваемой дислокации и является огибающей семейства плоскостей скольжения всех элементов дислокационной линии. Под плоскостью с/сольженыя элемента дислокации [c.251]

Если двойник имеет ограниченные поперечные размеры, то граница двойника на плоскости хОу является некоторой кривой линией (рис. 101), и потому она не может совпадать с кристаллической плоскостью. Граница двойника состоит из отдельных когерентных участков, оканчивающихся двойникующими дислокациями Владимирский К. В., 1947). Вектор Бюргерса двойникующей дислокации (рис. 102) лежит в плоскости двойникования, и последняя одновременно является плоскостью скольжения такой дислокации. Но двойникующий сдвиг всегда меньше сдвига, обеспечивающего скольжение (величина соответствующего вектора Бюргерса меньше межатомного расстояния). Двойникующие дислокации располагаются по контуру двойника, и густота их расположения определяет кривизну контура двойника. [c.302]

В. Д. Кузнецов [22] основным в процессе резания твердых тел считает пластическое сжатие, сопровождающее образование стружки. В качестве первого этапа резания представляется проникание резца (режущего органа) в обрабатываемое тело. Резец при этом рассматривается как симметричный или несимметричный клин. Названный этап характеризуется тем, что перед резцом развивается некоторая нанряукенная зона. Когда силы сопротивления на передней грани резца возрастают до величины, способной уравновесить предельное значение сопротивления сдвигу, появляются линии скольжения. Этому моменту соответствует наибольшее усилие резания. Вслед за этим происходит либо сдвигание первого элемента по плоскости скольжения, либо отрывание образовавшегося элемента от плоскости скольжения. Дальнейшее сдвигание элементов друг относительно друга приводит к образованию стружки. Таким образом, образование стружки металла, как правило, сопровождается периодическим изменением усилия резания [23]. [c.70]

На рис. 1 показан кристалл с простой кубич. решеткой, у к-рого сдвиг произошел только по одной части плоскости скольжения, тогда как на остальной части сдвиг отсутствовал линия АВ (располо- женная внутри кристалла) является границей той зоны AB D плоскости скольжения, где произошел сдвиг. Здесь же на торцевой поверхности кристалла показано расположение атомов в плоскости. [c.571]

Д. в кристаллах возникают в процессе образования и роста кристаллов из расплава или раствора. Даже при условии соблюдении самых тщательных предосторожностей вырастающий кристалл всегда содержит значительное число Д. Их движение приводит к появлению первых пластич. сдвигов уже при весьма малых напряжениях. С ростом напряжений внутри кристалла появляются многочисленные новые Д., не связанные уже с происхождением кристалла их перемещение по плоскостям скольжения ведет к дальнейшему развитию пластич. деформации. Плотность Д. (число дислокав,ионных линий, пронизывающих площадку в 1 см , взятую внутри кристалла) в хорошо отожженных недеформированных монокристаллах может составлять 10 —10 линий на 1 см в предельно наклепанном материале она достигает 10 —10 . [c.572]

На рис. 261 показан кристалл, на который действует сдвигающее напряжение. В кристалле началась пластическая деформация верхняя половина кристалла сдвигается относительно нижней по плоскости скольжения. Сравнивая рис. 260 и 261, можно видеть, что граница сдвига АВ, отделяющая сдвинутую область от несдвинутой, и есть линия краевой дислокации, перпендикулярная вектору сдвига. [c.316]

Пусть под действием внешней силы в кристалле произошел сдвиг и границей области сдвига является краевая дислокация (рис. 268, а). Для того чтобы этот сдвиг распространялся дальше и дислокация передвинулась в плоскости скольжения на одно межплоскостное расстояние, не нужен перенос массы и не нужно разрывать связи во всех атомных плоскостях, пересекающих плоскость скольжения. Достаточно, чтобы разорвалась связь по одной соседней плоскости, тогда дислокация переместится на одно междуатомное расстояние вправо (рис. 268, б). При этом лишняя атомная полуплоскость сама никуда не перемещается, а как бы передает эстафету соседней плоскости целостность плоскости, которая была оборванной, восстанавливается, а соседняя плоскость становится оборванной. Сдвиг происходит не одновременно по всей плоскости скольжения, а зарождается в слабом месте и постепенно распространяется по плоскости, так что в каждый момент в энергетически невыгодном положении находится лишь относительно небольшое количество атомов около границы между сдвинутой и несдвинутой частями кристалла. Граница зоны сдвига, т. е. линия дислокации, перемещается в плоскости скольжения по эстафете . Когда скользящая краевая дислокация пересекает весь кристалл и выходит на [c.318]

У.4. Краевые дислокации тесно связаны с процессом скольжения. Если к кристаллу ириложена внешняя сила, она будет вызывать сдвиг только вдоль определенных плоскостей, которые называются плоскостями скольжения. Данному типу решетки соответствует определенный набор плоскостей скольжения. Чем выше симметрия решетки, тем больше, в общем, число плоскостей скольжения. Обычно это плотноупакованные плоскости. Если, как это показано на рис. IV. , сила приложена к боковой грани кристалла, выше плоскости скольжения, в направлении стрелки, то можно представить себе сдвиг части кристалла по плоскости скольжения. Этот сдвиг вызывает уплотнение атомов справа от линии дислокации над плоскостью скольжения, что ведет к образованию краевой дислокации, а также ступеньки, которая возникает на правой грани кристалла. [c.121]

IV.9. Взаимоотношение краевых и винтовых дислокаций. Дислокация вдоль своей длины может переходить из краевой в винтовую и наоборот. Пусть па рис. IV.4 линия FGHI — контур кристалла, а плоскость бумаги — плоскость кристалла, вдоль которой возможно скольжение. Допустим, что часть кристал.па, расположенная над площадью AB DE, сдвигается на одно межатомное расстояние в направлении стрелки, причем часть кристалла ниже плоскости бумаги остается неподвижной. Такой сдвиг может осуществляться, если возникнут краевые дислокации (противоположного знака) вдоль ВС и АЕ и винтовые дислокации вдоль АВ и D. [c.123]

Как известно, существуют дислокации двух основных видов— краевые и винтовые. На фиг. 1.7 в двух измерениях изображена краевая дислокация. Простоты ради шары, изображающие атомы, не показаны. Атомы должны находиться во всех точках пересечения линий на фиг. 1.7. Можно представить себе, что введение лишней плоскости атомов АВ в верхнюю половину кристалла привело к его деформации. Плоскости в верхней половине кристалла стали ближе друг к другу, чем в нормальном равновесном положении (деформация сжатия), тогда как плоскости в нижней половине отстоят друг от друга дальше, чем в нормальном состоянии (деформация растяжения). Таким образом, у дислокации кристалл сильно напряжен. На фиг. 1.8 изображена в трех измерениях краевая дислокация, показанная на фиг. 1.7. Такую конфигурацию можно создать умозрительно введением лишней плоскости АВВ А или посредством сдвига кристалла за счет сжатия перпендикулярно плоскости DEF при одновременном растяжении перпендикулярно G FH. Линию АА называют дислокационной линией. Она служит границей между неизмененной частью кристала и частью, где произошло скольжение. Скольжение—это сдвиг части кристалла параллельно самой сеое вдоль плоскости в кристалле. Плоскость A FA, вдоль которой происходило смещение, называют плоскостью сдвига или плоскостью скольжения. Величину и направление [c.26]

Если кристалл смещается так, что направление сдвига и, следовательно, направление вектора Бюргерса параллельны дислокационной линии, то возникающий дефект называют винтовой дислокацией (фиг. 1,9). Здесь АА — дислокационная линия. Эту дисдокацию можно представить себе как следствие нажатия на АВСО при одновременном оттягивании АЕРС. Каждую атомную плоскость, проходящую через АА, можно считать плоскостью скольжения. [c.27]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология